CN109390200B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明的各个方面和实施方式涉及等离子体处理装置。
背景技术
一直以来，已知有对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置，为了高精度地进行被处理体的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋入有温度调节用的加热件。加热件需要供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热件供给电力(例如参照下述专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-1688号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，在载置台的外周区域设置供电端子的情况下，由于在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，因此载置台的径向的尺寸变大。等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环，但是，当载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和设置有供电端子的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度分布容易产生不均匀。另外，为了在载置台设置供电端子，需要形成用于使供电端子从载置台的背面通过的贯通孔，形成有该贯通孔的部分成为使来自被处理体的热传导局部地变差，热的均匀性降低的不同部分。由此，被处理体的周向上的温度分布容易产生不均匀。等离子体处理装置中，当被处理体或聚焦环的温度分布产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性降低。
用于解决问题的技术方案
公开的等离子体处理装置在一个实施方式中，包括第一部件、片部件和第二部件。第一部件在与载置面相反的背面侧的与载置面对应的范围内形成有凹部，其中，载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体。片部件形成为片状，且设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，片部件以加热件位于凹部的内部的与载置面对应的区域且引出配线位于凹部的侧面的方式配置在凹部内。第二部件与配置了片部件的凹部嵌合。
发明的效果
根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，起到能够对被处理体的等离子体处理的面内均匀性的降低进行抑制的效果。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的概略截面图。
图2是表示第一载置台和第二载置台的要部结构的一个例子的概略截面图。
图3是表示片部件的要部结构的一个例子的概略平面图。
图4是表示配置有加热件的区域的一个例子的概略平面图。
图5是表示片部件的截面的一个例子的概略截面图。
图6是表示第二部件的要部结构的一个例子的概略立体图。
附图标记说明
1 处理容器
2 第一载置台
2a 载置面
4 RF板
5 聚焦环
7 第二载置台
9 聚焦环加热件
9a 加热件
9b 绝缘体
9d 载置面
10 等离子体处理装置
20 第一部件
20a 绝缘体
20b 电极
20c 平面部
20d 凸缘部
21 片部件
21a 圆形部分
21b 配线部
21c 加热件
21c1 底部加热件
21c2 调整加热件
21d 引出配线
22 第二部件
22d 制冷剂流路
22e 面
22f 贯通孔
24 凹部
24a 底面
24b 侧面
W 晶片。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本申请公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。另外，本发明不限于本实施方式的公开内容。各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。
[等离子体处理装置的结构]
首先，说明实施方式的等离子体处理装置10的概略结构。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的概略截面图。等离子体处理装置10被气密地构成，具有被设为电接地电位的处理容器1。该处理容器1为圆筒状，例如由表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。处理容器1中划分有用于生成等离子体的处理空间。处理容器1内收纳有水平支承作为被处理体(work-piece：工件)的半导体晶片(以下仅称为“晶片”。)W的第一载置台2。
第一载置台2为在上下方向上朝向底面的大致圆柱状，上侧的底面为用于载置晶片W的载置面2a。第一载置台2的载置面2a为与晶片W相同程度的尺寸。第一载置台2包括第一部件20、片部件21和第二部件22。
第一部件20为上表面平坦的圆盘状，该上表面为用于载置晶片W的载置面2a。第一部件20具有绝缘体20a和电极20b。电极20b设置在绝缘体20a的内部，电极20b通过未图示的供电机构与直流电源12连接。从直流电源12对电极20b施加直流电压，由此第一部件20通过库仑力吸附晶片W。即，第一部件20具有吸附晶片W的静电吸盘的作用。
第二部件22包含导电性的金属，例如铝等。第二部件22作为支承第一部件20的基座发挥作用，并且作为下部电极发挥作用。第二部件22由导电性部件的RF板4支承。RF板4由绝缘层的支承台23支承。支承台23设置在处理容器1的底部。另外，在第一部件20与第二部件22之间设置有片部件21。片部件21设置有加热件，经由后述的供电机构被供给电力，控制晶片W的温度。
第一载置台2沿外周面在周围设置有第二载置台7。第二载置台7形成为内径比第一载置台2的外径大规定尺寸的圆筒状，与第一载置台2同轴地配置。第二载置台7的上侧的面为载置环状的聚焦环5的载置面9d。聚焦环5例如由单晶硅形成，载置在第二载置台7。
第二载置台7包括基座8和聚焦环加热件9。基座8例如由在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。基座8由RF板4支承。聚焦环加热件9由基座8支承。聚焦环加热件9形成上表面是平坦的环状的形状，该上表面为用于载置聚焦环5的载置面9d。聚焦环加热件9具有加热件9a和绝缘体9b。加热件9a设置在绝缘体9b的内部，内置于绝缘体9b中。加热件9a经由未图示的供电机构被供给电力，控制聚焦环5的温度。这样，晶片W的温度和聚焦环5的温度由不同的加热件独立地控制。
RF板4与供电棒50连接。供电棒50经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，并且还经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a是等离子体发生用的电源，从该第一RF电源10a将规定频率的高频电力供给到第一载置台2的第二部件22。另外，第二RF电源10b是离子引入用(偏置用)的电源，从该第二RF电源10b将比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力供给到第一载置台2的第二部件22。
在第二部件22的内部形成有制冷剂流路22d。制冷剂流路22d的一个端部与制冷剂入口配管22b连接，另一个端部与制冷剂出口配管22c连接。另外，在基座8的内部形成有制冷剂流路7d。制冷剂流路7d的一个端部与制冷剂入口配管7b连接，另一个端部与制冷剂出口配管7c连接。制冷剂流路22d位于晶片W的下方，具有吸收晶片W的热的作用。制冷剂流路7d位于聚焦环5的下方，具有吸收聚焦环5的热的作用。等离子体处理装置10使制冷剂例如冷却水等分别在制冷剂流路22d和制冷剂流路7d之中循环，由此能够单独地控制第一载置台2和第二载置台7的温度。此外，等离子体处理装置10构成为能够向晶片W、聚焦环5的背面侧供给冷热传递用气体来单独地控制温度。例如，以贯通第一载置台2等的方式，设置用于向晶片W的背面供给氦气等的冷热传递用气体(背面侧气体)的气体供给管。气体供给管与气体供给源连接。通过这些结构，将吸附保持在第一载置台2的上表面的晶片W控制为规定温度。
另一方面，在第一载置台2的上方以与第一载置台2平行相对的方式设置有具有作为上部电极的作用的喷淋头16。喷淋头16和第一载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。
喷淋头16设置在处理容器1的顶壁部分。喷淋头16包括主体部16a和作为电极板的上部顶板16b，隔着绝缘性部件95被支承于处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料例如在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成，在其下部可拆卸地支承上部顶板16b。
在主体部16a的内部设置有气体扩散室16c，在主体部16a的底部以位于该气体扩散室16c的下部的方式形成有多个气体流通孔16d。另外，在上部顶板16b以将该上部顶板16b在厚度方向贯通的方式设置有气体导入孔16e，其与上述气体流通孔16d重叠。通过这样的结构，供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状地被分散供给到处理容器1内。
在主体部16a形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。该气体导入口16g与气体供给配管15a的一端连接。该气体供给配管15a的另一端与供给处理气体的处理气体供给源15连接。在气体供给配管15a从上游侧依次设置有质量流量控制器(MFC)15b和开闭阀V2。接着，从处理气体供给源15将用于等离子体蚀刻的处理气体经由气体供给配管15a供给到气体扩散室16c，并从该气体扩散室16c经气体流通孔16d和气体导入孔16e呈喷淋状地分散供给到处理容器1内。
上述的作为上部电极的喷淋头16经由低通滤波器(LPF)71与可变直流电源72电连接。该可变直流电源72能够通过接通和断开开关73来进行供电的打开和关闭。可变直流电源72的电流和电压以及接通和断开开关73的接通和断开通过后述的控制部90控制。此外，如后所述，从第一RF电源10a、第二RF电源10b将高频施加到第一载置台2而在处理空间产生等离子体时，根据需要通过控制部90使接通和断开开关73导通，对作为上部电极的喷淋头16施加规定的直流电压。
另外，从处理容器1的侧壁延伸至喷淋头16的高度位置的上方的方式设置有圆筒状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a在其上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81，该排气口81经由排气管82与第一排气装置83连接。第一排气装置83具有真空泵，通过使该真空泵动作，能够将处理容器1内减压至规定的真空度。另一方面，在处理容器1内的侧壁设置有晶片W的搬入搬出口84，在该搬入搬出口84设置有开关该搬入搬出口84的闸阀85。
在处理容器1的侧部内侧沿内壁面设置有沉积物屏蔽件86。沉积物屏蔽件86防止蚀刻副产物(沉积物)附着于处理容器1。在该沉积物屏蔽件86的与晶片W大致相同的高度位置设置有相对于大地的电位可控制地连接的导电性部件(GND块)89，由此能够防止异常放电。另外，在沉积物屏蔽件86的下端部设置有沿第一载置台2延伸的沉积物屏蔽件87。沉积物屏蔽件86、87构成为可拆卸。
上述结构的等离子体处理装置10由控制部90统一控制其动作。在该控制部90设置有具备CPU且控制等离子体处理装置10的各部的处理控制器91、用户接口92和存储部93。
用户接口92包括步骤管理者为了管理等离子体处理装置10而进行指令的输入操作的键盘和将等离子体处理装置10的工作状况可视化显示的显示器等。
在存储器93存储有用于在处理控制器91的控制下实现在等离子体处理装置10中执行的各种处理的控制程序(软件)和记录有处理条件数据等的处理方案。而且，根据需要按照来自用户接口92的指示等将任意的处理方案从存储部93调出并在处理控制器91执行，在处理控制器91的控制下，在等离子体处理装置10进行期望的处理。另外，控制程序或处理条件数据等的处理方案可以使用存储于计算机可读取的计算机存储介质(例如硬盘、CD、软盘、半导体存储器等)等中的状态，或者也可以从其他的装置经由例如专用线路随时传送而在线使用。
[第一载置台和第二载置台的结构]
接着，说明第一载置台2和第二载置台7的要部结构。图2是表示第一载置台和第二载置台的要部结构的一个例子的概略截面图。
第一载置台2包括第一部件20、片部件21和第二部件22。
第一部件20例如由陶瓷等的绝缘体20a构成，形成为在上下方向上朝向底面的圆筒状。第一部件20的上侧底面为用于载置晶片W的载置面2a。另外，第一部件20在构成上侧底面的平面部20c中，形成有与成为载置面2a侧的上部相比下部向径向外侧突出的凸缘部20d。即，第一部件20的平面部20c中，外径根据侧面的位置而不同，形成为下部比上部向径向外侧突出。第一部件20在平面部20c的上部的绝缘体20a的内部设置有电极20b。第一部件20的电极20b经由未图示的供电机构被供给电力。作为向电极20b供电的供电机构，可以在第一部件20的内部形成供电用的配线，也可以在片部件21形成供电用的配线，还可以在片部件21和第二部件22形成贯通孔来形成供电用的配线。
第一部件20在第一部件20的下侧底面中的与载置面2a对应的范围内形成有凹部24。即，第一部件20在与载置面2a相反的背面侧的与载置面2a对应的范围内形成有凹陷的凹部24。凹部24形成为底面24a与载置面2a平行，且尺寸与晶片W相同程度或者比晶片W稍大，并形成有包围底面24a的侧面24b。在凹部24配置片部件21。
图3是表示片部件的要部结构的一个例子的概略平面图。片部件21例如由聚酰亚胺等的有机材料形成为片状，设置有形成为圆形的圆形部分21a和在圆形部分21a的周围从圆形部分21a延伸出的配线部21b。配线部21b从圆形部分21a呈辐射状地设置有8个。此外，片部件21只要是具有耐热性、难燃性和耐电压性的材料，则可以使用任何的材料形成。例如作为聚酰亚胺的替代，可以使用聚酰胺、聚酯纤维、氟利昂(注册商标)、液晶聚合物等。
圆形部分21a在内部设置有加热件21c，形成为与凹部24的内部的载置面2a对应的区域的尺寸。例如，圆形部分21a形成为与凹部24的底面24a对应的尺寸。配线部21b在内部设置有引出配线21d。
这样的片部件21能够利用FPC(Flexible printed circuits：柔性电路板)容易地制作。FPC的膜称为基底膜，主要由聚酰亚胺等制作。FPC及其配线较薄，能够柔软地自由弯曲。例如，在FPC中，在由聚酰亚胺等制作的绝缘膜上，利用粗细和厚度等截面积来改变电阻率而形成配线，由此，能够制作形成有加热件21c和引出配线21d的片部件21。例如用FPC来形成片部件21，在引出配线21d等的配线中设为最大流过0.3A的电流。在该情况下，为了使引出配线21d等的配线不发热，而将其厚度形成为18μm，宽度形成为1mm。为了使加热件21c作为电阻加热来发热，而将加热件21c的厚度形成为9μm，宽度形成为非常小，与引出配线21d等的配线相比增大电阻。此外，只要能够改变电阻率，则不限于配线的截面积，可以进行配线材料的材质变更、或者材质和截面积的组合。
加热件21c可以在载置面2a的整面区域设置一个，也可以将载置面2a划分成多个区域，对每个区域单独设置。即，在片部件21的圆形部分21a，也可以对划分载置面2a而得到的每个区域单独设置多个加热件21c。例如，根据距中心的距离将第一载置台2的载置面2a划分为多个区域，加热件21c可以在各区域以包围第一载置台2的中心的方式呈环状延伸。或者，可以包含加热中心区域的加热件和以包围中心区域的外侧的方式呈环状延伸的加热件。另外，也可以将以包围载置面2a的中心的方式呈环状延伸的区域根据自中心起的方向划分为多个区域，在各区域设置加热件21c。片部件21即使在设置有多个加热件21c的情况下，通过设置多个配线部21b，能够容易地设置用于向各自的加热件21c供给电力的引出配线21d。
图4是表示配置加热件的区域的一个例子的概略平面图。图4是从上方看第一载置台2和第二载置台7的俯视图。图4中圆板状地表示第一载置台2的载置面2a。载置面2a根据距中心的距离和方向被分为多个区域HT1，在各区域HT1单独设置加热件21c。由此，等离子体处理装置10能够对每个区域HT1控制晶片W的温度。
在片部件21的圆形部分21a中也可以使设置有加热件21c的区域重叠地设置。
图5是表示片部件的截面的一个例子的概略截面图。图5表示作为加热件21c而重叠设置能够加热比较广的区域的底部加热件21c1和在底部加热件21c1的上部的能够加热比底部加热件21c1窄的区域的调整加热件21c2的情况。在这样的片部件21中，例如通过底部加热件21c1，将比较广的区域稳定地整体加热至成为温度控制的基本的温度，通过调整加热件21c2来单独控制各区域的温度。
如图2所示，片部件21以设置有加热件21c的圆形部分21a位于与凹部24的内部的载置面2a对应的区域，设置有引出配线21d的配线部21b位于凹部24的侧面24b的方式配置在凹部24内。
第二部件22与配置有片部件21的凹部24嵌合。在第二部件22的内部形成有制冷剂流路22d。
图6是表示第二部件的要部结构的一个例子的概略立体图。图6表示第二部件22与第一部件20的嵌合前的状态。此外，图6的例子中，以第一部件20的载置面2a侧为下侧，上下方向与图2相反。即，图6与图1、图2相比，上下相反(上下颠倒)。
第二部件22用例如铝等的导电性的金属，以与凹部24相同尺寸或者比凹部24稍小的尺寸形成为圆筒状。另外，第二部件22在与凹部24的侧面24b相对的面22e形成有连通到与凹部24相反的背面侧的贯通孔22f。贯通孔22f设置在配置有片部件21的配线部21b的位置。图6的例子中，贯通孔22f等间隔地设置有8个。
如图2所示，片部件21的配线部21b穿过第二部件22的贯通孔22f，使端部延伸至第二部件22的下侧。在第二部件22的下侧设置有未图示的供电端子，配线部21b的端部与供电端子连接。对于片部件21，根据控制部90的控制，从加热件电源将电力供给至供电端子。载置面2a由片部件21的加热件21c进行加热控制。
第一载置台2在第一部件20嵌合了第二部件22的状态下，周围由RF板4支承，在与RF板4接触的部分设置有O型环(O-Ring)25。由此，第一载置台2能够保持处理空间的真空。另外，第一载置台2能够抑制在处理空间生成的等离子体绕到下部。另外，O型环(O-Ring)25的内侧设置有金属制的螺旋环26，由此，第二部件22和RF板4电连接。
如上所述，第一载置台2中，例如由陶瓷等的绝缘体20a形成的第一部件20设置在外周面。由此，能够保护片部件21、第二部件22不受等离子体的影响。
第二载置台7包括基座8和聚焦环加热件9。聚焦环加热件9隔着未图示的绝缘层与基座8粘接。聚焦环加热件9的上表面为用于载置聚焦环5的载置面9d。此外，可以在聚焦环加热件9的上表面设置热传导性高的片部件等。
第二载置台7的高度能够适当调整以使得向晶片W的热传递和RF电力与向聚焦环5的热传递和RF电力一致。即，图2中，虽然例示了第一载置台2的载置面2a与第二载置台7的载置面9d的高度不一致的情况，但是两者也可以一致。
聚焦环5为圆环状的部件，设置成与第二载置台7同轴。在聚焦环5的内侧侧面形成有向径向内侧突出的凸部5a。即，聚焦环5的内径根据内侧侧面的位置而不同。例如，聚焦环5的没有形成凸部5a的部位的内径大于晶片W的外径。另一方面，聚焦环5的形成有凸部5a的部位的内径大于第一部件20的没有形成凸缘部20d的部位的外径。
聚焦环5以凸部5a与第一部件20的凸缘部20d的上表面分开，且成为从第一部件20的平面部20c的侧面离开的状态的方式配置于第二载置台7。即，在聚焦环5的凸部5a的下表面与凸缘部20d的上表面之间形成有间隙。另外，在聚焦环5的凸部5a的侧面与平面部20c的没有形成凸缘部20d的侧面之间形成有间隙。而且，聚焦环5的凸部5a位于第一载置台2与第二载置台7之间的间隙34的上方。即，从与载置面2a正交的方向看，凸部5a存在于与间隙34重叠的位置且覆盖该间隙34。由此，能够抑制等离子体进入到第一载置台2与第二载置台7之间的间隙34。
聚焦环加热件9在绝缘体9b的内部设置有加热件9a。加热件9a为与基座8同轴的环状。加热件9a可以在载置面9d的整面区域设置一个，也可以对划分载置面9d而得的每个区域单独地设置。即，加热件9a可以在划分载置面9d而得的每个区域单独地设置多个。例如，关于加热件9a，将第二载置台7的载置面9d根据从第二载置台7的中心起的方向划分为多个区域，在各区域设置加热件9a。例如，图4中，在圆板状的第一载置台2的载置面2a的周围表示第二载置台7的载置面9d。载置面9d根据从中心起的方向分为多个区域HT2，在各区域HT2单独地设置加热件9a。加热件9a经由未图示的供电机构与供电端子连接。作为向加热件9a供电的供电机构，可以在基座8的外周部形成供电用的配线，也可以在基座8形成贯通孔而形成供电用的配线。对于聚焦环加热件9，根据控制部90的控制，从加热件电源将电力供给到供电端子。载置面9d利用聚焦环加热件9的加热件9a来进行加热控制。由此，等离子体处理装置10能够对每一个区域HT2控制聚焦环5的温度。
[作用和效果]
接着，说明本实施方式的等离子体处理装置10的作用和效果。在蚀刻等的等离子体处理中，为了实现晶片W的面内加工精度的均匀性，要求不仅调整晶片W的温度，还需调整配置在晶片W的外周区域的聚焦环5的温度。
因此，等离子体处理装置10中分开设置用于载置晶片W的第一载置台2和用于载置聚焦环5的第二载置台7，并且为了抑制热的移动而进行了设计。由此，等离子体处理装置10不仅能够调整晶片W的温度，还能够单独地调整聚焦环5的温度。例如，等离子体处理装置10能够将聚焦环5的设定温度设定为比晶片W的设定温度高的温度区域。由此，等离子体处理装置10能够实现晶片W的面内加工精度的均匀性。
另外，等离子体处理装置10中，第一载置台2由第一部件20、片部件21和第二部件22构成。第一部件20在用于载置晶片W的载置面2a的背面侧的与载置面2a对应的范围内形成有凹部24。片部件21形成为片状，设置有加热件21c和用于对该加热件21c供给电力的引出配线21d。而且，片部件21以加热件21c位于凹部24的内部的与载置面2a对应的区域，引出配线21d位于凹部24的侧面的方式配置在凹部24内。第二部件22与配置了片部件21的凹部24嵌合。
在此，例如在第一载置台2形成贯通孔而向加热件21c供给电力的结构的情况下，载置面2a的形成有贯通孔的部分成为热传导局部地变差，热均匀性降低的不同部分。由此，晶片W的周向上的温度分布容易发生不均匀，对晶片W进行的等离子体处理的面内均匀性降低。
而在等离子体处理装置10中，在第一部件20的与载置面2a对应的范围形成有凹部24，配置在凹部24内的片部件21与第二部件22的背面侧的供电端子连接。由此，等离子体处理装置10无需在第一载置台2形成贯通孔就能够对加热件21c供给电力，因此，能够抑制对晶片W进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。另外，等离子体处理装置10能够减小用于配置向加热件21c供电所需的配线的凸缘部20d的径向宽度，能够减小第一载置台2的径向尺寸。由此，等离子体处理装置10能够减小聚焦环5与凸缘部20d的重叠部分，因此，能够抑制聚焦环5的温度分布发生不均匀，能够抑制对晶片W进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。
另外，第二部件22在与凹部24的侧面24b相对的面22e形成有连通到与凹部24相反的背面侧的贯通孔22f。片部件21形成有：设置有加热件21c且形成为凹部24的内部的与载置面2a对应的区域的尺寸的圆形部分21a；和设置有引出配线21d且从该圆形部分21a延伸出的配线部21b。而且，片部件21以配线部21b穿过第二部件22的贯通孔22f的方式配置。由此，等离子体处理装置10能够将配线部21b容易地配置到第二部件22的背面侧。
另外，等离子体处理装置10在第二载置台7的用于载置聚焦环5的载置面9d设置加热件9a。由此，等离子体处理装置10不仅能够调整晶片W的温度，还能够单独地调整聚焦环5的温度，因此，能够提高晶片W的面内加工精度的均匀性。
另外，等离子体处理装置10在第二部件22的内部形成有制冷剂流路22d。等离子体处理装置10通过使制冷剂在制冷剂流路22d流动，能够控制晶片W的温度，因此能够提高等离子体处理对晶片W的加工精度。
以上，对多种实施方式进行了说明，但是不限于上述的实施方式，能够构成各种变形方式。例如，虽然上述的等离子体处理装置10是电容耦合型的等离子体处理装置10，但是第一载置台2也能够应用于任意的等离子体处理装置10中。例如，等离子体处理装置10可以为电感耦合型的等离子体处理装置10、通过微波等的表面波来激发气体的等离子体处理装置10等的任意类型的等离子体处理装置10。
另外，在上述的等离子体处理装置10中，在第二部件22的面22e形成连通到与凹部24相反的背面侧的贯通孔22f，片部件21的配线部21b以通过贯通孔22f的方式配置的情况为例进行了说明，但是，不限于此。例如，也可以在第二部件22的面22e形成连通到与凹部24相反的背面侧的槽，片部件21的配线部21b以通过槽的方式配置。在该情况下，等离子体处理装置10也能够容易将配线部21b配置到第二部件22的背面侧。
另外，上述的第一部件20、片部件21和第二部件22可以分别将多个部件组合而构成。例如，第一部件20也可以将构成平面部20c的部件和构成凹部24的侧面的圆环状的部件组合而构成。
另外，以上述的第一部件20在内部设置电极20b而具有静电吸盘的作用的情况为例进行了说明，但是，不限于此。例如，在等离子体处理装置10中，也可以相对于第一部件20独立地设置静电吸盘。

Claims (6)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
第一部件，其在与载置面相反的背面侧的与所述载置面对应的范围内形成有凹部，其中，所述载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体，所述凹部具有与所述载置面平行的底面和包围所述底面的侧面；
片部件，其形成为片状，设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，所述片部件以所述加热件位于所述凹部的所述底面上的与载置面对应的区域且所述引出配线位于所述凹部的所述侧面的方式配置在所述凹部内；和
第二部件，其与配置了所述片部件的所述凹部嵌合。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二部件在与所述凹部的侧面相对的面形成有连通到与所述凹部相反的背面侧的槽或者贯通孔，
所述片部件形成有加热部分和配线部，所述加热部分设置有所述加热件，形成为所述凹部的内部的与所述载置面对应的区域的尺寸，所述配线部设置有所述引出配线且从该加热部分伸出，所述配线部以通过所述第二部件的所述槽或者所述贯通孔的方式配置。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一部件形成为以所述载置面为底面的圆筒状，
所述等离子体处理装置还具有沿所述第一部件的外周面设置的用于载置聚焦环的载置台。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述载置台在用于载置所述聚焦环的载置面设置有加热件。
5.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二部件在内部形成有制冷剂流路。
6.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述凹部的内径大于载置所述被处理体的所述载置面的外径。
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