CN108281342B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明的各种方面和实施方式涉及等离子体处理装置。
背景技术
根据现有技术，已知对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子处理装置中，为了实现被处理体的加工的面内均匀性，进行被处理体的温度控制是非常重要的。因此，对于等离子体处理装置，为了进行高级的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋设有温度调节用的加热器。需要向加热器供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热器供给电力(例如参照下述专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-1688号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
在等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环。但是，如专利文献1所示，在载置台的外周区域设置有供电端子的情况下，为了在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，载置台的径向的尺寸变大。在等离子体处理装置中，载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和与设置有供电端子的载置台的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度容易产生不均匀。在等离子体处理装置中，当聚焦环的径向的温度产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内的均匀性降低。
用于解决技术问题的技术方案
在一个实施方式中，公开的一种等离子体处理装置具有第一载置台和第二载置台。第一载置台具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面。第一载置台在载置面设置有加热器，在载置面的背面侧设置有供电端子。第一载置台在外周面设置有连接加热器与供电端子的配线且该配线内包绝缘物中。第二载置台沿第一载置台的外周面设置以载置聚焦环。
发明效果
根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，能够有效地抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。
附图说明
图1是表示实施方式中的等离子体处理装置的概略的构成的概略截面图。
图2是表示第一实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。
图3是表示配置有加热器的区域的一个例子的图。
图4是表示生片的一个例子的图。
图5是表示制造绝缘部方法的一个例子的图。
图6是表示第二实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。
图7是对第二实施方式的静电卡盘和绝缘部的制作方法进行说明的图。
附图标记说明
1 处理容器
2 第一载置台
2d 制冷剂流路
3 基座
5 聚焦环
6 静电卡盘
6c 加热器
6d 载置面
7 第二载置台
8 基座
9 聚焦环加热器
9a 加热器
10 等离子体处理装置
31 供电端子
32 配线
33 绝缘部
W 晶片。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中对相同或者相当的部分标注相同的附图标记。另外，不限于由本实施方式所公开的发明。可以使各实施方式在处理内容不矛盾的范围内适当地组合。
(第一实施方式)
[等离子体处理装置的构成]
最初，对实施方式中的等离子体处理装置10的概略的构成进行说明。图1是表示实施方式中的等离子体处理装置的概略的构成的概略截面图。等离子体处理装置10具有气密地构成并且形成为电接地的处理容器1。该处理容器1为圆筒形状，例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。处理容器1划成生成等离子体的处理空间。在处理容器1内收纳有水平地支承作为被处理体(work-piece：工件)的半导体晶片(以下仅称为“晶片”)W的第一载置台2。
第一载置台2呈在上下方向上朝向底面的大致圆柱状，上侧的底面形成为载置晶片W的载置面6d。第一载置台2的载置面6d形成为与晶片W相同程度的尺寸。第一载置台2包括载置台3和静电卡盘6。
基座3由导电性金属例如铝等构成。基座3作为下部电极发挥作用。基座3由绝缘体的支承台4支承，支承台4设置于处理容器1的底部。
静电卡盘6的上表面形成为平坦的圆盘状，该上表面形成为载置晶片W的载置面6d。在俯视时，静电卡盘6设置于第一载置台2的中央。静电卡盘6具有电极6a和绝缘体6b。电极6a设置于绝缘体6b的内部，直流电源12与电极6a连接。静电卡盘6通过从直流电源12向电极6a施加直流电压，利用库仑力吸附晶片W。另外，静电卡盘6在绝缘体6b的内部设置有加热器6c。加热器6c经后述的供电机构被供给电力，来控制晶片W的温度。
第一载置台2沿外周面在周围设置有第二载置台7。第二载置台7形成为内径比第一载置台2的外径大规定尺寸的圆筒形状，且与第一载置台2同轴地配置。第二载置台7的上侧的面形成为载置环状的聚焦环5的载置面9d。聚焦环5例如由单晶体硅形成，并载置在第二载置台7。
第二载置台7包含基座8和聚焦环加热器9。基座8例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。基座8由支承台4支承。聚焦环加热器9由基座8支承。聚焦环加热器9的上表面形成为平坦的环状形状，将该上表面形成为载置聚焦环5的载置面9d。聚焦环加热器9具有加热器9a和绝缘体9b。加热器9a设置于绝缘体9b的内部，被绝缘体9b内包。加热器9a经后述的供电机构被供给电力，来控制聚焦环5的温度。由此，利用不同的加热器，独立地控制晶片W的温度和聚焦环5的温度。
基座3与供电棒50连接。供电棒50经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，另外，经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a为等离子体产生用的电源，从该第一RF电源10a向第一载置台2的基座供给规定频率的高频电力。另外，第二RF电源10b为离子引入用(偏置用)的电源，从该第二RF电源10b向第二载置台3的基座供给比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力。
在基座3的内部形成有制冷剂流路2d。制冷剂流路2d的一个端部与制冷剂入口配管2b连接，另一个端部与制冷剂出口配管2c连接。另外，在基座8的内部形成有制冷剂流路7d。制冷剂流路7d的一个端部与制冷剂入口配管7b连接，另一个端部与制冷剂出口配管7c连接。制冷剂流路7d以位于晶片W的下方吸收晶片W的热的方式发挥作用。等离子体处理装置10通过使制冷剂、例如冷却水等分别在制冷剂流路2d和制冷剂流路7d中循环，来独立地控制第一载置台2和第二载置台7的温度。此外，等离子体处理装置10还可以为向晶片W或聚焦环5的背面侧供给冷热传递用的气体能够单独地控制温度的结构。例如，以贯通第一载置台2等的方式设置用于向晶片W的背面供给氦气等冷热传递用的气体(背景气体)的气体供给管。气体供给管与气体供给源连接。根据上述的构成，将利用静电卡盘6吸附保持于第一载置台2的上表面的晶片W控制在规定的温度。
另一方面，在第一载置台2的上方，以与第一载置台平行地相对的方式设置有具有作为上部电极的作用的喷头16。喷头16和第一载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。
喷头16设置于处理容器1的顶壁部分。喷头16具有主体部16a和构成电极板的上部顶板16b，隔着绝缘性材料95支承在处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料例如在表面形成有阳极氧化覆膜形成，其下部可拆卸地支承上部顶板16b。
在主体部16a的内部设置有气体扩散室16c，以位于该气体扩散室16c的方式在主体部16a的底部形成有多个气体流通孔16d。另外，在上部顶板16b，以在厚度方向上贯通该上部顶板16b的方式设置有气体导入孔16e，使得气体导入孔16e与上述气体流通孔16d重合。利用该构成，将供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状分散供给到处理容器内。
在主体部16a形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。气体供给配管15a的一端与该气体导入口16g连接。供给处理气体的处理气体供给源15与该气体供给配管15a的另一端连接。在气体供给配管15a，从上游侧按顺序设置有质量流量控制器(MFC)15b和开闭阀V2。然后，将用于等离子体蚀刻的处理气体从处理气体供给源15经由气体供给配管15a供给到气体扩散室16c，从该气体扩散室16c经由气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状分散地供给到处理容器1内。
作为上述的上部电极的喷头16经由低通滤波器(LPF)71与可变直流电源72电连接。该可变直流电源72通过接通、断开开关73能够进行供电的接通、断开。可变直流电源72的电流、电压和接通、断开开关73的接通、断开由后述的控制部90控制。此外，如后所述，将来自第一RF电源10a、第二RF电源10b的高频电力施加到第一载置台2而在处理空间产生等离子体时，根据需要，通过控制部90使接通、断开开关73接通，向作为上部电极的喷头16施加规定的直流电压。
另外，以从处理容器1的侧壁向比喷头16的高度位置更靠上方延伸的方式设置有圆筒形状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a，在其上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81，第一排气装置83经由排气管82与该排气口81连接。第一排气装置83具有真空阀，通过使该真空阀动作，能够将处理容器1内减压到规定的真空度。另一方面，在处理容器1内的侧壁设置有晶片W的搬入搬出口84，在该搬入搬出口84设置有开闭该搬入搬出口84的门阀85。
在处理容器1的侧部内侧，沿内壁面设置有防沉积屏蔽件86。防沉积屏蔽件86防止在处理容器1附着蚀刻副生成物(沉积)。在与该防沉积屏蔽件86的晶片W的大致相同高度的位置，设置有以能够控制对地的电位的方式连接的导电性部件(GND块)89，由此能够防止异常放电。另外，在防沉积屏蔽件86的下端部，设置有沿第一载置台2延伸的防沉积屏蔽件87。防沉积屏蔽件86、87可拆卸地构成。
上述构成的等离子体处理装置10利用控制部90总体地控制其动作。在该控制部90，设置有具有CPU来控制等离子体处理装置10的各部分的处理控制器91、用户接口92和存储部93。
用户接口92由步骤管理者为了管理等离子体处理装置10而进行命令输入操作的键盘、将等离子体处理装置10的运行状况可视化显示的显示器等构成。
存储部93收纳有方案，所述方案存储有用于在处理控制器91的控制下实现在等离子体处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)、处理条件数据等。然后，根据需要，由来自用户接口92的指示等从存储部93调出任意的方案并使其在处理控制器91中运行，由此在处理控制器91的控制下，在等离子体处理装置10中能够进行期望的处理。另外，控制程序或者处理条件数据等的方案可以利用存储于计算机可读取的计算机存储介质(例如，硬盘、CD、软盘、半导体存储器等)等的状态的方案，或者从其他的装置、例如通过专用线路随时传输以在线地使用。
[第一载置台和第二载置台的构成]
接着，参照图2，对第一实施方式的第一载置台2和第二载置台7的主要部分的构成进行说明。图2是表示第一实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分的构成的概略截面图。
第一载置台2包括基座3和静电卡盘6。静电卡盘6通过绝缘层30与基座3相接。静电卡盘6呈圆板形状，与基座3同轴设置。静电卡盘6在绝缘体6b的内部设置有电极6a。静电卡盘6的上表面形成为载置晶片W的载置面6d。在静电卡盘6的下端，形成有向静电卡盘6的径向外侧突出的凸缘部6e。即，静电卡盘6的外径根据侧面的位置而不同。
静电卡盘6在绝缘体6b的内部设置有加热器6c。此外，加热器6c也可以不存在于绝缘体6b的内部。例如，加热器6c可以贴在静电卡盘6的背面，也可以夹在载置面6d和制冷剂流路2d之间。另外，可以在载置面6d的区域整体设置1个加热器6c，也可以在将载置面6d分割而成的区域的每一者中单独地设置。即，也可以在将载置面6d分割而成的区域的每一者中单独地设置多个加热器6c。例如，加热器6c根据距中心的距离将第一载置台2的载置面6d分为多个区域，在各区域围住第一载置台2的中心的方式呈环状延伸。或者，可以包含加热中心区域的加热器和以包围中心区域的外侧的方式呈环状延伸的加热器。另外，也可以根据自中心的方向，将以包围第一载置台2的中心的方式呈环状延伸的区域分为多个区域，在各区域设置加热器6c。
图3是表示配置有加热器的区域的一个例子的图。图3是从上方看第一载置台2和第二载置台7的俯视图。图3中以圆板形状表示第一载置台2的载置面6d。载置面6d根据距中心的距离和方向被分为多个区域HT1，在各区域HT1单独地设置有加热器6c。由此，等离子体处理装置10，能够对每个区域HT1控制晶片W的温度。
回到图2。在第一载置台2设置有向加热器6c供给电力的供电机构。对该供电机构进行说明。第一载置台2在载置面6d的背面侧设置有供电端子31。即，供电端子31相对于基座3的静电卡盘6配置在相反一侧。供电端子31与设置于载置面6d的加热器6c对应地设置。另外，在载置面6d设置有多个加热器6c时，供电端子也与加热器6c对应地设置有多个。然后，第一载置台2在与第二载置台7相对的第一载置台2的外周面，设置有将连接加热器6c与供电端子31的配线32内包的绝缘部33。例如，从静电卡盘6的凸缘部6e沿外周面，设置有内包有配线32的绝缘部33。绝缘部33由绝缘物形成。例如，绝缘部33由氧化铝(Al2O3)陶瓷等陶瓷材料形成。例如，绝缘部33可以在将包含陶瓷等的生片层叠之后，烧结而形成。
图4是表示生片的一个例子的图。生片40由陶瓷材料以片状形成，与设置配线32的位置对应地设置利用导电性材料形成的导电部41。生片40与设置配线32的位置对应地设置导电部41。绝缘部33通过使导电部41的位置一致将生片40层叠之后、烧结而形成。图5是表示制造绝缘部的方法的一个例子的图。在图5的例子中，使导电部41的位置一致而层叠有3个生片40。导电部41通过使位置一致进行烧结，由此作为配线32发挥作用。
回到图2。优选绝缘部33比第一载置台2的热传导率低。例如，优选绝缘部33比基座3的热传导率低。例如，等离子体处理装置10用铝形成第一载置台2的基座3，用氧化铝陶瓷的烧结件形成绝缘部33。如此，通过使绝缘部33比第一载置台2的热传导率低，绝缘部33作为隔热材料发挥作用，能够抑制等离子体处理时的热量向第一载置台2传递。
绝缘部33设置于第一载置台2的周向的整个的外周面。由此，能够利用等离子体来保护第一载置台2的外周面。另外，绝缘部33将分别连接多个加热器6c与多个供电端子31的多个配线32分散在外周面并进行内包。由此，即使在第一载置台2的载置面6d配置有多个加热器6c时，也能够配置连接加热器6c与供电端子31的配线32。另外，绝缘部33在其与第一载置台2的外周面之间设置规定的间隙36而形成。由此，能够抑制由于第一载置台2与绝缘部33的热膨胀率不同而产生的影响。此外，绝缘部33也可以设置在第一载置台2的周向的一部分的外周面。
供电端子31通过配线35与未图示的加热器电源连接。根据控制部90的控制，从加热器电源向加热器6c供给电力。利用加热器6c对载置面6d进行加热控制。
第二载置台7包含基座8和聚焦环加热器9。聚焦环加热器9隔着绝缘层49与基座8接着。聚焦环加热器9的上表面形成为载置聚焦环5的载置面9d。此外，可以在聚焦环加热器9的上表面设置导热性高的片部件。
对第二载置台7的高度进行适宜调整，以使向晶片W传递的热量、RF电力与向聚焦环5传递的热量、RF电力一致。即，在图2中，例示了第一载置台2的载置面6d与第二载置台7的载置面9d的高度不一致的情况，但是两者也可以一致。
聚焦环5为圆环状的部件，与第二载置台7同轴设置。在聚焦环5的内侧侧面，形成有向径向内侧突出的凸部5a。即，聚焦环5的内径根据内侧侧面的位置而不同。例如，没有形成凸部5a的部位的内径比晶片W的外径和静电卡盘6的凸缘部6e的外径大。另一方面，形成有凸部5a的部位的内径比静电卡盘6的凸缘部6e的外径小，并且比没有形成静电卡盘6的凸缘部6e的地方的外径大。
聚焦环5以凸部5a成为离开静电卡盘6的凸缘部6e的上表面并且也从静电卡盘6的侧面离开的状态的方式配置于第二载置台7。即，在聚焦环5的凸部5a的下表面与静电卡盘6的凸缘部6e的上表面之间形成有间隙。另外，在聚焦环5的凸部5a的侧面与没有形成静电卡盘6的凸缘部6e的侧面之间形成有间隙。然后，聚焦环5的凸部5a位于绝缘部33与第二载置台7的基座8之间的间隙34的上方。即，从与载置面6d正交的方向看，凸部5a存在于与间隙34重合的位置并覆盖间隙34。由此，能够抑制等离子体进入绝缘部33与第二载置台7的基座8之间的间隙34。
聚焦环加热器9在绝缘体9b的内部设置有加热器9a。加热器9a呈与基座8同轴的环状。可加热器9a以在载置面9d的区域整体设置1个，也可以在将载置面9d分割而成的区域的每一者单独地设置。即，加热器9a可以在分割载置面9d而成的区域的每一者单独地设置多个。例如，加热器9a，可以根据自第二载置台7的中心的方向将第二载置台7的载置面9d分为多个区域，在各区域设置加热器9a。例如，在图3，在圆板形状的第一载置台2的载置面6d的周围，表示有第二载置台7的载置面9d。载置面9d根据自中心的方向被分为多个区域HT2，在各区域HT2单独地设置有加热器9a。由此，等离子体处理装置10能够对每个区域HT2控制聚焦环5的温度。
回到图2。在基座8，设置有向加热器9a供给电力的供电机构。对该供电机构进行说明。在基座8，形成有将该基座8从背面贯通至上表面为止的贯通孔HL。
在聚焦环加热器9和绝缘层49设置有供电用的接触点51。接触点51的一端面与加热器9a连接。接触点51的另一端面面向贯通孔HL，与供电端子52连接。供电端子52通过配线53与未图示的加热器电源连接。根据控制部90的控制，从加热器电源向加热器9a供给电力。载置面9d由加热器9a进行加热控制。此外，向聚焦环加热器9的加热器9a供电的供电机构，与向静电卡盘6的加热器6c供电的供电机构同样，可以设置在第二载置台7的侧面侧。例如，向聚焦环加热器9的加热器9a供电的供电机构可以在载置面9d的背面侧设置供电端子，将连接加热器9a与供电端子的配线设置成内包在绝缘物中。
[作用和效果]
接着，对本发明的等离子体处理装置10的作用和效果进行说明。在蚀刻等的等离子体处理中，为了实现晶片W的面内的加工精度的均匀性，要求不仅对晶片的温度而对设置于晶片W的外周区域的聚焦环5的温度进行调整。作为一个例子，等离子体处理装置10中，期望与晶片W的设定温度相比，将聚焦环5的设定温度设定在更高温度区域、例如100度以上的温度差。
因此，等离子体处理装置10将载置晶片W的第一载置台2和载置聚焦环5的第二载置台7分离地设置，来尽力抑制热量的传导。由此，等离子体处理装置10，能够不仅独立地调整晶片W的温度还能够调整聚焦环5的温度。例如，与晶片W的设定温度相比，等离子体处理装置10能够将聚焦环5的设定温度设定在更高温区域。由此，等离子体处理装置10能够实现晶片W的面内的加工精度的均匀性。
另外，等离子体处理装置10在相对第一载置台2的载置面6d的背面侧设置有供电端子31。然后，等离子体处理装置10在第一载置台2的外周面设置有将连接加热器6c与供电端子31的配线32内包而成的绝缘部33。
在此，例如，考虑等离子体处理装置10构成为：为了缩小第一载置台2和聚焦环5的重合部分，在第一载置台2的加热器6c的下部形成贯通孔而向加热器6c供给电力。但是，等离子体处理装置10，在采用在第一载置台2形成贯通孔以向加热器6c供给电力的构成的情况下，存在形成有载置面6d的贯通孔的部分热量的均匀性降低的不同点，对晶片W进行等离子处理的面内的均匀性降低。
另一方面，等离子体处理装置10在第一载置台2的外周面，设置有连接加热器6c与供电端子31的配线32。由此，等离子体处理装置10不在载置台2形成贯通孔就能够向加热器6c供给电力，因此能够抑制对晶片W进行等离子体处理的面内的均匀性的降低。另外，等离子体处理装置10在载置面6d的背面侧设置有供电端子31，在第一载置台2的外周面设置有内包有连接加热器6c与供电端子31的配线32的绝缘部33。由此，等离子体处理装置10能够缩小聚焦环5与绝缘部33重合的部分，因此，能够抑制聚焦环5的径向的温度产生不均匀，而能够抑制对晶片W进行等离子体处理的面内均匀性的降低。
另外，等离子体处理装置10在载置第二载置台7的聚焦环5的载置面9d设置有加热器9a。由此，等离子体处理装置10能够独立地调整不只能够调整晶片W的温度，还有聚焦环5的温度，因此能够提高晶片W的面内的加工精度的均匀性。例如，等离子体处理装置10中，与晶片W的设定温度相比，能够将聚焦环5的设定温度设定在更高温度区域、100度以上的温度差。由此，等离子体处理装置10能够实现晶片W的面内的加工精度的高均匀性。
另外，等离子体10在第一载置台2的内部形成有制冷剂流路2d。等离子体处理装置10通过在制冷剂流路2d流动制冷剂，能够控制晶片W的温度，能够提高利用等离子体处理而得到的晶片W的加工精度。
由此，本实施方式的等离子体处理装置10能够兼顾晶片W的面内温度的均匀性和晶片W与聚焦环5的温度差的控制性。
另外，等离子体处理装置10在将第一载置台2的载置面6d分割而成的区域的每一者中单独地设置有加热器6c。另外，等离子体处理装置10在第一载置台的载置面6d的背面侧设置有多个供电端子31。等离子体处理装置10以包围第一载置台2的外周面的方式呈环状形成有绝缘部33。在绝缘部33，分别连接多个加热器6c与多个供电端子31的多个配线32分散在外周面并被内包。由此，等离子体处理装置10即使在第一载置台2的载置面6d配置有多个加热器6c时，也能够配置连接加热器6c与供电端子31的配线32。
另外，等离子体处理装置10由热传导率比第一载置台2低的陶瓷形成有绝缘部33。由此，等离子体处理装置10中，绝缘部33作为绝热材料发挥作用，能够抑制等离子体处理时的热量向第一载置台2传递。
另外，等离子体处理装置10的绝缘部33通过将设置有作为配线32发挥作用的导电部41的片状的陶瓷材料(生片40)层叠、烧结而形成。生片40的绝缘性高。因此，等离子体处理装置10即使在为了增加加热器6c的产热量而增大在配线32中流过的电力时，也能够维持绝缘部33的绝缘性。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式进行说明。第二实施方式的等离子体处理装置10与图1所示的第一实施方式的等离子体处理装置10的构成相同，因此省略说明。
接着，参照图6，对第二实施方式的第一载置台2和第二载置台7的主要部分构成进行说明。图6是表示第二实施方式的第一载置台和第二载置台的主要部分构成的概略截面图。第二实施方式的第一载置台2和第二载置台7与图2所示的第一实施方式的第一载置台2和第二载置台7一部分为相同的构成，对相同部分标记相同的附图标记，并省略说明，主要对不同的部分进行说明。
第一载置台2包括基座3和静电卡盘6。第二实施方式的静电卡盘6由通过对基座3交替地喷镀绝缘性陶瓷等的绝缘物与导电性金属等的导电物得到的喷镀膜形成，具有电极6a、绝缘体6b和加热器6c。绝缘体6b由绝缘物的喷镀膜形成。电极6a和加热器6c由导电物的喷镀膜形成。加热器6c可以在载置面6d的区域整体地设置1个，也可以在将载置面6d分割而成的区域HT1每一者中单独地设置。
第一载置台2在载置面6d的背面侧设置有供电端子31。供电端子31与设置于载置面6d的加热器6c对应地设置。然后，第一载置台2在与第二载置台7相对的第一载置台2的外周面设置有内包有连接加热器6c与供电端子31的配线32的绝缘部33。例如，从静电卡盘6的凸缘部6e沿外周面设置有内包有配线32的绝缘部33。
在此，对第二实施方式的静电卡盘6和绝缘部33的制作方法进行说明。图7是说明第二实施方式的静电卡盘和绝缘部的制作方法的图。图7的(A)—(E)中表示有制作静电卡盘6和绝缘部33的流程。
首先，如图7的(A)所示，对基座3的上表面和侧面喷镀绝缘性陶瓷，在基座3的上表面和侧面形成由绝缘性陶瓷的喷镀膜形成的绝缘层L1。作为绝缘陶瓷例如能够列举氧化铝、氧化钇。
接着，如图7的(B)所示，对绝缘层L1喷镀导电性金属，在绝缘层L1上整体地形成由导电性金属的喷镀膜形成的导电层L2，通过喷镀加工、研磨等除去导电层L2的不要的部分，由此在导电层L2形成加热器6c、配线32。作为导电性金属例如能够举出钨。此外，可以在基座3的绝缘层L1配置与加热器6c、配线32对应的图案，喷镀导电性金属形成导电层L2，由此形成加热器6c和配线32。
接着，如图7的(C)所示，对导电层L2喷镀绝缘性陶瓷，在基座3的上表面和侧面形成由绝缘性陶瓷的喷镀膜形成的绝缘层L3。
接着，如图7的(D)所示，对绝缘层L3喷镀导电性金属，在绝缘层L3上整体地形成由导电性金属的喷镀膜形成的导电层L4，通过喷镀加工、研磨等除去导电层L4的不要的部分，由此在导电层L4形成电极6a。此外，可以在绝缘层L3配置与电极6a对应的图案，喷镀导电性金属形成导电层L4，由此形成电极6a。
接着，如图7的(E)所示，对导电层L4喷镀绝缘性陶瓷，在基座3的上表面和侧面形成由绝缘性陶瓷的喷镀膜形成的绝缘层L5。
此外，可以在比静电卡盘6的电极6a靠下层和基座3设置针孔。然后，可以从直流电源12经由配置于针孔的供电端子而向电极6a供给电力。另外，在导电层L4也可以与配线32同样形成供电用的配线。另外，从直流电源12经由形成于导电层L4的供电用的配线向电极6a供给电力。
利用喷镀形成的绝缘层L1、L3、L5、导电层L2、L4为多孔的，因此即使由于温度变化而基座3膨胀、收缩，也不会发生破裂，能够耐受膨胀、收缩。
另外，喷镀的成本低。因此，利用喷镀来制作静电卡盘6和绝缘部33，由此能够以低成本制作静电卡盘6和绝缘部33。
此外，在第二实施方式中，对利用喷镀一起制作静电卡盘6和绝缘部33的情况进行了说明，但是不限于此。静电卡盘6和绝缘部33也可以分开制作。另外，静电卡盘6通过绝缘性的陶瓷板的烧结形成一部分或者整体。例如，静电卡盘6和绝缘部33，也可以通过喷镀形成绝缘层L1、L3和导电层L2、L4，通过绝缘性的陶瓷板的烧结形成绝缘层L5。另外，也可以通过绝缘性的陶瓷板等的烧结形成静电卡盘6，通过喷镀形成绝缘部33。
[作用和效果]
由此，等离子体处理装置10的绝缘部33在通过喷镀导电性金属形成的绝缘层内(绝缘层L1、L3之间)，通过喷镀导电性金属形成有作为配线32发挥作用的导电层L2。因此，关于等离子体处理装置10，即使基座3膨胀、收缩，也耐受住而产生裂痕。另外，等离子体处理装置10，能够以低成本制作静电卡盘6和绝缘部33。
以上，能够对各种实施方式进行了说明，但是也可以不限于上述实施方式，能够构成各种变形方式。例如，上述的等离子体处理装置10可以为电容耦合型的等离子体处理装置10，但是第一载置台2能够采用任意的等离子体处理装置10得到。例如，等离子体处理装置10可以为感应结合型的等离子体处理装置10、利用微波之类的表面波使气体激发的等离子体处理装置10这样的任意类型的等离子体处理装置10。

Claims (8)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
第一载置台，其具有用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面和外周面，在所述载置面设置有加热器，在所述载置面的背面侧设置有供电端子，连接所述加热器与所述供电端子的配线以内包于绝缘物中的方式设置在所述外周面；和
第二载置台，其沿第一载置台的外周面设置，用于载置聚焦环，
在所述第一载置台与所述第二载置台之间设置着连接所述加热器与所述供电端子的所述配线以及内包该配线的所述绝缘物。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二载置台在用于载置所述聚焦环的载置面设置有加热器。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一载置台在内部形成有制冷剂流路。
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一载置台在将所述载置面分割而成的每个区域独立地设置有所述加热器，并且在背面侧设置有多个供电端子，
所述绝缘物以包围所述第一载置台的外周面的方式形成为环状，将多个所述加热器与多个所述供电端子分别连接的多个所述配线分散于外周面而被内包在所述绝缘物中。
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述绝缘物由比所述第一载置台的导热率低的陶瓷形成。
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述绝缘物与所述外周面之间设置有规定间隔的间隙。
7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述绝缘物通过将设置有作为所述配线发挥作用的导电部的片状的陶瓷材料层叠、烧结而形成。
8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述绝缘物在通过喷镀绝缘性陶瓷形成的绝缘层内，通过喷镀导电性金属形成有作为所述配线发挥作用的导电层。
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