JP4009006B2 - ホットプレート - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は真空雰囲気中で基板を加熱する技術分野にかかり、特に、大面積基板を均一に加熱できるホットプレートに関する。
【0002】
【従来の技術】
真空雰囲気中で基板を吸着・保持し、所定温度に昇温させる装置として、従来より、図5に示すようなホットプレート111が用いられている。そのホットプレート111を説明すると、一般に、ホットプレート111は、スパッタリング装置等の真空処理装置101の真空槽110内に配置されており、その底壁116上に固定されている。
ホットプレート111内部表面近傍には、静電吸着パターン125が設けられており、その下方には、ヒータ122が設けられている。
【0003】
この真空処理装置101によって基板表面に薄膜を形成する場合には、先ず、真空槽110内を真空排気し、予め高真空状態にしておき、その状態でヒータ122に通電し、ホットプレート111全体を所定に昇温させておく。
【0004】
次いで、真空状態を維持しながら、真空槽110内に基板を搬入し、ホットプレート111上に載置する。
図5の符号115は、その状態の基板を示しており、載置後、静電吸着パターン125に電圧を印加すると、基板115は静電吸着パターン125に静電吸着され、ホットプレート111表面に密着される。
【0005】
真空雰囲気内では熱は伝わりずらいが、基板115はホットプレート111表面に密着されているため、基板115とホットプレート111との間の熱伝達性は高くなっており、ヒータ122の発熱により、基板115は短時間で加熱される。
【0006】
このようなホットプレート111は、図6の平面図に示すように、絶縁性のセラミックス基体120を有しており、ヒータ112は、基体120表面に形成された抵抗発熱体のパターンによって構成されている(図6では、静電吸着パターン125及び、ヒータ112と静電吸着パターン125周囲に形成されている絶縁物は省略する)。
【0007】
ヒータ112には、端子127a、127bが設けられており、該端子127a、127bは、導線129によって、真空槽110外部に配置された加熱用電源(図示せず。)に接続されている。その電源により、ヒータ112に通電するとヒーター112が発熱し、ホットプレート111を所定温度に加熱できるようになっている。
【0008】
基板115が所定温度まで加熱された後、真空槽110内にアルゴンガスを導入し、真空槽110の天井に設けられたターゲット113をスパッタリングすると、基板115表面に薄膜が形成される。
【0009】
このようなホットプレート111を用いた真空処理装置101では、スパッタリングが行われる際に、基板115は所定温度まで昇温されているので、低温のまま成膜するのに比べると、基板115表面には、緻密で高品質な薄膜を形成できるようになっている。
【0010】
上記のようなホットプレート111では、機械的押圧力によってホットプレート表面に基板を密着させるのとは異なり、ホットプレート111内部の静電吸着パターン125によって、基板をホットプレート111表面に密着させるので、押圧部材に薄膜が付着することはなく、従って、付着した薄膜が剥離してダストになるということがない。
【0011】
また、押圧部材がエッチングされ、ダストが発生することがないため、ホットプレート111は、スパッタリング装置やCVD装置等の薄膜製造装置ばかりではなく、エッチング装置等の真空雰囲気内で基板を処理する真空処理装置に広く用いられている。
【0012】
但し、ホットプレート111表面に薄膜が形成された場合や、ホットプレート111表面がエッチングされた場合には、その部分からダストが発生したり、また、ホットプレート111が劣化することから、上記ホットプレート111は処理対象となる基板115の直径よりも小径にされ、基板を吸着保持した状態では、ホットプレート111表面が真空雰囲気中に露出しないようにされている。
【0013】
しかしながら、そのような小径のホットプレート111を使用する場合、図7に示すように、基板115の周縁部分131がホットプレート111上からはみ出すため、その部分の温度が周囲よりも低くなってしまう。また、ホットプレート111上に位置する部分132でも、ヒータ122によって加熱されるものの、周縁部分132が低温になる影響を受け、中心付近よりも温度が低下してしまう。従って、基板115表面の温度が周辺部分は低く、中心部分は高くなるため、膜厚や品質、あるいはエッチング量が不均一になるという問題がある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、基板を均一に加熱できるホットプレートを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、静電吸着パターンと、ヒータとが設けられた装置本体を有し、処理対象物の基板を前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パターンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パターンに吸着され、前記吸着面に密着されるように構成されたホットプレートであって、前記装置本体は、上部が前記吸着面にされ、内部に前記静電吸着パターンが配置された中央部分と、前記中央部分の側面周囲に設けられた膨出部分とを有し、前記膨出部分は、前記吸着面よりも低くされ、前記基板の前記吸着面からはみ出した部分は前記膨出部分と非接触にされ、前記ヒータは、少なくとも外周部分が前記膨出部分に配置された第一のヒータパターンと、前記中央部分に配置された第二のヒータパターンとを有し、前記第一、第二のヒータパターンに通電し、前記吸着面の外周の温度を中央の温度よりも高くできるように構成されたホットプレートである。
【0016】
請求項2記載の発明は、請求項1記載のホットプレートであって、前記第一、第二のヒータパターンは独立して通電できるように構成されたホットプレートである。
【0017】
請求項3記載の発明は、請求項1記載のホットプレートであって、前記一、第二のヒータパターンは直列に接続され、前記第一のヒータパターンの発熱量が前記第二のヒータパターンの発熱量よりも大きくなるように構成されたホットプレートである。
【0018】
請求項4記載の発明は、請求項1記載のホットプレートであって、前記膨出部分上には、金属製のプラテンリングが前記吸着面からはみ出た前記基板と非接触になるように配置されたホットプレートである。
【0019】
請求項5記載の発明は、真空処理装置であって、真空排気可能な真空槽と、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のホットプレートを有する真空処理装置であって、前記ホットプレートが、前記真空槽内に配置されたことを特徴とする。
【0020】
本発明は上記のように構成されており、装置本体内に、静電吸着パターンとヒータとが配置されている。装置本体自体は絶縁物で構成されており、静電吸着パターン間や、ヒータ間は短絡しないようになっており、また、装置本体の表面は平坦に成形され、吸着面にされている。
このような吸着面に基板を載置した後、静電吸着パターンに電圧を印加すると、基板が静電吸着され、吸着面に密着し、ヒータによって加熱されるようになっている。
【0021】
そして、本発明のホットプレートでは、ヒータは、吸着面の外周部分の温度と、外周部分よりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように構成されており、外周部分の温度を高めに設定すると、低温になり易い基板の周辺部分が加熱され、その結果、基板全体に亘って温度を均一にできるようになっている。
【0022】
このように、吸着面の外周部分の温度と、それよりも内側の部分の温度とを別個に設定する場合、ヒータを第1のヒータパターンと第2のヒータパターンとに分け、主として第1のヒータパターンで外周部分を加熱し、第2のヒータパターンによってそれよりも内側部分を加熱するようにすると、吸着面の温度設定が容易になる。
【0023】
その場合、第1、第2のヒータパターンを独立に通電できるように構成すると、発熱量を別個に制御できる。他方、第1、第2のヒータパターンを直列に接続する場合には、第1のヒータパターンの発熱量が第2のヒータパターンの発熱量よりも大きくなるように抵抗値を設定しておくとよい。
【0024】
ホットプレートの吸着面が基板よりも小径な場合には、基板の周辺部分の温度が特に低下しやすいので、本発明のホットプレートにより、載置面の周辺部分の温度を高めに設定しておくと、基板温度を均一にするために適している。
【0025】
吸着面が基板よりも小径な場合、ホットプレート周辺部分を膨出させておき、膨出部分に第1のヒータパターンの少なくとも一部を配置しておくと、基板周辺部分が、膨出部分からも加熱されるので、基板温度が一層均一になる。
【0026】
【発明の実施の形態】
図1を参照し、符号1は本発明の第1例の真空処理装置であり、真空槽10を有している。真空槽10の天井側には、カソード電極19が設けられており、底壁側には、ホットプレート11が固定されている。
ホットプレート11は、絶縁物から成る装置本体20と、抵抗発熱体から成るヒータ22と、導電性材料から成る静電吸着パターン25とを有している。
【0027】
装置本体20は、内部正面図である図2に示すように、絶縁物が円盤状に成形された基体21を有しており、ヒータ22は、その基体21上に形成された2本の抵抗発熱体のヒータパターン(第1、第2のヒータパターン)によって構成されている。
【0028】
第1のヒータパターン221は、リング形状にパターニングされており、第2のヒータパターン222は、円形の平面内を埋め尽くすようにパターニングされており、第1のヒータパターン221は基体21の外周部分に配置され、第1のヒータパターン221は第2のヒータパターン222よりも大径にされており、第1のヒータパターン221の内側に、第2のヒータパターン222が配置されている。
【0029】
第1、第2のヒータパターン221、222には、それぞれ2個の端子26a、26b、27a、27bが設けられており、各端子26a、26b、27a、27bは、真空槽10外に配置された2台の加熱用電源191、192にそれぞれ接続されている。
【0030】
加熱用電源191、192は、独立して制御できるように構成されており、従って、第1、第2のヒータパターン221、222は、それぞれ独立して通電できるように構成されている。
【0031】
また、第1、第2のヒータパターン221、222の上方には、絶縁物を介して静電吸着パターン25が配置されており、更に、静電吸着パターン25表面には、絶縁物が配置されている(それらの絶縁物は図2では示さない。)。装置本体20の表面を形成する絶縁物は平坦に成形されており、基板配置が可能な吸着面28にされている。
【0032】
上記のような真空処理装置1を用いる場合、先ず、真空槽10内を真空排気し、予め真空状態にしておくと共に、電源191、192を起動し、第1、第2のヒータパターン221、222に通電し、ホットプレート11全体を昇温させておく。
【0033】
このとき、第1、第2のヒータパターン221、222への通電量を制御し、第1のヒータパターン221の発熱量を大きくし、吸着面28の外周部分の温度を、その内側の部分の温度よりも高くしておく。
【0034】
次に、真空槽10内の真空状態を維持したまま、処理対象物である基板(シリコンウェハ)を搬入し、吸着面28上に載置し、静電吸着パターン25に電圧を印加して静電吸着し、基板15裏面を吸着面28表面に密着させると、基板15はホットプレート1からの熱伝導によって加熱される。
【0035】
図1の符号15はその状態の基板を示しており、ホットプレート11の外周は、基板15よりも小径に形成されているため、基板15の外周部分は、ホットプレート11からはみ出ている(一例として、基板15が直径200mmのとき、吸着面28の直径は190mm)。
【0036】
基板15の外周付近の拡大図を図3に示す。ホットプレート11の周囲には、金属製のプラテンリング17が配置されており、基板15のホットプレート11上からはみ出た部分は、プラテンリング17上に非接触の状態で位置している。
【0037】
実験的に、上記基板15表面に予め熱電対を設けておき、静電吸着から所定時間が経過し、基板15が加熱された後、基板15の温度分布を測定したところ、基板15の中心部分の温度が390℃のときに、周辺部分(縁から3mm内側の部分)の温度を375℃まで昇温させることができた。
【0038】
図6に示したような従来技術のホットプレート111でも、同様に基板の温度分布を測定したところ、中心部分が390℃のときに、周辺部分が360℃まで低下しており、本発明のホットプレート11は、従来技術のホットプレート111に比べて基板15が均一に昇温されていることが分かる。
【0039】
基板15に熱電対が設けられておらず、通常通り真空処理する場合には、基板15が所定温度に加熱された後、真空槽10内にアルゴンガスを導入し、カソード電極19に電圧を印加すると、カソード電極19上に設けられたターゲット13がスパッタリングされ、基板15表面に薄膜が形成される。このとき基板15表面は均一に加熱されているので、周辺部分とその内側部分での薄膜の膜厚や品質は均一になっている。
【0040】
上記のように、薄膜を形成した後、真空槽10外に搬出すると、この真空処理装置1を用いた基板15の薄膜形成作業は終了する。
【0041】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図4を参照し、符号12は、本発明の第2例のホットプレートであり、上記第1例のホットプレート11と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
【0042】
この第2例のホットプレート12の装置本体50は、中央部分51と膨出部分52によって構成されている。中央部分51は、第1例のホットプレート11の装置本体20と同径にされているが、第2例のホットプレート12の基体は、上記第1例のホットプレート1よりも大径にされており、中央部分51の側面周囲に膨出部分52が形成されている。膨出部分52上には、金属製のプラテンリング17が配置され、基板15を吸着面28に載置・吸着したときに、基板15がプラテンリング17とは非接触の状態になるように構成されている。
【0043】
このホットプレート12では、第1のヒータパターン221は、少なくともその外周部分が膨出部分52内に位置するように配置されており、第1、第2のヒータパターン221、222に通電すると、吸着面28の周辺部分は、膨出部分52と、中央部分51の膨出部分52に隣接する部分とから加熱されるように構成されている。
【0044】
このホットプレート12では、真空雰囲気内で基板を静電吸着し、吸着面28の外周部分の温度が高くなるように、第1、第2のヒータパターン221、222に通電した場合、基板15の中心部分の温度が390℃のとき、周辺部分(縁から3mmの部分)の温度は380℃に達しており、第1例のホットプレート1よりも、基板温度を均一にできた。
【0045】
なお、以上はシリコンウェハを加熱するホットプレート11、12であり、そのためホットプレート11、12の形状は円盤状であったが、液晶表示装置に用いる矩形のガラス基板を加熱するホットプレートの場合、その形状は、ガラス基板と相似な矩形形状にすることができる。要するに、本発明のホットプレート及びそのホットプレートを用いた真空処理装置の場合、ホットプレートの形状は、処理対象の基板の形状に応じて定められるものであり、円盤状や矩形形状のものに限定されるものではない。
【0046】
【発明の効果】
基板温度を均一化できるので、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気内での処理の面内均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一例の真空処理装置を説明するための図
【図2】本発明の第1例のホットプレートのヒータパターンを説明するための図
【図3】そのホットプレートの周辺部分の拡大図
【図4】本発明の第2例のホットプレートを説明するための図
【図5】従来技術の真空処理装置を説明するための図
【図6】その真空処理装置に用いられているホットプレートのヒータパターンを説明するための図
【図7】そのホットプレートの周辺部分の拡大図
【符号の説明】
1……真空処理装置 10……真空槽 11、12……ホットプレート
20……装置本体 22……ヒータ 221……第1のヒータパターン
222……第2のヒータパターン 28……吸着面 51……膨出部分
Claims (5)
- 静電吸着パターンと、ヒータとが設けられた装置本体を有し、
処理対象物の基板を前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パターンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パターンに吸着され、前記吸着面に密着されるように構成されたホットプレートであって、
前記装置本体は、上部が前記吸着面にされ、内部に前記静電吸着パターンが配置された中央部分と、前記中央部分の側面周囲に設けられた膨出部分とを有し、
前記膨出部分は、前記吸着面よりも低くされ、前記基板の前記吸着面からはみ出した部分は前記膨出部分と非接触にされ、
前記ヒータは、少なくとも外周部分が前記膨出部分に配置された第一のヒータパターンと、前記中央部分に配置された第二のヒータパターンとを有し、
前記第一、第二のヒータパターンに通電し、前記吸着面の外周の温度を中央の温度よりも高くできるように構成されたホットプレート。 - 前記第一、第二のヒータパターンは独立して通電できるように構成された請求項1記載のホットプレート。
- 前記一、第二のヒータパターンは直列に接続され、前記第一のヒータパターンの発熱量が前記第二のヒータパターンの発熱量よりも大きくなるように構成された請求項1記載のホットプレート。
- 前記膨出部分上には、金属製のプラテンリングが前記吸着面からはみ出た前記基板と非接触になるように配置された請求項1記載のホットプレート。
- 真空排気可能な真空槽と、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のホットプレートを有する真空処理装置であって、前記ホットプレートが、前記真空槽内に配置されたことを特徴とする真空処理装置。
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Families Citing this family (11)
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EP1175127A4 (en) * | 1999-12-29 | 2004-08-18 | Ibiden Co Ltd | CERAMIC HEAT GENERATOR |
WO2001084888A1 (en) * | 2000-04-29 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater and method of controlling temperature of the ceramic heater |
WO2001084887A1 (fr) * | 2000-04-29 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
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JP5183058B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2013-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 |
JP2007306015A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
JP2007306014A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
JP2009033204A (ja) * | 2008-10-29 | 2009-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハのプラズマエッチング方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20200078519A (ko) * | 2017-11-15 | 2020-07-01 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
KR102636538B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2024-02-15 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
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