JP2023039202A - 基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を支持する基板支持体アセンブリにおいて、高温領域での温度制御性の向上を図る。【解決手段】温調媒体用の流路が形成された基台と、前記基台上に設けられた電極プレート及び前記電極プレート上に設けられた静電チャックを有し、基板を支持するように構成された基板支持体と、前記基板を加熱するためのヒータと、前記基台と前記電極プレートとの間に設けられた弾性部材であり、前記基板支持体を前記基台から離間させ、且つ、前記基台と前記電極プレートとの間に伝熱ガスが供給される伝熱空間を、当該基台及び当該電極プレートと共に画成する、弾性部材と、前記基台と前記電極プレートとを、当該基台と当該電極プレートとの間に前記弾性部材を挟持した状態で締結する締付部材と、前記弾性部材を介した前記基台と前記電極プレートとの間における伝熱を抑制する断熱部と、を備えた、基板支持体アセンブリ。【選択図】図3
Description
本開示は、基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置に関する。
特許文献1には、所定の処理ガス(原料ガス)を処理容器内で反応させることにより、被処理体の表面に成膜を行う成膜装置が開示されている。この成膜装置には、成膜時に被処理体(例えば半導体ウェハ)を載置する載置台本体(基板支持体)と、載置台本体を支持する基台とが設けられている。載置台本体は、被処理体の温度を調整するための加熱手段(加熱ヒータ)を備え、基台は、内部に冷却手段(冷媒通路)を備えている。また、この成膜装置では、載置台と基台との間に、断熱材が設けられている。
本開示に係る技術は、基板を支持する基板支持体アセンブリにおいて、高温領域での温度制御性の向上を図る。
本開示の一態様は、温調媒体用の流路が形成された基台と、前記基台上に設けられた電極プレート及び前記電極プレート上に設けられた静電チャックを有し、基板を支持するように構成された基板支持体と、前記基板を加熱するためのヒータと、前記基台と前記電極プレートとの間に設けられた弾性部材であり、前記基板支持体を前記基台から離間させ、且つ、前記基台と前記電極プレートとの間に伝熱ガスが供給される伝熱空間を、当該基台及び当該電極プレートと共に画成する、弾性部材と、前記基台と前記電極プレートとを、当該基台と当該電極プレートとの間に前記弾性部材を挟持した状態で締結する締付部材と、前記弾性部材を介した前記基台と前記電極プレートとの間における伝熱を抑制する断熱部と、を備えた、基板支持体アセンブリである。
本開示によれば、基板を支持する基板支持体アセンブリにおいて、高温領域での温度制御性の向上を図ることができる。
半導体デバイスの製造工程では、被処理体としての半導体基板(以下、「基板」ともいう。)にエッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって基板を処理する。
プラズマ処理を行うプラズマ処理装置は、一般的に、チャンバ、基板支持体アセンブリ、高周波(RF:Radio Frequency)電源を備える。RF電源は、例えば基板支持体アセンブリ内の電極(RF電極)に高周波電力(RF電力)を供給する。一例では、RF電源は、処理ガスのプラズマを生成するためのソースRF電力と、基板にイオンを引き込むためのバイアスRF電力とを供給する。基板支持体アセンブリは、チャンバ内に設けられている。基板支持体アセンブリは、RF電極及びRF部電極上に静電チャックを有する。
ところで近年、プラズマ処理では、半導体デバイスの更なる微細化に対応するため、BSi、HfO、Ru、WC等の難エッチングマスク材の適応が検討されている。このような難エッチング材に対応するためには、高温領域(例えば300℃以上)で基板をプラズマ処理することが重要となっている。
高温領域でのプラズマ処理に対応するため、基板支持体と基台との間にシール材を挟持し、これらによって囲まれる空間にヘリウム等の伝熱ガスを供給する技術が知られている。シール材としては、一般にゴム等のエラストマー製のOリングが使用される。しかしながら、エラストマー製のOリングは耐熱性が低く、高温領域でのプラズマ処理に対応することは困難である。そのため、例えばアルミ、SUS等の金属製のOリングやCリングをシール材として用いることが考えられる。その場合、金属の熱伝導率はゴムに比べ極めて大きいため、シール材が熱経路となり、基板支持体の表面温度を効率的に上昇させることができず、基板を十分に加熱することができなかったり、基板の加熱にハイパワーが必要になってしまうことが懸念される。
本開示に係る技術は上記事情に鑑みてなされたものであり、被処理体としての基板に対しプラズマ処理等を行う基板処理装置において、基板支持体の表面温度を効率的に上昇させ、高温領域での温度制御性の向上を図るものである。以下、一実施形態に係るプラズマ処理システム、及び本実施形態に係るエッチング方法を含むプラズマ処理方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<プラズマ処理システム>
先ず、一実施形態に係るプラズマ処理システムについて、図1を用いて説明する。図1は、プラズマ処理システムの構成を模式的に示す説明図である。
先ず、一実施形態に係るプラズマ処理システムについて、図1を用いて説明する。図1は、プラズマ処理システムの構成を模式的に示す説明図である。
一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置1及び制御部2を含む。プラズマ処理装置1は、プラズマ処理チャンバ10、基板支持体アセンブリ11及びプラズマ生成部12を含む。プラズマ処理チャンバ10は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ10は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも1つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも1つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部20に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム40に接続される。基板支持体アセンブリ11は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
プラズマ生成部12は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも1つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)、ECRプラズマ(Electron-Cyclotron-resonance plasma)、ヘリコン波励起プラズマ(HWP:Helicon Wave Plasma)、又は、表面波プラズマ(SWP:Surface Wave Plasma)等であってもよい。また、AC(Alternating Current)プラズマ生成部及びDC(Direct Current)プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ACプラズマ生成部で用いられるAC信号(AC電力)は、100kHz~10GHzの範囲内の周波数を有する。従って、AC信号は、RF(Radio Frequency)信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、RF信号は、200kHz~150MHzの範囲内の周波数を有する。
制御部2は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置1に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部2は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置1の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部2の一部又は全てがプラズマ処理装置1に含まれてもよい。制御部2は、例えばコンピュータ2aを含んでもよい。コンピュータ2aは、例えば、処理部(CPU:Central Processing Unit)2a1、記憶部2a2、及び通信インターフェース2a3を含んでもよい。処理部2a1は、記憶部2a2に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部2a2は、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース2a3は、LAN(Local Area Network)等の通信回線を介してプラズマ処理装置1との間で通信してもよい。
<プラズマ処理装置>
以下に、プラズマ処理装置1の一例としての容量結合プラズマ処理装置の構成例について、図2を用いて説明する。図2は、プラズマ処理装置1の構成の概略を示す縦断面図である。本実施形態のプラズマ処理装置1では基板(ウェハ)Wにプラズマ処理を行うが、プラズマ処理対象の基板Wはウェハに限定されるものではない。
以下に、プラズマ処理装置1の一例としての容量結合プラズマ処理装置の構成例について、図2を用いて説明する。図2は、プラズマ処理装置1の構成の概略を示す縦断面図である。本実施形態のプラズマ処理装置1では基板(ウェハ)Wにプラズマ処理を行うが、プラズマ処理対象の基板Wはウェハに限定されるものではない。
容量結合型のプラズマ処理装置1は、プラズマ処理チャンバ10、ガス供給部20、電源30及び排気システム40を含む。また、プラズマ処理装置1は、基板支持体アセンブリ11及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ10内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド13を含む。基板支持体アセンブリ11は、プラズマ処理チャンバ10内に配置される。シャワーヘッド13は、基板支持体アセンブリ11の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド13は、プラズマ処理チャンバ10の天部(ceiling)の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ10は、シャワーヘッド13、プラズマ処理チャンバ10の側壁10a及び基板支持体アセンブリ11により規定されたプラズマ処理空間10sを有する。側壁10aは接地される。シャワーヘッド13及び基板支持体アセンブリ11は、プラズマ処理チャンバ10の筐体とは電気的に絶縁される。
シャワーヘッド13は、ガス供給部20からの少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間10s内に導入するように構成される。シャワーヘッド13は、少なくとも1つのガス供給口13a、少なくとも1つのガス拡散室13b、及び複数のガス導入口13cを有する。ガス供給口13aに供給された処理ガスは、ガス拡散室13bを通過して複数のガス導入口13cからプラズマ処理空間10s内に導入される。また、シャワーヘッド13は、導電性部材を含む。シャワーヘッド13の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド13に加えて、側壁10aに形成された1又は複数の開口部に取り付けられる1又は複数のサイドガス注入部(SGI:Side Gas Injector)を含んでもよい。
ガス供給部20は、少なくとも1つのガスソース21及び少なくとも1つの流量制御器22を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部20は、少なくとも1つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース21からそれぞれに対応の流量制御器22を介してシャワーヘッド13に供給するように構成される。各流量制御器22は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部20は、少なくとも1つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも1つの流量変調デバイスを含んでもよい。
電源30は、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ10に結合されるRF電源31を含む。RF電源31は、ソースRF信号及びバイアスRF信号のような少なくとも1つのRF信号(RF電力)を、基板支持体アセンブリ11の導電性部材及び/又はシャワーヘッド13の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間10sに供給された少なくとも1つの処理ガスからプラズマが形成される。また、バイアスRF信号を基板支持体アセンブリ11の導電性部材に供給することにより、基板Wにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Wに引き込むことができる。
一実施形態において、RF電源31は、第1のRF生成部31a及び第2のRF生成部31bを含む。第1のRF生成部31aは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して基板支持体アセンブリ11の導電性部材及び/又はシャワーヘッド13の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースRF信号(ソースRF電力)を生成するように構成される。一実施形態において、ソースRF信号は、13MHz~150MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第1のRF生成部31aは、異なる周波数を有する複数のソースRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1又は複数のソースRF信号は、基板支持体アセンブリ11の導電性部材及び/又はシャワーヘッド13の導電性部材に供給される。第2のRF生成部31bは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して基板支持体アセンブリ11の導電性部材に結合され、バイアスRF信号(バイアスRF電力)を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスRF信号は、ソースRF信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスRF信号は、400kHz~13.56MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第2のRF生成部31bは、異なる周波数を有する複数のバイアスRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1又は複数のバイアスRF信号は、基板支持体アセンブリ11の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースRF信号及びバイアスRF信号のうち少なくとも1つがパルス化されてもよい。
また、電源30は、プラズマ処理チャンバ10に結合されるDC電源32を含んでもよい。DC電源32は、第1のDC生成部32a及び第2のDC生成部32bを含む。一実施形態において、第1のDC生成部32aは、基板支持体アセンブリ11の導電性部材に接続され、第1のDC信号を生成するように構成される。生成された第1のDC信号は、基板支持体アセンブリ11の導電性部材に印加される。一実施形態において、第1のDC信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第2のDC生成部32bは、シャワーヘッド13の導電性部材に接続され、第2のDC信号を生成するように構成される。生成された第2のDC信号は、シャワーヘッド13の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第1及び第2のDC信号がパルス化されてもよい。なお、第1及び第2のDC生成部32a、32bは、RF電源31に加えて設けられてもよく、第1のDC生成部32aが第2のRF生成部31bに代えて設けられてもよい。
排気システム40は、例えばプラズマ処理チャンバ10の底部に設けられたガス排出口10eに接続され得る。排気システム40は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間10s内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
<基板支持体アセンブリ>
次に、上述した基板支持体アセンブリ11、及び当該基板支持体アセンブリ11を含むプラズマ処理装置1について、図2及び図3を用いて説明する。図3は、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示す説明図である。
次に、上述した基板支持体アセンブリ11、及び当該基板支持体アセンブリ11を含むプラズマ処理装置1について、図2及び図3を用いて説明する。図3は、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示す説明図である。
基板Wを支持するための基板支持体アセンブリ11は、基台100及び基板支持体101を有している。基台100は、プラズマ処理チャンバ10の底部から延びる支持部材102によって支持されている。この支持部材102は、絶縁性の部材であり、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)から形成されている。また、支持部材102は、略円筒形状を有している。
基台100は、導電性を有する金属、例えばアルミニウムから形成されている。基台100は、略円盤形状を有している。基台100は、中央部100a及び周縁部100bを有している。中央部100aは、略円盤形状を有している。中央部100aは、基台100の第1の上面100cを提供している。
周縁部100bは、平面視において略円環形状を有している。周縁部100bは、中央部100aに連続しており、径方向において中央部100aの外側で、周方向に延在している。周縁部100bは、基台100の第2の上面100dを提供している。第2の上面100dは、鉛直方向において第1の上面100cよりも低い位置にある。また、周縁部100bは、中央部100aと共に、基台100の下面100eを提供している。
基台100には、温調媒体用の流路100fが形成されている。流路100fは、基台100内において、例えば螺旋状に延在している。この流路100fには、プラズマ処理チャンバ10の外部に設けられたチラーユニット110により温調媒体が供給される。流路100fに供給される温調媒体は、プラズマ処理装置1の使用温度範囲、例えば20℃以上250℃以下の温度帯域において液体である。あるいは、温調媒体は、その気化によって吸熱し、冷却を行う冷媒であってもよく、例えば、ハイドロフルオロカーボン系の冷媒であってもよい。
基台100には、給電体120が接続されている。給電体120は、給電棒であり、基台100の下面100eに接続されている。給電体120は、アルミニウム又はアルミニウム合金から形成されている。給電体120は、上述した電源30のRF電源31に電気的に接続されている。
基板支持体101は、基台100の第1の上面100c側に設けられている。基板支持体101は静電チャック130及び電極プレート131を有している。電極プレート131は、下部電極を構成しており、基台100の上に設けられている。電極プレート131は、導電性を有している。電極プレート131は、例えば、窒化アルミニウム又は炭化ケイ素に導電性を付与したセラミックス製であってもよく、あるいは、金属(例えばチタン)製であってもよい。
電極プレート131は、略円盤形状をなしており、中央部131a及び周縁部131bを有している。中央部131aは、略円盤形状を有している。中央部131aは、電極プレート131の上面131cを提供している。上面131cは、略円形の面である。周縁部131bは、中央部131aに連続しており、径方向において中央部131aの外側で、周方向に延在している。一実施形態では、周縁部131bは、中央部131aと共に、電極プレート131の下面131dを提供している。また、周縁部131bは、上面131eを提供している。この上面131eは、帯状の面であり、径方向において上面131cの外側で周方向に延びている。また、上面131eは、鉛直方向において、上面131cよりも下面131dの近くにある。
静電チャック130は電極プレート131上に設けられており、例えば、静電チャック130と電極プレート131との間に介在させた金属を用いた金属接合により、電極プレート131に結合されている。静電チャック130は、略円盤形状を有しており、セラミックスから形成されてよい。静電チャック130を構成するセラミックスは、室温(例えば、20℃)以上、400℃以下の温度範囲において、1×1015Ω・cm以上の体積抵抗率を有するセラミックスを用いてよい。このようなセラミックスとして、例えば金属酸化物である酸化アルミニウム(アルミナ)が用いられ得る。かかる体積抵抗率を有するセラミックス製の静電チャック130によれば、200℃を超える高温領域においても、十分な吸着力が発揮される。なお、静電チャック130には、セラミックス以外の誘電体、例えばポリイミドを用いてもよい。
静電チャック130は、吸着用電極140及びヒータ142を内蔵している。吸着用電極140は電極膜であり、当該吸着用電極140には、直流(DC)電源32が電気的に接続されている。DC電源32からのDC電圧が吸着用電極140に印加されると、静電力を発生し、当該静電力によって基板Wを保持する。なお、本実施形態では、静電チャックとしてクーロン型のものを例示しているが、これに限定されることはなく、静電着としてジョンソンラーベック型のものを採用してもよい。この場合、静電チャック130を構成するセラミックスとしては、室温以上400℃以下の温度範囲において、1×108~1×1011Ω・cmの体積抵抗率を有するもの、例えば、金属窒化物である窒化アルミニウム等が用いられる。
ヒータ142は、吸着用電極140の下方に位置して設けられる。ヒータ142は、例えば装置外のヒータ用電源(図示せず)に電気的に接続されている。ヒータ電源からの電圧がヒータ142に印加され、基板Wが所望の温度に調節される。
電極プレート131(基板支持体101)と基台100との間には、弾性部材160が設けられている。弾性部材160は、基台100の上面100cと、電極プレート131の下面131d側に配置された断熱部220とに接している。弾性部材160は、基板支持体101を基台100から上方に離間させている。この弾性部材160は、例えば、Oリングである。弾性部材160は、伝熱空間161にHeガスが供給されているときの当該伝熱空間161の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有するように構成される。また、弾性部材160には、低い熱伝導率及び高い耐熱性が要求される。このような弾性部材160は、エラストマー製又は金属製であってよい。エラストマー製の弾性部材160としては、FFKM(パーフルオロエラストマー)、FKM(ビニリデンフルオライド系フッ素ゴム)、シリコーン等から形成されてよい。また、金属製の弾性部材160としては、アルミニウム、SUS、Ni系超合金等から形成されてよい。
基台100、基板支持体101及び弾性部材160で囲まれる空間は、伝熱ガスが供給される伝熱空間161に構成されている。伝熱空間161は、基台100と基板支持体101との間において、弾性部材160により封止されている。伝熱空間161には、プラズマ処理チャンバ10の外部に設けられたガス供給部(図示せず)から、伝熱ガス、例えばHeガスが供給されるように構成されている。
電極プレート131(基板支持体101)と基台100との間においては、弾性部材160の上部に断熱部220が設けられている。断熱部220は、略環状板形状を有しており、電極プレート131に比べ熱伝導率の小さな部材あるいは空間である。即ち、弾性部材160と電極プレート131の下面131dとの間を熱的に遮断する部材あるいは空間である。断熱部220は、電極プレート131の下面131dの周縁131b側に、周方向にわたって設けられる。より具体的には、断熱部材220は、断熱部材220がなかった場合に、弾性部材160と下面131dとが接触する範囲に少なくとも設けられる。断熱部220は、例えば基台131の中央部131aと周縁部131bにわたってその下面131dに設けられてもよい。
断熱部220は、低熱伝導率の金属、セラミックス、樹脂等からなる部材から構成してよい。又は、断熱部220は、所定の領域に形成した減圧空間から構成してもよい。いずれの場合も、断熱部220の熱伝導率は、例えば20W/mK以下が好ましい。熱伝導率がこのような範囲にあれば、高温領域での基板処理においても、弾性部材130としてエラストマー製のものを用いた場合であっても、弾性部材130が耐熱温度以上に加熱されることを抑制できる。また、弾性部材130として金属製のものを用いた場合であっても、弾性部材130を経由する熱貫流量を減少させることができるため、基板支持体アセンブリの表面温度を効率的に上昇させることができる。
断熱部220を部材として構成する場合、断熱部220は、例えば、低熱伝導率の金属含有材料又はセラミックスであってよい。低熱伝導率の金属含有材料としては、例えば、純チタン、64チタン(Ti-6Al-4V)、チタン酸アルミニウムのチタン含有材料や、ステンレス等が例示される。また、セラミックスとしては、アルミナ、イットリア、ジルコニア、ガラスセラミックス等が例示される。また、断熱部220は、300℃以上の耐熱性を有するものであれば、高分子材料から構成してもよい。このような高分子材料としては、ポリイミド等がある。
また、断熱部220を部材として構成する場合、断熱部220は、表面処理が施された多孔質材であってよい。例えば、断熱部220は、多孔質材と、当該多孔質材の表面を覆うコート材とを含む構成としてもよく、表面を封孔した封孔層を有する多孔質材として構成としてもよい。多孔質材の表面を封孔する場合、封孔層の厚さは、多孔質材の表面から1mm以上であってよく、又は2mm以上であってもよい。多孔質材としては、多孔質アルミナ、多孔質チタン、多孔質ジルコニアが例示される。コート材又は封孔材としては、アルミニウムやチタン等の金属材料、エチルシリケートが例示される。表面処理は、例えば、コールドスプレーや含浸等によって行うことができる。
断熱部220を部材として構成する場合、断熱部220は、例えば、ホットプレス等により基台131と一体成型してよい。また、基台131の下面131dの外縁に周方向にわたる段差を設けて、この段差に断熱部220を溶接、溶射、接合、接着、ボルト留め等の任意の方法で取り付けてもよい。断熱部220の位置は、基台131に埋め込むような配置でもよく、あるいは、基台131の表面(ここでは下面131d)に取り付けるといった配置でもよい。
また、断熱部220を減圧空間とする場合、例えば、基台131の下面131d側に、周方向にわたる空間を形成し、当該空間を減圧することにより形成してもよい。なお、断熱部220として減圧空間を構成する場合には、減圧空間を単層構造としてもよく、複層構造としてもよい。複層構造とすることで更なる断熱効果の向上が図られる。
基板支持体アセンブリ11は、締付部材170をさらに有している。締付部材170は、弾性部材160を、基台100と電極プレート131との間に挟持するように構成されている。締付部材170は、電極プレート131と基台100との間の当該締付部材170からの熱伝導を抑制するために、低い熱伝導率を有する材料、例えば、チタンやチタン合金等のチタン含有材料から形成されてよい。
締付部材170は、筒状部170a及び環状部170bを有している。筒状部170aは、略円筒形状を有しており、その下端において第1の下面170cを提供している。環状部170bは、略環状板形状を有しており、筒状部170aの上側部分の内縁に連続して、当該筒状部170aから径方向内側に延びている。環状部170bは、第2の下面170dを提供している。
締付部材170は、第1の下面170cが基台100の上面100dに接し、第2の下面170dが電極プレート131の上面131eに接するように配置される。また、締付部材170は、例えば、基台100の周縁部100bに対してボルト171によって固定されてよい。この場合、ボルト171の締付部材170に対する締め付けトルクを調整することにより、弾性部材160の潰し量(圧縮量)が調整される。
なお、締付部材170の第2の下面170dと電極プレート131の上面131eの間には、弾性部材175が設けられていてもよい。この弾性部材175は、Oリングであってよく、第2の下面170dと上記上面131eとの摩擦により生じ得るパーティクル(例えば、金属粉)が、プラズマ処理空間10sに移動することを抑制する。
また、ここでは図示していないが、締付部材170の第1の下面170cと、基台100の上面100dとの間において、断熱効果を有する断熱空間を形成してもよい。この断熱空間は、プラズマ処理チャンバ10の真空引きに伴って減圧される構成でもよい。
締付部材170の上面側には、エッジリング180及びエッジリング用静電チャック181が設けられている。また、締付部材170の上面側には、エッジリング180及びエッジリング用静電チャック181に加えて、エッジリング温調部182を設けてもよい。エッジリング180、エッジリング用静電チャック181及びエッジリング温調部182は、上方から下方に向けてこの順で積層されてよい。エッジリング180は、基板支持体101(静電チャック130)上に載置された基板Wを囲むように配置される。エッジリング180は、基板Wに対するプラズマ処理の均一性を向上させる。
エッジリング用静電チャック181は、静電チャック130と同様の構成を有しており、すなわちエッジリング用静電チャック181は、基層190の内部に吸着電極191を設けた構成を有している。基層190は、平面視において略円環形状を有している。基層190は、例えば静電チャック130と同じ材料から形成されてよい。また、基層190は、基板Wを吸着保持する際の静電力(クーロン力又はジョンソンラーベック力)に応じて選択することができる。
吸着電極191は、導電性を有する略円環形状の電極膜である。吸着電極191には、装置外部のDC電源が電気的に接続されている。DC電源からのDC電圧が吸着電極191に印加されると、エッジリング支持体181はクーロン力又はジョンソンラーベック力の静電力を発生し、当該静電力によってエッジリング180を保持する。なお、吸着電極191は、異なる電位を生じるように構成された複数の電極から構成されてもよい。一例では、吸着電極191は、基台131の中央部131a側に配置された円環形状の内側電極と、この内周電極の外側に配置された円環形状の外側電極により構成される。
エッジリング温調部182は、基層200の内部にヒータ電極201を設けた構成を有している。基層200は、平面視において略円環形状を有している。基層200は、上記の基層190と同じ材料から形成されてもよい。
ヒータ電極201は、装置外部のヒータ電源に電気的に接続されている。ヒータ電源からの電圧がヒータ電極201に印加されると、エッジリング180が所望の温度に調節される。
なお、基板支持体アセンブリ11においては、基板Wと静電チャック130との間に伝熱ガス(例えばHeガス)を供給するためのガスライン(図示せず)が設けられている。基板Wと静電チャック130との間には、この伝熱ガスが拡散するガス拡散空間(図示せず)が形成されている。
<プラズマ処理方法>
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システムを用いて行われるプラズマ処理について説明する。プラズマ処理としては、例えばエッチング処理や成膜処理が行われる。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システムを用いて行われるプラズマ処理について説明する。プラズマ処理としては、例えばエッチング処理や成膜処理が行われる。
先ず、プラズマ処理チャンバ10の内部に基板Wを搬入し、静電チャック130上に基板Wを載置する。その後、静電チャック130の吸着用電極140にDC電圧を印加することにより、基板Wはクーロン力又はジョンソンラーベック力によって静電チャック130に静電吸着され、保持される。また、基板Wの搬入後、排気システム40によってプラズマ処理チャンバ10の内部を所望の真空度まで減圧する。
次に、ガス供給部20からシャワーヘッド13を介してプラズマ処理空間10sに処理ガスを供給する。また、RF電源31によりプラズマ生成用のソースRF電力を電極プレート131に供給する。そして、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、RF電源31によりイオン引き込み用のバイアスRF電力を供給してもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、基板Wにプラズマ処理が施される。
<本開示の技術の作用効果>
以上の実施形態によれば、基板支持体アセンブリ11の構成において、電極プレート131と弾性部材160との間に断熱部220を設けた構成としている。従って、比較的耐熱性の低いエラストマー製の弾性部材160を用いた場合であっても、高温領域(例えば300℃以上)の基板処理において、弾性部材160の破損や劣化を抑制することができる。
以上の実施形態によれば、基板支持体アセンブリ11の構成において、電極プレート131と弾性部材160との間に断熱部220を設けた構成としている。従って、比較的耐熱性の低いエラストマー製の弾性部材160を用いた場合であっても、高温領域(例えば300℃以上)の基板処理において、弾性部材160の破損や劣化を抑制することができる。
また、弾性部材160として、熱伝導率が高い金属製のものを用いた場合であっても、弾性部材160を経由する熱貫流量を減少させることが可能となり、基板支持体アセンブリ11の表面温度を効率的に上昇させることができる。即ち、基板Wを昇温あるいは保温させるために必要なヒータ142の出力が小さくなることから、エネルギー効率の向上や省エネが図られる。
なお、電極プレート131と弾性部材160との間に断熱部220を設けたことで、弾性部材160周辺の局所的な温度低下が低減される。これにより、静電チャック130の表面温度の面内均一性が向上し、基板Wの温度の面内均一性の向上を図ることも可能である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
<本開示の変形例>
上記実施形態では、基板支持体アセンブリ11の構成において、電極プレート131と弾性部材160との間に断熱部220を設けた構成を図示し説明したが本開示に係る範囲はこれに限定されるものではなく、断熱部220の構成としては種々のものが考え得る。そこで、以下では本開示の変形例について図面を参照して説明する。なお、以下の変形例において上記実施形態と同様の機能構成を有する構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する場合がある。
上記実施形態では、基板支持体アセンブリ11の構成において、電極プレート131と弾性部材160との間に断熱部220を設けた構成を図示し説明したが本開示に係る範囲はこれに限定されるものではなく、断熱部220の構成としては種々のものが考え得る。そこで、以下では本開示の変形例について図面を参照して説明する。なお、以下の変形例において上記実施形態と同様の機能構成を有する構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する場合がある。
(第1変形例)
図4は、第1変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図4は、第1変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図4に示すように、第1変形例に係る構成では、基板支持体101は静電チャック130、電極プレート131、温調部132が上からこの順に配置された構成を有する。温調部132は、静電チャック130と同様に、基台131との間に介在させた金属を用いた金属接合により、電極プレート131(下面131d)に結合されている。温調部132は、静電チャック130と同様に略円盤形状を有しており、セラミックスから形成されている。
本変形例においては、静電チャック130に吸着用電極140が内蔵され、温調部132にヒータ142が内蔵されている。即ち、基板支持体101において、吸着用電極140とヒータ142は電極プレート131を挟んで上下に離間するように設けられる。そして、温調部132の周方向外側に断熱部220を設けている。
本変形例に係る構成によれば、上記実施形態で説明した作用効果に加え、以下のような利点がある。即ち、基板支持体101は、吸着用電極140を備える静電チャック130と、ヒータ142を備える温調部132とを上下に分離し、静電チャック130と温調部132の間に電極プレート131を挟み込む構造を有する。このように吸着用電極140とヒータ142を分離することにより、静電チャック130の厚みを小さくすることができ、その結果、例えば400kHz等の低周波側のRF電力の損失を抑制することができる。また、基板Wと電極プレート131の間の電位差を小さくすることができ、基板Wの裏面における異常放電を抑制することができる。
(第2変形例)
図5は、第2変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図5は、第2変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図5に示すように、第2変形例に係る構成では、弾性部材160の下部に断熱部220が設けられている。
本変形例に係る構成では、電極プレート131と弾性部材160は接触しているため、弾性部材160はエラストマー製よりも金属製が好ましい。本変形例によれば、基台100と弾性部材160との間において断熱部220による断熱効果が得られるため、上記実施形態と同様に、弾性部材160を経由する熱貫流量を減少させることが可能となり、基板支持体アセンブリ11の表面温度を効率的に上昇させることができる。即ち、基板Wを昇温あるいは保温させるために必要なヒータ142の出力が小さくなることから、エネルギー効率の向上や省エネが図られる。
(第3変形例)
図6は、第3変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図6は、第3変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図6に示すように、第3変形例に係る構成では、弾性部材160の上部と下部の両方に断熱部220(ここでは第1断熱部220a及び第2断熱部220b)が設けられている。本変形例に係る構成によれば、弾性部材160の周辺における断熱性能の更なる向上が実現される。即ち、静電チャック130を高温にすることが求められた場合に、静電チャック130を弾性部材160の耐熱温度以上の温度に効率的に上昇させることが可能となる。
(第4変形例)
図7、図8は、第4変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図7、図8は、第4変形例に係る説明図であり、基板支持体アセンブリ11の一部を拡大して示したものである。
図7、図8に示すように、第4変形例に係る構成では、基台100と電極プレート131との間において、断熱部220の上下に当該断熱部220を挟むように第1の弾性部材160aと第2の弾性部材160bが配置される。具体的構成としては、図7のように第1の弾性部材160a、第2の弾性部材160b及び断熱部220が一体的な部材として構成されてもよい。あるいは、図8のように第1の弾性部材160a、断熱部220、第2の弾性部材160bが別部材としてこの順に上から積層されて配置された構成でもよい。
本変形例に係る構成では、第1の弾性部材160aの材料と、第2の弾性部材160bの材料とは同じでもよく、あるいは異なってもよい。例えば、一般的には電極プレート131の温度は基台100に比べ高温であることから、電極プレート131に接触する第1の弾性部材160aを金属製とし、基台100に接触する第2の弾性部材160bをエラストマー製としてもよい。
本変形例に係る構成によれば、断熱部220を基台100や電極プレート131に接合等する必要がない。そのため、上記実施形態で説明した作用効果に加え、装置の製造が容易になるとの利点がある。
なお、以上の実施形態や変形例では、エッジリング180はエッジリング用静電チャック181によって吸着保持されたが、エッジリング180の保持方法はこれに限定されない。例えば、吸着シートを用いてエッジリング180を吸着保持してもよいし、エッジリング180をクランプして保持してもよい。あるいは、エッジリング180の自重によりエッジリング180が保持されてもよい。かかる場合、エッジリング用静電チャック181は省略される。
1 プラズマ処理装置
10 プラズマ処理チャンバ
10s プラズマ処理空間
11 基板支持体アセンブリ
100 基台
101 基板支持体
130 静電チャック
131 電極プレート
140 吸着用電極
142 ヒータ
160 弾性部材
170 締付部材
220 断熱部
W 基板
10 プラズマ処理チャンバ
10s プラズマ処理空間
11 基板支持体アセンブリ
100 基台
101 基板支持体
130 静電チャック
131 電極プレート
140 吸着用電極
142 ヒータ
160 弾性部材
170 締付部材
220 断熱部
W 基板
Claims (17)
- 温調媒体用の流路が形成された基台と、
前記基台上に設けられた電極プレート及び前記電極プレート上に設けられた静電チャックを有し、基板を支持するように構成された基板支持体と、
前記基板を加熱するためのヒータと、
前記基台と前記電極プレートとの間に設けられた弾性部材であり、前記基板支持体を前記基台から離間させ、且つ、前記基台と前記電極プレートとの間に伝熱ガスが供給される伝熱空間を、当該基台及び当該電極プレートと共に画成する、弾性部材と、
前記基台と前記電極プレートとを、当該基台と当該電極プレートとの間に前記弾性部材を挟持した状態で締結する締付部材と、
前記弾性部材を介した前記基台と前記電極プレートとの間における伝熱を抑制する断熱部と、
を備えた、基板支持体アセンブリ。 - 前記ヒータは、前記静電チャックに内蔵される、請求項1に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記ヒータは、前記電極プレートの下面側に配置された温調部に内蔵される、請求項1に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部の熱伝導率は、20W/mK以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、チタン含有材料、ステンレス、アルミナ、イットリア、ジルコニア、ガラスセラミックス及びポリイミドからなる群から選択される少なくとも一種を含む材料から構成される、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、前記基台及び/又は前記電極プレート内に設けられた1層以上の減圧空間である、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、多孔質材と、前記多孔質材の表面を覆うコート材とを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、表面に封孔層を有する多孔質材である、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記封孔層の厚さは、前記多孔質材の表面から1mm以上である、請求項8に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記多孔質材は、酸化アルミナ、酸化チタン又はジルコニアから構成される、請求項7~9に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、前記電極プレートと前記弾性部材との間に設けられる、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記弾性部材は、エラストマー製又は金属製である、請求項11に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記弾性部材は、FFKM、FKM、シリコーン、アルミニウム、SUS、Ni系超合金の群から選択される少なくとも1種の材料から構成される、請求項12に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、前記基台と前記弾性部材との間に設けられる、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記断熱部は、金属製である、請求項14に記載の基板支持体アセンブリ。
- 前記締付部材と前記基台との間に断熱空間が形成される、請求項1~15のいずれか一項に記載の基板支持体アセンブリ。
- 少なくとも1つのガス供給口及び少なくとも1つのガス排出口を備えるチャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持体アセンブリと、
プラズマ生成部と、
を備える、プラズマ処理装置であって、
前記基板支持体アセンブリは、
温調媒体用の流路が形成された基台と、
前記基台上に設けられた電極プレート及び前記電極プレート上に設けられた静電チャックを有し、基板を支持するように構成された基板支持体と、
前記基板を加熱するためのヒータと、
前記基台と前記電極プレートとの間に設けられた弾性部材であり、前記基板支持体を前記基台から離間させ、且つ、前記基台と前記電極プレートとの間に伝熱ガスが供給される伝熱空間を、当該基台及び当該電極プレートと共に画成する、弾性部材と、
前記基台と前記電極プレートとを、当該基台と当該電極プレートとの間に前記弾性部材を挟持した状態で締結する締付部材と、
前記弾性部材を介した前記基台と前記電極プレートとの間における伝熱を抑制する断熱部と、
を備える、プラズマ処理装置。
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