TWI779052B - 供電構件及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供絕熱性優異且可以低損耗傳送電力之供電構件。 一實施形態之供電構件係用於供給電力之供電構件，其包含有第1導電構件、第2導電構件及連接構件，該連接構件至少一部分以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接。

Description

供電構件及基板處理裝置
本發明係有關於供電構件及基板處理裝置。
以往，已知有一種包含有設於處理容器內且具有基板之載置台的功能之下部電極、及與下部電極對向而設之上部電極的平行板型電漿處理裝置(例如參照專利文獻1)。
在平行板型電漿處理裝置中，經由匹配器、及以導電性材料形成之供電棒等供電構件對下部電極施加以射頻電源生成之射頻電力，而使處理容器內之程序氣體電漿化，藉此，對基板施行蝕刻等電漿處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2003-282544號
[發明所欲解決之問題]
然而，在上述電漿處理裝置，由於供電構件具高熱傳導性，故將下部電極調節成高溫或低溫而對基板進行處理時，有下部電極之溫度經由供電構件傳導至匹配器等周邊機器，周邊機器之溫度偏離使用溫度範圍之虞。因此，要求絕熱性優異且可以低損耗傳送電力之供電構件。
本發明係鑑於上述而作成，其目的在於提供絕熱性優異且可以低損耗傳送電力之供電構件。 [解決問題之手段]
為達成上述目的，本發明一態樣之供電構件係用於供給電力之供電構件，其包含有第1導電構件、第2導電構件及連接構件，該連接構件至少一部分以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接。 [發明之功效]
根據揭示之供電構件，絕熱性優異，且可以低損耗傳送電力。
[用以實施發明之形態]
以下，就用以實施本發明之形態，參照圖式來說明。此外，在本說明書及圖式中，藉對實質上相同之結構，附上相同之符號，而省略重複之說明。
本實施形態之供電構件係用於供給電力之供電構件，其包含有第1導電構件、第2導電構件及連接構件，該連接構件至少一部分以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接。如此，由於連接構件以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，故散熱效果因表面積之擴大而提高，且絕熱效果因截面積之縮小而提高。又，由於供電構件以第1導電構件、第2導電構件及多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，故可確保導電性。結果，絕熱性優異，且可以低損耗傳送電力。
(基板處理裝置) 首先，就可適用本實施形態之供電構件的基板處理裝置，舉蝕刻裝置為例來說明。圖1係本實施形態之蝕刻裝置的概略圖。
如圖1所示，蝕刻裝置1係載置台20與氣體噴灑頭25在處理容器亦即腔室10內對向配置之平行板型電漿處理裝置(電容耦合型電漿處理裝置)。載置台20具有保持半導體晶圓等被處理基板(以下僅稱為「晶圓W」)之功能，並且具有下部電極之功能。氣體噴灑頭25具有將氣體以花灑狀供至腔室10內之功能，並且具有上部電極之功能。
腔室10由例如表面經鋁陽極氧化處理(陽極氧化處理)之鋁構成，為圓筒形。腔室10電性接地。載置台20設置於腔室10之底部，而可載置晶圓W。
載置台20所呈現之結構係設有由例如鋁(Al)、鈦(Ti)、碳化矽(SiC)等形成之支撐體104、及形成載置台20之上面而用以靜電吸附晶圓之靜電吸盤106。靜電吸盤106形成為於由例如氧化鋁(Al2 O3 )等介電體構成的絕緣體106b之間夾持有吸盤電極106a的結構。
於吸盤電極106a連接直流電壓源112，而可從直流電壓源112將直流電力供至吸盤電極106a。藉此，可以庫侖力將晶圓W吸附至靜電吸盤106之表面。
於支撐體104之內部形成有冷媒流路104a。於冷媒流路104a連接有冷媒入口配管104b及冷媒出口配管104c。從冷卻器107輸出之例如冷卻水或鹵水等冷卻媒體在冷媒入口配管104b、冷媒流路104a及冷媒出口配管104c循環。藉此，可將載置台20及靜電吸盤106冷卻。
傳熱氣體供給源85使氦氣(He)及氬氣(Ar)等傳熱氣體通過氣體供給管路130而供至靜電吸盤106上之晶圓W的背面。藉此結構，靜電吸盤106可藉在冷媒流路104a循環之冷卻媒體及供至晶圓W之背面的傳熱氣體，控制溫度。結果，可將晶圓W控制為預定溫度。又，結構亦可為藉使用加熱源而加熱晶圓W。
於載置台20連接有供給2頻率重疊電力之電力供給裝置30。電力供給裝置30具有第1射頻電源32、及第2射頻電源34。
第1射頻電源32藉由第1匹配器33及供電構件70電性連接於載置台20。第1射頻電源32對載置台20施加第1頻率(例如100MHz)之電漿生成用射頻電力(High Frequency：高頻)。此外，在本實施形態中，射頻電力HF係對載置台20施加，亦可對氣體噴灑頭25施加。
第2射頻電源34藉由第2匹配器35及供電構件71電性連接於載置台20。第2射頻電源34對載置台20施加低於第1頻率之第2頻率(例如13.56MHz)的偏電壓用射頻電源LF(Low Frequency：低頻)。
第1匹配器33使負載阻抗與第1射頻電源32之內部(或輸出)阻抗匹配。第1匹配器33於腔室10內生成有電漿時，發揮使第1射頻電源32之內部阻抗與負載阻抗明顯一致的功能。
第2匹配器35使負載阻抗與第2射頻電源34之內部(或輸出)阻抗匹配。第2匹配器35於腔室10內生成有電漿時，發揮使第2射頻電源34之內部阻抗與負載阻抗明顯一致的功能。
供電構件70將以第1射頻電源32生成之射頻電力HF傳送至載置台20。關於供電構件70之結構後述。供電構件71將以第2射頻電源34生成之射頻電力LF傳送至載置台20。在圖1，使供電構件71簡略化而顯示，供電構件71亦可為與供電構件70相同之形態。
氣體噴灑頭25安裝成藉由將其周緣部絕緣之絕緣構件40，封閉腔室10之頂部的開口。如圖1所示，氣體噴灑頭25亦可電性接地。又，亦可連接可變直流電源而對氣體噴灑頭25施加預定直流(DC)電壓。
於氣體噴灑頭25形成有導入氣體之氣體導入口45。於氣體噴灑頭25之內部設有從氣體導入口45分歧之中心側擴散室50a及邊緣側擴散室50b。從氣體供給源15輸出之氣體經由氣體導入口45供至擴散室50a、50b，在各擴散室50a、50b擴散後，從多個氣體供給孔55往載置台20導入。
於腔室10之底面形成有排氣口60，以經由排氣管連接於排氣口60之排氣裝置65將腔室10內排氣。藉此，可將腔室10內維持在預定真空度。於腔室10之側壁設有閘閥G。藉閘閥G之開關，可從腔室10進行晶圓W之搬入及搬出。
於蝕刻裝置1設有控制裝置全體之動作的控制部100。控制部100具有CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)105、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)110、及RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)115。CPU105根據儲存於該等記憶區域之各種配方，執行後述蝕刻等所期處理。配方記載有裝置對程序條件之控制資訊亦即程序時間、壓力(氣體之排氣)、射頻電力或電壓、各種氣體流量、腔室內溫度(上部電極溫度、腔室之側壁溫度、靜電吸盤溫度等)、冷卻器107之溫度等。此外，該等程式及顯示處理條件之配方亦可記憶於硬碟或半導體記憶體。又，配方亦可以收容於CD-ROM、DVD等可以電腦讀取之可攜性記錄媒體的狀態設定於記憶區域之預定位置。
在蝕刻處理之際，控制閘閥G之開關，將晶圓W搬入至腔室10，載置於載置台20。藉從直流電壓源112將直流電流供至吸盤電極106a，可以庫侖力將晶圓W吸附保持於靜電吸盤106。
接著，將蝕刻氣體、電漿激發用射頻電力HF及偏電壓用射頻電力LF供至腔室10內，而生成電漿。藉所生成之電漿對晶圓W施行電漿蝕刻處理。
在蝕刻處理後，從直流電壓源112對吸盤電極106a施加與吸附晶圓W時正負相反之直流電壓HV而將晶圓W之電荷除電，將晶圓W從靜電吸盤106剝離。控制閘閥G之開關，而將晶圓W從腔室10搬出。
另外，供電構件70被要求以低損耗傳送射頻電力。因此，使用了電阻低之塊狀金屬(例如Al、Cu)，該等大多熱傳導性高。
因此，將載置台20調節成高溫或低溫而對晶圓W進行處理時，載置台20之溫度經由供電構件70傳遞至第1匹配器33等周邊機器，而有周邊機器之溫度偏離使用溫度範圍之虞。
是故，本案發明人們致力檢討對習知技術之問題點，結果，發現包含有第1導電構件、第2導電構件、及以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成且將第1導電構件與第2導電構件電性連接之連接構件的供電構件絕熱性優異，且可以低損耗傳送電力。以下，就絕熱性優異且可以低損耗傳送電力之本實施形態的供電構件作說明。
(供電構件) 就本實施形態之供電構件70作說明。圖2係顯示本實施形態之供電構件70的一例之圖。圖3係通過圖2之供電構件70的中心軸之縱截面圖。圖4係圖2之供電構件70的連接構件之截面形狀的說明圖。
本實施形態之供電構件70用於將載置台20與第1匹配器33裝卸自如地電性連接，而將以第1射頻電源32生成之射頻電力HF供至載置台20。
如圖2及圖3所示，供電構件70包含有第1導電構件710、第2導電構件720、連接構件730、支撐構件740。
第1導電構件710形成圓板狀。第1導電構件710以例如Al、Cu等塊狀金屬形成。第1導電構件710之上面構造成可與載置台20電性連接。
第2導電構件720與第1導電構件710隔著預定間隔對向配置。第2導電構件720與第1導電構件710同樣地形成圓板狀。第2導電構件720以例如Al、Cu等塊狀金屬形成。第2導電構件720之下面構造成可與第1匹配器33電性連接。此外，在本實施形態，第1導電構件710與第2導電構件720對向配置，未對向配置時，亦可電性連接。
連接構件730將第1導電構件710與第2導電構件720電性連接。連接構件730具有內部中空之圓筒部732、在圓筒部732之上端從圓筒部732延伸至徑方向外側之上凸緣部734、在圓筒部732之下端從圓筒部732延伸至徑方向外側之下凸緣部736。
上凸緣部734以形成為具有大於圓筒部732之直徑的內徑之圓環形狀的按壓構件750、及螺栓等鎖固構件752固定於第1導電構件710。藉此，上凸緣部734與第1導電構件710電性連接。
下凸緣部736以形成為具有大於圓筒部732之直徑的內徑之圓環形狀的按壓構件754、及螺栓等鎖固構件756固定於第2導電構件720。藉此，下凸緣部736與第2導電構件720電性連接。
藉此結構，以第1射頻電源32生成之射頻電力HF經由第2導電構件720、連接構件730及第1導電構件710供至載置台20。
在本實施形態中，連接構件730以加工成片狀之多孔金屬(以下稱為「多孔金屬片」。)形成。多孔金屬片可使用金屬纖維之不織布、金屬纖維之燒結體等金屬纖維無方向性地分散配置之片。金屬纖維之材料可為例如不鏽鋼(SUS)、銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)等。金屬纖維之纖維徑從導電性之觀點，宜大於按對載置台20施加之射頻電力HF的頻率訂定之表面深度d。此外，d以後述算式(1)定義。又，多孔金屬片亦可使用發泡金屬等具連通之多個氣孔的金屬材料之片。再者，亦可積層複數之多孔金屬片。
支撐構件740以具絕熱性之絕緣構件形成。支撐構件740具有圓柱部742、在圓柱部742之一端(上端)從圓柱部742延伸至徑方向外側之上凸緣部744、在圓柱部742之另一端(下端)從圓柱部742延伸至徑方向外側之下凸緣部746。
於圓柱部742之內部亦可形成使乾空氣等傳熱氣體通過而往連接構件730之圓筒部732的內部空間供給傳熱氣體之傳熱氣體供給路徑(圖中未示)。藉設傳熱氣體供給部，可以傳熱氣體冷卻連接構件730之圓筒部732。結果，散熱性提高。上凸緣部744以螺栓等鎖固構件(圖中未示)，固定於第1導電構件710。下凸緣部746以螺栓等鎖固構件760固定於第2導電構件720。藉支撐構件740當從供電構件70之上方或下方施加外力時，可防止以多孔金屬片形成之連接構件730的變形。
(功效) 就本實施形態之供電構件70的效果作說明。
首先，就形成供電構件70之連接構件730的多孔金屬片之絕熱性作說明。圖5係顯示多孔金屬片之一例的概略圖。如圖5所示，多孔金屬片以纖維徑10μm~20μm之金屬纖維形成。藉此，藉於細小之金屬纖維間形成許多間隙，傳熱氣體與金屬纖維間之接觸面積擴大，散熱特性提高。再者，藉金屬纖維之截面積小，隔熱特性亦提高。
接著，就形成供電構件70之連接構件730的多孔金屬片之導電性作說明。交流電流在導體流動時，產生電流密度在導體之表面高而當離開表面時則降低之集膚效應。集膚效應由於交流電流之頻率越高，電流越集中於表面，故導體之交流電阻高。更具體而言，電流達到在導體表面流動的電流之1/e的深度亦即表面深度d以下述算式(1)算出。
[數1]
Figure 02_image001
d：表面深度 σ：導體之導電率 μ：導體之磁導率 ω：電流之角頻率
舉例而言，使以銅形成之導體傳送100MHz之射頻電力時，當使用上述算式(1)，表面深度d算出為6.5μm。
圖6係集膚效應之說明圖。圖6(a)顯示塊狀金屬之一例亦即銅塊的截面圖，圖6(b)顯示金屬纖維之一例亦即銅纖維之截面。
如圖6(a)所示，使截面之直徑為70mm的銅塊傳送100MHz之射頻電力時，由於交流電流集中於銅塊之表面(d=6.5μm)，故交流電阻高。
相對於此，如圖6(b)所示，使纖維徑20μm左右的銅纖維傳送100MHz之射頻電力時，交流電流流至銅纖維之大部分(d=6.5μm)。藉此，金屬纖維每條有助於射頻電力傳送的面積之使用率提高。因而，以多條金屬纖維構成之金屬片相對於同程度尺寸之塊狀金屬，交流電阻降低。因而，可以低損耗傳送電力。
(變形例) 接著，就本實施形態之供電構件70的連接構件730之變形例作說明。圖7至圖9係本實施形態之供電構件的連接構件之另一例的截面形狀之說明圖。
在圖2至圖4，舉了供電構件70之連接構件730的形狀為圓筒(截面形狀為圓環)的情形為例來說明，連接構件730之形狀不限於此。
連接構件730亦可為多孔金屬片變形成各種形狀的構件。如圖7所示，連接構件730亦可為多孔金屬變形成捲狀之結構。藉此結構，由於散熱面積佔更大，故散熱特性提高。
又，連接構件730亦可為配置有複數個加工成板狀的多孔金屬(以下稱為「多孔金屬板」。)之構件。如圖8所示，連接構件730亦可為複數個(例如8個)多孔金屬板配置成放射狀的結構。由於藉此結構，散熱面積佔更大，故散熱特性提高。又，複數個多孔金屬板為了無構造上之偏移，宜配置於具對稱性的位置。此外，亦可將複數個多孔金屬板的一部分或全部置換成加工成板狀之塊狀金屬。
又，連接構件730亦可為配置有複數個加工成棒狀的多孔金屬(以下稱為「多孔金屬棒」。)之構件。如圖9所示，亦可為複數個(例如9個)多孔金屬棒配置成格子狀的結構。由於藉此結構，散熱面積佔更大，故散熱特性提高。又，複數個多孔金屬棒為了無構造上之偏移，宜配置於具對稱性的位置。此外，複數個多孔金屬棒的一部分或全部亦可置換成加工成棒狀之塊狀金屬。
又，連接構件730亦可為組合該等之複合構造。再者，連接構件730之一部分亦可以前述多孔金屬或複數之塊狀金屬形成。
(實施例) 接著，就具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件之絕熱性及導電性，具體地說明。
首先，就具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件之絕熱性作說明。圖10係絕熱性評估用評估系統之說明圖。如圖10(a)所示，將具有以多孔金屬片形成之連接構件730的供電構件70載置於熱板500上，加熱成熱板500之表面溫度達150℃(實施例1)。此時，將連接構件730於熱板500上載置成第1導電構件710為下側，第2導電構件720為上側。又，為比較，如圖10(b)所示，將具有以塊狀金屬形成之連接構件730R的供電構件70R載置於熱板500上，加熱成熱板500之表面溫度達150℃(比較例1)。此時，將連接構件730R於熱板500上載置成第1導電構件710為下側，第2導電構件720為上側。又，在加熱供電構件70、70R之狀態下，測定第1導電構件710之溫度(以圖中之p1顯示的位置之溫度)及第2導電構件720之溫度(以圖中之p2顯示的位置之溫度)。在本實施例中，位置p1與位置p2之間的距離為120mm。
圖11係顯示絕熱性之評估結果的圖。圖11(a)係實施例1之評估結果，圖11(b)係比較例之評估結果。在圖11(a)及圖11(b)，橫軸顯示時間(分)，縱軸顯示溫度(℃)。又，在圖11(a)及圖11(b)，Tp1 顯示在圖10之位置p1的溫度，Tp2 顯示在圖10之位置p2的溫度，△T顯示位置p1與位置p2之間的溫度差(Tp1 -Tp2 )。
如圖11(a)所示，在實施例1，得以確認位置p1與位置p2之間的溫度差為100℃左右。相對於此，在比較例1，位置p1與位置p2之間的溫度差為20℃以下。從該等點，具有以多孔金屬片形成之連接構件730的供電構件70可謂具有高於具有以塊狀金屬形成之連接構件730R的供電構件70R之絕熱性。
接著，使用具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件作為圖1所示之供電構件70、71，評估了以第1條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(實施例2)。又，為比較，圖1所示之供電構件70、71使用具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件，評估了以第1條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(比較例2)。第1條件如下。
＜第1條件＞ 壓力：50mTorr(6.7Pa) 射頻電力HF：2400W 射頻電力LF：0W 蝕刻氣體：CF4 (150sccm) 蝕刻時間：1分 晶圓W：SiO2 /Si(φ300mm)
圖12係實施例2及比較例2之蝕刻速率的測定結果，顯示晶圓W之位置(mm)與蝕刻速率(arb.units)之關係。
如圖12所示，得以確認實施例2之蝕刻速率與比較例2之蝕刻速率同等。即，具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件可謂具有與具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件同等之導電性。
接著，使用具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件作為圖1所示之供電構件70、71，評估了以第2條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(實施例3)。又，為比較，圖1所示之供電構件70、71使用具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件，評估了以第2條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(比較例3)。第2條件如下。
＜第2條件＞ 壓力：20mTorr(2.7Pa) 射頻電力HF：0W 射頻電力LF：2000W 蝕刻氣體：O2 (150sccm) 蝕刻時間：1分 晶圓W：SiO2 /Si(φ300mm)
圖13係實施例3及比較例3之蝕刻速率的測定結果，顯示晶圓W之位置(mm)與蝕刻速率(arb.units)之關係。
如圖13所示，得以確認實施例3之蝕刻速率與比較例3之蝕刻速率同等。即，具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件可謂具有與具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件同等之導電性。
接著，使用具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件作為圖1所示之供電構件70、71，評估了以第3條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(實施例4)。又，為比較，圖1所示之供電構件70、71使用具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件，評估了以第3條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(比較例4)。第3條件如下。
＜第3條件＞ 壓力：20mTorr(2.7Pa) 射頻電力HF：2400W 射頻電力LF：500W 蝕刻氣體：O2 (150sccm) 蝕刻時間：1分 晶圓W：SiO2 /Si(φ300mm)
圖14係實施例4及比較例4之蝕刻速率的測定結果，顯示晶圓W之位置(mm)與蝕刻速率(arb.units)之關係。
如圖14所示，得以確認實施例4之蝕刻速率與比較例4之蝕刻速率同等。即，具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件可謂具有與具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件同等之導電性。
接著，使用具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件作為圖1所示之供電構件70、71，評估了以第4條件對晶圓W進行電漿蝕刻處理時之蝕刻特性(實施例5)。又，為比較，圖1所示之供電構件70、71使用具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件，評估了以第4條件對晶圓W進行蝕刻處理時之蝕刻特性(比較例5)。第4條件如下。
＜第4條件＞ 壓力：20mTorr(2.7Pa) 射頻電力HF：600W 射頻電力LF：4500W 蝕刻氣體：O2 (150sccm) 蝕刻時間：1分 晶圓W：SiO2 /Si(φ300mm)
圖15係實施例5及比較例5之蝕刻速率的測定結果，顯示晶圓W之位置(mm)與蝕刻速率(arb.units)之關係。
如圖15所示，得以確認實施例5之蝕刻速率與比較例5之蝕刻速率同等。即，具有以多孔金屬片形成之連接構件的供電構件可謂具有與具有以塊狀金屬形成之連接構件的供電構件同等之導電性。
以上，就用以實施本發明之形態作了說明，上述內容並非限定發明內容，在本發明之範圍內可進行各種變形及改良。
在上述實施形態，舉了將供電構件70用於傳送以第1射頻電源32及/或第2射頻電源34生成之射頻電力的情形為例來說明，但不限於此。供電構件70亦可用於傳送以例如靜電吸盤用直流電壓源112生成之直流電流。此時，供電構件70設於直流電壓源112與吸盤電極106a之間。
本發明之蝕刻裝置1不僅可適用於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可適用於其他電漿處理裝置。其他之電漿處理裝置可舉例如感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)裝置、使用放射狀線槽孔天線之電漿處理裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置為例。
又，以本發明蝕刻裝置1處理之基板不限晶圓，亦可為例如平板顯示器用大型基板、EL元件或太陽能電池用基板。
1‧‧‧蝕刻裝置10‧‧‧腔室15‧‧‧氣體供給源20‧‧‧載置台25‧‧‧氣體噴灑頭30‧‧‧電力供給裝置32‧‧‧第1射頻電源33‧‧‧第1匹配器34‧‧‧第2射頻電源35‧‧‧第2匹配器40‧‧‧絕緣構件45‧‧‧氣體導入口50a‧‧‧擴散室50b‧‧‧擴散室55‧‧‧氣體供給孔60‧‧‧排氣口65‧‧‧排氣裝置70‧‧‧供電構件70R‧‧‧供電構件71‧‧‧供電構件85‧‧‧傳熱氣體供給源100‧‧‧控制部104‧‧‧支撐體104a‧‧‧冷媒流路104b‧‧‧冷媒入口配管104c‧‧‧冷媒出口配管105‧‧‧CPU106‧‧‧靜電吸盤106a‧‧‧吸盤電極106b‧‧‧絕緣體107‧‧‧冷卻器110‧‧‧ROM112‧‧‧直流電壓源115‧‧‧RAM130‧‧‧氣體供給管路500‧‧‧熱板710‧‧‧第1導電構件720‧‧‧第2導電構件730‧‧‧連接構件730R‧‧‧連接構件732‧‧‧圓筒部734‧‧‧上凸緣部736‧‧‧下凸緣部740‧‧‧支撐構件742‧‧‧圓柱部744‧‧‧上凸緣部746‧‧‧下凸緣部750‧‧‧按壓構件752‧‧‧鎖固構件754‧‧‧按壓構件756‧‧‧鎖固構件d‧‧‧表面深度G‧‧‧閘閥HF‧‧‧射頻電力LF‧‧‧射頻電力p1‧‧‧位置p2‧‧‧位置Tp1‧‧‧位置p1之溫度Tp2‧‧‧位置p2之溫度W‧‧‧晶圓△T‧‧‧位置p1與位置p2之間的溫度差
圖1係本實施形態之蝕刻裝置的概略圖。 圖2係顯示本實施形態之供電構件的一例之圖。 圖3係通過圖2之供電構件的中心軸之縱截面圖。 圖4係圖2之供電構件的連接構件之截面形狀的說明圖。 圖5係顯示多孔金屬片之一例的概略圖。 圖6(a)、(b)係集膚效應之說明圖。 圖7係本實施形態之供電構件的連接構件之另一例的截面形狀之說明圖(1)。 圖8係本實施形態之供電構件的連接構件之另一例的截面形狀之說明圖(2)。 圖9係本實施形態之供電構件的連接構件之另一例的截面形狀之說明圖(3)。 圖10(a)、(b)係絕熱性評估用評估系統之說明圖。 圖11(a)、(b)係顯示絕熱性之評估結果的圖。 圖12係顯示蝕刻特性之評估結果的圖(1)。 圖13係顯示蝕刻特性之評估結果的圖(2)。 圖14係顯示蝕刻特性之評估結果的圖(3)。 圖15係顯示蝕刻特性之評估結果的圖(4)。
70‧‧‧供電構件
710‧‧‧第1導電構件
720‧‧‧第2導電構件
732‧‧‧圓筒部
750‧‧‧按壓構件
754‧‧‧按壓構件
756‧‧‧鎖固構件

Claims (9)

  1. 一種供電構件，其用於供給電力，包含：第1導電構件；第2導電構件；及連接構件，其至少一部分以多孔金屬片形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接；該多孔金屬片以金屬纖維形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之供電構件，其中，該金屬纖維的纖維徑為10μm~20μm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之供電構件，其中，該多孔金屬片形成圓筒狀或捲狀。
  4. 如申請專利範圍第3項之供電構件，尚包含：支撐構件，其設於該圓筒狀之內部空間，一端與該第1導電構件連接，另一端與該第2導電構件連接，且以具絕熱性之絕緣構件形成。
  5. 如申請專利範圍第4項之供電構件，其中，於該支撐構件之內部形成有使傳熱氣體通過而往該圓筒狀之內部空間供給該傳熱氣體之傳熱氣體供給路徑。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之供電構件，該供電構件設於電漿生成用射頻電源與設在對基板施行預定電漿處理之處理容器內的電漿生成用電極之間，該第1導電構件與該電漿生成用電極連接，該第2導電構件連接於該射頻電源。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之供電構件，該供電構件設於靜電吸盤用直流電壓源與設在處理容器內的靜電吸盤用吸盤電極之間，該第1導電構件連接於該吸盤電極，該第2導電構件連接於該直流電壓源。
  8. 一種基板處理裝置，包含：處理容器；電漿生成用電極，其設於該處理容器內；射頻電源，其生成對該電漿生成用電極施加之射頻電力；及供電構件，其傳送以該射頻電源生成之該射頻電力而供至該電漿生成用電極；該供電構件具有：第1導電構件，其連接於該電漿生成用電極；第2導電構件，其連接於該射頻電源；及連接構件，其以多孔金屬片形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接；該多孔金屬片以金屬纖維形成。
  9. 一種基板處理裝置，包含：處理容器靜電吸盤用吸盤電極，其設於該處理容器內；直流電壓源，其生成對該吸盤電極施加之直流電力；及供電構件，其傳送該直流電壓源生成之該直流電力而供至該吸盤電極；該供電構件具有：第1導電構件，其連接於該吸盤電極；第2導電構件，其連接於該直流電壓源；及連接構件，其以多孔金屬或複數之塊狀金屬形成，而將該第1導電構件與該第2導電構件電性連接。
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