TW201812987A - 靜電吸盤及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種靜電吸盤，包括：金屬材料製成的基底構件，以及形成於該基底構件之上表面上的介電層，該介電層具有電極層，該電極層接收施加至該電極層的DC電力。支撐基板之底表面之邊緣的壩部分形成於該介電層的上表面上，以降低介電層之孔隙度，而增加壽命，且增加介電常數以增強吸附力。

Description

靜電吸盤及其製造方法
本案揭露內容關於基板處理設備，更特定而言，關於用於基板處理設備的靜電吸盤及用於製造該靜電吸盤的方法，該靜電吸盤透過靜電力保持基板。
靜電吸盤用作為在用於執行基板處理的處理腔室中吸附及保持待處理之基板的手段，該基板諸如為半導體基板、LCD基板、及OLED基板，該基板處理諸如蝕刻、CVD、濺鍍、離子佈植、灰化、及蒸發沉積。之前，既存的靜電吸盤具有第1圖中所示的結構，其中，介電層103具有位在該介電層103中的電極102，該介電層103透過有機黏著劑101配置在金屬板100上，該有機黏著劑101諸如矽酮樹脂，如在日本公開的實用新型公開案第1992-133443號及日本公開的專利公開案第1998-223742號中所揭露。
使電極102埋在介電層103中可透過下述方式:將電極（鎢）印刷在陶瓷生胚（green）片之表面上，並且將額外的陶瓷生胚片配置在該電極上且使他們燒成（也稱為熱壓）以形成該介電層。
作為用於製造大尺寸基板處理之基板處理設備中所用的靜電吸盤的另一方法，考慮成本及技術問題，可透過使用電漿噴塗而形成介電層103與電極102，如韓國專利第10-0982649號中所揭露。
不幸的是，當介電層103與電極102透過電漿噴塗形成時，因形成空隙及類似物而導致耐受電壓特性不良，壽命短暫，且吸附力弱。
進一步而言，當執行基板處理同時遮罩緊密接觸基板時，基板處理的準確度會受到遮罩與基板之間接觸狀態的影響。
尤其，當如在蒸發沉積方法中基板緊密接觸載具的底表面時，基板與遮罩之間的接觸可能會由於遮罩垂弛而變鬆，使得難以準確執行基板處理。 ＜專利文件＞ 專利文件1：日本公開實用新型公開案第1992-133443號 專利文件2：日本公開專利公開案第1998-223742號 專利文件3：日本公開專利公開案第2003-152065號 專利文件4：日本公開專利公開案第2001-338970號 專利文件5：韓國專利第10-0968019號 專利文件6：韓國專利第10-0982649號
有鑑於上文所述，本案揭露內容之目的在於提供一種靜電吸盤及用於製造該靜電吸盤的方法，該靜電吸盤能夠透過降低該靜電吸盤的介電層之孔隙度（這是藉由以溶凝膠方法形成該介電層而達成）而延長壽命，且透過增加介電常數而增強吸附力。
本案揭露內容之另一目的在於，提供一種靜電吸盤及用於製造該靜電吸盤的方法，該靜電吸盤能夠增加該靜電吸盤的壽命，這是透過下述方式達成：藉由溶凝膠方法形成該靜電吸盤的介電層，之後藉由電漿噴塗方法形成複數個伸出（projecting）部分310與240，該伸出部分310與240於與該基板之底表面之邊緣對應的該介電層的上表面之邊緣區域向上突出，而增強了該伸出部分310與240之機械剛性，該伸出部分310與240反覆地與該基板之底表面接觸。
根據本案揭露內容之一態樣，提供一種用於製造靜電吸盤的方法，該靜電吸盤包括由金屬材料製成的基底構件330，以及形成於該基底構件330之上表面上的介電層200，且該介電層200中具有電極層340，該電極層340接收施加至該電極層的DC電力，該方法包括下述步驟：透過溶凝膠方法以陶瓷材料形成該介電層200的至少一部分；以及在與基板S之底表面之邊緣對應的該介電層200之上表面的邊緣區域E透過電漿噴塗方法形成複數個伸出部分310與240。
該陶瓷材料可包括Al2 O3 、Y2 O3 、ZrO2 、MgO、SiC、AlN、Si3 N4 、SiO2 及類似物之其中一者。
該伸出部分310與240可包括至少一個壩部分310以及複數個垂直突起物240，該壩部分310沿著基板S之邊緣配置在該介電層200的上表面上，該等垂直突起物240小於該壩部分310的上表面且面接觸或點接觸基板S的底表面，其中該等垂直突起物比該壩部分310更為接近該介電層200的中心。
壩部分310的高度可小於複數個垂直突起240的高度。
透過將該壩部分310的高度形成得比該複數個垂直突起240的高度小，基板S會相對於垂直突起240向下彎折，使得能夠防止諸如顆粒之類的外來物質引至基板S的底表面中。
在面接觸基板S之底表面的壩部分310的上表面中，可形成氣體排放通道312，以根據排放氣體的量偵測基板S的接觸狀態。
形成該介電層可包括：透過電漿噴塗將第一介電層210形成在該基底構件330的上表面上，以及在該第一介電層210上形成電極層340，之後透過溶凝膠方法形成第二介電層220。
形成該第二介電層可包括：在中心區域C中但不在第一介電層210的邊緣區域E中形成該第二介電層220。
形成該介電層可包括：透過電漿噴塗在該第一介電層210的上表面的邊緣區域E中形成第四介電層260。
根據本案揭露內容的另一態樣，提供一種靜電吸盤，該靜電吸盤由上述方法製造。
根據本案揭露內容的再另一態樣，提供一種靜電吸盤，該靜電吸盤包括：由金屬材料製成的基底構件330；介電層200，形成在該基底構件330的上表面上且在該介電層中有電極層340，該電極層340接收施加至該電極層340的DC電力，其中該介電層200的至少一部分是透過溶凝膠方法以陶瓷材料形成；以及複數個伸出部分310及240，該等伸出部分310與240形成在與基板S之底表面之邊緣對應的該介電層200的上表面的邊緣區域E中，使得他們向上突起，其中該伸出部分310與240是透過電漿噴塗方法形成。
根據本案揭露內容之一態樣，靜電吸盤與基板可於基板的中心區域與邊緣區域彼此緊密接觸，使得可防止諸如顆粒之類的外來物質引至該基板與該靜電吸盤之間，從而減少處理缺陷及顯著增加靜電吸盤的維護間隔，例如10倍或更多倍。
詳言之，透過形成支撐基板邊緣的伸出部分，確保靜電吸盤與基板在邊緣處緊密接觸，從而防止諸如顆粒之類的外來物質引至該基板與該靜電吸盤之間。
根據本案揭露內容之另一態樣，靜電吸盤之介電層是由溶凝膠方法形成，使得該介電層的孔隙度可降低，而增加壽命，且介電常數可增加而增強對基板的吸附力。
更詳言之，透過結合由電漿噴塗形成的層以及由溶凝膠方法形成的層以形成該介電層，透過溶凝膠方法達成高孔隙度，同時透過電漿噴塗增加機械剛性，使得該介電層的孔隙度可降低而增加壽命且增強機械剛性。
詳言之，透過在以溶凝膠方法形成的介電層之邊緣處藉由電漿噴塗形成複數個伸出部分，可改善在中心區域中的吸附力，同時可增強邊緣處形成的伸出部分的機械剛性，藉此增加壽命。
根據本案揭露內容的另一態樣，執行基板處理，同時透過靜電吸盤的磁力將遮罩帶至與基板緊密接觸，使得能夠改善處理的均勻性以及遮罩邊緣處的遮蔽效應。
詳言之，若遮罩並未緊密接觸基板，則沉積的準確度降低，這是由於例如已通過遮罩開口的沉積材料形成時的誤差所致。相反地，根據本案揭露內容的示範性實施例，能夠維持遮罩與基板的緊密接觸。
再者，根據本案揭露內容的另一態樣，在邊緣處所形成的伸出部分中形成氣體排放通道，氣體通過該氣體排放通道朝基板排放，使得能夠根據接觸表面上氣體的洩漏量偵測基板或遮罩的接觸狀態。
此後，將參考所附的圖式描述本案揭露內容的示範性實施例。第1圖是既存靜電吸盤的剖面視圖；第2A圖是載具的一部分的剖面視圖，其中安裝了根據本揭露內容的示範性實施例的靜電吸盤，且有遮罩耦接；第2B圖是第2A圖所示的載具的修飾型態的一部分的剖面視圖，其中該遮罩的外框緊密接觸伸出部分；第3圖是剖面視圖，顯示第2A圖或第2B圖中所示的壩部分與垂直突出物之間的高度差；第4圖是根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖；第5圖是根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤的一部分的平面視圖；第6A圖至第6F圖是剖面視圖，顯示根據本案揭露內容之示範性實施例的用於製造第4圖中所示的靜電吸盤的方法；第7圖是根據本案揭露內容之另一示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖；第8圖是第7圖中所示的靜電吸盤的一部分的平面視圖；第9圖是第7圖中所示的靜電吸盤的修飾型態的一部分的剖面視圖；以及第10圖是根據本案揭露內容之再另一示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖。
根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤10用於基板處理設備，其中在遮罩M緊密接觸基板S的上表面的同時處理基板，該基板S是由靜電吸盤10吸附且保持。
運用根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤的基板處理設備可包括在基板上執行處理的任何設備，諸如CVD（化學氣相沉積）設備、濺鍍設備、離子佈植設備、蝕刻設備、及蒸發沉積設備。
詳言之，根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤10用在於相較於大氣壓而言非常低壓的氣氛中執行製程的設備。
較佳為，根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤10用在製造OLED基板或類似物的蒸發沉積設備，其中透過從蒸發源蒸發的沉積材料，而在基板上形成沉積層。
根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤10是生成靜電力以吸附及保持基板S的元件，且可有各式各樣的設計。
根據本案揭露內容之示範性實施例，靜電吸盤10可包括金屬材料製成的基底材料330，以及在該基底材料330之上表面上形成的介電層200，該介電層200具有電極層340，DC電力施加至該電極層340。
基底材料330是由諸如鋁及不鏽鋼（SUS）之類的金屬材料製成，以提供機械剛性。根據使用條件，基底材料330可具有各種材料與結構。
介電層200形成於該基底材料330之上表面上，且具有電極層340，DC電力施加至該電極層340。
電極層340以諸如鎢之類的材料形成在該介電層200中，且電連接DC電源，使得在施加DC電力時該電極層340連同介電層200生成靜電力。
電極層340可由各種技術以導電糊狀物形成，該等技術諸如電漿噴塗方法及絲網印刷。
取決於基板S吸附所採取的方式而可形成超過一個電極層340，且超過一個電極層340可具有各種結構，諸如雙極電極及單極電極。
介電層200具有介電常數使得它在DC電源施加至電極層340時可生成靜電力。該介電層200可透過電漿噴塗及/或溶凝膠方法以陶瓷材料製成。
該陶瓷材料可包括：Al2 O3 、Y2 O3 、ZrO2 、MgO、SiC、AlN、Si3 N4 、SiO2 及類似物。
另外，若基板S在基板處理期間並未緊密接觸靜電吸盤10，則顆粒可能引至基板S與靜電吸盤10的上表面之間，而污染基板S的背表面，從而造成基板處理的缺陷。
因此，期望將基板S帶至緊密接觸靜電吸盤10。為此目的，靜電吸盤10可包括伸出部分310與240，該等伸出部分向上突出而支撐基板S的底表面的邊緣，如第2圖中所示。
舉例而言，伸出部分310與240可包括具有第一高度H1的至少一個壩部分310，以及具有第二高度H2的複數個垂直突起物240，該第二高度H2小於第一高度H1，而該等壩部分310與垂直突起物240形成在介電層200的上表面上。
壩部分310支撐基板S的底表面的邊緣，且可透過電漿噴塗方法或類似方法在介電層200（當形成介電層200時）之上表面上形成。
如第5圖中所示，壩部分310可形成於靜電吸盤10的上表面上，其形狀順應基板S的邊緣而呈諸如矩形的封閉曲線。
因壩部分310的第一高度H1大於形成在更為內側的垂直突起物240的第二高度H2，而支撐該基板S的底表面的邊緣。
因形成壩部分310，所以基板S的邊緣彎折且由壩部分310支撐，如第2A圖所示，以防止顆粒流動進出壩部分310上方。
詳言之，能夠防止顆粒從壩部分310之外側流到基板S，且防止顆粒從基板S流至壩部分310的外側。因此，能夠防止顆粒流到壩部分310的外側上的載具框11。
垂直突起物240是視情況任選的元件，該元件將基板S與靜電吸盤10的上表面分開。取決於基板的類型，在一些實施型態中可消除這些垂直突出物240。
當靜電吸盤10上並不形成複數個垂直突起物240時，壩部分310的第一高度H1可設定在適當高度達到基板S不受損壞的程度。
儘管在第2A圖所示的示範性實施例中壩部分310支撐基板S的底表面，但壩部分310可形成為支撐遮罩M的底表面，如第2B圖所示。
第2B圖所示的示範性實施例與第2A圖所示的示範性實施例相同，差異在於，壩部分310支撐遮罩M的底表面；因此，將省略多餘的敘述。
注意在第2B圖所示的示範性實施例中，基板S的邊緣位在壩部分310的內側上。
因此，能夠防止顆粒從壩部分310之外側流到基板S，且防止顆粒從基板S流至壩部分310的外側。因此，能夠防止顆粒流到壩部分310的外側上的載具框11。
另外，一般，特別是針對大尺寸基板而言，介電層200一直是透過電漿噴塗方法形成。不幸的是，電漿噴塗方法不利之處在於，其具有不良的耐受電壓特性，這是由於高孔隙度所致，諸如空隙（孔隙）的形成，因為壽命短暫而要求頻繁的維護，且具有低介電常數因而具有對基板S低度的吸附力。
根據上文所述，根據本案揭露內容之示範性實施例，介電層200可透過溶凝膠方法或結合電漿噴塗與溶凝膠方法由陶瓷材料製成。
尤其，當介電層200由溶凝膠方法形成時，孔隙度可降低而增加耐受電壓特性，可增加壽命，且介電常數也可增加，而增強對基板S的吸附力。
該溶凝膠方法為此技術中已知為形成介電層200的方法，且該介電層200可透過例如下述製程形成： 1)水解反應或有醇類的反應（水解） M(OR)x + mH2 O M(OR)x -m(OH)m + mROH， 2)水縮聚 2M(OR)x-m (OH)m (OH)m-1 (OR)x-m--- (OR)x-m (OH)m-1 +H2 O 2’)醇縮聚 2M(OR)x-m (OH)m (OH)m-1 (OR)x-m ---(OR)x-m-1 +R(OH)
作為形成靜電吸盤10的介電層200的方法，該溶凝膠方法可產生均質無機氧化物材料，該材料具有良好的性質，諸如硬度、透明度、化學穩定度、受控的孔隙度、及室溫下的導熱率。
透過應用此溶凝膠製程，介電層可在凝膠相中以各式各樣形狀形成，從而獲得單塊（monolith）、薄膜、及單一尺寸粉末。
透過使用此方法，可生產保護膜、多孔膜、窗絕緣體、介電材料、電子材料塗層、及類似物，且可顯著改善靜電吸盤10的表現。
可使用溶凝膠方法合成凝膠，這是透過下述方式達成：透過氧化鋁的合成根據PH改變而量測粒徑分佈，且選擇當粒徑最小時的PH。
在介電層已由溶凝膠方法形成之後，可在低溫（例如150o C）燒結。
詳言之，根據示範性實施例，介電層200可包括在基底構件330之上表面上透過電漿噴塗形成的第一介電層210，以及在電極層340形成於該第一介電層210後透過溶凝膠方法形成的第二介電層220。第二介電層220形成之後，可透過電漿噴塗形成壩部分310及垂直突起部240。
應注意，第一介電層210也可透過溶凝膠方法形成，而非電漿噴塗方法。
第二介電層220形成之後，可透過電漿噴塗在第二介電層220之上表面上進一步形成第三介電層230。
透過形成第三介電層230，除了由溶凝膠方法形成的第二介電層220之外也能夠增強機械剛性。
根據本案揭露內容之示範性實施例，靜電吸盤10吸附且保持基板S，且可用作為載具本身或作為載具之一部分，而在諸如蒸發沉積設備之類的基板處理設備中移動。
該載具包括靜電吸盤且與在上面所吸附且保持的基板S一起移動。
該載具可具有各種結構，這取決於基板處理設備中的移動機構。
在蒸發沉積設備中，該載具可與固定至底表面的基板S一起移動，使得基板S面朝下，或者該載具可以垂直或傾斜走向移動，使得基板S面朝側面，此為舉例。
對於此實施例而言，靜電吸盤10可進一步包括耦接邊緣的載具框11而形成載具，當基板S被吸附且保持在用於執行基板處理的基板處理系統中時該載具移送基板。
可在遮罩M緊密接觸基板S的同時執行一些基板處理。
遮罩M處於與基板S緊密接觸，而在基板S上形成呈經設計之圖案的沉積層。遮罩M可包括具有一或多個開口33的片材31，此為舉例。
根據本案揭露內容的示範性實施例，遮罩M可包括遮罩片材31，該遮罩片材31具有以預定圖案形成的一或多個開口33，以及支撐遮罩片材31之邊緣的外框32。
遮罩M可具有用於不同處理的不同組裝型態，諸如：FMM（細微金屬遮罩），其中形成各自對應像素（pixel）的開口；以及開放遮罩（open mask），與基板S保持緊密接觸。
由於期望遮罩M儘可能與基板S緊密接觸，根據本案揭露內容之示範性實施例，靜電吸盤10可進一步包括磁鐵12，該磁鐵12藉由磁力將遮罩M帶至與基板S的上表面緊密接觸，從而增強基板S與遮罩M之間的附著。
磁鐵12可為永久磁鐵且可配置在靜電吸盤10的適當位置處，而透過磁力將遮罩M帶至與基板S的上表面緊密接觸。
憑藉磁鐵12，可增強基板S之邊緣處遮罩M與基板S之間的附著，使得能夠改善基板S之邊緣處的處理均勻度及遮蔽效應。
根據本案揭露內容之示範性實施例，磁鐵12可配置在形成該靜電吸盤10的基底構件330之底表面上。
當遮罩M具有外框32時，該磁鐵12可透過磁力將遮罩M帶至與靜電吸盤10的上表面緊密接觸。
較佳為遮罩M的遮罩片材31與基板S緊密接觸。據此，較佳為磁體12定位成使得藉由磁力將遮罩片材31與靜電吸盤10的上表面緊密接觸。
如上文所述，本案揭露內容之另一特徵為，靜電吸盤的介電層是透過溶凝膠方法或是電漿噴塗方法與溶凝膠方法之組合而形成。
換言之，根據本案揭露內容之另一態樣，提供一種用於製造具有上述組裝型態的靜電吸盤的方法，其中該介電層200的至少一部分是透過溶凝膠方法由陶瓷材料製成。
詳言之，介電層200可透過電漿噴塗與溶凝膠方法的組合由陶瓷材料製成。
尤其，介電層200較佳為透過溶凝膠方法由陶瓷材料製成，更佳為透過電漿噴塗與溶凝膠方法的組合製成。
當介電層200由溶凝膠方法形成時，可降低孔隙度，以增加耐受電壓特性，能夠增加壽命，且也能夠增加介電常數，以增強對基板S的吸附力。
詳言之，根據本案揭露內容之示範性實施例，用於製造靜電吸盤的方法可包括：透過電漿噴塗將第一介電層210形成在該基底構件330的上表面上，在該第一介電層210上形成電極層340，之後透過溶凝膠方法形成第二介電層220，以及在形成該第二介電層220之後透過電漿噴塗形成伸出部分310與240。
進一步，該方法可包括在形成該第二介電層220之後及在形成該等伸出部分之前，透過電漿噴塗在該第二介電層220之上表面上形成第三介電層230。
用於透過溶凝膠方法以陶瓷材料製造靜電吸盤之至少一部分的方法根據靜電吸盤10之結構涵蓋各式各樣可能的修飾型態。
詳言之，有別於第2A圖至第6F圖中所示之示範性實施例（其中複數個垂直突起部240在整個靜電吸盤10之上表面形成），根據第7圖至第9圖的示範性實施例，伸出部分310與240可僅形成於與基板S之底表面之邊緣相應的邊緣區域E且不在基板S的底表面之中心。
在此實施例中，形成在邊緣區域E中但不在基板S之底表面之中心中的伸出部分310與240要求具有高度的耐久性，因為在處理期間他們反覆地被帶至與基板S的底表面接觸。
然而，若伸出部分是透過溶凝膠方法形成，則孔隙度高但耐久性低。因此，希望透過電漿噴塗方法形成在邊緣區域E中所形成的伸出部分310與240，而增加耐久性。
根據上文所述，根據本案揭露內容之另一實施例，用於製造靜電吸盤的方法可包括：透過溶凝膠方法以陶瓷材料形成介電層200的至少一部分，以及透過電漿噴塗方法在介電層200的上表面的邊緣區域E中形成複數個伸出部分310與240，該邊緣區域E對應基板S的底表面的邊緣。
透過溶凝膠方法以陶瓷材料形成介電層200的至少一部分可實質上與上文所述參考第2A圖至第6E圖的用於製造靜電吸盤的方法相同或類似；因此將省略多餘的敘述。
換言之，形成該介電層可與上文所述參考第2A圖至第6E圖的用於製造靜電吸盤的方法實質上相同或類似，差異處在於形成該等伸出部分；因此，將不會進行對此的敘述。
舉例而言，形成該介電層可包括：透過電漿噴塗在基底構件330之上表面上形成第一介電層210；以及在第一介電層210上形成電極層340，之後透過溶凝膠方法形成第二介電層220。
形成伸出部分中，透過電漿噴塗方法在介電層200的上表面的邊緣區域E中形成複數個伸出部分310與240，該邊緣區域E對應基板S的底表面的邊緣。
該伸出部分310與240可包括至少一個壩部分310及複數個垂直突起部240，該壩部分310沿著邊緣區域E配置在介電層200的上表面上，該等垂直突起部240沿著邊緣區域E配置而比壩部分310更靠近介電層200。
為了改善耐久性，伸出部分310與240的壩部分310及垂直突起部240較佳為透過電漿噴塗方法形成。
透過以電漿噴塗方法形成壩部分310與垂直突起部240，可確保伸出部分310與240的機械剛性、特別是耐久性。
與上述的實施例不同，伸出部分310與240僅形成在邊緣區域E而不在介電層200的上表面的中心區域C中。
換言之，複數個壩部分310可沿著邊緣區域E的最外周邊形成，而複數個垂直突起部240可沿著邊緣區域E形成而比壩部分310更靠近介電層200的中心。
因此，無垂直突起部240形成在介電層200之上表面的中心區域C，使得基板S的底表面能夠完全地與介電層200緊密接觸。
由於在介電層200之上表面的中心區域C中基板S完全與介電層200緊密接觸，所以壩部分310較佳為形成得低於垂直突起部240，以防止基板S的底表面部暴露至處理環境或引入顆粒。
另外，靜電吸盤10是在遮罩M緊密接觸靜電吸盤10所吸附且保持的基板S的上表面的情況下執行基板處理。因此必須決定基板S或遮罩M是否緊密接觸靜電吸盤10。
根據上文所述，與基板S之底表面面接觸的壩部分310之上表面中，形成氣體排放通道312以根據排放氣體量偵測與基板S的接觸狀態。
該氣體排放通道312是流動路徑，包括惰性氣體（諸如氦氣）的氣體朝基板S流動通過該流動路徑，且該氣體排放通道312容許少量氣體從靜電吸盤10或氣體供應裝置（圖中未示）流動，該氣體供應裝置設置在與靜電吸盤10耦接的載具框11上。
由於氣體量取決於基板S或遮罩M與壩部分310之間的接觸程度而細微變化，所以該程度可透過量測氣體量的細微變化而測得。
在這方面，少量氣體漏出氣體排放通道312，基板S的吸著可能變得不穩定。
所以，介電層200的上表面的中心區域C是由溶凝膠方法形成且完全緊密接觸基板S的底表面，該中心區域C形成使得中心線平均粗糙度Ra較佳為在1.5a至3.5a的範圍。
另外，由於伸出部分310與240可能磨耗（因為他們反覆與基板S的底表面接觸），所以要求維護靜電吸盤10。
尤其，即使僅伸出部分310與240磨耗，仍必須置換整體靜電吸盤10，這增加了製造基板的成本。
為了避免此情況，根據本案揭露內容的另一態樣，如第9圖中所示，至少一些伸出部分310與240是在靜電吸盤10中的至少一個片材構件250上形成，隨後片材構件250配置在期望的位置，使得伸出部分310與240的已磨耗的多個伸出部分可形成有新的片材構件250。
形成伸出部分可包括：在片材構件250上形成伸出部分310與240之其中至少一些，並且將該片材構件250附接介電層200之上表面。
應瞭解在片材構件250上形成伸出部分310與240之其中至少一些可透過電漿噴塗執行。
片材構件250較佳為由陶瓷材料製成。黏著劑可附接至或塗佈於片材構件250之底表面上，或者片材構件250本身可形成作為黏著帶，使得該片材構件易於附接至由陶瓷材料製成的介電層200。
憑藉這樣的片材構件250，伸出部分310與240形成於片材構件250上且附接至介電層200之上表面。因此，當需要維護伸出部分310與240時，能夠僅置換上面形成有伸出部分310與240的片材構件250，使得靜電吸盤10的維護與修理變得更容易。
根據本案揭露內容的另一態樣，如第10圖中所示，在介電層200頂部上形成的介電層可透過溶凝膠方法形成於基板S的中心區域C中而不在邊緣區域E中。
根據此態樣，介電層200可包括第四介電層260，該第四介電層260是透過電漿噴塗形成在其中在介電層200之頂部處並未形成介電層的邊緣區域E中。
可透過電漿噴塗將伸出部分310與240形成在第四介電層260的上表面上。
該第四介電層260較佳為形成在與介電層200之頂部處形成的介電層相同高度處。
介電層200之頂部處形成的介電層可為（但不限於）第10圖中的第三介電層230。
即，若並未形成第三介電層230，則第二介電層220可形成在基板S的中心區域C作為在頂部處形成的介電層。
隨後，可透過溶凝膠方法或電漿噴塗方法形成第三介電層230。
10‧‧‧靜電吸盤
11‧‧‧載具框
12‧‧‧磁鐵
31‧‧‧片材
32‧‧‧外框
33‧‧‧開口
100‧‧‧金屬板
101‧‧‧有機黏著劑
102‧‧‧電極
103‧‧‧介電層
200‧‧‧介電層
210‧‧‧介電層
220‧‧‧介電層
230‧‧‧介電層
240‧‧‧垂直突起物
250‧‧‧片材構件
260‧‧‧介電層
310‧‧‧壩部分
312‧‧‧氣體排放通道
330‧‧‧基底構件
340‧‧‧電極層
S‧‧‧基板
C‧‧‧中心區域
E‧‧‧邊緣區域
M‧‧‧遮罩
H1、H2‧‧‧高度
第1圖是既存靜電吸盤的剖面視圖；
第2A圖是載具的一部分的剖面視圖，其中安裝了根據本揭露內容的示範性實施例的靜電吸盤，且有遮罩耦接；
第2B圖是第2A圖所示的載具的修飾型態的一部分的剖面視圖，其中該遮罩的外框緊密接觸伸出部分；
第3圖是剖面視圖，顯示第2A圖或第2B圖中所示的壩部分與垂直突出物之間的高度差；
第4圖是根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖；
第5圖是根據本案揭露內容之示範性實施例的靜電吸盤的一部分的平面視圖；
第6A圖至第6F圖是剖面視圖，顯示根據本案揭露內容之示範性實施例的用於製造靜電吸盤的方法；
第7圖是根據本案揭露內容之另一示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖；
第8圖是第7圖中所示的靜電吸盤的一部分的平面視圖；
第9圖是第7圖中所示的靜電吸盤的修飾型態的一部分的剖面視圖；以及
第10圖是根據本案揭露內容之再另一示範性實施例的靜電吸盤的一部分的剖面視圖。
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Claims (10)

  1. 一種用於製造靜電吸盤的方法，該靜電吸盤包括由一金屬材料製成的一基底構件（330）以及一介電層（200），該介電層形成在該基底構件（330）的一上表面上，且該介電層中具有一電極層（340），該電極層接收施加至該電極層的一DC電力，該方法包括下述步驟： 透過一溶凝膠方法以一陶瓷材料形成該介電層（200）之至少一部分；以及透過一電漿噴塗方法在該介電層（200）之一上表面之一邊緣區域（E）中形成複數個伸出部分（310及240），該邊緣區域（E）對應一基板（S）之一底表面之一邊緣。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該陶瓷材料包括下述之其中一者：Al2 O3 、Y2 O3 、ZrO2 、MgO、SiC、AlN、Si3 N4 、及SiO2 。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該等伸出部分（310及240）包括 至少一個壩部分（310），沿著該基板（S）之該邊緣配置在該介電層（200）之該上表面上，以及複數個垂直突起部（240），小於該壩部分310的該上表面且與該基板（S）之該底表面面接觸或點接觸，其中該等垂直突起部比該壩部分（310）更接近該介電層（200）的一中心。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該壩部分（310）之高度小於該複數個垂直突起部（240）之高度。
  5. 如請求項3所述之方法，其中該壩部分（310）包括一氣體排放通道（312），該氣體排放通道形成於該壩部分之上表面且面接觸該基板（S）之該底表面，其中基於排放氣體量而偵測與該基板（S）之該底表面的一面接觸狀態。
  6. 如請求項1所述之方法，其中形成該介電層包括 透過電漿噴塗在該基底構件（330）之該上表面上形成一第一介電層（210）；以及在該第一介電層（210）上形成一電極層（340），之後透過一溶凝膠方法形成一第二介電層（220）。
  7. 如請求項6所述之方法，其中形成該第二介電層（220）包括：將該第二介電層（220）形成在一中心區域（C）中但不在該第一介電層（210）的一邊緣區域（E）中。
  8. 如請求項7所述之方法，其中形成該介電層包括：透過電漿噴塗在該第一介電層（210）之該上表面的該邊緣區域（E）形成一第四介電層（260）。
  9. 一種用於基板處理設備的靜電吸盤，其中該靜電吸盤是透過根據請求項1至8之任一項的用於製造靜電吸盤的方法所製造。
  10. 一種靜電吸盤，包括： 一基底構件（330），由一金屬材料製成；一介電層（200），形成在該基底構件（330）之一上表面上且該介電層中具有一電極層（340），該電極層接收施加至該電極層的一DC電力，其中該介電層（200）的至少一部分是透過一溶凝膠方法以一陶瓷材料形成；以及複數個伸出部分（310與240），形成在該介電層（200）之一上表面之一邊緣區域（E）中，該邊緣區域（E）對應一基板（S）之一底表面之一邊緣，使得該等伸出部分向上突出，其中該等伸出部分（310與240）是透過一電漿噴塗方法形成。
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