TWI518835B - 靜電吸盤裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種靜電吸盤(chuck)裝置,更詳而言之,係有關一種適用在藉由靜電吸附固定半導體晶圓等板狀試料時,且在半導體製造過程中藉由物理氣相成長法(Physical Vapor Deposition,PVD)或化學氣相成長法(Chemical Vapor Deposition,CVD)之成膜處理、電漿蝕刻等蝕刻處理、曝光處理等各種步驟中,均可提高載置板狀試料之載置面中之面內溫度之均勻性,再者可提高加熱構件之耐電壓性之靜電吸盤裝置。
本案係根據2010年1月29日於日本申請之日本特願2010-018210號及2010年9月28日於日本申請之日本特願2010-216823號主張優先權,在本說明書中援用其內容。
近年來,在半導體製造過程中,隨著元件的高積體化及高性能化,已要求微細加工技術更進一步的提升。在此半導體製造過程中,尤以蝕刻技術為一項重要的微細加工技術,而近年來,在蝕刻技術中,尤以可進行高效率而且大面積微細加工之電漿蝕刻技術為主流。
上述電漿蝕刻技術係為乾蝕刻技術之一種,具體而言,係在作為加工對象之固體材料上藉由阻劑(resist)形成遮罩樣式(mask pattern),且於將固體材料支撐於真空中之狀態下,將反應性氣體導入於真空中,並對此反應性氣體施加高頻電場,藉此使經加速之電子與氣體分子撞擊而成為電漿狀態,且使從該電漿所產生之自由基(radical)(free radical,自由基)及離子與固體材料產生反應作為反應生成物並予以去除,藉此而於固體材料形成微細樣式之技術。
另一方面,尚有使原料氣體藉由電漿的作用進行化合,且將所獲得之化合物沈積於基板上而作為薄膜成長技術之一的電漿CVD法。此方法係為藉由對包含原料分子之氣體施加高頻電場而使電漿放電,且藉由經此電漿放電加速之電子使原料分子分解,再將所獲得之化合物沈積之成膜方法。即使在低溫下不能僅憑熱激勵就產生之反應,在電漿中,會由於系統內之氣體彼此撞擊而被活性化而使成為自由基,而使反應成為可能。
在電漿蝕刻裝置、電漿CVD裝置等使用電漿之半導體製造裝置中,向來係使用靜電吸盤裝置作為將晶圓簡單安裝固定於試料台,並且將晶圓維持於所希望之溫度之裝置。
然而,在習知之電漿蝕刻裝置中,當將電漿照射於被固定在靜電吸盤裝置之晶圓時,晶圓之表面溫度會上升。因此,為了抑制晶圓表面溫度之上升,雖係使水等冷卻媒體循環於靜電吸盤裝置之溫度調整用基座(base)部而將晶圓從下側予以冷卻,惟此時,在晶圓之面內會產生溫度分布之情形。例如,在晶圓之中心部溫度變高,而在邊緣部溫度則變低。
此外,由於電漿蝕刻裝置之構造及方式之不同等,而在晶圓之面內溫度分布產生差異。
因此,乃提出一種在靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間安裝加熱器(heater)構件之附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置(專利文獻1)。
由於此附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置係可在晶圓內局部地作出溫度分布,因此藉由將晶圓之面內溫度分布配合膜沈積速度或電漿蝕刻速度來設定,在晶圓上形成樣式等局部性膜形成或局部性電漿蝕刻可以良好效率進行。
以在靜電吸盤裝置安裝加熱器之方法而言,係有在陶瓷製之靜電吸盤內建加熱器之方法、以網版(screen)印刷法將加熱器材料依預定樣式塗佈於靜電吸盤之吸附面之背側,亦即陶瓷板狀體之背面且予以加熱硬化,藉此而安裝加熱器之方法、或是將金屬箔或片(sheet)狀導電材料黏貼於前述陶瓷板狀體之背面,藉此安裝加熱器之方法等。
再者,使用有機系黏接劑將內建或安裝有加熱器之靜電吸盤部、及溫度調整用基座部予以黏接一體化,可獲得附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置。
[專利文獻1]日本特開2008-300491號公報
然而,在以網版印刷法將加熱器材料依預定樣式塗佈於上述之習知靜電吸盤之吸附面之背側(亦即陶瓷板狀體之背面)且予以加熱硬化,藉此安裝加熱器之方法,或將金屬箔或片狀導電材料黏貼於前述陶瓷板狀體之背面之方法之附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置中,使用有機系黏接劑將靜電吸盤部與溫度調整用基座部予以黏接一體化時,在有機系黏接劑層產生稱之為細孔(pore)之微細空孔,或是在有機系黏接劑層與靜電吸盤部及溫度調整用基座部之間產生稱之為塌陷之未黏接部分時,將電壓施加於加熱器之情形中,靜電吸盤部與溫度調整用基座部會導通(短路不良),而有產生絕緣破壞之虞的問題。
此外,藉由有機系黏接劑層之厚度來確保絕緣性時,難以將此有機系黏接劑層之厚度變薄,而且,由於在有機系黏接劑層之厚度會產生參差不齊,因此會有無法使載置靜電吸盤部之晶圓之面之面內溫度充分均勻之問題點。
在使用金屬箔或片狀導電材料之附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置中,於黏貼有金屬箔或片狀導電材料作為加熱器樣式之部分與無加熱器樣式之部分會產生段差,且僅以片狀黏接材料與冷卻基座黏接時,會有無法覆蓋加熱器之凹凸,而於黏接層易於產生空孔等之問題點。此外,在使用具有熱可塑性之片狀黏接材料時,亦會在有加熱器之部分與無加熱器之部分的邊界產生空孔,而有放電及剝離之危險,並且具有因為加熱器與冷卻基座間之熱傳遞之參差所導致靜電吸盤之面內溫度分布之控制性降低之問題點。
本發明係有鑑於上述問題而研創者,其目的在提供一種靜電吸盤裝置,可防止靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間之絕緣破壞,並且可提升耐電壓性,再者,可提升靜電吸盤部之板狀試料之載置面之面內溫度之均勻性,並且對於靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間更均勻地施加電壓,藉此而可提升設於靜電吸盤部之加熱構件之耐電壓性。
本發明人等為了解決上述問題致力檢討之結果,發現只要透過黏接材料將薄厚之加熱構件黏接於與靜電吸盤部之載置面相反側之主面,且將溫度調整用基座部之靜電吸盤部側之面之整體或一部分藉由片狀或薄膜狀絕緣材料予以覆蓋,及透過將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而將此靜電吸盤部與溫度調整用基座部予以黏接一體化,即可防止靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間的絕緣破壞,並且提升耐電壓性,再者,可提升靜電吸盤部之載置面之面內溫度之均勻性,而亦可提升加熱構件之耐電壓性,終至完成本發明。
亦即,本發明之第一態樣係一種靜電吸盤裝置,係具備靜電吸盤部,將一主面設為載置板狀試料之載置面、並且內建有靜電吸附用內部電極、及溫度調整用基座部,將靜電吸盤部調整為所希望之溫度,其中,在與前述靜電吸盤部之前述載置面相反側之主面,係透過黏接材料黏接有加熱構件,前述溫度調整用基座部之前述靜電吸盤部側之面之整體或一部分,係由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆蓋,黏接有加熱構件之前述靜電吸盤部、與由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆蓋之前述溫度調整用基座部,係透過將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而黏接一體化。
在此靜電吸盤裝置中,係透過將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而將靜電吸盤部與溫度調整用基座部予以黏接一體化,藉此使絕緣性有機系黏接劑層將靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間的絕緣獲得良好的維持。藉此,在靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間不會再有產生導通(短路不良)之虞,結果,在靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間亦無再產生絕緣破壞之虞,此等之間的耐電壓性獲得提升。
此外,透過黏接材料將加熱構件黏接於與靜電吸盤部之載置面相反側之主面,並且藉由片狀或薄膜狀絕緣材料將溫度調整用基座部之靜電吸盤部側之面之整體或一部分予以覆蓋,藉此使靜電吸盤部與加熱構件之間隔及加熱構件與溫度調整用基座部之間隔保持為一定,及提高靜電吸盤之載置面中之面內溫度之均勻性,並且使該加熱構件與溫度調整用基座部之耐電壓性更為提升。
再者,藉由將絕緣性有機系黏接劑層介設於黏接有加熱構件之靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間,即使在使所載置之板狀試料急速升降溫之情形下,有機系黏接劑層仍可對靜電吸盤部發揮緩衝急遽膨脹、收縮之緩衝層功能,而防止在靜電吸盤部產生破裂(crack)或破損等。藉此,靜電吸盤部之耐久性獲得提升。
本發明之第二態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述片狀或薄膜狀絕緣材料係藉由片狀或薄膜狀黏接材料而黏接於前述溫度調整用基座部。
在此靜電吸盤裝置中,係使用片狀或薄膜狀黏接材料將片狀或薄膜狀絕緣材料黏接於溫度調整用基座部,藉此而保持溫度調整用基座部之靜電吸盤部側之絕緣性,並且使黏接材料之厚度為一定,而提高靜電吸盤部之載置面中之面內溫度之均勻性。
本發明之第三態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述靜電吸盤部之厚度係為0.7mm以上而且為3.0mm以下。
在此靜電吸盤裝置中,係藉由將靜電吸盤部之厚度設為0.7mm以上而且為3.0mm以下,可對靜電吸盤部賦予充分的強度,而使靜電吸盤部本身之熱容量變小,且使與所載置之板狀試料之熱交換效率、熱響應性亦優異。
本發明之第四態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述加熱構件係為由厚度0.2mm以下之非磁性金屬所構成之薄板狀加熱器元件(element)。
在此靜電吸盤裝置中,係藉由將加熱構件設為由厚度為0.2mm以下之非磁性金屬所構成之薄板狀加熱器元件,而使加熱器元件之樣式難以反映於板狀試料,而易於將板狀試料之面內溫度維持於所希望之溫度樣式。
本發明之第五態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述黏接材料係為矽酮(silicone)系或丙烯酸(acrylic)系之黏接材料。
在此靜電吸盤裝置中,係將黏接材料設為矽酮系或丙烯酸系之黏接材料,藉此減輕靜電吸盤部及加熱器部之熱應力,而使耐久性更為提升。
本發明之第六態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述黏接材料之厚度之參差係為10μm以下。
在此靜電吸盤裝置中,黏接材料之厚度之參差係為10μm以下,藉此可使靜電吸盤部與加熱構件之間隔以10μm以下的精確度予以控制,而使藉由加熱構件加熱之板狀試料之面內溫度之均勻性獲得提升。
本發明之第七態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述靜電吸盤部係具備:載置板,將一主面設為前述載置面;支撐板,與載置板一體化,用以支撐載置板;及前述靜電吸附用內部電極,設於載置板與支撐板之間,前述載置板係由氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化釔燒結體所構成。
在此靜電吸盤裝置中,係將載置板設為氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化釔燒結體,藉此提升對於腐蝕性氣體及其電漿之耐久性,機械性強度亦獲得保持。
本發明之第八態樣係一種靜電吸盤裝置,其中,前述載置板之厚度係為0.3mm以上而且為2.0mm以下。
在此靜電吸盤裝置中,係將載置板之厚度設為0.3mm以上而且為2.0mm以下,藉此即可將板狀試料予以確實地吸附固定,因此,可將板狀試料充分地加熱,而不會有因為施加於靜電吸附用內部電極之電壓而放電的危險性。
依據本發明之靜電吸盤裝置,由於係透過片狀或薄膜狀黏接材料將加熱構件黏接於靜電吸盤部之另一主面,且透過有機系黏接劑層將黏接有該加熱構件之靜電吸盤部與藉由絕緣性片而全面或部分覆蓋之溫度調整用基座予以黏接一體化,因此可藉由該絕緣構件將靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間的絕緣予以良好地維持,結果,可防止絕緣破壞。因此,可使靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間的耐電壓性提升。
此外,由於透過片狀或薄膜狀黏接材料將加熱構件黏接於靜電吸盤部之另一主面,因此可將靜電吸盤部與加熱構件之間隔保持為一定,而可提升靜電吸盤部之載置面中之面內溫度之均勻性。此外,可使加熱構件與溫度調整用基座部之間之耐電壓提升,即使是使用溫度調整用基座部作為電漿用電極時,亦可將更高的電壓施加於溫度調整用基座部。
此外,由於使有機系黏接劑層介設於靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間,因此可使該有機系黏接劑層對靜電吸盤部發揮緩和急遽之膨脹、收縮之緩衝層之功能,因此,可防止在靜電吸盤部產生破裂或破損等,而可提升靜電吸盤部之耐久性。
再者,由於係將構成靜電吸盤部之載置板設為氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化釔燒結體,因此可提升對於腐蝕性氣體及其對電漿之耐久性,而亦可充分保持機械性強度。
根據圖式說明本發明之靜電吸盤裝置之實施形態。
另外,以下的實施形態係為使發明之旨趣更易於理解所作之具體說明者,只要未特別指定,並不用以限定本發明。
第1圖係為顯示本發明一實施形態之靜電吸盤裝置之剖面圖,靜電吸盤裝置1主要係由以下構件所構成:圓板狀靜電吸盤部2;將此靜電吸盤部2調整為所希望之溫度且具有厚度的圓板狀溫度調整用基座部3;具有黏接於靜電吸盤部2之下表面(另一主面)之預定樣式之黏接材料4;與黏接於黏接材料4之下表面之該黏接材料4相同形狀之樣式之加熱器元件5;透過黏接材料6黏接於溫度調整用基座部3之上表面之絕緣構件7;及在使靜電吸盤部2之下表面之加熱器元件5與溫度調整用基座部3上之絕緣構件7相對之狀態下將此等予以黏接一體化之有機系黏接劑層8。
靜電吸盤部2係藉由以下構件所構成:上表面設為載置半導體晶圓等板狀試料W之載置面之載置板11;與該載置板11一體化,用以支撐該載置板11之支撐板12;將設於此等載置板11與支撐板12之間之靜電吸附用內部電極13及靜電吸附用內部電極13周圍予以絕緣之絕緣材料層14;以及以貫通支撐板12之方式設置,用以將直流電壓施加於靜電吸附用內部電極13之供電用端子15。
前述載置板11及支撐板12係為將重疊之面之形狀設為相同之圓板狀者,其係為具有氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)複合燒結體、氧化鋁(Al2O3)燒結體、氮化鋁(AlN)燒結體、氧化釔(Y2O3)燒結體等之機械性強度,而且對於腐蝕性氣體及其電漿具有耐久性之絕緣性陶瓷燒結體所構成者。
在載置板11之載置面係形成有複數個直徑較板狀試料之厚度小的突起部16,此等突起部16係成為支撐板狀試料W之構造。
載置板11、支撐板12、靜電吸附用內部電極13及絕緣材料層14之合計厚度,亦即靜電吸盤部2之厚度係以0.7mm以上而且為3.0mm以下為佳。靜電吸盤部2之厚度低於0.7mm時,無法確保靜電吸盤部2之機械性強度,另一方面,靜電吸盤部2之厚度超過3.0mm時,靜電吸盤部2之熱容量會過大,而使所載置之板狀試料W之熱響應性劣化。再者,由於靜電吸盤部之橫方向之熱傳遞的增加,難以將板狀試料W之面內溫度維持於所希望之溫度樣式。
尤其是,載置板11之厚度係以0.3mm以上而且為2.0mm以下為佳。載置板11之厚度低於0.3mm時,由於施加於靜電吸附用內部電極13之電壓而放電之危險性增高,另一方面,載置板11之厚度超過2.0mm時,無法將板狀試料W充分固定,因此,難以將板狀試料W充分加熱。
靜電吸附用內部電極13係作為用以產生電荷且以靜電吸附力將板狀試料於予以固定之靜電吸盤用電極者,依其用途,可適當調整其形狀或大小。
此靜電吸附用內部電極13係藉由氧化鋁-碳化鉭(Al2O3-Ta4C5)導電性複合燒結體、氧化鋁-鎢(Al2O3-W)導電性複合燒結體、氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)導電性複合燒結體、氮化鋁-鎢(AlN-W)導電性複合燒結體、氮化鋁-鉭(AlN-Ta)導電性複合燒結體、氧化釔-鉬(Y2O3-Mo)導電性複合燒結體等導電性陶瓷、或鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等高熔點金屬所形成。
靜電吸附用內部電極13之厚度雖未特別限定,惟以0.1μm以上而且為100μm以下為佳,尤以5μm以上而且為20μm以下為更佳。靜電吸附用內部電極13之厚度低於0.1μm時,無法確保充分的導電性,另一方面,靜電吸附用內部電極13之厚度超過100μm時,會由於靜電吸附用內部電極13與載置板11及支撐板12之間的熱膨脹率差,而導致在靜電吸附用內部電極13與載置板11及支撐板12之黏合界面容易產生破裂。
此種厚度之靜電吸附用內部電極13係容易藉由濺鍍法或蒸鍍法等成膜法、或是網版印刷法等塗工法而形成。
絕緣材料層14係用以圍繞靜電吸附用內部電極13以保護靜電吸附用內部電極13不受腐蝕性氣體及其電漿影響,並且將載置板11與支撐板12之邊界部,亦即靜電吸附用內部電極13以外之外周部區域予以黏合一體化者,而與構成載置板11及支撐板12之材料相同組成或主成分係由相同的絕緣材料所構成。
供電用端子15係為用以將直流電壓施加於靜電吸附用內部電極13所設之棒狀元件。以供電用端子15之材料而言,只要是耐熱性優異之導電性材料,即無特別限制,惟以熱膨脹係數近似於靜電吸附用內部電極13及支撐板12之熱膨脹係數者為佳,例如,構成靜電吸附用內部電極13之導電性陶瓷,或鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、科伐(Kovar)合金等金屬材料均適用。
前述供電用端子15係藉由具有絕緣性之絕緣子17而對溫度調整用基座部3絕緣。
再者,供電用端子15係黏合一體化於支撐板12,再者,載置板11與支撐板12係藉由靜電吸附用內部電極13及絕緣材料層14而黏合一體化,以構成靜電吸盤部2。
溫度調整用基座部3係用以將靜電吸盤部2調整為所希望之溫度者,且為具有厚度之圓板狀者。
以此溫度調整用基座部3而言,係例如以在其內部形成有使水循環之流路(未圖示)之水冷基座等為佳。
以構成溫度調整用基座部3之材料而言,只要是導熱性、導電性、加工性優異之金屬,或包含此等金屬之複合材料,則無特別限制,例如鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)等均適用。溫度調整用基座部3之至少曝露於電漿之面,係以施行氧化鋁膜處理(alumite treatment),或使氧化鋁等絕緣膜成膜為佳。
黏接材料4係具有聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等耐熱性及絕緣性,且為與後述之加熱器元件5相同樣式形狀之片狀或薄膜狀黏接性樹脂,厚度係以5μm至100μm為佳,尤佳為10μm至50μm。
黏接材料4之面內之厚度之參差係以10μm以內為佳。黏接材料4之面內之厚度之參差超過10μm時,會在靜電吸盤部2與加熱器元件5之面內間隔產生超過10μm之參差,結果,從加熱器元件5傳遞至靜電吸盤部2之熱的面內均勻性會降低,且靜電吸盤部2之載置面中之面內溫度變得不均勻,因此不理想。
加熱器元件5係為透過黏接材料4而配設於支撐板12之下表面者,例如,如第2圖所示,係由彼此獨立之2個加熱器,亦即形成於中心部之內加熱器5a、及在該內加熱器5a之周緣部外方形成為環狀之外加熱器5b所構成,在與此等內加熱器5a及外加熱器5b各個兩端部之供電用端子的連接位置21係分別連接有第1圖所示之供電用端子22,而該供電用端子22係藉由具有絕緣性之絕緣子23而對溫度調整用基座部3絕緣。
前述內加熱器5a及外加熱器5b係分別以使寬度狹窄之帶狀金屬材料蛇行的樣式為軸中心,且繞著此軸重複地配置,而且鄰接之樣式彼此連接,而作成1條連續帶狀的加熱器樣式。
在加熱器元件5中,係將前述內加熱器5a及外加熱器5b分別獨立控制,藉此即可將藉由靜電吸附固定於載置板11之載置面之板狀試料W之面內溫度分布予以精確度良好地控制。
加熱器元件5之加熱器樣式係可藉由如上所述彼此獨立之2個以上的加熱器樣式來構成,此外,亦可藉由1個加熱器樣式來構成,惟如上述之內加熱器5a及外加熱器5b藉由彼此獨立之2個以上之加熱器樣式來構成加熱器元件5時,由於可藉由個別控制此等彼此獨立之加熱器樣式來自由控制處理中之板狀試料W之溫度,因此較理想。
加熱器元件5係將具有厚度為0.2mm以下,較佳為0.1mm以下之一定厚度的非磁性金屬薄板,例如鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等藉由光微影(photography)法蝕刻加工為所希望之加熱器樣式來形成。當加熱器元件5之厚度超過0.2mm時,加熱器元件5之樣式形狀會反映成板狀試料W之溫度分布,而難以將板狀試料W之面內溫度維持於所希望之溫度樣式。
此外,當以非磁性金屬形成加熱器元件5時,即使在高頻環境氛圍中使用靜電吸盤裝置1,加熱器元件亦不會由於高頻而自行發熱,因此,易於將板狀試料W之面內溫度維持於所希望之一定溫度或一定之溫度樣式,故較佳。
此外,當使用一定厚度之非磁性金屬薄板形成加熱器元件5時,由於加熱器元件5之厚度在整個加熱面為一定,而且發熱量在整個加熱面亦一定,因此可使靜電吸盤部2之載置面中之溫度分布均勻化。
在加熱器元件5中,係可藉由將前述內加熱器5a及外加熱器5b分別獨立控制,而使加熱器元件5之加熱器樣式難以反映於板狀試料W。因此,可將藉由靜電吸附固定於載置板11之載置面之板狀試料W之面內溫度分布予以精確度良好地控制為所希望之溫度樣式。
黏接材料6係為用以將絕緣構件7黏接於溫度調整用基座部3之上表面者,與黏接材料4同樣,係為聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性之片狀或薄膜狀之黏接性樹脂,厚度係以5μm至100μm為佳,尤佳為10μm至50μm。
黏接材料6之面內厚度之參差係以10μm以內為佳。當黏接材料6之面內厚度之參差超過10um時,在溫度調整用基座部3與絕緣構件7之間隔會產生超過10μm之參差,結果,藉由溫度調整用基座部3控制靜電吸盤部2之溫度之面內均勻性降低,且靜電吸盤部2之載置面中之面內溫度不均勻,因此不理想。
絕緣構件7係為聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有絕緣性及耐電壓性之薄膜狀或片狀樹脂,而絕緣構件7之面內厚度之參差係以10μm以內為佳。當絕緣構件7之面內厚度之參差超過10μm時,會因為厚度大小而在溫度分布產生高低差,結果,會對藉由調整絕緣構件7之厚度所作溫度控制造成不良影響,故不理想。
絕緣構件7之導熱率係以0.05W/mK以上而且為0.5W/mK以下為佳,尤佳為0.1W/mK以上而且為0.25W/mK以下。
當導熱率未達0.1W/mK時,將難以透過絕緣構件7從靜電吸盤部2傳遞熱能至溫度調整用基座部,而使冷卻速度降低,故不佳,另一方面,當導熱率超過1W/mK時,則透過絕緣構件7從加熱器部至溫度調整用基座部3之熱傳遞會增加,而使升溫速度降低,故不佳。
有機系黏接劑層8係為在使透過黏接材料4黏接於靜電吸盤部2之下表面之加熱器元件5與透過黏接材料6黏接於溫度調整用基座部3上之絕緣構件7相對向之狀態下,將此等予以黏接一體化,並且具有熱應力之緩和作用者,而有機系黏接劑層8之厚度係以50μm以上而且為500μm以下為佳。
此係由於當有機系黏接劑層8之厚度低於50μm時,靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的導熱性雖良好,惟熱應力緩和不充分,易於產生破裂或龜裂(crack)之故,另一方面,當有機系黏接劑層8之厚度超過500μm時,將無法充分確保靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的導熱性。
前述有機系黏接劑層8係由例如將矽酮系樹脂組成物加熱硬化之硬化體或丙烯酸樹脂所形成。
矽酮系樹脂組成物係為耐熱性、彈性優異之樹脂,且為具有矽氧烷(siloxane)鍵結(Si-O-Si)之矽化合物。此矽酮系樹脂組成物係可以例如下列公式(1)或公式(2)之化學式來表示。
惟R係為H或烷基(CnH2n+1:n係為整數)。
惟R係為H或烷基(CnH2n+1:n係為整數)。
以此種矽酮樹脂而言,尤以熱硬化溫度為70℃至140℃之矽酮樹脂為佳。當熱硬化溫度低於70℃時,於使靜電吸盤部2之支撐板12及加熱器元件5、與溫度調整用基座部3及絕緣構件7相對向之狀態下黏合時,會在黏合過程中開始硬化,作業性劣化,故不佳。另一方面,當熱硬化溫度超過140℃時,靜電吸盤部2之支撐板12及加熱器元件5、與溫度調整用基座部3及絕緣構件7之熱膨脹差增大,且靜電吸盤部2之支撐板12及加熱器元件5、與溫度調整用基座部3及絕緣構件7之間的應力增加,而有在此等部件之間產生剝離之虞,故不佳。
以前述矽酮樹脂而言,硬化後之楊氏係數(Young’s Modulus)係以8MPa以下之樹脂為佳。當硬化後之楊氏係數超過8MPa時,於有機系黏接劑層8施以升溫、降溫之熱循環負載時,無法吸收支撐板12與溫度調整用基座部3之熱膨脹差,而使有機系黏接劑層8之耐久性降低,故不佳。
有機系黏接劑層8係以含有在平均粒徑為1μm以上而且為10μm以下之無機氧化物、無機氮化物、無機氮氧化物所構成之填料(filler),例如氮化鋁(AlN)粒子之表面形成有由氧化矽(SiO2)所構成之覆蓋層之表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子為佳。
表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子係為了改善矽酮樹脂之導熱性而混入者,且藉由調整該混入率,即可控制有機系黏接劑層8之導熱率。
亦即,藉由提高表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子之混入率,即可將構成有機系黏接劑層8之有機系黏接劑之導熱率增大。
此外,由於在氮化鋁(AlN)粒子之表面形成有由氧化矽(SiO2)所構成之覆蓋層,因此相較於未施行表面覆蓋之單純的氮化鋁(AlN)粒子,具有優異的耐水性。因此,以矽酮系樹脂組成物為主成分之有機系黏接劑層8之耐久性可得以確保,結果,可使靜電吸盤裝置1之耐久性大幅提升。
此外,表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子係由於氮化鋁(AlN)粒子之表面為由具有優異耐水性之氧化矽(SiO2)所構成之覆蓋層所覆蓋,因此氮化鋁(AlN)不會有因為大氣中之水分而加水分解之虞,亦無氮化鋁(AlN)之導熱率降低之虞,而使有機系黏接劑層8之耐久性提升。
另外,表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子亦無成為半導體晶圓等板狀試料W之污染源之虞,由此點而言,亦可謂為較佳之填料。
表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子係可藉由覆蓋層中之Si與矽酮系樹脂組成物而獲得更堅固的鍵結狀態,因此可使有機系黏接劑層8之伸展性提升。藉此,可緩和因為靜電吸盤部2之支撐板12之熱膨脹率與溫度調整用基座部3之熱膨脹率之差所引起的熱應力,而可將靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3以良好精確度堅固地黏接。此外,由於相對於使用時之熱循環負載的耐久性充分,因此靜電吸盤裝置1之耐久性提升。
表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子之平均粒徑係以1μm以上而且為10μm以下為佳,更佳為2μm以上而且為5μm以下。
當此表面覆蓋氮化鋁(AlN)粒子之平均粒徑低於1μm時,粒子彼此間之接觸會不充分,結果會有導熱率降低之虞,此外,當粒徑過細時,會招致處理等之作業性降低,故不佳。另一方面,當平均粒徑超過10μm時,黏接層之厚度會易於產生參差,故不佳。
此外,有機系黏接劑層8亦可在楊氏係數為1GPa以下,以具有柔軟性(蕭氏(Shore)硬度為A100以下)之熱硬化型丙烯酸樹脂黏接劑形成。此時,亦可含有或不含填料。
接著說明靜電吸盤裝置1之製造方法。
首先,藉由氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)複合燒結體或氧化釔(Y2O3)燒結體製作板狀載置板11及支撐板12。此時,係將包含碳化矽粉末及氧化鋁粉末之混合粉末或氧化釔粉末成形為所希望之形狀,之後,在例如1400℃至2000℃之溫度、非氧化性氣體氛圍、較佳為惰性氣體氛圍下烘烤預定時間,藉此可獲得載置板11及支撐板12。
接著,在支撐板12形成複數個用以嵌入保持供電用端子15之固定孔。
接著,將供電用端子15製作成可密接固定於支撐板12之固定孔的大小、形狀。以供電用端子15之製作方法而言,係有例如在將供電用端子15設為導電性複合燒結體時,將導電性陶瓷粉末成形為所希望之形狀而進行加壓燒成之方法等。
此時,以用於供電用端子15之導電性陶瓷粉末而言,係以由與靜電吸附用內部電極13相同之材質所構成之導電性陶瓷粉末為佳。
此外,供電用端子15為金屬時,有使用高熔點金屬,藉由研磨法、粉末冶金等金屬加工法等來形成之方法等。
接著,在嵌入有供電用端子15之支撐板12之表面之預定區域,為了與供電用端子15接觸,係將上述導電性陶瓷粉末等導電材料分散於有機溶媒之靜電吸附用內部電極形成用塗佈液施行塗佈並加以乾燥作成靜電吸附用內部電極形成層。
以塗佈法而言,由於需塗佈成均勻的厚度,因此係以使用網版印刷法等為理想。此外,以其他方法而言,係有藉由蒸鍍法或濺鍍法使上述高熔點金屬之薄膜成膜之方法、配設由上述導電性陶瓷或高熔點金屬所構成之薄板而作成靜電吸附用內部電極形成層之方法等。
此外,在支撐板12上之形成有靜電吸附用內部電極形成層之區域以外的區域,為了使絕緣性、耐腐蝕性、耐電漿性提升,而形成包含與載置板11及支撐板12相同組成或主成分相同之粉末材料的絕緣材料層。此絕緣材料層係可例如將塗佈液以網版印刷等塗佈於上述預定區域並進行乾燥來形成,該塗佈液係為將與載置板11及支撐板12相同組成或主成分相同之絕緣材料粉末分散於有機溶媒者。
接著,在支撐板12上之靜電吸附用內部電極形成層及絕緣材料層之上面重疊載置板11,接著,將此等部件在高溫、高壓下進行熱衝壓(hot press)予以一體化。熱衝壓之氣體氛圍係以真空、或Ar、He、N2等惰性氣體氛圍為佳。此外,熱衝壓之一軸加壓時之壓力係以5至10MPa為佳,溫度係以1400℃至1850℃為佳。
藉由此熱衝壓,靜電吸附用內部電極形成層即被燒成而成為由導電性複合燒結體所構成之靜電吸附用內部電極13。同時,支撐板12及載置板11係透過絕緣材料層14而黏合一體化。
此外,供電用端子15係在高溫、高壓下藉由熱衝壓再度燒成,而密接固定於支撐板12之固定孔。
再者,將此等黏合體之上下表面、外周及氣體孔等進行機械加工作成靜電吸盤部2。
接著,在靜電吸盤部2之支撐板12之表面(下表面)之預定區域,黏接聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性而且與加熱器元件5相同樣式形狀之片狀或薄膜狀黏接性樹脂而作成黏接材料4。
黏接材料4亦可藉由在支撐板12之表面(下表面)黏接聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性之黏接性樹脂片或黏接性樹脂薄膜,且在此樹脂片或薄膜上形成與加熱器元件5相同樣式來製作。
接著,在黏接材料4上,黏接具有厚度為0.2mm以下,較佳為0.1mm以下之一定厚度之例如,鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等非磁性金屬薄板,且將此非磁性金屬薄板藉由光微影法進行蝕刻加工為所希望之加熱器樣式而作成加熱器元件。
藉此,即可獲得透過黏接材料4而形成在支撐板12之表面(下表面)具有所希望之加熱器樣式之加熱器元件5之附帶有加熱器元件之靜電吸盤部。
接著,製作預定大小及形狀之供電用端子22。供電用端子22之製作方法,係與上述供電用端子15之製作方法相同,可例如有以供電用端子22為導電性複合燒結體時,將導電性陶瓷粉末成形為所希望之形狀而進行加壓燒成之方法等。
此外,供電用端子22為金屬時,可例如有使用高熔點金屬,藉由研磨法、粉末冶金等金屬加工等來形成之方法等。
另一方面,對由鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)等所構成之金屬材料施行機械加工,且視需要形成使水循環於金屬材料內部之流路等,而且,形成用以嵌入保持供電用端子15及絕緣子17之固定孔、及用以嵌入保持供電用端子22及絕緣子23之固定孔而作成溫度調整用基座部3。
對於溫度調整用基座部3之至少曝露於電漿之面,係以施行氧化鋁膜處理、或是使氧化鋁等之絕緣膜成膜於該面為佳。
接著,將溫度調整用基座部3之與靜電吸盤部2之黏合面,使用例如丙酮(acetone)進行脫脂、洗淨,且在此黏合面上的預定位置,黏接聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性之片狀或薄膜狀黏接性樹脂而作成黏接材料6。
接著,在黏接材料6上,黏接與黏接材料6相同平面形狀之聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有絕緣性及耐電壓性之薄膜狀或片狀樹脂而作成絕緣構件7。
接著,在疊層有黏接材料6及絕緣構件7之溫度調整用基座部3上之預定區域,塗佈例如由矽酮系樹脂組成物所構成之黏接劑。黏接劑之塗佈量係設為預定之範圍內,以使靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3在藉由間隔件(spacer)保持一定間隔之狀態下黏合一體化。
以黏接劑之塗佈方法而言,例如有使用刮刀等以手動方式塗佈以外,尚有棒式塗佈(bar coating)法、網版印刷法等,惟由於在溫度調整用基座部3上之預定區域需以良好精確度形成,因此係以使用網版印刷法等為佳。
塗佈後,透過黏接劑將靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3重疊。此時,係將立設之供電用端子15及絕緣子17、供電用端子22及絕緣子23插入嵌入於溫度調整用基座部3中穿設之供電用端子收容孔(未圖示)。
接著,將靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間隔壓癟至間隔件之厚度,且將所擠壓出之多餘的黏接劑去除。
藉由以上方式,靜電吸盤部2及溫度調整用基座部3即透過黏接材料6、絕緣構件7及有機系黏接劑層8而黏合一體化,而獲得本實施形態之靜電吸盤裝置1。
以此方式所獲得之靜電吸盤裝置1,由於係將透過片狀或薄膜狀黏接材料4黏接有加熱器元件5之靜電吸盤部2、及溫度調整用基座部3,透過有機系黏接劑層8及片狀或薄膜狀絕緣構件7而黏接一體化,因此靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的絕緣可維持在良好狀態。因此,可使靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的耐電壓性提升。
此外,由於透過片狀或薄膜狀黏接材料4將加熱器元件5黏接於靜電吸盤部2,因此可提高靜電吸盤部2之載置面中之面內溫度之均勻性,而可使加熱器元件5之耐電壓性更進一步提升。
再者,由於使有機系黏接劑層8介設於黏接有加熱器元件5之靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間,因此使有機系黏接劑層8對於靜電吸盤部2發揮作為緩和急遽膨脹、收縮之緩衝層功能,而可防止靜電吸盤部2中之龜裂或破損等,因此,可使靜電吸盤部2之耐久性提升。
以下藉由實施例及比較例具體說明本發明,惟本發明並不限定於此等實施例。
(靜電吸盤裝置之製作)
藉由公知之方法,製作在內部埋設有厚度為20μm之靜電吸附用內部電極13的靜電吸盤部2。
靜電吸盤部2之載置板11係為含有8.5質量%之碳化矽的氧化鋁-碳化矽複合燒結體,且直徑為298mm,厚度為0.5mm之圓板狀。此外,藉由將載置板11之靜電吸附面形成高度為40μm之多數個突起部16而作成凹凸面,且將此等突起部16之頂面設為板狀試料W之保持面,而可使冷卻氣體流通於形成於凹部與靜電吸附之板狀試料W之間的溝。
此外,支撐板12亦與載置板11同樣為含有8.5質量%之碳化矽的氧化鋁-碳化矽複合燒結體,且直徑為298mm,厚度為2mm之圓板狀。
藉由將載置板11及支撐板12予以黏合一體化,靜電吸盤部2之整體厚度即成為2.5mm。
另一方面,藉由機械加工製作直徑為350mm、高度為30mm之鋁製溫度調整用基座部3。在溫度調整用基座部3之內部係形成使冷煤循環之流路(未圖示)。
此外,以氧化鋁燒結體來製作寬度為2000μm、長度為2000μm、高度為200μm之角狀間隔件。
接著,使用丙酮將靜電吸盤部2之支撐板12之表面(下表面)進行脫脂、洗淨,且在此表面之預定區域,黏接由厚度為20μm之環氧樹脂所構成之黏接劑片而作成黏接材料4。
接著,在黏接材料4上載置厚度為100μm之鈦(Ti)薄板。接著,在真空中,於150℃下加壓保持,且將靜電吸盤部2與鈦(Ti)薄板予以黏接固定。
接著,藉由光微影法將鈦(Ti)薄板,蝕刻加工成第2圖所示之加熱器樣式而作成加熱器元件5。此外,使用熔接法將鈦製供電用端子22立設於加熱器元件5。
藉此,獲得附帶有加熱器元件之靜電吸盤部。
接著,使用丙酮將溫度調整用基座部3之與靜電吸盤部2之黏合面進行脫脂、洗淨,且在此黏合面上之預定位置,黏接由厚度為20μm之環氧樹脂所構成之黏接劑片作為黏接材料6,接著,在此黏接劑片上,黏接厚度為50μm之聚醯亞胺薄膜作為絕緣構件7。
此外,在氮化鋁(AlN)粉末中,混合相對於上述氮化鋁(AlN)粉末為20vol%之矽酮樹脂-氮化鋁(AlN)粉末,且對此混合物施行攪拌脫泡處理,而獲得矽酮系樹脂組成物。
另外,氮化鋁粉末係使用藉由濕式篩所選出之粒徑為平均10至20μm者。
接著,藉由網版印刷法將矽酮系樹脂組成物塗佈於疊層有黏接劑片及聚醯亞胺薄膜之溫度調整用基座部上,接著,透過矽酮系樹脂組成物將靜電吸盤部與溫度調整用基座部重疊。
接著,於靜電吸盤部之加熱器元件與溫度調整用基座部之間隔壓癟至角狀間隔件之高度,亦即200μm之後,在110℃下保持12小時,使矽酮系樹脂組成物硬化而將靜電吸盤部與溫度調整用基座部黏合,而製作實施例1之靜電吸盤裝置。
(評估)
分別就實施例1之靜電吸盤裝置之(1)耐電壓性、(2)矽晶圓之面內溫度控制及升降溫特性、(3)準電漿入熱下之矽晶圓之面內溫度控制進行評估。
(1)耐電壓性
在溫度調整用基座部3與加熱器元件5之間,從1kV起,逐次以1kV階段性地上升,而施加最大值10kV的電壓來測量各電壓中之洩漏電流。在此,係製作溫度調整用基座部3與加熱器元件5之間之有機系黏接劑層8的厚度為100μm、200μm、300μm之3種靜電吸盤裝置,且評估各個裝置之耐電壓性。
結果,3種靜電吸盤裝置於施加10kV之電壓時之洩漏電流均為0.1μA以下,顯示極為良好的耐電壓性。
(2)矽晶圓之面內溫度及升降溫特性
a.使直徑為300mm之矽晶圓靜電吸附於靜電吸盤部2之載置面,且使20℃之冷卻水一面循環於溫度調整用基座部3之流路(未圖示),一面對加熱器元件5之外加熱器5b及內加熱器5a通電使矽晶圓之中心溫度成為40℃,且使用熱像(thermography,商標名稱)TVS-200EX(日本AVIONICS公司製)測量此時之矽晶圓的面內溫度分佈。結果如第3圖所示。第3圖中,A係顯示矽晶圓之一直徑方向之面內溫度分布,B係顯示與矽晶圓之上述一直徑方向正交之直徑方向之面內溫度分布。如第3圖所示,實施例1的面內溫度分佈為±2℃,明確地表示實施例1之面內溫度均勻性良好。
b.接著,提高加熱器元件5之外加熱器5b之通電量,依升溫速度3.6℃/秒使之升溫,使矽晶圓外周部
之溫度成為60℃,且將此時之矽晶圓之面內溫度分布使用熱像TVS-200EX(日本AVIONICS公司製)進行測量。結果如第4圖所示。第4圖中,A係顯示矽晶圓之一直徑方向之面內溫度分布,B係顯示與矽晶圓之上述一直徑方向正交之直徑方向之面內溫度分布。
c.再停止加熱器元件5之外加熱器5b之通電,依降溫速度4.0℃/秒使之降溫,使矽晶圓外周部之溫度成為20℃,將此時之矽晶圓之面內溫度分布使用熱像TVS-200EX(日本AVIONICS公司製)進行測量。結果如第5圖所示。第5圖中,A係顯示矽晶圓之一直徑方向之面內溫度分布,B係顯示與矽晶圓之上述一直徑方向正交之直徑方向之面內溫度分布。
依據上述a至c之測量結果,可得知矽晶圓之面內溫度係在±20℃之範圍內受到良好控制。
(3)準電漿入熱下之矽晶圓之面內溫度控制
將靜電吸盤裝置1固定於真空室(chamber)內,來測量準電漿入熱下之矽晶圓之面內溫度。在此,作為準電漿入熱,係使用配設於從靜電吸盤裝置1之載置面起40mm上部,直徑為300mm之面狀且外周部發熱量較內部多之外部加熱器所進行之加熱。另外,使30torr之壓力之He氣體流通於在矽晶圓與靜電吸盤部2之靜電吸附面之間所形成的溝。
在此,首先使直徑300mm之矽晶圓靜電吸附於靜電吸
盤部2之載置面,且使20℃之冷卻水一面循環於溫度調整用基座部3之流路(未圖示),一面對加熱器元件5之內加熱器5a進行通電,以使整體矽晶圓溫度成為40℃。
d.接著,一面維持上述通電狀態,一面再對外加熱器5b亦進行通電。將此時之矽晶圓之面內溫度藉由熱電偶進行測量後發現,矽晶圓中心部之溫度係為60℃,而矽晶圓外周部之溫度係為70℃。
e.接著,在維持加熱器元件5之內加熱器5a及外加熱器5b之通電狀態下,降低加熱器元件5之外加熱器5b之通電量。將此時之矽晶圓之面內溫度藉由熱電偶測量後發現,在矽晶圓全域中,溫度係固定為60℃。
依據上述d至e之測量結果可得知,即使在準電漿入熱下,矽晶圓之面內溫度亦可在10℃之範圍內受到良好地控制。
(靜電吸盤裝置之製作)
除將靜電吸盤部2之載置板11及支撐板12設為氧化釔燒結體,及將靜電吸附用內部電極13設為氧化釔-鉬導電性複合燒結體以外,均比照實施例1來製作實施例2之靜電吸盤裝置。
(評估)
比照實施例1評估實施例2之靜電吸盤裝置。
結果,(1)關於耐電壓性方面,施加10Kv或4Kv之電壓時之洩漏電流為0.1μA以下,顯示出極為良好的耐電壓性。
(2)在矽晶圓之面內溫度控制及升降溫特性方面,可得知矽晶圓之面內溫度在20℃之範圍內受到良好地控制。此外,(3)在準電漿入熱下之矽晶圓之面內溫度控制方面,亦可得知矽晶圓之面內溫度在10℃之範圍內受到良好地控制。
(靜電吸盤裝置之製作)
除將由具有黏性之液狀環氧樹脂所構成之黏接劑塗佈於靜電吸盤部2之支撐板12之表面(下表面)之預定區域而形成黏接劑層,且在此黏接劑層上,黏接固定厚度為100μm之鈦(Ti)薄板以外,均比照實施例1來製作比較例1之靜電吸盤裝置。
(評估)
比照實施例1來評估比較例1之靜電吸盤裝置。
結果,(1)關於耐電壓性方面,施加10kV或4kV之電壓時之洩漏電流為0.5μA以下,雖顯示極為良好的耐電壓性,但是(2)當矽晶圓之中心溫度成為40℃同時使20℃之冷卻水進行循環時(亦即,步驟a)所測量之矽晶圓之面內溫度分佈,係在±5.0℃之範圍,可得知面內溫度均勻性降低。相較於第3圖所示結果(其面內溫度均勻性為±2.0℃),比較例1之晶圓的面內溫度均勻性低劣。此外,(3)矽晶圓之面內溫度亦成為±5.0℃之範圍,面內溫度均勻性降低。
(靜電吸盤裝置之製作)
除未將片黏接劑及聚醯亞胺薄膜依序黏接於溫度調整用基座部3之與靜電吸盤部2之黏合面上以外,均比照實施例1來製作比較例2之靜電吸盤裝置。
(評估)
比照實施例1來評估比較例2之靜電吸盤裝置。
結果,(1)關於耐電壓性方面,在溫度調整用基座部3與加熱器元件5之間的有機系黏接劑層8之厚度為100μm時,於2.6kV至7kV會產生放電,而在厚度為200μm時,於10kV會產生放電,而在厚度為300μm時,於10kV則不會產生放電。結果,在有機系黏接劑層8之厚度為300μm時雖顯示極為良好的耐電壓性,但厚度為200μm以下時,會在10kV或其以下之電壓產生放電,而使耐電壓性降低。
另一方面,(2)在矽晶圓之面內溫度控制及升降溫特性方面,矽晶圓之面內溫度在±20℃之範圍內受到良好地控制,可得知面內溫度均勻性提升。此外,(3)在準電漿入熱下之矽晶圓之面內溫度控制方面,矽晶圓之面內溫度在10℃之範圍內亦受到良好地控制,可得知面內溫度均勻性提升。
1...靜電吸盤裝置
2...靜電吸盤部
3...溫度調整用基座部
4...黏接材料
5...加熱器元件
5a...內加熱器
5b...外加熱器
6...黏接材料
7...絕緣構件
8...有機系黏接劑層
11...載置板
12...支撐板
13...靜電吸附用內部電極
14...絕緣材料層
15...供電用端子
16...突起部
17...絕緣子
21...與供電用端子之連接位置
22...供電用端子
23...絕緣子
W...板狀試料
第1圖係為顯示本發明一實施形態之靜電吸盤裝置之剖面圖。
第2圖係為顯示在本發明一實施形態之靜電吸盤裝置中,加熱器元件之加熱器樣式之一例之平面圖。
第3圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中,冷卻時之矽晶圓之面內溫度分布圖。
第4圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中,保持於50℃時之矽晶圓之面內溫度分布圖。
第5圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中,升溫時之矽晶圓之面內溫度分布圖。
1...靜電吸盤裝置
2...靜電吸盤部
3...溫度調整用基座部
4...黏接材料
5...加熱器元件
6...黏接材料
7...絕緣構件
8...有機系黏接劑層
11...載置板
12...支撐板
13...靜電吸附用內部電極
14...絕緣材料層
15...供電用端子
16...突起部
17...絕緣子
22...供電用端子
23...絕緣子
W...板狀試料
Claims (8)
- 一種靜電吸盤裝置,係具備:靜電吸盤部,將一主面設為載置板狀試料之載置面,並且內建有靜電吸附用內部電極、及溫度調整用基座部,將靜電吸盤部調整為所希望之溫度,其特徵為:在與前述靜電吸盤部之前述載置面相反側之主面,係透過黏接材料黏接有加熱構件,前述溫度調整用基座部之前述靜電吸盤部側之面之整體或一部分,係藉由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆蓋,黏接有加熱構件之前述靜電吸盤部、與由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆蓋之前述溫度調整用基座部,係透過將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而黏接一體化。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述片狀或薄膜狀絕緣材料係藉由片狀或薄膜狀黏接材料而黏接於前述溫度調整用基座部。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述靜電吸盤部之厚度係為0.7mm以上而且為3.0mm以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述加熱構件係為由厚度0.2mm以下之非磁性金屬所構成之薄板狀加熱器元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前 述黏接材料係為矽酮(silicone)系或丙烯酸(acrylic)系之黏接材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述黏接材料之厚度之參差係為10μm以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述靜電吸盤部係具備:載置板,將一主面設為前述載置面;支撐板,與載置板一體化,用以支撐載置板;及前述靜電吸附用內部電極,設於載置板與支撐板之間,前述載置板係由氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化釔燒結體所構成。
- 如申請專利範圍第7項所述之靜電吸盤裝置,其中,前述載置板之厚度係為0.3mm以上而且為2.0mm以下。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010018210 | 2010-01-29 | ||
JP2010216823A JP5423632B2 (ja) | 2010-01-29 | 2010-09-28 | 静電チャック装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201133702A TW201133702A (en) | 2011-10-01 |
TWI518835B true TWI518835B (zh) | 2016-01-21 |
Family
ID=44319431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100103275A TWI518835B (zh) | 2010-01-29 | 2011-01-28 | 靜電吸盤裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343346B2 (zh) |
JP (1) | JP5423632B2 (zh) |
KR (1) | KR101677922B1 (zh) |
CN (1) | CN102741998B (zh) |
TW (1) | TWI518835B (zh) |
WO (1) | WO2011093451A1 (zh) |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012090782A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | ワーク加熱装置及びワーク処理装置 |
JP5994772B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-09-21 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5957812B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
NL2009189A (en) * | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5915026B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-05-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置 |
US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
JP6085616B2 (ja) | 2012-02-03 | 2017-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び基板ホルダの製造方法 |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
JP5982887B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-08-31 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US9090046B2 (en) | 2012-04-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated article and process for applying ceramic coating |
KR20150013627A (ko) * | 2012-04-26 | 2015-02-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Esc 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치 |
US11823890B2 (en) * | 2012-06-12 | 2023-11-21 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multiple zone heater |
US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
JP6014513B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及び制御方法 |
US9105676B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Method of removing damaged epoxy from electrostatic chuck |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US9685356B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
US8941969B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
JP2014138164A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
JP6140457B2 (ja) | 2013-01-21 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 接着方法、載置台及び基板処理装置 |
KR102209735B1 (ko) | 2013-02-07 | 2021-02-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
KR101729603B1 (ko) * | 2013-02-25 | 2017-04-24 | 쿄세라 코포레이션 | 시료 유지구 |
US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
US9887121B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Protective cover for electrostatic chuck |
US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
CN104241183B (zh) * | 2013-06-08 | 2017-09-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置 |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
TWI512856B (zh) * | 2013-07-10 | 2015-12-11 | Shinkawa Kk | 黏晶平台及其製造方法 |
JP6441927B2 (ja) | 2013-08-06 | 2018-12-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 局部的に加熱されるマルチゾーン式の基板支持体 |
CN104465450B (zh) * | 2013-09-22 | 2017-05-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法 |
JP6319023B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-05-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
KR101458864B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2014-11-07 | (주)엘케이솔루션 | 정전척 |
US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
CN104752301B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种静电卡盘以及腔室 |
JP6215104B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-10-18 | 新光電気工業株式会社 | 温度調整装置 |
KR101593557B1 (ko) | 2014-03-25 | 2016-02-16 | 한국생산기술연구원 | 하이브리드 정전척 및 그 제조방법 |
DE102014008031B4 (de) | 2014-05-28 | 2020-06-25 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung |
DE102014007903A1 (de) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit Noppen-Elektroden und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102014008030A1 (de) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co | Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung |
DE102014008029B4 (de) | 2014-05-28 | 2023-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Elektroden-Trägerscheibe und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung |
US9543171B2 (en) * | 2014-06-17 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element |
JP6442296B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
JP6469985B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2019-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
WO2016060205A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6380177B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
WO2016152345A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10622239B2 (en) * | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP6799014B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2020-12-09 | ワトロー エレクトリック マニュファクチャリング カンパニー | 高熱伝導率ウェハー支持ペデスタル装置 |
JP6451536B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2019-01-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法 |
JP2017028111A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR101776562B1 (ko) * | 2015-08-20 | 2017-09-07 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 정전 척 히터 |
JP6558184B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-08-14 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US11116046B2 (en) * | 2015-11-12 | 2021-09-07 | Kyocera Corporation | Heater |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
JP6572788B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-09-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6531675B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-06-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6642170B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-02-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置及びその製造方法 |
JP6597437B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-10-30 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US20180019104A1 (en) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber component assembly with plasma resistant seal |
JP6666809B2 (ja) | 2016-08-08 | 2020-03-18 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
JP6708518B2 (ja) | 2016-08-09 | 2020-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
WO2018123729A1 (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
KR102543049B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2023-06-14 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 복합 소결체, 정전 척 부재, 및 정전 척 장치 |
JP6615153B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法 |
JP6905399B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-07-21 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
JP6489195B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-03-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US11631574B2 (en) | 2017-11-24 | 2023-04-18 | Tocalo Co., Ltd. | Heater component |
US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
JP6702385B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-06-03 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6700362B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-05-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造用部品 |
CN111081517B (zh) * | 2018-10-19 | 2023-03-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种静电吸盘的防腐蚀方法 |
JP7329917B2 (ja) | 2018-11-30 | 2023-08-21 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
JP2020105590A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7278139B2 (ja) * | 2019-04-19 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台 |
JP7328018B2 (ja) | 2019-06-13 | 2023-08-16 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
JP7379166B2 (ja) * | 2020-01-07 | 2023-11-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法 |
JP7447154B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-03-11 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体の製造方法 |
KR102677038B1 (ko) * | 2020-05-22 | 2024-06-19 | 세메스 주식회사 | 정전 척과 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
US20240312769A1 (en) * | 2020-12-28 | 2024-09-19 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Ceramic assembly and electrostatic chuck device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2521471B2 (ja) | 1987-05-14 | 1996-08-07 | 富士通株式会社 | 静電吸着装置 |
JPH05347352A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック装置及びその製造方法 |
JP3208029B2 (ja) | 1994-11-22 | 2001-09-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその作製方法 |
US6094334A (en) * | 1999-03-02 | 2000-07-25 | Applied Materials, Inc. | Polymer chuck with heater and method of manufacture |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
WO2002089531A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-11-07 | Lam Research, Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
JP3978011B2 (ja) | 2001-10-31 | 2007-09-19 | 京セラ株式会社 | ウエハ載置ステージ |
JP2003258065A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | ウエハ載置ステージ |
US6838646B2 (en) * | 2002-08-22 | 2005-01-04 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Susceptor device |
US20040261946A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
JP4666903B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材 |
JP4349952B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-10-21 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
US7713431B2 (en) * | 2004-06-10 | 2010-05-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
JP4596883B2 (ja) | 2004-10-28 | 2010-12-15 | 京セラ株式会社 | 環状ヒータ |
US8038796B2 (en) * | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
JP4727434B2 (ja) | 2006-01-18 | 2011-07-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP4811790B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-11-09 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP5183058B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2013-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 |
JP5018244B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
-
2010
- 2010-09-28 JP JP2010216823A patent/JP5423632B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-28 TW TW100103275A patent/TWI518835B/zh active
- 2011-01-28 US US13/575,545 patent/US9343346B2/en active Active
- 2011-01-28 WO PCT/JP2011/051756 patent/WO2011093451A1/ja active Application Filing
- 2011-01-28 CN CN201180007703.1A patent/CN102741998B/zh active Active
- 2011-01-28 KR KR1020127022340A patent/KR101677922B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9343346B2 (en) | 2016-05-17 |
JP2011176275A (ja) | 2011-09-08 |
US20120299253A1 (en) | 2012-11-29 |
KR101677922B1 (ko) | 2016-11-21 |
CN102741998B (zh) | 2016-04-13 |
TW201133702A (en) | 2011-10-01 |
KR20120120373A (ko) | 2012-11-01 |
WO2011093451A1 (ja) | 2011-08-04 |
CN102741998A (zh) | 2012-10-17 |
JP5423632B2 (ja) | 2014-02-19 |
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