JPH11111829A - 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の昇降温速度が大きく、正確な温度制御が
できる技術を提供する。 【解決手段】静電吸着ホットプレートの内部の、表面側
に一対の第一の静電吸着パターン２₁、２₂を設け、底面
側に一対の第二の静電吸着パターン４₁、４₂を設け、そ
の間にヒータ６を設ける。真空槽７のプレート支持台１
５上に配置し、表面を載置面３として基板８を載置する
場合、第一の静電吸着パターン４₁、４₂間に電圧を印加
すると基板８が静電吸着され、ヒータ６からの熱によっ
て加熱される。第二の静電吸着パターン４₁、４₂間に電
圧を印加するとプレート支持台１５との間の熱抵抗が小
さく、電圧を印加しないと熱抵抗が大きくなる。プレー
ト本体９は、分離可能にされた第一の部材と第二の部材
とで構成し、第一静電吸着パターンとヒータとを第一の
部材に、第二静電吸着パターンを第二の部材側に設ける
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に用い
られる静電吸着ホットプレート、及びその静電吸着ホッ
トプレートを用いた真空処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶装置等の電子
機器を製造する場合、基板上に絶縁膜や金属膜等の薄膜
を形成する工程や、それらの薄膜をエッチングし、パタ
ーニングする工程が繰り返し行われている。そのような
工程においては、加工中の基板温度が成膜速度やエッチ
ング速度に大きく影響を与えること、また、基板の加熱
・冷却時間がプロセス時間の大きな割合を占めることか
ら、基板温度を正確に、素早く制御できる技術が重要視
されている。

【０００３】従来では、基板の加熱にヒータを内蔵した
ホットプレートが用いられており、ホットプレート上に
基板を載置し、真空吸着力や機械的押圧力等の力を利用
し、基板をホットプレート表面に密着させた状態でヒー
タへ通電して発熱させ、熱伝導によって基板を加熱して
おり、冷却する際には、ヒータへの通電を停止し、ホッ
トプレート裏面に冷却水を循環させ、基板に蓄積された
熱を冷却水によって排出している。従って、ホットプレ
ートと基板の密着性が良好なほど基板の昇降温速度が大
きく、また、温度制御性も良好になる。

【０００４】しかしながら真空雰囲気中で基板を加熱・
冷却する場合、真空吸着力は利用できない。また、機械
的押圧力を利用する場合には、押圧部材に薄膜が付着
し、ダスト発生源となったり、基板表面の処理が不均一
になる等の問題がある。

【０００５】そこで近年では、静電吸着機構が設けられ
た静電吸着ホットプレートが採用されており、真空雰囲
気中で静電吸着力によって基板をホットプレート表面に
密着させ、加熱・冷却が行われている。

【０００６】図４(ａ)、(ｂ)を用いて従来の静電吸着ホ
ットプレートを説明する。同図(ａ)の符号１１０は、ス
パッタリングによって薄膜形成を行う真空処理装置であ
り、真空槽１０７を有している。

【０００７】該真空槽１０７の上部にはターゲットホル
ダ１１２が配置されており、下部には静電吸着ホットプ
レート１０１が配置され、真空槽１０７の底壁上に、ボ
ルト１１４によってねじ止め固定されている。

【０００８】静電吸着ホットプレート１０１は円盤状の
絶縁性物質によって構成されており、その内部の表面側
には、同図(ｂ)の平面図に示すように、半円の静電吸着
パターン１０２₁、１０２₂が、左右で対を成すように設
けられている。

【０００９】静電吸着パターン１０２₁、１０２₂は、導
電性物質で構成されており、静電吸着ホットプレート１
０１上に基板１０８を載置し、左右の静電吸着パターン
１０２₁、１０２₂間に電圧を印加すると、基板１０８と
静電吸着パターン１０２₁、１０２₂間に静電吸着力が発
生し、静電吸着ホットプレート１０１の表面に基板１０
８を密着させられるようになっている。

【００１０】この真空処理装置１１０によって基板１０
８表面に薄膜を形成する場合、真空排気口１１９から真
空槽１０７内を真空排気しておき、真空槽１０７内に設
けられた静電吸着ホットプレート１０１上に基板１０８
を配置し、静電吸着パターン１０２₁、１０２₂に電圧を
印加し、基板１０８を静電吸着させる。

【００１１】この静電吸着ホットプレート１０１内部の
底面側には、ヒータ１０６が設けられており、真空槽１
０７内が所定真空度に到達した後、ヒータ１０６に通電
して発熱させ、静電吸着ホットプレート１０１全体を加
熱すると、熱伝導によって基板１０８が加熱される。

【００１２】基板１０８が昇温し、所定温度に到達した
ら、ガス導入口１１１からスパッタリングガスを導入
し、真空槽１０７天井に設けられたターゲットホルダ１
１２をカソード電極として電圧を印加し、該ターゲット
ホルダ１１２に保持させたターゲット１１３をスパッタ
リングし、基板１０８表面への薄膜形成を開始する。

【００１３】スパッタリング中は基板１０８の温度を監
視し、ヒータ１０６への通電量を制御し、基板１０８の
温度を一定に維持しておく。

【００１４】薄膜が所定膜厚に形成されたら、真空槽１
０７側に設けられた図示しない冷却機構内に冷却水を循
環させ、ヒータ１０６への通電を停止し、基板１０８を
冷却する。基板１０８が所定温度まで降温したら、真空
槽１０７外に搬出し、この真空処理装置１１０での薄膜
形成作業を終了する。

【００１５】このように、静電吸着ホットプレート１０
１を用いれば、真空雰囲気内で基板１０８の温度制御を
行いながら、薄膜形成やエッチング等の真空処理を行う
ことができる。

【００１６】ところが、上述の従来技術の静電吸着ホッ
トプレート１０１は真空槽１０７の底壁に固定されてい
るため、ヒータ１０６から発生した熱が真空槽１０７の
底壁側に流出してしまい、基板１０８を昇温させるのに
時間がかかるという問題がある。

【００１７】しかも、静電吸着ホットプレート１０１
は、洗浄等のメンテナンスを行う際、真空槽１０７から
取り外す必要があるため、ボルト１１４によって固定さ
れているため、ボルト１１４を伝わって熱が流出しやす
く、基板１０８の加熱や冷却の際に、静電吸着ホットプ
レート１０１の熱分布が不均一になり、図５に示すよう
に、基板１０８のボルト１１４上の領域１１８温度が低
くなり易いという問題がある。

【００１８】他方、ボルト１１４を用いず、静電吸着ホ
ットプレート１０１を真空槽１０７の底壁上に乗せただ
けの場合は、静電吸着ホットプレート１０１と真空槽１
０７との密着性が悪くなり、その間の熱抵抗が大きくな
ってしまう。

【００１９】静電吸着ホットプレート１０１と真空槽１
０７との間の熱抵抗が大きい場合は、ヒータ１０６から
発生した熱が、真空槽１０７側へ流出しないので、基板
１０８を加熱する際には有利であるが、近年のスパッタ
リングプロセスでは、成膜速度を大きくするため、ター
ゲット１１３の投入電力が大電力化する傾向にある。そ
のため、薄膜形成中には、表面に多量に入射するスパッ
タリング粒子によって基板１０８が加熱され、ヒータ１
０６の発熱を停止しても、薄膜形成中に基板１０８が過
熱状態になりやすく、静電吸着ホットプレート１０１と
真空槽１０７との間の熱抵抗が大きいと、その傾向が増
々強くなってしまうという問題がある。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合に鑑みて創作されたもので、その目的は、基板
の昇降温速度を大きくできる技術、及び基板温度を正確
に制御できる技術を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、被加工物を載置する載置面
が表面に形成されたプレート本体と、前記プレート本体
内部で、前記載置面側に設けられた第一静電吸着パター
ンと、前記プレート本体内部で、前記載置面とは反対側
の面側に設けられた第二静電吸着パターンと、前記第一
静電吸着パターンと前記第二静電吸着パターンとの間に
設けられたヒータとを有することを特徴とする。

【００２２】この請求項１記載の静電吸着ホットプレー
トでは、第一静電吸着パターンに電圧を印加すると、被
加工物がプレート本体の載置面上に静電吸着され、載置
面に密着される。他方、第二静電吸着パターンに電圧を
印加すると、静電吸着ホットプレートは、その静電吸着
ホットプレート自体を支持・載置する他の部材へと静電
吸着される。

【００２３】静電吸着ホットプレートは、一般に真空槽
の壁面(底壁)上に配置されるが、第二静電吸着パターン
に電圧を印加せず、静電吸着を解除した状態では、静電
吸着ホットプレートと真空槽壁面との密着性が低下し、
熱伝導が悪くなる。従って、その状態でヒータに通電
し、発熱させると、静電吸着ホットプレートの熱を真空
槽に逃がさないで済む。

【００２４】他方、第二静電吸着パターンに電圧を印加
し、真空槽壁面に静電吸着ホットプレートを静電吸着さ
せた場合、静電吸着ホットプレートの熱伝導性が高くな
り、プレート本体の熱を真空槽側に逃がし、静電吸着ホ
ットプレートの放熱性を高めることができる。

【００２５】このような静電吸着ホットプレートは、請
求項２記載の発明のように、前記プレート本体を一枚板
に成形したり、請求項３記載の発明のように、前記プレ
ート本体を、前記第一静電吸着パターンと前記ヒータと
を含む第一の部材と、前記第二静電吸着パターンを含む
第二の部材とで構成し、前記第一の部材と前記第二の部
材とを、分離自在にしてもよい。

【００２６】請求項２記載の発明では、第二静電吸着パ
ターンにより、静電吸着ホットプレートのプレート本体
と、それが配置された真空槽壁面との間の密着性が制御
され、請求項３記載の発明では、第二静電吸着パターン
により、プレート本体を構成する第一の部材と第二の部
材との間の密着性が制御される。

【００２７】いずれの場合でも、第二の静電パターンへ
の電圧印加を停止し、密着状態を解除すると、ヒータの
熱が真空槽側に流出しにくくなる。逆に、第二の静電パ
ターンに電圧を印加すると、被加工物側から真空槽側ま
での間の熱抵抗が小さくなり、放熱性を向上させること
ができる。

【００２８】この第二の部材は、請求項４記載の発明の
ように、真空槽の壁面に密着固定できるように構成して
おくとよい。真空槽の壁面は、底壁であっても天井であ
ってもよい。天井の場合、第一の部材が落下しないよう
に、支持手段を付設するとよい。

【００２９】なお、このような第二の部材は、内部に水
冷管を内蔵させ、冷却できるように構成することも可能
である。

【００３０】更に、請求項４記載の発明のように、予め
第二の部材を真空槽内に設けておき、真空処理装置を構
成することができる。

【００３１】以上説明した静電吸着ホットプレートや真
空処理装置を使用する場合、請求項６記載の発明のよう
に、静電吸着ホットプレートの載置面に被加工物を載置
し、ヒータへの通電と第一、第二静電吸着パターンへの
電圧印加状態を制御する場合、第一静電吸着パターンに
電圧を印加し、第二静電吸着パターンに電圧を印加しな
いでおくと、ヒータに通電したときに被加工物の温度を
上昇させやすい。

【００３２】他方、第一静電吸着パターンと第二静電吸
着パターンとに電圧を印加しておくと、被加工物の温度
を降温させやすい。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る静電吸着ホットプレート及び真空処理方法の実施
形態を説明する。

【００３４】図１(ａ)、(ｂ)を参照し、符号１は本発明
の一例の静電吸着ホットプレートであり、プレート本体
９を有している。該プレート本体９は、耐熱性絶縁材料
が一枚の円盤状に成形されて構成されており、その内部
の上側表面近傍には、導電性物質でできた一対の第一静
電吸着パターン２₁、２₂が配置されている。また、内部
の下側表面近傍には、導電性物質でできた一対の第二静
電吸着パターン４₁、４₂が配置されている。第一静電吸
着パターン２₁、２₂は半円形のパターンが２枚一組で一
対にされており、また、第二静電吸着パターン４₁、４₂
も、同様に、半円形のパターンが２枚一組で一対を成す
ようにされている。

【００３５】第一静電吸着パターン２₁、２₂と第二静電
吸着パターン４₁、４₂の間には、抵抗発熱体から成る渦
巻き状のヒータ６が設けられており、該ヒータ６の両端
と、第一、第二静電吸着パターン２₁、２₂、４₁、４₂の
各パターンに接続された導線とは、プレート本体９の外
部に導出され、電源に接続できるように構成されてい
る。

【００３６】プレート本体９の第一静電吸着パターン２
₁、２₂側の表面は平坦に成形されており、その表面が載
置面３として、板状の被加工物を載置できるように構成
されている。また、プレート本体９の第二静電吸着パタ
ーン４₁、４₂側の表面も平坦に成形され、底面５として
後述するプレート支持台１５上に乗せられるように構成
されている。

【００３７】この静電吸着ホットプレート１を用い、被
加工物の処理を行う方法を説明する。図２を参照し、符
号１０はスパッタリングによって薄膜形成を行う真空処
理装置であり、真空槽７を有している。

【００３８】該真空槽７には、ガス導入口１１と、真空
排気口１９とが設けられており、図示しない真空ポンプ
が真空排気口１９に接続され、真空槽７内を真空排気で
きるように構成されている。また、ガス導入口１１は、
図示しないガスボンベに接続され、真空槽７内に所望種
類のガスを導入できるように構成されている。

【００３９】真空槽７の天井側には、ターゲットホルダ
１２が設けられており、該ターゲットホルダ１２には、
ターゲット１３が保持されている。

【００４０】真空槽７の底壁側にはプレート支持台１５
が配置されており、該プレート支持台１５表面は平坦に
成形され、プレート本体９の底面５側をプレート支持台
１５の表面に配置すると、載置面３は略水平になるよう
に構成されている。

【００４１】真空排気口１９から真空槽７内部を真空排
気した状態で、被加工物である基板８を載置面３上に載
置し、第一静電吸着パターン２₁、２₂間に電圧を印加す
ると、基板８は静電気力によってプレート本体９に静電
吸着され、載置面３に密着される。次いで、ヒータ６に
通電し、発熱させる。

【００４２】このとき、第一静電吸着パターン２₁、２₂
間には電圧を印加しておき、基板８を載置面３に密着し
ておき、他方、第二静電吸着パターン４₁、４₂間には電
圧を印加せず、静電吸着ホットプレート１は、その自重
でプレート支持台１５上に乗った状態にしておくと、基
板８とプレート本体９の間の熱抵抗は小さく、プレート
本体９とプレート支持台１５との間の熱抵抗は大きくな
る。

【００４３】従って、ヒータ６から発生する熱は、プレ
ート支持台１５側には流出せず、基板８に有効に伝わる
ので、基板８の昇温速度を大きくすることができる。

【００４４】基板８が昇温し、所定温度に到達した後、
例えばアルゴンガス等のスパッタリングガスをガス導入
口１１から導入する。真空槽７内が所定の圧力で安定し
たところで、ターゲットホルダ１２をカソード電極とし
て電圧を印加すると、ターゲット１３表面近傍に高密度
のプラズマが発生し、ターゲット１３がスパッタリング
され、表面からスパッタリング粒子が飛び出す。そのス
パッタリング粒子が基板８表面に付着すると、薄膜形成
が開始される。

【００４５】ところで、上述のようなスパッタリングプ
ロセスは、成膜速度を大きくするためにターゲット１３
への投入電力が大電力化しており、そのため、入射する
スパッタリング粒子によって基板８が加熱され、薄膜形
成中に過熱状態になってしまう場合がある。

【００４６】本発明においては、プレート支持台１５内
に水冷管１６が設けられており、基板８への薄膜形成中
には水冷管１６内に冷却水を循環させ、プレート支持台
１５を低温に保っている。そして、赤外線温度計等の温
度測定器によって薄膜形成中の基板８の表面温度を監視
しており、基板８の温度が規定温度以上になった場合、
ヒータ６への通電を停止するように構成されており、こ
のとき、第一静電吸着パターン２₁、２₂の間と、第二静
電吸着パターン４₁、４₂の間に電圧を印加し、基板８か
らプレート支持台１５までの熱抵抗が小さい状態にして
おく。従って、基板８に加えられる熱が効率よくプレー
ト支持台１５に放熱され、基板８の温度を速やかに降下
させることができる。

【００４７】基板８の温度が規定温度以下に降下した場
合、第二静電吸着パターン４₁、４₂への電圧の印加を停
止し、プレート本体９から熱が流出しずらくし、基板８
を昇温させる。このとき、必要に応じ、ヒータ６への通
電を再開してもよい。

【００４８】このように、第一、第二静電吸着パターン
２₁、２₂、４₁、４₂への電圧印加と、ヒータ６への通電
とを制御することにより、基板８の温度を一定にしなが
らその表面に薄膜を形成することができる。

【００４９】基板８表面に所定膜厚の薄膜が形成された
ら、スパッタリングガスの導入とヒータ６への通電を停
止すると共に、一対の第一静電吸着パターン２₁、２₂間
と、一対の第二静電吸着パターン４₁、４₂間に電圧を印
加し、基板８、プレート本体９、プレート支持台１５と
が密着した状態にし、基板８に蓄積された熱を基板支持
台１５側に放熱させる。基板８が所定温度まで冷却され
たら、真空槽７外へ搬出し、真空処理装置１０での薄膜
形成作業を終了する。

【００５０】基板８の冷却の際、前述の温度測定器によ
って基板８表面の温度を監視し、第一、第二静電吸着パ
ターン２₁、２₂、４₁、４₂への電圧印加を制御すると、
基板８の放熱状態を制御できるので、降温速度を所望の
値に制御することができる。

【００５１】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図３の符号３１は本発明の他の実施形態の静電吸着ホッ
トプレートである。この静電吸着ホットプレート３１
は、プレート本体３９を有しており、その内部には、第
一静電吸着パターン３２₁、３２₂と、第二静電吸着パタ
ーン３４₁、３４₂とが設けられており、第一、第二静電
吸着パターン３２₁、３２₂、３４₁、３４₂の間には、抵
抗発熱体で構成されたヒータ３６が設けられている。

【００５２】静電吸着ホットプレート３１は、絶縁性部
材から成る第一の部材３９₁と、同様に、絶縁性部材か
ら成る第二の部材３９₂とで構成されており、第一の部
材３９₁と第二の部材３９₂とは、同じ大きさの円盤状
で、互いに分離可能に構成されている。

【００５３】第一静電吸着パターン３２₁、３２₂は第一
の部材３９₁内部の表面近傍に設けられており、ヒータ
３６は、該第一の部材３９₁内部に設けられており、第
一の部材３９₁の底面には、導電性部材がコーティング
されている。

【００５４】第二静電吸着パターン３４₁、３４₂は、第
二の部材３９₂内部に設けられており、第一、第二静電
吸着パターン３２₁、３２₂、３４₁、３４₂の各パターン
に接続された導線と、ヒータ３６の両端とは、プレート
本体３９外部に導出され、電源に接続できるように構成
されている。

【００５５】第一の部材３９₁の表面(載置面)３３₁と底
面３５₁、第二の部材３９₂の表面３３₂と底面３５₂は、
平坦に成形されており、図２の真空槽７のプレート支持
台１５上に、第二の部材３９₂と第一の部材３９₁とをこ
の順に配置すると、第一の部材３９₁の表面が載置面３
３₁となり、板状の被加工物を配置できるように構成さ
れている。

【００５６】その状態で載置面３３₁に基板を載置し、
第一静電吸着パターン３２₁、３２₂間に電圧を印加する
と、基板は第一の部材３９₁に静電吸着され、載置面３
３₁に密着した状態になる。

【００５７】この場合、第二静電吸着パターン３４₁、
３４₂間に電圧を印加すると、第二の部材３９₂がプレー
ト支持台１５に静電吸着され、同時に第一の部材３９₁
が、その底面に導電性部材のコーティングが設けられて
いることにより、第二の部材３９₂に静電吸着される(被
吸着物が導電性ではなく、絶縁性の場合には、吸着力が
全く発現しないか、発現しても弱い)。従って、プレー
ト支持台１５と第二の部材３９₂の間、及び、第二の部
材３９₂と第一の部材３９₁の間が密着状態になる。従っ
て、基板からプレート支持台１５までの間の熱抵抗が小
さい状態になる。

【００５８】他方、第二静電吸着パターン３４₁、３４₂
間に電圧を印加しない場合は、プレート支持台１５と第
二の部材３９₂の間、及び、第二の部材３９₂と第一の部
材３９₁の間は密着せず、第一の部材３９₁からプレート
支持台１５までの間の熱抵抗が大きい状態になる。

【００５９】従って、基板を昇温させたい場合には、第
一静電吸着パターン３２₁、３２₂間に電圧を印加し、基
板を第一の部材３９₁に密着させ、第二静電吸着パター
ン３４₁、３４₂間には電圧を印加しない状態でヒータ３
６に通電し、発熱させる。

【００６０】他方、基板を降温させたい場合には、第一
静電吸着パターン３２₁、３２₂間と第二静電吸着パター
ン３４₁、３４₂間に電圧を印加し、基板の熱をプレート
支持台１５側に放出させる。

【００６１】このように、プレート本体３９が第一の部
材３９₁と第二の部材３９₂とで構成された静電吸着ホッ
トプレート３１を用いた場合でも、昇降温速度が大きく
なり、基板温度の制御性がよい。

【００６２】この静電吸着ホットプレート３１を用いる
場合、予め第二の部材３９₂をプレート支持台１５上に
密着固定しておき、真空処理装置１０の構成部材として
おいてもよい。この場合には、第二静電吸着パターン３
４₁、３４₂への電圧印加をしない場合、第一の部材３９
₁と第二の部材３９₂間の熱抵抗だけが大きくなる。

【００６３】なお、静電吸着パターンは種々の形状のも
のを用いることができる。例えば、図４の静電吸着ホッ
トプレート３のように、櫛形の静電吸着パターン２a、
２bを用いてもよい。この静電吸着パターンは、上記静
電吸着ホットプレート１、３１の第一、第二の静電吸着
パターンのいずれにも用いることができる。

【００６４】以上はスパッタリング装置について説明し
たが、本発明は、ＣＶＤ装置、エッチング装置等、真空
雰囲気中で基板を処理する真空処理装置、その真空処理
装置に用いられる静電吸着ホットプレート、ＣＶＤ方法
やエッチング方法等の真空処理方法を広く含むものであ
る。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、基板の昇降温速度が大
きくなり、真空処理時間を短縮化することができる。ま
た、基板の温度制御性も向上し、品質のよい薄膜を形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)、(ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着ホ
ットプレート

【図２】その静電吸着ホットプレートを使用した真空処
理装置

【図３】本発明の他の実施形態の静電吸着ホットプレー
トの正面断面図

【図４】静電吸着パターンの他の例

【図５】(ａ)：従来技術の真空処理装置の全体を示す正
面図 (ｂ)：この装置の静電吸着パターンを示す平面
図

【図６】従来技術における問題点を説明する図

【符号の説明】

１、３１……静電吸着ホットプレート ２₁、２₂、３
２₁、３２₂……第一静電吸着パターン ３、３３……
載置面 ４₁、４₂、３４₁、３４₂……第二静電吸着パ
ターン ５、３５……底面 ６、３６……ヒータ
７……真空槽 ８……基板 ９、３９……ホットプレート本体 ３
９₁……第一の部材 ３９₂……第二の部材

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被加工物を載置する載置面が表面に形成さ
   れたプレート本体と、 前記プレート本体内部で、前記載置面側に設けられた第
   一静電吸着パターンと、 前記プレート本体内部で、前記載置面とは反対側の面側
   に設けられた第二静電吸着パターンと、 前記第一静電吸着パターンと前記第二静電吸着パターン
   との間に設けられたヒータとを有することを特徴とする
   静電吸着ホットプレート。
2. 【請求項２】前記プレート本体は一枚板に成形されたこ
   とを特徴とする請求項１記載の静電吸着ホットプレー
   ト。
3. 【請求項３】前記プレート本体は、前記第一静電吸着パ
   ターンと前記ヒータとを含む第一の部材と、前記第二静
   電吸着パターンを含む第二の部材とを有し、 前記第一の部材と前記第二の部材とは、分離自在に構成
   されていることを特徴とする請求項１記載の静電吸着ホ
   ットプレート。
4. 【請求項４】前記第二の部材は、真空槽の壁面に密着固
   定できるように構成されたことを特徴とする請求項３記
   載の静電吸着ホットプレート。
5. 【請求項５】請求項３又は請求項４のいずれか１項記載
   の静電吸着ホットプレートの第二の部材が、真空槽内に
   設けられたことを特徴とする真空処理装置。
6. 【請求項６】真空槽内に請求項１乃至請求項４のいずれ
   か１項記載の静電吸着ホットプレートを配置し、又は、
   請求項５記載の真空処理装置を用い、被加工物を真空雰
   囲気内で処理する真空処理方法であって、 前記静電吸着ホットプレートの前記載置面に前記被加工
   物を載置し、 前記ヒータへの通電と前記第一、第二静電吸着パターン
   への電圧印加状態を制御し、前記被加工物の温度制御を
   行うことを特徴とする真空処理方法。
7. 【請求項７】前記被加工物を前記ヒータによって加熱す
   る際には、前記第二静電吸着パターン電圧印加を解除
   し、前記第一静電吸着パターンによって前記被加工物を
   静電吸着し、 前記被加工物を冷却する際には、前記第一、第二静電吸
   着パターンに電圧を印加することを特徴とする請求項６
   記載の真空処理方法。