WO2012090782A1 - ワーク加熱装置及びワーク処理装置 - Google Patents

ワーク加熱装置及びワーク処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012090782A1
WO2012090782A1 PCT/JP2011/079478 JP2011079478W WO2012090782A1 WO 2012090782 A1 WO2012090782 A1 WO 2012090782A1 JP 2011079478 W JP2011079478 W JP 2011079478W WO 2012090782 A1 WO2012090782 A1 WO 2012090782A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
workpiece
work
chuck
heater
heater member
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/079478
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
良昭 辰己
慈 河合
康之 天満
利文 菅原
Original Assignee
株式会社クリエイティブ テクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社クリエイティブ テクノロジー filed Critical 株式会社クリエイティブ テクノロジー
Priority to CN201180062765.2A priority Critical patent/CN103283013B/zh
Priority to JP2012550859A priority patent/JP6021006B2/ja
Priority to EP11853539.2A priority patent/EP2660860B8/en
Priority to US13/976,294 priority patent/US10157758B2/en
Priority to KR1020137019689A priority patent/KR101897012B1/ko
Publication of WO2012090782A1 publication Critical patent/WO2012090782A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Definitions

  • the present invention relates to a workpiece heating apparatus and a workpiece processing apparatus, and more specifically, a workpiece heating apparatus that can heat a workpiece such as a semiconductor wafer or a glass substrate while adsorbing the workpiece with an electric adsorption force, and a workpiece processing using the workpiece heating apparatus. Relates to the device.
  • Such an integrated work suction device conventionally prints a ceramic green sheet with a conductive ink mainly composed of a refractory metal such as tungsten in a predetermined pattern, and laminates the ceramic green sheets for simultaneous firing.
  • a plate body in which an adsorption electrode and a heating element are incorporated is generally manufactured.
  • the integrated work suction device since these are fired together including the ceramic green sheet printed with conductive ink, there is an error in the thickness of the heating element and the distance from the heating element to the workpiece. It is difficult to obtain a uniform heating temperature over the entire work surface.
  • Patent Document 2 a heating element is sandwiched between an adsorption electrode-containing ceramic substrate that is integrally fired with an adsorption electrode inside, and a ceramic substrate that is separately fired, and both ceramics are bonded with an adhesive.
  • a laminated structure type work heating apparatus in which substrates are joined has been proposed.
  • an aluminum plate is interposed between the chuck member 1 provided with the adsorption electrode 3 for adsorbing the work and the heater member 5 provided with the heating element 7.
  • the heat equalizing plate 31 made of, for example, is interposed so that the heat from the heating element 7 is uniformly transmitted to the entire surface of the work 18.
  • the soaking plate 31 when the soaking plate 31 is interposed between the chuck member 1 and the heater member 5, including the adhesive layer 32 for laminating them, the heating element 7 of the heater member to the work 18. Since the distance to the workpiece becomes longer, it takes time to transfer heat to the workpiece, and the increase in the number of different types of materials complicates the temperature control of the workpiece, affecting the quality of thin films, etc. The precise temperature control is difficult.
  • the chuck member has a long life, such as warping or deflection of the chuck member or cracking in some cases when used for a long time. Had determined the product life.
  • the present inventors have intensively studied in order to solve the problems of the conventional workpiece heating apparatus.
  • the deformation of the chuck member is caused by the difference in thermal expansion between the chuck member and the heater member.
  • the knowledge that it originates in the internal stress which arises was acquired. Therefore, by forming a laminated structure in which both are adsorbed by an electric force such as a Coulomb force, it becomes possible to prevent deformation of the chuck member and the like. Therefore, the present invention has been completed by finding that the adhesive layer for the purpose is not required, and the responsiveness of the work temperature control is increased, and that the heat uniformity over the entire surface of the work can be further improved.
  • an object of the present invention is to heat a workpiece with high temperature uniformity and to perform precise temperature control, and to prevent deformation of the chuck member and the like and to use it reliably over a long period of time. It is an object of the present invention to provide a work heating apparatus capable of performing the above and a work processing apparatus using the work heating apparatus.
  • a chuck member having a workpiece suction electrode for workpiece suction and a heater member having a heating element for heating the workpiece are stacked, and the workpiece sucked on the chuck member side is heated by the heater member.
  • the heater member is provided with a chuck adsorption electrode that adsorbs the chuck member between the surface facing the chuck member and the heating element, and the chuck member and the heater member are detachably stacked. This is a workpiece heating apparatus.
  • a chuck member having a workpiece adsorption electrode for workpiece adsorption and a heater member having a heating element for heating the workpiece are stacked, and the workpiece adsorbed on the chuck member side is heated by the heater member.
  • the present invention is a work processing apparatus characterized in that the work heating apparatus is placed on a base substrate.
  • the workpiece heating apparatus of the present invention is characterized in that a chuck member provided with a workpiece adsorption electrode for workpiece adsorption and a heater member provided with a heating element for workpiece heating are detachably stacked by an electric adsorption force. To do. That is, at least when the work heating device is used, an electric adsorption force is applied between the chuck member and the heater member to fix both, and when the work is not processed before or after use, By stopping the electrical adsorption, the chuck member and the heater member can be easily separated.
  • a first configuration example is a work heating apparatus provided with a chuck adsorption electrode for adsorbing a chuck member on the heater member side
  • a second configuration example is for adsorbing the heater member on the chuck member side. It is the workpiece
  • the present invention forms a state where the chuck member and the heater member are adsorbed by the adsorbing force acting in the vertical direction without using the adhesive layer. Even if this occurs, the chuck member and the heater member can slide in that direction, and the warpage of the chuck member and the heater member can be reduced.
  • a chuck suction electrode or a heater suction electrode as described above is provided separately from the workpiece suction electrode. Further, the chuck adsorption electrode and the heater adsorption electrode may be used in combination, but only one of them is sufficient in terms of function.
  • the chuck adsorption electrode is provided between the surface facing the chuck member and the heating element.
  • the material, forming means, etc. are particularly suitable as long as the chuck member can be attracted by an electrical attracting force such as a Coulomb force, a Johnson-Rahbek force, and a gradient force.
  • the metal foil may be formed by etching into a predetermined shape.
  • a metal material is sprayed or a printing method using conductive ink is known. This method can be adopted.
  • the chuck attracting electrode may be of a so-called monopolar type or bipolar type.
  • a flat plate shape, a semicircular shape, a comb tooth shape or a pattern shape such as a mesh should be selected as appropriate.
  • the electrode portions formed in a predetermined pattern are mutually connected. It may be composed of bipolar chuck chucking electrodes that are alternately combined so as to generate a potential difference.
  • connection terminal that has an ON / OFF switch and can be connected to an external power source.
  • the thickness of the chuck attracting electrode is not particularly limited, but is preferably about 25 ⁇ m to 100 ⁇ m in consideration of the distance formed from the heating element to the workpiece.
  • a resistance heating element that generates heat when energized can be suitably used.
  • a metal plate or a metal foil can be used as they are or etched into a predetermined pattern.
  • a known heating element such as a printing method using conductive ink may be employed.
  • the heating element is provided with a connection terminal that can be connected to an external power source having an ON / OFF switch, or can be connected to an external power source via the ON / OFF switch. It is preferable to do so.
  • this heating element may be divided into a plurality of parts so that the temperature can be controlled for each predetermined area with respect to the workpiece. In this case, a connection terminal is provided on each heating element for each area. It is better to be able to connect to an external power supply.
  • the heater member is formed such that a heating element is sandwiched between at least two dielectrics.
  • the heater member further faces the chuck member. It is necessary to have a structure having a chuck suction electrode between the surface to be heated and the heating element.
  • the chuck suction electrode may be at any position between the surface facing the chuck member and the heating element, but considering the heating response to the workpiece, the distance between the heating element and the chuck suction electrode Is 25 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, preferably 25 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the heater member in addition to insulating resin films such as polyimide and polyethylene terephthalate (PET) and ceramic plates, ceramic powder such as alumina powder, aluminum nitride powder, and zirconia powder is sprayed.
  • the heating element may be sandwiched by using a known dielectric such as a ceramic sprayed film formed in this manner, and the chuck attracting electrode may be positioned at a predetermined position.
  • a heater member may be formed using the dielectric material which consists of the same material, and 2 or more types of dielectric materials may be used.
  • the thickness of the heater member is not particularly limited because it varies depending on the type of dielectric used. However, as will be described later, a work heating device is mounted on the base substrate and a cooling mechanism using the base substrate is used. Taking this into consideration, it is desirable that the total thickness including the heating element and the chuck attracting electrode be about 0.2 mm or more and 0.7 mm or less.
  • the workpiece can be adsorbed by an electric attraction force using one surface as a workpiece adsorption surface, and the other surface is adsorbed by a chuck adsorption electrode provided in the heater member.
  • the workpiece preferably has a structure in which a workpiece attracting electrode is sandwiched between at least two dielectrics.
  • the dielectric used here a known material as mentioned in the formation of the heater member can be used, and a bonding sheet or an adhesive may be used as necessary.
  • the workpiece attracting electrode can be formed using a known material as mentioned in the formation of the chuck attracting electrode, and can be a monopolar type or a bipolar type depending on the type and size of the workpiece to be attracted. What is necessary is just to design the shape of a workpiece
  • the thickness of the chuck member is not particularly limited, but it is desirable that the thickness be set to about 120 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less in consideration of the distance from the heating element of the heater member to the workpiece.
  • the chuck member is provided with a heater adsorption electrode that adsorbs the heater member between the surface facing the heater member and the workpiece adsorption electrode, and the chuck member and the heater member can be attached and detached. Laminate to.
  • the heater adsorbing electrode may be any one that can adsorb the heater member with an electric adsorbing force, and can adopt the material, shape, etc., as mentioned for the chuck adsorbing electrode in the first configuration example. The same applies to the point of providing the connection terminal and the thickness of the heater adsorption electrode.
  • the heater adsorption electrode may be at any position between the surface facing the heater member and the workpiece adsorption electrode.
  • the workpiece adsorption electrode, the heater adsorption electrode, the distance between them is preferably 25 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and preferably 25 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the chuck member in the second configuration example can be the same as the chuck member in the first configuration example except that the heater adsorption electrode is provided as described above, and the thickness includes the heater adsorption electrode. In consideration of the minute, it is desirable that the thickness is about 0.2 mm or more and 1 mm or less.
  • the heater member can be the same as the heater member in the first configuration example except that the chuck adsorption electrode is eliminated, and the thickness thereof is set to about 0.1 mm to 0.3 mm. Is desirable.
  • the work heating apparatus according to the present invention is preferably used as a work processing apparatus by placing it on a base substrate provided with a conduit for flowing a medium such as gas or liquid.
  • a medium such as gas or liquid.
  • more appropriate temperature control according to the processing of the workpiece can be performed by the cooling effect of flowing the medium inside the base substrate.
  • the heater member has a through-hole that communicates with the gas hole of the base substrate with respect to the base substrate that has a gas channel through which the gas medium flows inside and has a gas hole connected to the pipeline on the surface. It is good to be.
  • the heater member and the chuck member are not fixed by the adhesive layer, but are attracted to each other by the electric adsorption force. Since there are microscopic irregularities derived from the surface roughness of the dielectric (which may be a chuck adsorption electrode or a heater adsorption electrode) at least at the interface between these members, it penetrates through the front and back surfaces of the heater member.
  • the gas medium supplied from the base substrate side exists at the interface between the heater member and the chuck member and is adsorbed.
  • the gas present at the adsorption interface is a good medium for heat, especially when the workpiece is processed in a vacuum state, and its function is remarkable, equivalent to a soaking plate such as a conventionally used aluminum plate, or More than that.
  • a gas groove for a gas medium may be formed in one or both of the heater member and the chuck member, and a through hole is also formed in the chuck member so as to be connected to the through hole of the heater member.
  • the gas medium may exist at the interface between the workpiece and the chuck member.
  • the work heating device when placed on the base substrate, it may be fixed using a bonding sheet or an adhesive.
  • the heater member has a surface facing the base substrate and a heating element.
  • a base adsorption electrode for adsorbing the base substrate is provided between them, or an adsorption sheet made of a resin material is provided on the surface facing the base substrate so that it can be detachably mounted on the base substrate. Is good.
  • the base adsorption electrode when used, it can be formed using a known material or the like as in the case of the chuck adsorption electrode or the heater adsorption electrode described above, and it is preferable to provide a connection terminal. .
  • the elastic modulus is 0.5 MPa or more and 10 MPa or less, preferably 2 MPa or more and 3 MPa or less, and the three-dimensional average surface roughness (SRa) is 0.01 ⁇ m or more and 0.55 ⁇ m or less
  • an adsorption sheet made of a resin material having a thickness of 0.4 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less is used. It is presumed that intermolecular force (Van der Waals force) is related to one of the reasons that such an adsorbent sheet made of a resin material can be adsorbably attached to the base substrate.
  • the present inventors have found that a resin material having the above elastic modulus and three-dimensional average surface roughness is effective for a base substrate generally made of a metal substrate such as an aluminum alloy. It was.
  • the resin material include silicone resin, styrene butadiene rubber, chlorosulfonated polyethylene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, ethylene propylene rubber, chloroprene rubber, butadiene rubber, fluoro rubber, isobutylene isoprene rubber, urethane rubber and the like. Of these, silicone resins are preferred.
  • the chuck member and the heater member have a structure in which they are stacked by an electric adsorption force, even if a difference in thermal expansion occurs between the heater member and the chuck member, Generation of internal stress that causes warping or deformation of these members can be prevented. Therefore, it can be used reliably over a long period of time.
  • the heater member is provided with a gas medium supplied from the base substrate side when the heater member is provided with a predetermined through hole and is mounted on the base substrate and used. Heat can be efficiently and uniformly transmitted to the workpiece, and the temperature of the workpiece can be precisely controlled.
  • the work heating device of the present invention can be freely attached / detached between the chuck member and the heater member by ON / OFF of the voltage application separately from the attachment / detachment between the work and the chuck member.
  • the workpiece processing can be performed without any inconvenience, and for example, even when the chuck member is consumed, the parts can be easily replaced, which is convenient for maintenance.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state in use when the work heating apparatus of the first configuration example of the present invention is placed on a base substrate and used as a work processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state where members are separated in the case where the work processing apparatus shown in FIG. 1 is maintained.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in use when the work heating apparatus of the second configuration example of the present invention is placed on a base substrate and used as a work processing apparatus.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a conventional laminated structure type work heating apparatus.
  • First Embodiment 1 and 2 show a workpiece processing apparatus that can be applied to a plasma etching apparatus or the like that performs plasma etching on a semiconductor substrate using plasma.
  • a work heating device 14 comprising a chuck member 1 and a heater member 5 is placed on a base base 15 made of aluminum alloy and provided with a pipe line 16 through which gas flows.
  • the workpiece 18 such as a semiconductor substrate is attracted to the chuck member 14 and a predetermined process such as plasma etching is performed while maintaining the workpiece 18 at a temperature suitable for the plasma process.
  • the chuck member 1 has a structure in which a workpiece attracting electrode 3 for attracting a workpiece is provided in the inside of the dielectric 2, and, for example, a circle having a thickness of about 0.1 to 5 mm according to the shape of the workpiece.
  • Two plate-like alumina ceramic plates (for example, A-479 manufactured by Kyocera Corporation) are used, and a workpiece is adsorbed on one ceramic plate by depositing copper with a thickness of about 0.1 to 50 ⁇ m through a predetermined mask.
  • the electrode 3 can be formed, and the other ceramic plate can be bonded together via an epoxy adhesive or the like.
  • the first embodiment is an example in which a bipolar work adsorption electrode 3 is formed, and comb-like electrode portions 3a and 3b are alternately incorporated, and can be connected to an external power source having a switch. It has a terminal 4 and shows a state in which a DC voltage is applied between these electrode portions (3a, 3b).
  • the heater member 5 includes a heating element 7 for heating the workpiece inside the dielectric body 6, and a chuck attracting electrode 8 that attracts the chuck member 1 between the surface facing the chuck member 1 and the heating element 7. And a base adsorption electrode 9 for adsorbing the base substrate 15 between the surface facing the base substrate 15 and the heating element 7.
  • a base suction electrode 9 is formed on one side of a polyimide film having a thickness of about 25 to 125 ⁇ m in the same manner as the work suction electrode 3 in the chuck member 1, thereby An epoxy adhesive is applied to the electrode side, and a polyimide film having a thickness of about 25 to 125 ⁇ m (for example, Kapton H manufactured by Toray DuPont or Upilex manufactured by Ube Industries) is thermocompression bonded.
  • a polyimide film having a thickness of about 25 to 125 ⁇ m for example, Kapton H manufactured by Toray DuPont or Upilex manufactured by Ube Industries
  • a resistance heating element 7 having a thickness of about 5 to 30 ⁇ m is printed on the remaining surface of the polyimide film on which the base adsorption electrode 9 has been formed, using a conductive ink such as silver filler ink, and an epoxy adhesive is applied. Then, a polyimide film having a thickness of about 25 to 125 ⁇ m is thermocompression bonded. Further, a chuck suction electrode 8 is formed on the surface of the polyimide film in the same manner as in the case of the workpiece suction electrode 3, and a polyimide film having a thickness of about 25 to 125 ⁇ m is thermocompression bonded through an epoxy adhesive, Finally, it can be cut into a disk shape.
  • the chuck suction electrode 8 and the base suction electrode 9 have connection terminals 11 and 12 similar to those of the workpiece suction electrode 3, respectively.
  • the heating element 7 has a connection terminal 10 that can be connected to an external power source (not shown) by making the planar shape spiral, for example, in accordance with the shape of the workpiece. And in this 1st Embodiment, it has the gas hole 17 which leads to the pipe line 16 in the surface of the base board
  • the heater member 5 is mounted on the base substrate 15 as shown in FIG. Then, a DC voltage of about 500 to 2000 V is applied to the base adsorption electrode 9 and adsorbed to the base substrate 15. Further, the chuck member 1 is placed on the heater member 5 and a DC voltage of about 500 to 2000 V is applied to the chuck suction electrode 8 so that the chuck member 1 is attracted to the heater member 5.
  • a silicon substrate is placed with the surface of the chuck member 1 as a workpiece adsorption surface, and a DC voltage of about 500 to 2000 V is applied to the workpiece adsorption electrode 3 to adsorb the silicon substrate.
  • the work processing chamber of the plasma etching apparatus is evacuated to about 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 5 Pa, and the temperature of the silicon substrate is kept within a range of ⁇ 80 to 250 ° C. To be.
  • the silicon substrate is heated by the heat generated by energizing the heating element 7, but the alumina ceramic plate forming the chuck member 1 and the polyimide film forming the heater member 5 themselves have a predetermined surface roughness. Therefore, the gas medium supplied from the base substrate 15 side is present at the interface between the chuck member 1 and the heater member 5. Therefore, the heat generated from the heater member 5 uniformly heats the entire surface of the silicon substrate through the chuck member 1 through this gas medium.
  • the voltage application to the workpiece adsorption electrode 3 is stopped by switching off the external power source connected to the workpiece adsorption electrode 3 of the chuck member 1, the workpiece adsorbed on the chuck member 1 is removed. Can be released. Further, when maintenance is performed as necessary, as shown in FIG. 2, the application of voltage can be stopped by switching off the external power source connected to the chuck attracting electrode 8 of the heater member 5.
  • the chuck member 1 and the heater member 5 can be easily separated, and if the voltage application is stopped by switching off the external power source connected to the base substrate electrode 9, the heater member 5 and The base board 15 can be easily separated.
  • FIG. 3 shows a workpiece processing apparatus using a modification of the workpiece heating apparatus of the present invention.
  • a workpiece consisting of a chuck member 1 and a heater member 5 is shown.
  • the heating device 14 is mounted on the base substrate 15 made of aluminum alloy via an adsorption sheet 29 attached to the heater member side.
  • the chuck member 1 has a structure in which a work suction electrode 22 for sucking a work and a heater suction electrode 23 for sucking the heater member 5 are provided inside the dielectric 21. And located between the surface facing the heater member and the workpiece attracting electrode 22.
  • a work suction electrode 22 for sucking a work and a heater suction electrode 23 for sucking the heater member 5 are provided inside the dielectric 21. And located between the surface facing the heater member and the workpiece attracting electrode 22.
  • an alumina ceramic plate in which copper is vapor-deposited on one side and the work adsorption electrode 22 is formed as in the first embodiment, and copper is vapor-deposited on one side and a heater is formed.
  • An alumina ceramic plate on which the adsorption electrode 23 is formed is prepared, and an alumina ceramic plate is sandwiched between them, and each is bonded with an epoxy adhesive or the like.
  • the shapes of the workpiece adsorption electrode 22 and the heater adsorption electrode 23 are the same as those in the first
  • the heater member 5 can be obtained in the same manner as in the first embodiment except that only the heating element 27 for heating the workpiece is provided inside the dielectric body 26.
  • a connection terminal 28 that can be connected to an external power source is provided.
  • the heater member 5 has, for example, a silicone resin (trade name: Sirius; elastic modulus: 2.7 MPa, three-dimensional average surface roughness (SRa) of 0.46 ⁇ m) manufactured by Fuso Rubber Industrial Co., Ltd. on the surface facing the base substrate 15. Such an adsorption sheet 29 was stuck.
  • this 2nd Embodiment has the gas hole 17 which leads to the pipe line 16 in the surface of the base board
  • a through hole 30 is formed in the chuck member 1 so as to be connectable to the gas hole 17 of the base 15 and to connect to the through hole 31 through the front and back surfaces thereof.
  • the work processing apparatus in the second embodiment can be used in a plasma etching apparatus or the like in the same manner as in the first embodiment. Further, when performing maintenance after use, if the voltage application is stopped by switching off the external power source connected to the heater adsorption electrode 23 of the chuck member 5, the chuck member 1 and the heater member 5 are not connected. Since the heater member 5 and the base substrate 15 are merely adsorbed by the adsorbing sheet 29, they can be easily peeled off by hand.
  • the workpiece heating apparatus of the present invention can heat a workpiece to a predetermined temperature while adsorbing the workpiece.
  • a workpiece processing apparatus for example, a semiconductor manufacturing apparatus such as a plasma etching apparatus, etc. Is suitable for processing a semiconductor substrate or a glass substrate.
  • a workpiece heating device alone and heating it to a predetermined temperature.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

　ワークを高い均熱性によって加熱することができると共に精緻な温度制御が可能であり、しかも、チャック部材の変形等を防いで、長期に亘って信頼性良く使用することができるワーク加熱装置、及びこれを用いたワーク処理装置を提供する。　ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とが積層されて、チャック部材側に吸着されたワークをヒーター部材によって加熱することができるワーク加熱装置であって、ヒーター部材が、チャック部材に対向する面と発熱体との間にチャック部材を吸着するチャック吸着電極を備えて、チャック部材とヒーター部材とが着脱可能に積層されたワーク加熱装置であり、このワーク加熱装置をベース基盤上に載置してなるワーク処理装置である。

Description

ワーク加熱装置及びワーク処理装置
　この発明は、ワーク加熱装置及びワーク処理装置に関し、詳しくは、半導体ウエハやガラス基板等のワークを電気的な吸着力により吸着しながら加熱することができるワーク加熱装置、及びこれを用いたワーク処理装置に関する。
　半導体装置や液晶装置等を製造する上では、半導体ウエハやガラス基板等のワークに対して薄膜を形成するほか、スパッタリングやエッチング処理等が必要になるが、これらの処理ではワークの温度が成膜速度やエッチング速度等を決めたり、得られる薄膜等の品質に大きな影響を与える。そこで、例えば特許文献１のように、セラミック等からなるプレート本体にワークを吸着する吸着電極と抵抗発熱体を内蔵させた一体型のワーク加熱装置が用いられ、吸着したワークが所望の温度になるように発熱体を通電発熱して、薄膜形成等の処理を行うようにしている。
　このような一体型のワーク吸着装置は、従来、セラミックグリーンシートにタングステン等の高融点金属を主成分とする導電性インキを所定のパターンに印刷し、各セラミックグリーンシートを積層して同時焼成することで、吸着電極と発熱体が内蔵されたプレート本体が製造されるのが一般的である。ところが、一体型のワーク吸着装置では、導電性インキを印刷したセラミックグリーンシートを含めてこれらをまとめて焼成することから、発熱体の厚みや発熱体からワークまでの距離に誤差が生じるなどして、ワーク全面にわたる加熱温度の均一性を得ることが難しい。そこで、例えば特許文献２のように、吸着電極を内部に備えて一体焼成された吸着電極含有セラミック基板と、これとは別に焼成したセラミック基板との間に発熱体を挟み込み、接着剤により両セラミック基板を接合したような、積層構造型のワーク加熱装置が提案されている。
　また、近年では、半導体ウエハやガラス基板等の大型化に伴い、ワーク温度を高い精度で均一に維持できることが益々重要になっている。そのため、図４に示したように、積層構造型のワーク加熱装置においては、ワーク吸着用の吸着電極３を備えたチャック部材１と発熱体７を備えたヒーター部材５との間に、アルミニウム板等からなる均熱プレート３１を介在させ、発熱体７からの熱がワーク１８の全面に対して均一に伝わるようにするなどの工夫がなされている。
　ところが、チャック部材１とヒーター部材５との間に均熱プレート３１が介在したような構造になると、これらを積層するための接着剤層３２を含めて、ヒーター部材の発熱体７からワーク１８までの距離が長くなってしまうことから、その分だけワークへの熱伝達に時間がかかり、また、異なる種類の材料が増えることから、ワークの温度制御が複雑になり、薄膜等の品質に影響を及ぼす緻密な温度管理が難しくなってしまう。一方で、従来の積層構造型のワーク加熱装置では、長期に亘って使用しているとチャック部材に反りやたわみが生じたり、場合によってはひび割れが生じるなど、チャック部材の寿命がワーク加熱装置自体の製品寿命を決定してしまっていた。
特開平１１－１１１８２９号公報 特開２００５－３４７５５９号公報
　このような状況のもと、本発明者等は、従来のワーク加熱装置が有する問題を解決するために鋭意検討したところ、チャック部材の変形等が、チャック部材とヒーター部材との熱膨張差によって生じる内部応力に起因するものであるという知見を得た。そこで、両者をクーロン力等の電気的な力によって吸着した積層構造にすることで、チャック部材の変形等を防ぐことができるようになり、また、この問題の解消のみならず、両者を固定するための接着剤層が不要になることからワーク温度制御のレスポンス性が高まると共に、ワーク全面に対する均熱性をより高めることができるようになることを見出し、本発明を完成するに至った。
　したがって、本発明の目的は、ワークを高い均熱性によって加熱することができると共に精緻な温度制御が可能であり、しかも、チャック部材の変形等を防いで、長期に亘って信頼性良く使用することができるワーク加熱装置、及びこれを用いたワーク処理装置を提供することにある。
　すなわち、本発明は、ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とが積層されて、チャック部材側に吸着されたワークをヒーター部材によって加熱することができるワーク加熱装置であって、ヒーター部材が、チャック部材に対向する面と発熱体との間にチャック部材を吸着するチャック吸着電極を備えて、チャック部材とヒーター部材とが着脱可能に積層されたことを特徴とするワーク加熱装置である。
　また、本発明は、ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とが積層されて、チャック部材側に吸着されたワークをヒーター部材によって加熱することができるワーク加熱装置であって、チャック部材が、ヒーター部材に対向する面とワーク吸着電極との間にヒーター部材を吸着するヒーター吸着電極を備えて、チャック部材とヒーター部材とが着脱可能に積層されたことを特徴とするワーク加熱装置である。
　更に、本発明は、上記のワーク加熱装置をベース基盤上に載置してなることを特徴とするワーク処理装置である。
　本発明のワーク加熱装置は、ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とを電気的な吸着力によって着脱可能に積層させたことを特徴とする。すなわち、少なくともワーク加熱装置の使用時には、チャック部材とヒーター部材との間に電気的な吸着力を作用させて両者を固定し、使用前や使用後のようにワークの処理を行っていないときには、電気的な吸着を止めることでチャック部材とヒーター部材とを容易に分離することができる。
　このようなワーク加熱装置を形成する上で、本発明では次のような２つの構成例を採用することができる。先ず、第１の構成例としては、ヒーター部材側にチャック部材を吸着するためのチャック吸着電極を備えたワーク加熱装置であり、第２の構成例は、チャック部材側にヒーター部材を吸着するためのヒーター吸着電極を備えたワーク加熱装置である。いずれの場合においても、本発明では、接着剤層を介さずにチャック部材とヒーター部材とが垂直方向に働く吸着力によって吸着された状態を形成するため、熱膨張差によって水平方向に伸び縮む力が生じても、チャック部材とヒーター部材はその方向にすべることができ、チャック部材やヒーター部材の反り等を緩和することができる。
　なお、チャック部材とヒーター部材とを電気的な吸着力によって積層するには、理論上、チャック部材におけるワーク吸着電極の裏面側（ワークと反対側の面）に発現する吸着力を利用することも考えられるが、これでは吸着されたワークを解放するためにワーク吸着電極に印加される電圧を切ると、チャック部材－ヒーター部材間を保持する吸着力も無くなってしまうため、ワークを処理する作業において不都合である。そのため、本発明ではワーク吸着電極とは別に、上記のようなチャック吸着電極又はヒーター吸着電極を設けるようにする。また、チャック吸着電極とヒーター吸着電極を併用してもよいが、機能上はいずれか一方のみで十分である。
　先ず、ヒーター部材側がチャック部材を吸着するためのチャック吸着電極を備える第１の構成例では、チャック部材に対向する面と発熱体との間にチャック吸着電極を設けるようにする。このうち、チャック吸着電極については、チャック部材をクーロン力、ジョンソン・ラーベック力、グラディエント力等のような電気的な吸着力によって吸着することができるものであれば、その材質や形成手段等は特に制限されず、例えば、金属箔を所定の形状にエッチングして形成してもよく、スパッタ法やイオンプレーティング法のほか、金属材料を溶射したり、導電性インクを用いた印刷法など、公知の方法を採用することができる。
　このチャック吸着電極は、いわゆる単極型又は双極型のいずれを構成するものであってもよく、例えば、平板状、半円状、櫛歯状やメッシュのようなパターン形状など、適宜選定することができるが、チャック部材に対して発現する吸着力の観点や、電圧を印加する上での装置構成をより簡便にできるなどの観点から、好ましくは、所定のパターンに形成された電極部が互いに電位差を生じるように交互に組み合わされたような双極型のチャック吸着電極からなるのが良い。また、ヒーター部材－チャック部材間の着脱をより簡単に行うことができるようにするために、好ましくは、ＯＮ／ＯＦＦの切り替えスイッチを有して外部電源に接続可能な接続端子を備えるようにするか、或いは、ＯＮ／ＯＦＦスイッチを介して外部電源に接続できるようにしておくのが良い。なお、チャック吸着電極の厚みについては特に制限はないが、発熱体からワークまでに形成される距離等を勘案すると、２５μｍ以上１００μｍ以下程度にするのが望ましい。
　また、ヒーター部材における発熱体は、通電によって発熱する抵抗発熱体を好適に用いることができ、例えば、金属線のほか、金属板や金属箔をそのまま使用したり、所定のパターンにエッチングして形成してもよく、或いは、導電性インクを用いた印刷法により形成するなど、公知の発熱体を採用することができる。発熱体には、チャック吸着電極の場合と同様、ＯＮ／ＯＦＦ切り替えスイッチを有した外部電源に接続可能な接続端子を備えるようにするか、或いは、ＯＮ／ＯＦＦスイッチを介して外部電源に接続できるようにしておくのが好ましい。更にこの発熱体は、ワークに対して所定のエリア毎に温度制御ができるように、複数に分割して形成してもよく、その場合には、エリア毎の発熱体にそれぞれ接続端子を設けたり、外部電源に接続できるようにしておくのが良い。
　そして、好適には、少なくとも２つの誘電体の間に発熱体が挟み込まれたようにしてヒーター部材を形成するのがよいが、第１の構成例では、更にこのヒーター部材が、チャック部材に対向する面と発熱体との間にチャック吸着電極を有した構造にする必要がある。チャック吸着電極は、チャック部材に対向する面と発熱体との間であればどの位置であってもよいが、ワークに対する加熱応答性等を考慮すると、発熱体とチャック吸着電極との間の距離が２５μｍ以上１００μｍ以下となるようにするのが良く、好ましくは２５μｍ以上５０μｍ以下であるのが良い。
　ヒーター部材を形成するにあたっては、上記のとおり、例えば、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート（PET）等の絶縁性樹脂フィルム、セラミック板のほか、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、ジルコニア粉末等のセラミック粉末を溶射して形成したセラミック溶射膜など、公知の誘電体を用いて発熱体が挟み込まれるようにすると共に、所定の位置にチャック吸着電極が位置した構造にすればよい。その際、同じ材質からなる誘電体を用いてヒーター部材を形成してもよく、２種以上の誘電体を用いてもよい。また、ボンディングシートや接着剤等を用いてヒーター部材を形成するようにしてもよい。なお、使用する誘電体の種類によっても異なるためヒーター部材の厚みは特に制限されないが、後述するように、ベース基盤上にワーク加熱装置を載置して使用し、ベース基盤による冷却機構を使用することなどを考慮すると、発熱体及びチャック吸着電極を含めた全体の厚みが０．２ｍｍ以上０．７ｍｍ以下程度になるようにするのが望ましい。
　また、第１の構成例におけるチャック部材については、その一方の面をワーク吸着面としてワークを電気的な吸着力によって吸着させることができると共に、他方の面はヒーター部材が備えるチャック吸着電極によって吸着されるものであればよく、好適には、少なくとも２つの誘電体によって内部にワーク吸着電極が挟み込まれたような構造を有するものである。
　ここで用いられる誘電体は、ヒーター部材の形成において挙げたような公知のものを使用することができ、必要に応じてボンディングシートや接着剤等を用いるようにしてもよい。また、ワーク吸着電極についても、上記チャック吸着電極の形成に挙げたような公知の材料を用いて形成することができ、吸着対象のワークの種類やサイズ等に応じて単極型又は双極型を選択しながら、ワーク吸着電極の形状を適宜設計すればよい。更に、チャック部材の厚みは特に制限されないが、ヒーター部材の発熱体からワークまでの距離を考慮すると、１２０μｍ以上３００μｍ以下程度になるようにするのが望ましい。
　次に、第２の構成例では、チャック部材がヒーター部材に対向する面とワーク吸着電極との間にヒーター部材を吸着するヒーター吸着電極を備えるようにして、チャック部材とヒーター部材とを着脱可能に積層する。このヒーター吸着電極は、ヒーター部材を電気的な吸着力によって吸着することができるものであればよく、第１の構成例におけるチャック吸着電極で挙げたような材質、形状等を採用することができ、接続端子を設けたりする点やヒーター吸着電極の厚みについても同様である。また、ヒーター吸着電極は、ヒーター部材に対向する面とワーク吸着電極との間であればどの位置であってもよいが、ワークに対する加熱応答性等を考慮すると、ワーク吸着電極とヒーター吸着電極との間の距離が２５μｍ以上１００μｍ以下となるようにするのが良く、好ましくは２５μｍ以上５０μｍ以下であるのが良い。
　第２の構成例におけるチャック部材は、上記のようにヒーター吸着電極を備えるようにした以外は第１の構成例におけるチャック部材と同様にすることができ、その厚みは、ヒーター吸着電極を含めた分を考慮して０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下程度になるようにするのが望ましい。一方、ヒーター部材については、チャック吸着電極を無くすようにした以外は第１の構成例におけるヒーター部材と同様にすることができ、その厚みは０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下程度になるようにするのが望ましい。
　本発明におけるワーク加熱装置は、好適には、ガスや液体のような媒体を流す管路を内部に備えたベース基盤に載置してワーク処理装置として使用するのが良い。ヒーター部材による加熱のみならず、ベース基盤の内部に媒体を流す冷却効果によって、ワークの処理に応じたより適切な温度制御を行うことができる。
　また、ガス媒体を流す管路を内部に備えてこの管路に接続したガス孔を表面に有したベース基盤に対して、好ましくは、ヒーター部材がベース基盤のガス孔に通ずる貫通孔を有するようにするのが良い。すなわち、本発明では、ヒーター部材とチャック部材との間は接着剤層によって固着されているのではなく、両者が電気的な吸着力により引き付け合っている。少なくともこれらの部材の界面には誘電体（チャック吸着電極又はヒーター吸着電極の場合もある）の表面粗さに由来する微視的な凹凸が存在することから、ヒーター部材の表裏面を貫通する貫通孔を設けることで、ベース基盤側から供給されたガス媒体がヒーター部材とチャック部材との界面に存在して吸着されるようになる。吸着界面に存在するガスは熱の良媒体になり、特にワークを真空状態で処理するような場合においてその働きは顕著であって、従来使用されているアルミニウム板等の均熱プレートと同等、またはそれ以上の機能を奏する。勿論、ヒーター部材かチャック部材のいずれか一方又は両方にガス媒体用のガス溝を形成するようにしてもよく、また、チャック部材にも貫通孔を形成してヒーター部材の貫通孔と連接させて、ワークとチャック部材との界面にガス媒体が存在できるようにしてもよい。
　また、ベース基盤にワーク加熱装置を載置する際には、ボンディングシートや接着剤を用いて固着するようにしてもよいが、好ましくは、ヒーター部材が、ベース基盤に対向する面と発熱体との間にベース基盤を吸着するベース吸着電極を備えるか、又は、ベース基盤に対向する面に樹脂材料からなる吸着シートを備えるようにして、ベース基盤に対して着脱可能に載置できるようにするのが良い。
　ここで、ベース吸着電極を使用する場合は、上述したチャック吸着電極やヒーター吸着電極の場合と同様、公知の材料等を用いて形成することができ、接続端子を設けたりしておくのが好ましい。
　一方、吸着シートを使用する場合には、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、好ましくは２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であると共に、三次元平均表面粗さ（SRa）が０．０１μｍ以上０．５５μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以上０．５μｍ以下の樹脂材料からなる吸着シートを用いるのが良い。このような樹脂材料からなる吸着シートがベース基盤に対して着脱可能に吸着できる理由のひとつに、分子間力（ファンデルワールス力）が関係しているものと推測される。本発明者等は、一般的にアルミニウム合金等の金属基盤からなるベース基盤に対しては、上記のような弾性率や三次元平均表面粗さを有した樹脂材料が効果的であることを見出した。樹脂材料の具体例としては、シリコーン樹脂、スチレンブタジエンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、イソブチレンイソプレンゴム、ウレタンゴム等を挙げることができ、なかでも、シリコーン樹脂が好適である。
　本発明のワーク加熱装置では、チャック部材とヒーター部材とが電気的な吸着力によって積層される構造を有することから、ヒーター部材が加熱されてチャック部材との間で熱膨張差が生じても、これらの部材に反りや変形等を引き起こすような内部応力の発生を防ぐことができる。そのため、長期に亘って信頼性良く使用することができるようになる。また、チャック部材とヒーター部材との間の接着剤層が不要になり、積層構造自体がシンプルになることから、ワークに対してより速い熱応答性を有することができる。特に、ヒーター部材に所定の貫通孔を設けて、ベース基盤に載置して使用した際にベース基盤側から供給されるガス媒体がチャック部材とヒーター部材との界面に存在させることで、ヒーター部材からの熱を効率良く、且つ均一にワークに対して伝えることができ、ワークの緻密な温度制御が可能になる。
　更に、本発明のワーク加熱装置は、ワーク－チャック部材間の着脱とは別に、電圧印加のＯＮ／ＯＦＦによってチャック部材－ヒーター部材間の着脱も自在に行うことができることから、半導体製造装置等でのワーク処理を不都合なく行うことができると共に、例えばチャック部材が消耗した場合でも容易に部品交換することができ、メンテナンスを行う上でも好都合である。
図１は、本発明の第１の構成例のワーク加熱装置をベース基盤上に載置して、ワーク処理装置として使用する場合の使用時の状態を示す断面模式図である。 図２は、図１に示したワーク処理装置をメンテナンスするような場合において、部材間を分離した状態を示す断面模式図である。 図３は、本発明の第２の構成例のワーク加熱装置をベース基盤上に載置して、ワーク処理装置として使用する場合の使用時の状態を示す断面模式図である。 図４は、従来の積層構造型ワーク加熱装置を示す断面模式図である。
　以下、添付した図面に基づきながら、本発明のワーク加熱装置について好適な実施の形態を説明する。
［第１の実施形態］
　図１及び図２において、プラズマを用いて半導体基板をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置等に適用できるようなワーク処理装置が示されている。このワーク処理装置では、チャック部材１とヒーター部材５とからなるワーク加熱装置１４が、ガスを流す管路１６を内部に備えたアルミニウム合金製のベース基盤１５に載置されており、ワーク加熱装置１４のチャック部材側に半導体基板等のワーク１８を吸着して、例えばプラズマ処理に適した温度にワーク１８を維持してプラズマエッチングするなど、所定の処理を行うことができる。
　このうちチャック部材１は、ワーク吸着用のワーク吸着電極３を誘電体２の内部に備えた構造を有しており、ワークの形状に応じて、例えば、厚さ０．１～５ｍｍ程度の円板状のアルミナ製セラミック板（例えば京セラ社製Ａ－４７９など）を２枚使用し、一方のセラミック板に所定のマスクを介して厚さ０．１～５０μｍ程度の銅を蒸着してワーク吸着電極３を形成して、エポキシ製接着剤等を介して他方のセラミック板を貼り合わせて形成することができる。この第１の実施形態は双極型のワーク吸着電極３を形成した例であって、櫛歯状の電極部3a及び3bが互い違いに組み込まれており、スイッチを有した外部電源に接続可能な接続端子４を有して、これらの電極部（3a,3b）間に直流電圧が印加される様子を示している。
　また、ヒーター部材５は、ワーク加熱用の発熱体７を誘電体６の内部に備え、かつ、チャック部材１に対向する面と発熱体７との間にチャック部材１を吸着するチャック吸着電極８を備えると共に、ベース基盤１５に対向する面と発熱体７との間にベース基盤１５を吸着するベース吸着電極９を備えた構造を有する。
　このようなヒーター部材を形成する例として、先ず、厚さ２５～１２５μｍ程度のポリイミドフィルムの片面に、チャック部材１におけるワーク吸着電極３の場合と同様にしてベース吸着電極９を形成し、ベース吸着電極側にエポキシ製接着剤を塗布して厚さ２５～１２５μｍ程度のポリイミドフィルム（例えば東レ・デュポン社製カプトンＨや宇部興産社製ユーピレックスなど）を熱圧着する。次いで、先にベース吸着電極９を形成したポリイミドフィルムの残った面に銀フィラーインクのような導電性インクを用いて厚さ５～３０μｍ程度の抵抗発熱体７を印刷し、エポキシ製接着剤を介して厚さ２５～１２５μｍ程度のポリイミドフィルムを熱圧着する。更に、このポリイミドフィルムの表面に、やはりワーク吸着電極３の場合と同様にしてチャック吸着電極８を形成し、エポキシ製接着剤を介して厚さ２５～１２５μｍ程度のポリイミドフィルムを熱圧着して、最後に円板形状に切り出せばよい。この第１の実施形態において、チャック吸着電極８及びベース吸着電極９は、それぞれワーク吸着電極３の場合と同様の接続端子１１及び１２を有している。また、発熱体７は、ワークの形状に合わせて例えば平面形状を渦巻状にし、図示外の外部電源に接続可能な接続端子１０を有している。そして、この第１の実施形態において、ベース基盤１５の表面には管路１６に通ずるガス孔１７を有しており、ヒーター部材５には、このガス孔１７に接続するように表裏面を貫通する貫通孔１３が形成されている。
　この第１の実施形態のワーク処理装置を用いて、例えばプラズマエッチング装置で直径１２インチのシリコン基板をプラズマエッチングする場合には、図１に示したように、ベース基盤１５にヒーター部材５を載置し、ベース吸着電極９に５００～２０００Ｖ程度の直流電圧を印加してベース基盤１５に吸着させる。また、ヒーター部材５の上にはチャック部材１を重ねてチャック吸着電極８に５００～２０００Ｖ程度の直流電圧を印加し、チャック部材１をヒーター部材５に吸着させる。そして、チャック部材１の表面をワーク吸着面としてシリコン基板を載せ、ワーク吸着電極３に５００～２０００Ｖ程度の直流電圧を印加してシリコン基板を吸着させる。シリコン基板をエッチング処理する際には、プラズマエッチング装置のワーク処理室内を１０-1Ｐａ～１０-5Ｐａ程度の真空にし、シリコン基板の温度が－８０～２５０℃の範囲内で所定の温度になるようにする。
　このとき、発熱体７を通電して発熱した熱によってシリコン基板が加熱されるが、チャック部材１を形成するアルミナ製セラミック板とヒーター部材５を形成するポリイミドフィルムはそれら自体が所定の表面粗さを有することから、ベース基盤１５側から供給されたガス媒体がチャック部材１とヒーター部材５の界面に存在することになる。そのため、ヒーター部材５から発せられた熱は、このガス媒体を介してチャック部材１を通じてシリコン基板の全面を均一に加熱する。
　ワークの処理を終えた後には、チャック部材１のワーク吸着電極３に接続された外部電源のスイッチを切るなどしてワーク吸着電極３に対する電圧印加を止めれば、チャック部材１に吸着されたワークを解放することができる。また、必要に応じてメンテナンス等を行うような場合には、図２に示すように、ヒーター部材５のチャック吸着電極８に接続された外部電源のスイッチを切るなどして電圧の印加を止めれば、チャック部材１とヒーター部材５との間を簡単に分離することができ、また、ベース基盤電極９に接続された外部電源のスイッチを切るなどして電圧の印加を止めれば、ヒーター部材５とベース基盤１５との間を簡単に分離することができる。
［第２の実施形態］
　図３には、本発明のワーク加熱装置の変形例を用いたワーク処理装置が示されており、この第２の実施形態に係るワーク処理装置では、チャック部材１とヒーター部材５とからなるワーク加熱装置１４が、ヒーター部材側に貼着された吸着シート２９を介してアルミニウム合金製のベース基盤１５に載置されている。
　このうちチャック部材１は、ワーク吸着用のワーク吸着電極２２とヒーター部材５を吸着するヒーター吸着電極２３とを誘電体２１の内部に備えた構造を有しており、このうちヒーター吸着電極２３は、ヒーター部材に対向する面とワーク吸着電極２２との間に位置する。このチャック部材１を形成するには、例えば、第１の実施形態と同様にして片面に銅を蒸着してワーク吸着電極２２を形成したアルミナ製のセラミック板と、片面に銅を蒸着してヒーター吸着電極２３を形成したアルミナ製のセラミック板とを用意し、これらの間にアルミナ製のセラミック板を挟むようにしてそれぞれをエポキシ製接着剤等で貼り合わせて得ることができる。ワーク吸着電極２２及びヒーター吸着電極２３の形状等は第１の実施形態と同様であり、スイッチを有した外部電源に接続可能な接続端子２４と接続端子２５をそれぞれの電極が備えるようにした。
　また、ヒーター部材５は、ワーク加熱用の発熱体２７のみを誘電体２６の内部に備えるようにした以外は第１の実施形態の場合と同様にして得ることができ、発熱体２７には図示外の外部電源に接続可能な接続端子２８を備えるようにした。更にこのヒーター部材５には、ベース基盤１５に対向する面に、例えば扶桑ゴム産業社製のシリコーン樹脂（商品名シリウス；弾性率2.7MPa、三次元平均表面粗さ（SRa）0.46μm）等のような吸着シート２９を貼着するようにした。
　そして、この第２の実施形態において、ベース基盤１５の表面には管路１６に通ずるガス孔１７を有しており、ヒーター部材５にはその表裏面を貫通する貫通孔３１を形成してベース基盤１５のガス孔１７に接続可能にすると共に、チャック部材１にはその表裏面を貫通して貫通孔３１に接続する貫通孔３０が形成されている。
　この第２の実施形態におけるワーク処理装置をプラズマエッチング装置等で使用するには第１の実施形態の場合と同様にすることができる。また、使用後にメンテナンス等を行う際には、チャック部材５のヒーター吸着電極２３に接続された外部電源のスイッチを切るなどして電圧の印加を止めれば、チャック部材１とヒーター部材５との間を簡単に分離することができ、ヒーター部材５とベース基盤１５との間は吸着シート２９によって吸着されているだけであるため、容易に手で引き剥がすことができる。
　本発明のワーク加熱装置はワークを吸着しながら所定の温度に加熱することができ、特に、ベース基盤に載置してワーク処理装置にすることで、例えばプラズマエッチング装置のような半導体製造装置等において半導体基板やガラス基板等の処理を行うのに好適である。また、これ以外にもワーク加熱装置単独でワークを吸着して所定の温度に加熱するなど、種々のワークの処理に用いることができる。
１：チャック部材
２,６,２１,２６：誘電体
３,２２：ワーク吸着電極
3a,3b,8a,8b,9a,9b,22a,22b：電極部
４,１０,１１,１２,２４,２５,２８：接続端子
５：ヒーター部材
７,２７：発熱体
８：チャック吸着電極
９：ベース吸着電極
１３,３０,３１：貫通孔
１４：ワーク加熱装置
１５：ベース基盤
１６：管路
１７：ガス孔
１８：ワーク
２３：ヒーター吸着電極
２９：吸着シート
３１：均熱プレート
３２：接着剤層

Claims (6)

  1. 　ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とが積層されて、チャック部材側に吸着されたワークをヒーター部材によって加熱することができるワーク加熱装置であって、ヒーター部材が、チャック部材に対向する面と発熱体との間にチャック部材を吸着するチャック吸着電極を備えて、チャック部材とヒーター部材とが着脱可能に積層されたことを特徴とするワーク加熱装置。
  2. 　ワーク吸着用のワーク吸着電極を備えたチャック部材とワーク加熱用の発熱体を備えたヒーター部材とが積層されて、チャック部材側に吸着されたワークをヒーター部材によって加熱することができるワーク加熱装置であって、チャック部材が、ヒーター部材に対向する面とワーク吸着電極との間にヒーター部材を吸着するヒーター吸着電極を備えて、チャック部材とヒーター部材とが着脱可能に積層されたことを特徴とするワーク加熱装置。
  3. 　ガス媒体を流す管路を内部に備えてこの管路に接続したガス孔を表面に有するベース基盤に、ヒーター部材を対向させて載置して使用する請求項１又は２に記載のワーク加熱装置であって、ヒーター部材がベース基盤のガス孔に通ずる貫通孔を有して、ヒーター部材とチャック部材との界面にベース基盤側から供給されたガス媒体が存在するようにして積層されたことを特徴とするワーク加熱装置。
  4. 　ヒーター部材が、ベース基盤に対向する面と発熱体との間にベース基盤を吸着するベース吸着電極を備えるか、又は、ベース基盤に対向する面に樹脂材料からなる吸着シートを備えて、ベース基盤に対して着脱可能に載置される請求項３に記載のワーク加熱装置。
  5. 　吸着シートは、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であると共に、三次元平均表面粗さ（SRa）が０．０１μｍ以上０．５５μｍ以下の樹脂材料からなる請求項４に記載のワーク加熱装置。
  6. 　請求項１～５のいずれかに記載のワーク加熱装置をベース基盤上に載置してなることを特徴とするワーク処理装置。
PCT/JP2011/079478 2010-12-27 2011-12-20 ワーク加熱装置及びワーク処理装置 WO2012090782A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201180062765.2A CN103283013B (zh) 2010-12-27 2011-12-20 工件加热装置及工件处理装置
JP2012550859A JP6021006B2 (ja) 2010-12-27 2011-12-20 ワーク加熱装置及びワーク処理装置
EP11853539.2A EP2660860B8 (en) 2010-12-27 2011-12-20 Work heating device and work treatment device
US13/976,294 US10157758B2 (en) 2010-12-27 2011-12-20 Work heating device and work treatment device
KR1020137019689A KR101897012B1 (ko) 2010-12-27 2011-12-20 워크처리장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-290201 2010-12-27
JP2010290201 2010-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012090782A1 true WO2012090782A1 (ja) 2012-07-05

Family

ID=46382893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/079478 WO2012090782A1 (ja) 2010-12-27 2011-12-20 ワーク加熱装置及びワーク処理装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10157758B2 (ja)
EP (1) EP2660860B8 (ja)
JP (1) JP6021006B2 (ja)
KR (1) KR101897012B1 (ja)
CN (1) CN103283013B (ja)
TW (1) TWI567824B (ja)
WO (1) WO2012090782A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015035485A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 株式会社東芝 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法
WO2017029876A1 (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP2018014492A (ja) * 2016-07-07 2018-01-25 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック
JP2018206805A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
WO2019188341A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 株式会社クリエイティブテクノロジー 吸着パッド
WO2020027246A1 (ja) 2018-08-02 2020-02-06 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電吸着体
JP2022160483A (ja) * 2018-09-27 2022-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11984296B2 (en) 2017-01-05 2024-05-14 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6643353B2 (ja) * 2015-11-12 2020-02-12 京セラ株式会社 ヒータ
JP6866255B2 (ja) * 2017-08-09 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN112259490A (zh) * 2020-10-12 2021-01-22 北京巨瓷科技有限公司 具有加热功能的静电吸盘及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111829A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Ulvac Corp 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
JP2003124298A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Anelva Corp プラズマ支援ウェハー処理反応容器の二重静電チャックウェハーステージ
JP2005347559A (ja) 2004-06-03 2005-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法
JP2007129142A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Ngk Insulators Ltd 基板載置部材の分離方法及び再利用方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5701228A (en) * 1995-03-17 1997-12-23 Tokyo Electron Limited Stage system or device
JP4256503B2 (ja) 1997-10-30 2009-04-22 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US6444033B1 (en) * 1999-11-12 2002-09-03 Delsys Pharmaceutical Corp. Article comprising a diffuser with flow control features
JP3979792B2 (ja) * 2000-05-25 2007-09-19 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用接着シート及び静電チャック装置
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
JP4245868B2 (ja) 2002-07-19 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板載置部材の再利用方法、基板載置部材および基板処理装置
JP4346877B2 (ja) * 2002-08-29 2009-10-21 東京エレクトロン株式会社 静電吸着装置および処理装置
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
US8525418B2 (en) * 2005-03-31 2013-09-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP2008159900A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付きセラミックヒーター
KR20090024866A (ko) * 2007-09-05 2009-03-10 주식회사 코미코 기판 지지유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치
JP2009117441A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Creative Technology:Kk ワーク保持装置
FR2927233B1 (fr) * 2008-02-08 2011-11-11 Oreal Dispositif pour l'application d'un produit cosmetique, comportant un organe chauffant
JP4450106B1 (ja) 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
KR20100046909A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 정전 흡착 장치와 그의 제조방법
JP5250408B2 (ja) * 2008-12-24 2013-07-31 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP5486204B2 (ja) * 2009-03-13 2014-05-07 オルガノ株式会社 液中の陰イオンの検出方法及び検出装置
JP5281480B2 (ja) * 2009-05-22 2013-09-04 新光電気工業株式会社 静電チャック
US20100326602A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Intevac, Inc. Electrostatic chuck
JP5604888B2 (ja) * 2009-12-21 2014-10-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
WO2012005294A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその製造方法
WO2012026421A1 (ja) * 2010-08-24 2012-03-01 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111829A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Ulvac Corp 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
JP2003124298A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Anelva Corp プラズマ支援ウェハー処理反応容器の二重静電チャックウェハーステージ
JP2005347559A (ja) 2004-06-03 2005-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法
JP2007129142A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Ngk Insulators Ltd 基板載置部材の分離方法及び再利用方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9370920B2 (en) 2013-08-08 2016-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrostatic chuck, mount plate support, and manufacturing method of electrostatic chuck
JP2015035485A (ja) * 2013-08-08 2015-02-19 株式会社東芝 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法
US10292209B2 (en) 2015-08-20 2019-05-14 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck heater
WO2017029876A1 (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP6129451B1 (ja) * 2015-08-20 2017-05-17 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
CN107113921A (zh) * 2015-08-20 2017-08-29 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
CN107113921B (zh) * 2015-08-20 2020-09-11 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
JP2018014492A (ja) * 2016-07-07 2018-01-25 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック
JP7062383B2 (ja) 2016-07-07 2022-05-06 ラム リサーチ コーポレーション アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック
US11984296B2 (en) 2017-01-05 2024-05-14 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
JP2018206805A (ja) * 2017-05-30 2018-12-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP7090354B2 (ja) 2018-03-29 2022-06-24 株式会社クリエイティブテクノロジー 吸着パッド
WO2019188341A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 株式会社クリエイティブテクノロジー 吸着パッド
JPWO2019188341A1 (ja) * 2018-03-29 2021-04-22 株式会社クリエイティブテクノロジー 吸着パッド
TWI800633B (zh) * 2018-03-29 2023-05-01 日商創意科技股份有限公司 吸著墊與吸著方法
KR20210040057A (ko) 2018-08-02 2021-04-12 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 정전 흡착체
JP7249047B2 (ja) 2018-08-02 2023-03-30 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電吸着体
JPWO2020027246A1 (ja) * 2018-08-02 2021-08-02 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電吸着体
US11866281B2 (en) 2018-08-02 2024-01-09 Creative Technology Corporation Electrostatic adsorption body
WO2020027246A1 (ja) 2018-08-02 2020-02-06 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電吸着体
JP2022160483A (ja) * 2018-09-27 2022-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7362850B2 (ja) 2018-09-27 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2660860B1 (en) 2020-10-21
US20130277357A1 (en) 2013-10-24
CN103283013B (zh) 2016-08-10
KR101897012B1 (ko) 2018-09-10
US10157758B2 (en) 2018-12-18
TWI567824B (zh) 2017-01-21
JPWO2012090782A1 (ja) 2014-06-05
TW201243953A (en) 2012-11-01
EP2660860A4 (en) 2015-03-25
EP2660860B8 (en) 2020-12-09
CN103283013A (zh) 2013-09-04
EP2660860A1 (en) 2013-11-06
KR20140007362A (ko) 2014-01-17
JP6021006B2 (ja) 2016-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6021006B2 (ja) ワーク加熱装置及びワーク処理装置
WO2015198942A1 (ja) 静電チャック
US9269600B2 (en) Electrostatic chuck device
JP5507198B2 (ja) 静電チャック
KR100691098B1 (ko) 정전 척 및 그 제조방법
JP5458323B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP6172301B2 (ja) 静電チャック装置
JP5324251B2 (ja) 基板保持装置
JP6325424B2 (ja) 静電チャック
JP6905399B2 (ja) 基板固定装置
JPWO2008108146A1 (ja) 静電チャック
JP6413646B2 (ja) 静電チャック装置
JP2003258065A (ja) ウエハ載置ステージ
JP6762432B2 (ja) 保持装置
JP2017183381A (ja) 保持装置
JP2012138440A (ja) 静電チャックとその製造方法
JP2019149434A (ja) 保持装置
JPH10209257A (ja) 静電チャック装置およびその製造方法
JP2007005434A (ja) 静電チャック装置用電極シートおよび静電チャック装置
JPH06342842A (ja) 処理装置における貼り合わせ構造
JP2022148714A (ja) 静電チャック、基板固定装置
JP2017195214A (ja) 保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11853539

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012550859

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13976294

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011853539

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137019689

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A