TW202307910A - 電漿處理裝置用之電極及電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題係控制電漿電子密度。其解決手段係提供一種電漿處理裝置用之電極，該電極具備：第1構件，係導電性；以及第2構件，設在該第1構件之內部，係以二次電子發射係數不同於該第1構件的材質所形成。

Description

電漿處理裝置用之電極及電漿處理裝置

本發明係有關於電漿處理裝置用之電極及電漿處理裝置。

例如於專利文獻1，揭露了平行板型的電容耦合電漿處理裝置。此電漿處理裝置的上部電極具有與載置台相向、而對電漿空間露出的電極板。電極板係一片板材，而由Si（矽）或SiC（碳化矽）的單一材質構成。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2020-109838號公報

[發明所欲解決的問題]

本發明提供一種可以控制電漿電子密度的技術。 [解決問題之技術手段]

藉由本發明之一態樣，可提供一種電漿處理裝置用之電極，該電極具備：第1構件，係導電性；以及第2構件，設在該第1構件之內部，係以二次電子發射係數不同於該第1構件的材質所形成。 [發明之效果]

藉由本發明的一樣態，可控制電漿電子密度。

以下將參照圖式，就本發明之實施形態進行說明。於各圖式，對於同一構成部分係標注同一符號，並有省略重複說明的情形。

［電漿處理系統］ 以下將就電漿處理系統的構成例，參照圖1進行說明。

電漿處理系統含有電容耦合型電漿處理裝置1、以及控制部2。電漿處理裝置1含有電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30、以及排氣系統40。再者，電漿處理裝置1含有基板支撐部11以及氣體導入部。氣體導入部對電漿處理腔室10內導入至少1種處理氣體。氣體導入部含有噴淋頭（shower head）13。基板支撐部11配置於電漿處理腔室10內。噴淋頭13配置於基板支撐部11的上方。於一實施形態，噴淋頭13構成電漿處理腔室10的頂棚部（ceiling）之至少部分。電漿處理腔室10具有由噴淋頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支撐部11所劃定出的電漿處理空間10s。電漿處理腔室10具有對電漿處理空間10s供給至少1種處理氣體的至少1個氣體供給口、以及用以從電漿處理空間排出氣體的至少1個氣體排出口。側壁10a接地。基板支撐部11與電漿處理腔室10外殼係電性絶緣。

基板支撐部11含有本體部111及環組件112。本體部111具有：用以支撐基板（晶圓）W的中央區域（基板支撐面）111a、以及用以支撐環組件112的環狀區域（環支撐面）111b。本體部111的環狀區域111b於俯視觀察下係圍繞著本體部111的中央區域111a。基板W配置在本體部111的中央區域111a上；環組件112配置在本體部111的環狀區域111b上，而圍繞著本體部111的中央區域111a上的基板W。於一實施形態，本體部111含有基座及靜電吸盤。基座含有導電性構件。基座的導電性構件發揮下部電極的功能。靜電吸盤配置在基座上。靜電吸盤的頂面具有基板支撐面111a。環組件112含有1個或複數個環狀構件。1個或複數個環狀構件當中至少1個是邊緣環。再者，雖省略了圖示，但基板支撐部11亦可含有調溫模組，用以將靜電吸盤、環組件112及基板當中之至少1個調節至目標溫度。調溫模組亦可含有加熱器、導熱媒體、流道、或該等之組合。在流道流有滷水或氣體這樣的導熱流體。再者，基板支撐部11亦可含有導熱氣體供給部，用以對基板W的背面與基板支撐面111a之間供給導熱氣體。

噴淋頭13用以對電漿處理空間10s內導入來自氣體供給部20的至少1種處理氣體。噴淋頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b、以及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a的處理氣體，會通過氣體擴散室13b，而從複數個氣體導入口13c，導入電漿處理空間10s內。

噴淋頭13具有電極板13e、以及支撐電極板13e的電極支撐部13f。電極板13e發揮作為電漿處理裝置用之電極（上部電極）的功能。在電極板13e及電極支撐部13f的周圍設有環狀的絶緣性構件15；藉此，上部電極就會與電漿處理腔室10外殼電性絶緣。在絶緣性構件15的下部設有環狀的接地構件16。

電極板13e具有：第1構件13d，與基板支撐部11相向，並使其底面朝向電漿處理空間10s露出；以及第2構件14a、14b，設在第1構件13d之內部。

又，氣體導入部，除了噴淋頭13，亦可另含有形成於側壁10a、並安裝於1個或複數個開口部的1個或複數個側邊氣體注入部（SGI：Side Gas Injector）。

氣體供給部20亦可含有至少1個氣體源21及至少1個流量控制器22。於一實施形態，氣體供給部20，使至少1種處理氣體從各自對應的氣體源21經由各自對應的流量控制器22而供給至噴淋頭13。各流量控制器22亦可含有例如質量流量控制器或壓力控制式的流量控制器。更進一步地，氣體供給部20亦可含有使至少1種處理氣體的流量調變或脈衝化的1個或更多個流量調變元件。

電源30含有經由至少1個阻抗匹配電路而耦合至電漿處理腔室10的射頻（射頻）電源31。射頻電源31用以將來源射頻訊號及偏壓射頻訊號這類的至少1種射頻訊號（射頻功率）供給至基板支撐部11的導電性構件及／或噴淋頭13的導電性構件（電極板13e）。藉此，就會從供給至電漿處理空間10s的至少1種處理氣體形成電漿。故而，射頻電源31，得以發揮電漿產生部之至少一部分的功能，而在電漿處理腔室10從1種或更多種處理氣體產生電漿。再者，藉由對基板支撐部11的導電性構件供給偏壓射頻訊號，就會在基板W發生偏壓電位，而可以使得所形成的電漿中的離子成分，被引入基板W。

於一實施形態，射頻電源31含有第1射頻產生部31a及第2射頻產生部31b。第1射頻產生部31a，用以經由至少1個阻抗匹配電路而耦合至基板支撐部11的導電性構件及／或噴淋頭13的導電性構件，以產生用於使電漿產生的來源射頻訊號（來源射頻功率）。於一實施形態，來源射頻訊號具有13MHz～150MHz範圍內的頻率。於一實施形態，第1射頻產生部31a亦可產生具有不同頻率的複數種來源射頻訊號。所產生之1種或複數種來源射頻訊號，會供給至基板支撐部11的導電性構件及／或噴淋頭13的導電性構件。第2射頻產生部31b，用以經由至少1個阻抗匹配電路而耦合至基板支撐部11的導電性構件，以產生偏壓射頻訊號（偏壓射頻功率）。於一實施形態，偏壓射頻訊號具有低於來源射頻訊號的頻率。於一實施形態，偏壓射頻訊號具有400kHz～13.56MHz範圍內的頻率。於一實施形態，第2射頻產生部31b亦可產生具有不同頻率的複數種偏壓射頻訊號。所產生之1種或複數種偏壓射頻訊號，會供給至基板支撐部11的導電性構件。再者，於各種實施形態，亦可使來源射頻訊號及偏壓射頻訊號當中之至少一種脈衝化。

再者，電源30亦可含有耦合至電漿處理腔室10的直流電源32。直流電源32含有第1直流產生部32a及第2直流產生部32b。於一實施形態，第1直流產生部32a連接至基板支撐部11的導電性構件而產生第1直流訊號。所產生之第1偏壓直流訊號會施加在基板支撐部11的導電性構件。於一實施形態，第1直流訊號亦可施加在靜電吸盤內的電極這類的其他電極。於一實施形態，第2直流產生部32b連接至噴淋頭13的導電性構件而產生第2直流訊號。所產生之第2直流訊號會施加在噴淋頭13的導電性構件。於各種實施形態，亦可使第1及第2直流訊號當中之至少一種脈衝化。又，第1及第2直流產生部32a、32b可係外加於射頻電源31而設置，亦可使第1直流產生部32a取代第2射頻產生部31b而設置。

排氣系統40可以連接至例如設在電漿處理腔室10底部的氣體排出口10e。排氣系統40亦可含有壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥而調整電漿處理空間10s內的壓力。真空泵亦可含有渦輪分子泵、乾式泵或該等之組合。

控制部2處理使電漿處理裝置1執行本發明所述各種步驟之可供電腦執行的指令。控制部2可控制電漿處理裝置1之各要件以執行在此所述之各種步驟。於一實施形態，亦可使控制部2之一部分或全部包含在電漿處理裝置1。控制部2例如可含有電腦2a。電腦2a亦可含有例如：處理部（CPU：Central Processing Unit；中央處理器）2a1、記憶部2a2、以及通訊介面2a3。處理部2a1可根據儲存在記憶部2a2的程式及製程配方而進行各種控制動作。記憶部2a2亦可含有：RAM（Random Access Memory；隨機存取記憶體）、ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）、HDD（Hard Disk Drive；硬碟）、SSD（Solid State Drive；固態硬碟）、或該等之組合。通訊介面2a3可係經由LAN（Local Area Network；區域網路）等通訊線路而與電漿處理裝置1之間進行通訊。

［電漿處理裝置用之電極］ 接著，就本實施形態之電漿處理裝置用之電極的構成，參照圖2及圖3以進行說明。圖2及圖3（a）顯示實施形態之電極板13e的剖面之一例。圖3（b）及（c）顯示實施形態之電極板13e的頂面及底面之一例。

參照圖2（a）及（b），電極板13e的第1構件13d係相對於中心軸O為圓盤狀的一片板材，並作為導電性構件而以矽構成。第1構件13d亦可由SiC構成。第1構件13d的底面對電漿處理空間10s露出而曝露於電漿。

第2構件14a、14b設在第1構件13d的內部，係以二次電子發射係數不同於第1構件13d的材質所構成。於圖2（a），第2構件14a、14b係接合於或嵌入於設在第1構件13d之底面的孔洞，藉此而固定在第1構件13d的內部。於圖2（b），第2構件14a、14b係接合於或嵌入於設在第1構件13d的貫穿孔，藉此而固定在第1構件13d的內部。第2構件14a、14b亦可由石英形成。

第2構件14a、14b的二次電子發射係數大於第1構件13d的二次電子發射係數。第2構件14a、14b配置於電極板13e的內部，並使第2構件14a、14b的表面之至少部分曝露於電漿。

在圖2及圖3的例子，第2構件14a、14b至少部分對電漿處理空間10s側露出。在圖2（a）的例子，第2構件14a、14b的底面從第1構件13d的底面露出。在圖2（b）及圖3（a）的例子，第2構件14a、14b的頂面及底面從第1構件13d的底面及頂面露出。

第2構件14a、14b為具有階差的圓柱形狀；於圖2（a）的例子，第2構件14a、14b之上側的直徑小於下側的直徑。於圖2（b）及圖3（a）的例子，第2構件14a、14b之上側的直徑大於下側的直徑。因此，第2構件14a、14b不易從第1構件13d脫離。但是，第2構件14a、14b的形狀並不限定於此，亦可為無階差的圓柱形狀。再者，亦可使第2構件14a、14b如圖2（a）般，係不貫穿電極板13e的構成，並使第2構件14a、14b之上側的直徑大於下側的直徑。再者，亦可使第2構件14a、14b如圖2（b）般，係貫穿電極板13e的構成，並使第2構件14a、14b之上側的直徑小於下側的直徑。

圖3（b）及（c）顯示圖3（a）所示之電極板13e的第1構件13d及第2構件14a、14b的配置之一例。圖3（b）係顯示電極板13e之頂面者，圖3（c）係使電極板13e的頂、底對調，而顯示電極板13e之底面者。圖3（a）係顯示圖3（b）的C－C剖面者。

第2構件14a、14b貫穿第1構件13d而在第1構件13d內部具有複數個。複數個第2構件14a、14b彼此等間隔配置。複數個第2構件14a亦可在圓周方向上彼此等間隔配置。同樣地，複數個第2構件14b亦可在圓周方向上彼此等間隔配置。於本發明，第2構件14a、14b，在從中心沿徑向而將第1構件13d依序分為內周區域、中間區域、外周區域時，係配置於外周區域。

內周區域、中間區域、外周區域，係例如圖3（a）所示，從中心軸O沿徑向將第1構件13d三等分時的中央（內側）、中間、外側的區域。於本發明，第2構件14a、14b係設於外周區域，但不限定於此。第2構件14a、14b亦可因應在電漿處理空間10s形成之電漿的電子密度分佈之特性而設於內周區域、中間區域及外周區域的至少其一。

第2構件14a、14b並不限於在徑向上分成兩層而在圓周方向上等間隔配置。第2構件14a、14b亦可在徑向上配置成一層或三層以上。再者，第2構件14a、14b並不限於圓柱形狀，亦可為環狀。第2構件14a、14b亦可並非在圓周方向上等間隔配置，而是配置於部分。

［二次電子發射係數］ 第1構件13d的二次電子發射係數與第2構件14a、14b的二次電子發射係數有所不同。較佳係使第2構件14a、14b的二次電子發射係數大於第1構件13d的二次電子發射係數。

圖4及圖5係顯示元素或化合物（Element或Compound）的二次電子發射係數（δmax）等的圖式。出處為「"Hand book of chemistry and physic" David R. Lide」。圖4的右側所示之元素（Element）為矽（Si）的二次電子發射係數（δmax），係1.1。

作為二次電子發射係數大於矽的物質，就圖5的右側所示之化合物（Compound）而言，可舉出石英（SiO ₂（Quartz））。石英的二次電子發射係數（δmax）係2.1～4，大於矽的第2構件14a、14b。因此，以第1構件13d為矽，第2構件14a、14b為石英的組合較佳。

再者，第2構件14a、14b，亦可係圖5的右側所示之氧化鎂（MgO（crystal））。氧化鎂的二次電子發射係數（δmax）係20～25，大於矽的第2構件14a、14b。因此，也可以是第1構件13d為矽，第2構件14a、14b為氧化鎂的組合。

再者，第2構件14a、14b，亦可係圖5的左側所示之氧化鋁（Al ₂O ₃）。氧化鋁的二次電子發射係數（δmax）係2～9。因此，也可以是第1構件13d為矽，第2構件14a、14b為氧化鋁的組合。

第1構件13d及第2構件14a、14b的底面曝露於電漿。此時，電漿中的離子會入射至第1構件13d及第2構件14a、14b的底面，而從第1構件13d及第2構件14a、14b發生電子發射。

從第1構件13d及第2構件14a、14b發射之二次電子的量，取決於二次電子發射係數。也就是說，二次電子發射係數越大的材質（元素或化合物），在電漿中的離子入射時就能發射更多的二次電子。另一方面，作為使用於電極板13e的材質，考量到抗電漿性等，係以單晶矽、SiC、石英較具代表性。

因此，於本發明的電漿處理裝置1，在構成電極板13e之主要材質的第1構件13d使用了矽，而在設於第1構件13d之內部的第2構件14a、14b則使用了二次電子發射係數大於矽的石英。藉此，比起僅以矽形成電極板13e的情形，藉由使電極板13e之部分設有石英，就能藉由二次電子發射係數大於矽的石英而增加二次電子的發射量。

故而，石英的第2構件14a、14b配置在矽的第1構件13d內而有意提高電漿之電子密度的位置。例如，在有意提高外周區域的電漿之電子密度的情況下，就將第2構件14a、14b配置在第1構件13d的外周區域。藉此，在第2構件14a、14b的下方，就能比第1構件13d的下方發射更多的電子。藉此，可以控制電漿中的電子密度，提高電漿密度的均勻性，就可以謀求基板W之電漿處理的均勻性。

［電漿的電子密度］ 就在電漿處理空間10s內之電漿的電子密度相對較低之部位上方，配置二次電子發射係數比第1構件13d之矽更大的第2構件14a、14b之一例，參照圖6進行說明。圖6係顯示實施形態與比較例之電漿電子密度之一例的圖式。

圖6的橫軸顯示以電極板13e的中央為0時的徑向位置，縱軸顯示電漿的電子密度Ne。橫軸的0也是基板W的中心，橫軸的150mm之位置顯示基板W的邊緣（外周端部）之位置。以圓圈（〇）整體所形成之曲線A，顯示第1構件13d僅以矽形成之電極板的情況下的電漿的電子密度。

電漿的電子密度，取決於發揮下部電極之功能的基板支撐部11之結構、以及流至基板支撐部11的射頻訊號。圖6的曲線A，顯示第1構件13d使用僅以矽形成之電極板而產生電漿之情況下的電漿的電子密度。在此情況下，電漿電子密度Ne，以基板W的中心0為高峰而呈現山形分佈，並在係基板W的邊緣之150mm左右，有著電漿電子密度下降的傾向。

有鑑於此，二次電子發射係數大於矽的石英之第2構件14a、14b係配置於包含從中心起算係150mm左右的外周區域。以三角形（△）整體所形成之曲線B，顯示使用如本實施形態的圖3（a）般將第2構件14a、14b配置在第1構件13d之外周區域的電極板13e以產生電漿之情況下的電漿的電子密度。

在此情況下，就可以藉由二次電子發射係數大於第1構件13d的第2構件14a、14b來增加外周區域的電漿的電子密度，而可以謀求電漿的電子密度之均勻化。藉此，可以提高蝕刻速率的均勻性，提升電漿處理的均勻性。又，於圖6，顯示本實施形態的曲線B相對於顯示比較例的曲線A，整體而言電漿的電子密度Ne較低。就此點，係由於用以取得曲線A、B之結果的電漿產生條件彼此互異；若電漿產生條件相同，則曲線B會具有與曲線A同等的電漿的電子密度Ne，並且能使電漿的電子密度均勻。

以上所說明之第2構件14a、14b的配置係一例，但不限定於此。只要將二次電子發射係數大於第1構件的第2構件配置在電漿電子密度低於其他區域的部分即可。例如，第2構件亦可局部地配置在電漿電子密度低於其他區域的部分。在第2構件的下方，二次電子發射量會比起第1構件相對地增加，藉此可以提高電漿電子密度Ne的均勻性。

又，雖舉出第2構件14a、14b的底面對電漿處理空間10s露出的例子來說明，但第2構件14a、14b亦可不對電漿處理空間10s露出。例如，在第2構件14a、14b對電極板13e之具有氣體導入口13c（參照圖1）的貫穿孔露出的情況下，有時會發生電子進入貫穿孔內部而衝撞第2構件，並從第2構件發射二次電子的現象。在此情況下，第2構件14a、14b的底面未必會對電漿處理空間10s露出。

但是，若電漿進入貫穿孔，恐有在貫穿孔內部發生異常放電之虞。因此，要將貫穿孔的尺寸管理成電漿無法進入的大小，以使電漿不會進入貫穿孔內部。再者，若在第1構件13d與第2構件14a、14b之間有既定以上的縫隙，則若在該縫隙發生二次電子之發射，而有電漿進入該縫隙，那麼就會有在內部發生異常放電之虞。因此，在第1構件13d與第2構件14a、14b之間，也要將縫隙的尺寸管理成電漿無法進入的大小，以使電漿不會進入。

如同以上說明，本實施形態之電漿處理裝置用之電極具有：第1構件，係導電性；以及第2構件，設在第1構件之內部，係以二次電子發射係數不同於第1構件的材質所形成。藉由該構成的電漿處理裝置用之電極及電漿處理裝置1，可控制電漿電子密度。藉此，可以謀求電漿電子密度的均勻性。其結果，可以提高電漿處理的均勻性。

又，於本發明，就電漿處理裝置用之電極，舉上部電極為例進行了說明。然而，並不限定於此，電漿處理裝置用之電極可套用於設在電漿處理腔室10之上部的構件。例如，電漿處理裝置用之電極，亦可係設在電漿處理腔室10之上部的環狀之接地構件16。在此情況下，接地構件16具有：導電性的第1構件、以及在第1構件之內部且二次電子發射係數不同的第2構件。藉此，尤其可以控制基板W的主要為外周區域的電漿電子密度。再者，藉此，可以在電漿處理腔室10的側壁10a附近提升電漿的電子密度。因此，在對電漿處理空間10s供給清潔空氣而產生了電漿的情況下，會提高在側壁10a附近的清潔效果，就連在習知技術無法清潔的部位等，也有可能得以清潔。

又，接地構件16係設在絶緣性構件15的下部並接地。上部電極及接地構件16之雙方，也都可套用為本發明之電漿處理裝置用之電極。

應視本次揭露的實施形態之電漿處理裝置用之電極及電漿處理裝置，於所有各點皆為例示，而非用以限定。實施形態，可在不脫離隨附之申請專利範圍及其旨趣的情況下，以各種形態加以變形及改良。記載於上述複數種實施形態之事項，在不生矛盾之範圍內亦可採取其他構成；再者，可在不生矛盾之範圍內加以組合。

本發明之電漿處理裝置，亦可套用在原子層沉積（ALD）裝置、電容耦合型電漿（CCP）、感應耦合電漿（ICP）、輻射線槽孔天線（RLSA）、電子迴旋共振電漿（ECR）、螺旋微波電漿（HWP）中之任何一種類型的裝置。

1:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通訊介面 10:電漿處理腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支撐部 13:噴淋頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 13d:第1構件 13e:電極板 13f:電極支撐部 14a,14b:第2構件 15:絶緣性構件 16:接地構件 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:射頻電源 31a:第1射頻產生部 31b:第2射頻產生部 32:直流電源 32a:第1直流產生部 32b:第2直流產生部 40:排氣系統 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 112:環組件 O:中心軸 W:基板

[圖1]顯示實施形態之電漿處理系統的圖式。 [圖2]（a）、（b）顯示實施形態之電極板的剖面之一例的圖式。 [圖3]（a）～（c）顯示實施形態之電極板的剖面、頂面及底面之一例的圖式。 [圖4]顯示物質（Element）之二次電子發射係數（δmax）等的圖式。 [圖5]顯示物質（Element）之二次電子發射係數（δmax）等的圖式。 [圖6]顯示實施形態與比較例之電漿電子密度之一例的圖式。

13:噴淋頭

13d:第1構件

13e:電極板

14a,14b:第2構件

O:中心軸

Claims (13)

1. 一種電漿處理裝置用之電極，該電極包括： 第1構件，係導電性；以及 第2構件，設在該第1構件之內部，係以二次電子發射係數不同於該第1構件的材質所形成。
2. 如請求項1之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件，構成為該第2構件的表面之至少部分曝露於電漿。
3. 如請求項1或2之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件的該二次電子發射係數係大於該第1構件的該二次電子發射係數。
4. 如請求項3之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件在該第1構件的內部有複數個。
5. 如請求項4之電漿處理裝置用之電極，其中， 複數個該第2構件係彼此等間隔配置。
6. 如請求項4或5之電漿處理裝置用之電極，其中， 複數個該第2構件係在圓周方向上彼此等間隔配置。
7. 如請求項1至6項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件，在從中心沿徑向而將該第1構件依序分為內周區域、中間區域、外周區域時，係配置於該外周區域。
8. 如請求項1至7項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第1構件係以矽形成，該第2構件係以石英形成。
9. 如請求項1至8項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件，構成為該第2構件的表面之至少部分從該第1構件曝露於電漿之面露出，並且不從該第1構件曝露於電漿之面的相反面露出。
10. 如請求項1至8項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件，構成為在高度方向上貫穿該第1構件，並使該第2構件的表面之至少部分從該第1構件曝露於電漿之面、以及該面的相反面露出。
11. 如請求項1至10項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件為具有階差的圓柱形狀； 該圓柱形狀之上側的直徑係大於該圓柱形狀之下側的直徑。
12. 如請求項1至10項中任一項之電漿處理裝置用之電極，其中， 該第2構件為具有階差的圓柱形狀； 該圓柱形狀之上側的直徑係小於該圓柱形狀之下側的直徑。
13. 一種電漿處理裝置，具備電漿處理腔室、配置在該電漿處理腔室內的基板支撐部、以及與該基板支撐部相向配置的電極； 該電極，包括： 第1構件，係導電性；以及 第2構件，設在該第1構件之內部，係以二次電子發射係數不同於該第1構件的材質所形成。

Images