KR101776562B1 - 정전 척 히터 - Google Patents

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Abstract

정전 척 히터(20)는 정전 척(22), 시트 히터(30) 및 지지대(60)를 구비한다. 정전 척(22)은, 세라믹스 소결체(26)에 정전 전극(24)이 매설된 것이다. 시트 히터(30)는, 복수의 보정 히터 전극(34) 및 복수의 기준 히터 전극(44)을 갖는 수지 시트(32)이다. 이 시트 히터(30)는, 한쪽의 면이 정전 척(22)에 수지 접착되고, 다른쪽의 면이 금속제의 지지대(60)에 수지 접착되어 있다.

Description

정전 척 히터{ELECTROSTATIC CHUCK HEATER}
본 발명은 정전 척 히터에 관한 것이다.
정전 척 히터로서는, 세라믹스 소결체에 정전 전극과 히터 전극을 매설한 기판에, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 지지대를 접합재를 통해 접합한 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 이러한 정전 척 히터는, 편면(片面)에 히터 전극용 페이스트를 인쇄한 제1 성형체와, 양면 모두 인쇄하지 않은 제2 성형체와, 편면에 정전 전극용 페이스트를 인쇄한 제3 성형체를 각 인쇄면을 사이에 끼우도록 적층하고, 그 적층체를 하소한 후 핫 프레스 소성하여 제작된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2013-229310호 공보
그러나, 정전 전극과 히터 전극을 구비한 적층체를 일체 소성하는 경우, 소성 시에 히터 전극이 변형되거나 히터 전극의 표면이 주위의 성분과 반응하여 저항값이 변화하거나 하는 것 등에 의해, 높은 균열성을 달성할 수 없을 우려가 있었다.
본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 높은 균열성을 달성하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 정전 척 히터는,
세라믹스 소결체에 정전 전극이 매설된 정전 척과,
1 또는 복수의 히터 전극을 갖는 수지 시트로서 한쪽의 면이 상기 정전 척에 수지 접착된 시트 히터와,
상기 시트 히터의 다른쪽의 면에 수지 접착된 금속제의 지지대
를 구비한 것이다.
이 정전 척 히터에서는, 시트 히터의 한쪽의 면이 세라믹스 소결체에 수지 접착되고, 다른쪽의 면이 지지대에 수지 접착된 것이다. 이 정전 척 히터는, 히터 전극을 세라믹스의 소성 온도에 노출되는 일없이 제조할 수 있기 때문에, 히터 전극이 열로 변형되거나 주위의 성분과 반응하여 저항값이 변화하거나 하는 일이 없다. 따라서, 히터 전극의 저항값을 목표의 저항값으로 설정하기 쉬워, 높은 균열성을 달성할 수 있다.
본 발명의 정전 척 히터에 있어서, 상기 시트 히터는, 상기 시트 히터의 표면에 평행하며 높이가 상이한 제1 전극 영역과 제2 전극 영역을 가지고, 상기 제1 전극 영역은 복수의 히터 전극이 배치된 영역이며, 상기 제2 전극 영역은 상기 복수의 히터 전극의 각각에 급전하는 복수의 점퍼선이 배치된 영역이고, 상기 점퍼선 중 상기 히터 전극에 접속되는 일단과는 반대측의 타단이 상기 시트 히터의 외주측의 소정 위치에 배치되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 각 히터 전극에 공급하는 전력을 개별로 제어할 수 있기 때문에, 높은 균열성을 달성하기 쉽다. 또한, 「평행」에는, 완전히 평행한 경우 외에, 완전히 평행하지 않아도 제조상의 오차·공차 등은 허용되는 것으로 한다.
이 경우, 상기 복수의 점퍼선은, 각각 상기 시트 히터의 다른쪽의 면(지지대에 수지 접착된 면)에 마련된 복수의 점퍼 랜드에 전기적으로 접속되고, 상기 복수의 점퍼 랜드는, 상기 지지대에 마련된 관통 구멍에 면하고 있어도 좋다. 이렇게 하면, 점퍼 랜드는 지지대의 이면으로부터 노출되어 있기 때문에, 점퍼 랜드를 외부 전원에 용이하게 접속할 수 있다.
또한, 상기 복수의 점퍼 랜드는, 2개 이상이 1조가 되도록 복수의 조로 나누어지고, 각 조에 속하는 상기 점퍼 랜드는, 공통의 상기 관통 구멍에 면하고 있으며, 그 관통 구멍에 삽입된 하나의 플렉시블한 금속 도선 집합체를 통해 외부 전원과 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 점퍼 랜드마다 금속 배선을 1개씩 준비할 필요가 없기 때문에, 점퍼 랜드를 외부 전원에 접속하는 작업이 간소화된다. 또한, 플렉시블한 금속 도선 집합체를 이용하고 있기 때문에, 점퍼 랜드와 금속 도선 집합체 사이의 응력을 금속 도선 집합체가 흡수할 수 있다.
또한, 상기 시트 히터는, 상기 제1 전극 영역 및 상기 제2 전극 영역과 평행하며 높이가 상이한 제3 전극 영역을 가지고, 상기 제3 전극 영역은 상기 복수의 히터 전극에 전기적으로 접속된 공통의 접지 전극이 배치된 영역이어도 좋다. 이렇게 하면, 접지 전극의 배선을 둘러칠 필요가 없다. 또한, 접지 전극은, 시트 히터의 다른쪽의 면(지지대에 수지 접착된 면)에 마련된 접지 랜드에 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 이 접지 랜드는, 복수의 점퍼 랜드를 복수의 조로 나눈 경우에는, 각 조에 속하는 점퍼 랜드가 면하는 관통 구멍에 대응하여 마련되어 있어도 좋다. 그 경우, 접지 랜드는, 점퍼 랜드에 접속되는 금속 도선 집합체를 이용하여 외부 전원과 전기적으로 접속되어 있어도 좋다.
또한, 상기 시트 히터는, 상기 제1 전극 영역 및 상기 제2 전극 영역과 평행하며 높이가 상이한 제4 전극 영역을 가지고, 상기 제4 전극 영역은 상기 히터 전극보다 고출력의 1 이상의 기준 히터 전극이 배치된 영역이어도 좋다. 이렇게 하면, 고출력의 기준 히터 전극에 의해 정전 척 히터의 전체 온도를 높게 할 수 있고, 기준 히터 전극에서는 확보할 수 없는 균열성을 저출력의 히터 전극에 의해 미세하게 제어할 수 있다.
이때, 상기 제1 전극 영역, 상기 제2 전극 영역, 상기 제3 전극 영역 및 상기 제4 전극 영역은, 상기 시트 히터의 상기 한쪽의 면(정전 척에 수지 접착된 면)으로부터 상기 다른쪽의 면을 향하여 이 순서로 배열되어 있는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 점퍼선이 배치된 제2 전극 영역과 접지 전극이 배치된 제3 전극 영역은, 기준 히터 전극의 열을 면 방향으로 확산시키는 열 확산층으로서 기능하기 때문에, 정전 척에 배치되는 웨이퍼의 균열성이 향상된다. 또한, 히터 전극은 정전 척의 근처에 배치되기 때문에, 히터 전극에 의한 온도 조정의 해상도가 양호해져, 웨이퍼의 균열성을 미세하게 제어할 수 있다.
본 발명의 정전 척 히터에 있어서, 상기 정전 척과 상기 시트 히터의 수지 접착 및 상기 시트 히터와 상기 지지대의 수지 접착에는, 본딩 시트가 이용되고 있어도 좋다. 본딩 시트로서는, 코어재의 양면에 아크릴 또는 실리콘의 수지층을 구비한 시트나 에폭시 수지 단독의 시트 등을 들 수 있다.
도 1은 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 시트 히터(30)의 내부 구조를 나타내는 사시도이다.
도 3은 시트 히터(30)의 일부를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 시트 히터(30)에 접속용 플렉시블 프린트 기판(75) 및 케이블 단자(77)를 부착한 모습을 나타내는 개략 단면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성을 나타내는 단면도이고, 도 2는 시트 히터(30)의 내부 구조를 나타내는 사시도이다.
반도체 제조 장치인 플라즈마 처리 장치(10)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 진공 챔버(12)와, 샤워 헤드(14)와, 정전 척 히터(20)를 구비한다. 진공 챔버(12)는, 알루미늄 합금 등에 의해 박스형으로 형성된 용기이다. 샤워 헤드(14)는, 진공 챔버(12)의 천장면에 마련되어 있다. 샤워 헤드(14)는, 가스 도입관(16)으로부터 공급되는 프로세스 가스를 다수의 가스 분사 구멍(18)으로부터 진공 챔버(12)의 내부에 방출한다. 또한, 샤워 헤드(14)는, 플라즈마 생성용의 캐소드판으로서의 역할을 달성한다. 정전 척 히터(20)는, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(22a)에 흡착 유지하는 장치이다. 이하, 정전 척 히터(20)에 대해서 상세하게 설명한다.
정전 척 히터(20)는 정전 척(22), 시트 히터(30) 및 지지대(60)를 구비한다. 정전 척(22)의 하면과 시트 히터(30)의 상면(30a)은 제1 본딩 시트(81)를 통해 서로 접착되어 있다. 지지대(60)의 상면과 시트 히터(30)의 하면(30b)은 제2 본딩 시트(82)를 통해 서로 접착되어 있다. 각 본딩 시트(81, 82)로서는, 폴리프로필렌제의 코어재의 양면에 아크릴 수지층을 구비한 시트, 폴리이미드제의 코어재의 양면에 실리콘 수지층을 구비한 시트, 에폭시 수지 단독의 시트 등을 들 수 있다.
정전 척(22)은, 원판형의 부재이며, 세라믹스 소결체(26)에 정전 전극(24)이 매설된 것이다. 세라믹스 소결체(26)로서는, 예컨대 질화알루미늄 소결체나 알루미나 소결체 등을 들 수 있다. 정전 척(22)의 상면은, 웨이퍼(W)를 배치하는 웨이퍼 배치면(22a)으로 되어 있다. 세라믹스 소결체(26)의 두께는, 특별히 한정하는 것이 아니지만, 0.5 ㎜~4 ㎜가 바람직하다.
시트 히터(30)는 원판형의 부재이며, 내열성의 수지 시트(32)에 보정 히터 전극(34), 점퍼선(36), 접지 전극(40) 및 기준 히터 전극(44)을 내장한 것이다. 수지 시트(32)의 재질로서는, 예컨대 폴리이미드 수지나 액정 폴리머 등을 들 수 있다. 시트 히터(30)는, 시트 히터(30)의 상면(30a)에 평행하며 높이가 상이한 제1 전극 영역(A1)~제4 전극 영역(A4)(도 2 참조)을 가지고 있다.
제1 전극 영역(A1)은, 다수의 존 Z1(예컨대 100존이나 300존)으로 나누어져 있다. 각 존 Z1에는, 보정 히터 전극(34)이 한붓 그리기 요령으로 일단(34a)으로부터 타단(34b)까지 그 존 Z1의 전체에 골고루 미치도록 배선되어 있다. 도 2에서는, 제1 전극 영역(A1)에 점선으로 나타내는 가상선을 긋고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존 Z1으로 하였다. 이 도 2에서는, 편의상, 하나의 존 Z1에만 보정 히터 전극(34)을 나타내었지만, 다른 존 Z1에도 동일한 보정 히터 전극(34)이 마련되어 있다. 또한, 시트 히터(30)의 외형을 일점 쇄선으로 나타내었다.
제2 전극 영역(A2)에는, 복수의 보정 히터 전극(34)의 각각에 급전하는 점퍼선(36)이 마련되어 있다. 그 때문에, 점퍼선(36)의 수는 보정 히터 전극(34)의 수와 일치한다. 제2 전극 영역(A2)은, 존 Z1의 수보다 적은 수(예컨대 6존이나 8존)의 존 Z2으로 나누어져 있다. 도 2에서는, 제2 전극 영역(A2)에 점선으로 나타내는 가상선을 긋고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존 Z2으로 하였다. 이 도 2에서는, 편의상, 하나의 존 Z2에만 점퍼선(36)(일부)을 나타내었지만, 다른 존 Z2에도 동일한 점퍼선(36)이 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 하나의 존 Z2을 제1 전극 영역(A1)에 투영하였을 때의 투영 영역 안에 들어가는 복수의 보정 히터 전극(34)을, 동일한 조에 속하는 것으로서 설명한다. 하나의 조에 속하는 보정 히터 전극(34)의 일단(34a)은, 그 조에 대응하는 존 Z2 내의 점퍼선(36)의 일단(36a)에, 제1 전극 영역(A1)과 제2 전극 영역(A2) 사이를 상하 방향으로 관통하는 비아(35)(도 1 참조)를 통해 접속되어 있다. 그 점퍼선(36)의 타단(36b)은 그 존 Z2에 마련된 외주 영역(38)까지 인출되어 있다. 그 결과, 동일한 조에 속하는 보정 히터 전극(34)에 접속된 점퍼선(36)의 타단(36b)은, 하나의 외주 영역(38)에 정리하여 배치되어 있다. 그 외주 영역(38)을 시트 히터(30)의 하면(30b)에 투영한 영역(X) 내에는, 각 점퍼선(36)의 타단(36b)과 비아(41)(도 1 참조)를 통해 접속되는 점퍼 랜드(46a)가 배열되어 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 복수의 점퍼 랜드(46a)는, 2개 이상이 1조가 되어 동일한 영역(X)에 외부에 노출되도록 배치되어 있다. 또한, 보정 히터 전극(34)의 비저항은 점퍼선(36)의 비저항 이상으로 하는 것이 바람직하다.
제3 전극 영역(A3)에는, 복수의 보정 히터 전극(34)에 공통의 접지 전극(40)이 마련되어 있다. 각 보정 히터 전극(34)은, 제1 전극 영역(A1)으로부터 제2 전극 영역(A2)을 지나 제3 전극 영역(A3)에 이르는 비아(42)(도 1 참조)를 통해 접지 전극(40)에 접속되어 있다. 또한, 접지 전극(40)은, 외주로부터 외측으로 비어져 나온 돌기(40a)를 가지고 있다. 이 돌기(40a)는, 각 외주 영역(38)의 노치(39)와 마주보는 위치에 마련되어 있다. 이 돌기(40a)는, 시트 히터(30)의 하면(30b)에 마련된 접지 랜드(46b)에 비아(43)(도 1 참조)를 통해 접속되어 있다. 접지 랜드(46b)는, 시트 히터(30)의 하면(30b)의 영역(X) 내에 점퍼 랜드(46a)와 함께 마련되어 있다.
제4 전극 영역(A4)은, 제1 전극 영역(A1)에 마련된 보정 히터 전극(34)의 총수보다 적은 수(예컨대 4존이나 6존)의 존 Z4로 나누어져 있다. 각 존 Z4에는, 보정 히터 전극(34)보다 고출력의 기준 히터 전극(44)이 한붓 그리기 요령으로 일단(44a)으로부터 타단(44b)까지 그 존 Z4의 전체에 골고루 미치도록 배선되어 있다. 도 2에서는, 제4 전극 영역(A4)에 점선으로 나타내는 가상선을 긋고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존 Z4로 하였다. 이 도 2에서는, 편의상, 하나의 존 Z4에만 기준 히터 전극(44)을 나타내었지만, 다른 존 Z4에도 동일한 기준 히터 전극(44)이 마련되어 있다. 각 기준 히터 전극(44)의 양단(44a, 44b)은, 제4 전극 영역(A4)으로부터 시트 히터(30)의 하면(30b)에 이르는 도시하지 않는 비아를 통해 시트 히터(30)의 하면(30b)에 마련된 한쌍의 기준 랜드(50a, 50b)에 접속되어 있다.
지지대(60)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, Al 또는 Al 합금 등의 금속으로 제작된 원판형의 부재이며, 내부에 냉매 유로(62)가 마련되어 있다. 냉매 유로(62)의 입구(62a)와 출구(62b)에는, 냉매의 온도를 조정하는 칠러(70)가 접속되어 있다. 냉매는, 칠러(70)로부터 냉매 유로(62)의 입구(62a)에 공급되면, 지지대(60)의 전체에 골고루 미치도록 마련된 냉매 유로(62)를 통과하여, 냉매 유로(62)의 출구(62b)로부터 칠러(70)에 복귀되고, 칠러(70) 내에서 설정 온도로 차가워진 후 재차 냉매 유로(62)의 입구(62a)에 공급된다. 지지대(60)는, 지지대(60)를 상하 방향으로 관통하는 복수 종류의 관통 구멍(64~67)을 가지고 있다. 관통 구멍(64)은, 정전 전극(24)의 급전 단자(25)를 외부에 노출하기 위한 구멍이다. 관통 구멍(65)은, 시트 히터(30)의 하면(30b)의 영역(X)에 마련된 랜드군[점퍼 랜드(46a)와 접지 랜드(46b), 도 2 참조]을 외부에 노출하기 위한 구멍이다. 관통 구멍(66, 67)은, 기준 히터 전극(44)의 기준 랜드(50a, 50b)를 각각 외부에 노출하는 것이다. 관통 구멍(66, 67)에는, 전기 절연통(66a, 67a)이 삽입되어 있다. 또한, 지지대(60)는, 그 외에, 도시하지 않지만 웨이퍼(W)를 리프트 업하는 리프트 핀을 상하 이동시키기 위한 관통 구멍 등을 가지고 있다.
플라즈마 처리 장치(10)는 또한, 정전 척 전원(72), 보정 히터 전원(74), 기준 히터 전원(76) 및 RF 전원(79)을 구비하고 있다. 정전 척 전원(72)은, 직류 전원이며, 관통 구멍(64)에 삽입된 급전봉(73)을 통해 정전 전극(24)의 급전 단자(25)에 접속되어 있다. 보정 히터 전원(74)은, 직류 전원이며, 관통 구멍(65)에 삽입된 금속 도선 집합체인 접속용 플렉시블 프린트 기판(접속용 FPC)(75)을 통해 보정 히터 전극(34)의 점퍼 랜드(46a) 및 접지 랜드(46b)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 도 2에 나타내는 동일한 조에 속하는 점퍼 랜드(46a) 및 접지 랜드(46b)는, 동일한 영역(X)에 배열되어 마련되어 있기 때문에, 하나의 접속용 FPC(75)를 통해 접속되어 있다. 접속용 FPC(75)는, 수지 피막으로 덮힌 금속 도선(75a, 75b)을 띠형으로 묶은 케이블이며, 영역(X)과 대향하는 단부는 각 금속 도선(75a, 76b)이 노출되어 있다. 금속 도선(75a)은, 점퍼 랜드(46a)를 보정 히터 전원(74)의 플러스극에 접속하기 위한 도선이며, 금속 도선(75b)은, 접지 랜드(46b)를 보정 히터 전원(74)의 마이너스극에 접속하기 위한 도선이다. 기준 히터 전원(76)은, 교류 전원이며, 관통 구멍(66)에 삽입된 케이블 단자(77)를 통해 기준 히터 전극(44)의 한쪽의 기준 랜드(50a)에 접속되며, 관통 구멍(67)에 삽입된 케이블 단자(78)를 통해 기준 히터 전극(44)의 다른쪽의 기준 랜드(50b)에 접속되어 있다. RF 전원(79)은, 플라즈마 생성용의 전원이며, 애노드판으로서 기능하는 지지대(60)에 고주파 전력을 공급하도록 접속되어 있다. 또한, 캐소드판으로서 기능하는 샤워 헤드(14)는 가변 저항을 통해 접지되어 있다.
다음에, 이렇게 해서 구성된 플라즈마 처리 장치(10)의 사용예에 대해서 설명한다. 먼저 웨이퍼(W)를 정전 척(22)의 웨이퍼 배치면(22a)에 배치한다. 그리고, 진공 챔버(12) 내를 진공 펌프에 의해 감압하여 소정의 진공도가 되도록 조정하고, 정전 척(22)의 정전 전극(24)에 직류 전압을 가하여 쿨롱력 또는 존슨·라벡력을 발생시켜, 웨이퍼(W)를 정전 척(22)의 웨이퍼 배치면(22a)에 흡착 고정한다. 다음에, 진공 챔버(12) 내를 소정 압력(예컨대 수 10~수 100 ㎩)의 프로세스 가스 분위기로 한다. 이 상태로, 샤워 헤드(14)와 지지대(60) 사이에 고주파 전압을 인가하여, 플라즈마를 발생시킨다. 발생한 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 에칭된다. 이 동안, 웨이퍼(W)의 온도가 미리 정한 목표 온도가 되도록, 도시하지 않는 컨트롤러가 제어한다. 구체적으로는, 컨트롤러는, 웨이퍼(W)의 온도를 측정하는 측온 센서(도시하지 않음)로부터의 검출 신호를 입력하고, 웨이퍼(W)의 측정 온도가 목표 온도와 일치하도록, 각 기준 히터 전극(44)에 공급하는 전류나 각 보정 히터 전극(34)에 공급하는 전류, 냉매 유로(62)에 순환시키는 냉매의 온도를 제어한다. 특히, 컨트롤러는, 웨이퍼(W)의 온도 분포가 발생하지 않도록 각 보정 히터 전극(34)에 공급하는 전류를 미세하게 제어한다. 또한, 측온 센서는, 수지 시트(32)에 매설되어 있어도 좋고, 수지 시트(32)의 표면에 접착되어 있어도 좋다.
다음에, 정전 척(22)의 제조 방법의 일례를 설명한다. 먼저, 세라믹스의 성형체 또는 소결체의 원판 부재를 준비하고, 그 한쪽의 면에 정전 전극(24)을 형성한다. 정전 전극(24)은, 전극 페이스트를 스크린 인쇄하여도 좋고, PVD나 CVD, 도금 등에 의해 형성하여도 좋다. 계속해서, 그 원판 부재 중 정전 전극(24)이 형성된 면에, 원판 부재와 동일한 직경의 별도의 원판형 성형체를 적층하여 적층체로 한다. 이 적층체를 핫 프레스 소성하여, 정전 전극(24)이 매설된 세라믹스 소결체(26)를 얻는다. 이 세라믹스 소결체(26)를 연삭 또는 블라스트 등의 가공에 의해 원하는 형상, 두께로 조정한다. 이때, 세라믹스 소결체(26)의 하면으로부터 정전 전극(24)에 이르는 홀을 마련한다. 이 홀에, 급전봉(73)과 일체화한 급전 단자(25)를 삽입하고, 급전 단자(25)와 정전 전극(24)을 납땜한다. 이에 의해, 정전 척(22)이 얻어진다.
시트 히터(30)의 제조 방법의 일례를 도 3을 이용하여 이하에 설명한다. 보정 히터(34), 점퍼선(36), 접지 전극(40), 기준 히터(44), 점퍼선(36)과 동일한 층에 배치된 랜드(116), 접지 전극(40)과 동일한 층에 배치된 랜드(120), 기준 히터(44)와 동일한 층에 배치된 랜드(124, 126), 지지대(60)(도 1 참조)와의 접합면에 배치된 점퍼 랜드(46a), 접지 랜드(46b) 및 기준 랜드(50)는, 모두 주지의 포토리소그래피에 의해 형성된다. 또한, 각 층에 형성된 전극간을 전기적으로 절연하는 수지층(110), 수지층(118), 수지층(122) 및 수지층(128), 그에 더하여 최상층의 수지층(130)은, 라미네이트에 의해 형성된다. 또한, 각 수지층으로서는, 예컨대, 폴리이미드 수지를 이용하여도 좋고, 액정 폴리머를 이용하여도 좋다. 또한, 보정 히터 전극(34)과 점퍼선(36)을 전기적으로 접속하는 비아(V1), 보정 히터 전극(34)과 랜드(116)를 전기적으로 접속하는 비아(V2), 점퍼선(36)과 랜드(120)를 전기적으로 접속하는 비아(V3), 랜드(116)와 접지 전극(40)을 전기적으로 접속하는 비아(V4), 랜드(120)와 랜드(124)를 전기적으로 접속하는 비아(V5), 접지 전극(40)과 랜드(126)를 전기적으로 접속하는 비아(V6), 랜드(124)와 점퍼 랜드(46a)를 전기적으로 접속하는 비아(V7), 랜드(126)와 접지 랜드(46b)를 전기적으로 접속하는 비아(V8), 기준 히터(44)와 기준 랜드(50)를 전기적으로 접속하는 비아(V9)는, 대응하는 수지층의 소정 위치에 형성한 관통 구멍에 대하여 금속을 충전함으로써 형성된다. 이러한 시트 히터(30)는, 다층 프린트 배선 기판의 주지의 제조 방법을 이용하여 용이하게 작성할 수 있다.
그리고, 시트 히터(30)의 점퍼 랜드(46a) 및 접지 랜드(46b)에 접속용 FPC(75)의 금속 도선(75a) 및 금속 도선(75b)을 각각 납땜하며, 기준 랜드(50)에 케이블 단자(77)를 납땜한다(도 4 참조). 계속해서, 시트 히터(30)에 접속된 접속용 FPC(75) 및 케이블 단자(77)를, 제2 본딩 시트(82)를 통해 지지대(60)의 관통 구멍(65) 및 관통 구멍(66)에 각각 삽입 관통한다. 또한, 정전 척(22)의 급전봉(73)을, 제1 본딩 시트(81)를 통해 시트 히터(30) 및 지지대(60)의 관통 구멍(64)에 삽입 관통한다. 이 상태로 가열 가압 처리를 행하여, 제1 및 제2 본딩 시트(81, 82)를 통해, 정전 척(22)과 시트 히터(30)와 지지대(60)를 접착한다. 이에 의해, 정전 척 히터(20)가 얻어진다.
이상 설명한 정전 척 히터(20)에서는, 시트 히터(30)의 한쪽의 면이 정전 척(22)에 수지 접착되고, 다른쪽의 면이 지지대(60)에 수지 접착된 것이기 때문에, 보정 히터 전극(34) 및 기준 히터 전극(44)을 세라믹스의 소성 온도에 노출하는 일없이 제조할 수 있다. 그 때문에, 히터 전극(34, 44)이 열로 변형되거나 주위의 성분과 반응하여 저항값이 변화하거나 하는 일이 없다. 따라서, 히터 전극(34, 44)의 저항값을 목표의 저항값으로 설정하기 쉬워, 높은 균열성을 달성할 수 있다.
또한, 시트 히터(30)는, 시트 히터(30)의 상면(30a)에 평행하며 높이가 상이한 제1 전극 영역(A1)과 제2 전극 영역(A2)을 가지고, 제1 전극 영역(A1)에는 복수의 보정 히터 전극(34)이 마련되며, 제2 전극 영역(A2)에는 각 보정 히터 전극(34)에 급전하는 복수의 점퍼선(36)이 마련되어 있다. 그 때문에, 각 보정 히터 전극(34)에 공급하는 전력을 개별로 제어할 수 있어, 높은 균열성을 달성하기 쉽다.
또한, 각 보정 히터 전극(34)에 급전하는 점퍼 랜드(46a)는 지지대(60)의 이면으로부터 노출되어 있기 때문에, 점퍼 랜드(46a)를 보정 히터 전원(74)에 용이하게 접속할 수 있다.
또한, 복수의 점퍼 랜드(46a)는, 2개 이상이 1조가 되도록 복수의 조로 나누어지고, 각 조에 속하는 점퍼 랜드(46a)는, 공통의 관통 구멍(65)에 면하고 있으며, 그 관통 구멍(65)에 삽입된 하나의 플렉시블한 접속용 FPC(75)를 통해 보정 히터 전원(74)과 전기적으로 접속되어 있다. 그 때문에, 점퍼 랜드(46a)마다 금속 배선을 1개씩 준비할 필요가 없어, 점퍼 랜드(46a)를 보정 히터 전원(74)에 접속하는 작업이 간소화된다. 또한, 접속용 FPC(75)를 이용하고 있기 때문에, 점퍼 랜드(46a)와 접속용 FPC(75) 사이의 응력을 접속용 FPC(75)가 흡수할 수 있다.
그리고 또한, 시트 히터(30)의 제3 전극 영역(A3)에는 복수의 보정 히터 전극(34)에 공통의 접지 전극(40)이 마련되어 있다. 그 때문에, 접지 전극(40)의 배선을 둘러칠 필요가 없다.
그리고 또한, 시트 히터(30)의 제4 전극 영역(A4)에는 보정 히터 전극(34)보다 출력이 높으며 수가 적은 기준 히터 전극(44)이 마련되어 있다. 그 때문에, 고출력의 기준 히터 전극(44)에 의해 웨이퍼(W)의 전체 온도를 높게 할 수 있고, 기준 히터 전극(44)에서는 확보할 수 없는 균열성을 저출력의 보정 히터 전극(34)에 의해 미세하게 제어할 수 있다.
덧붙여, 제1 전극 영역(A1), 제2 전극 영역(A2), 제3 전극 영역(A3) 및 제4 전극 영역(A4)은, 시트 히터(30)의 상면(30a)으로부터 하면(30b)을 향하여 이 순서로 배열되어 있다. 이에 의해, 점퍼선(36)이 배치된 제2 전극 영역(A2)과 접지 전극(40)이 배치된 제3 전극 영역(A3)은, 기준 히터 전극(44)의 열을 면 방향으로 확산시키는 열 확산층으로서 기능하기 때문에, 정전 척(22)에 배치되는 웨이퍼(W)의 균열성이 향상된다. 또한, 보정 히터 전극(34)은 정전 척(22)의 근처에 배치되기 때문에, 보정 히터 전극(34)에 의한 온도 조정의 해상도가 양호해져, 웨이퍼(W)의 균열성을 미세하게 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지의 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 점퍼 랜드(46a) 및 접지 랜드(46b)는 접속용 FPC(75)의 금속 도선(75a) 및 금속 도선(75b)에 납땜하여 보정 히터 전원(74)에 접속하였지만, 특별히 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 점퍼 랜드(46a) 및 접지 랜드(46b)를 지지대(60)에 내장한 컨택트 핀과 접촉시켜 보정 히터 전원(74)에 접속하여도 좋고, 정전 척 히터(20)를 탑재하는 장치[예컨대 진공 챔버(12)]에 마련된 컨택트 핀과 접촉시켜 보정 히터 전원(74)에 접속하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 시트 히터(30)의 구조로서, 보정 히터 전극(34) 위에 수지층(130)을 마련하였지만, 이 수지층(130)을 생략하고 보정 히터 전극(34)이 시트 히터(30)의 상면(30a)에 노출하도록 하여도 좋다. 이 경우, 보정 히터 전극(34)을 덮도록 제1 본딩 시트(81)가 배치된다. 또한, 기준 히터 전극(44) 아래에 수지층(122)을 마련하였지만, 이 수지층(122)을 생략하고 기준 히터 전극(44)이 시트 히터(30)의 하면(30b)에 노출하도록 하여도 좋다. 이 경우, 기준 히터 전극(44)을 덮도록 제2 본딩 시트(82)가 배치된다.
전술한 실시형태에서는, 모든 보정 히터 전극(34)에 공통의 접지 전극(40)을 마련하였지만, 접지 전극(40)을 2 이상으로 분할하여 마련하여도 좋다. 이 경우, 보정 히터 전극(34)을 복수의 조로 나누어, 각 조에 속하는 보정 히터 전극(34)이 그 조에 대응하는 접지 전극(40)과 접속되도록 하면 좋다.
전술한 실시형태에서는, 보정 히터 전극(34)과 기준 히터 전극(44)을 구비한 시트 히터(30)를 예시하였지만, 보정 히터 전극(34)을 생략하고, 그에 따라 점퍼선(36)이나 접지 전극도 생략하여도 좋다. 이 경우, 복수의 기준 히터 전극(44)에 의해 존마다 온도를 제어하는 것이 가능하기 때문에, 비교적 높은 정밀도의 균열성을 달성할 수 있다. 혹은, 기준 히터 전극(44)을 생략하여도 좋다. 이 경우, 다수의 보정 히터 전극(34)에 의해 존마다 온도를 미세하게 제어하는 것이 가능하기 때문에, 높은 정밀도의 균열성을 달성할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 보정 히터 전극(34)이 배치된 제1 전극 영역(A1), 점퍼선(36)이 배치된 제2 전극 영역(A2), 접지 전극(40)이 배치된 제3 전극 영역(A3) 및 기준 히터 전극(44)이 배치된 제4 전극 영역(A4)을, 시트 히터(30)의 상면(30a)으로부터 하면(30b)을 향하여 이 순서로 배열하였지만, 순서를 교체하여도 좋다. 단, 점퍼선(36)의 점퍼 랜드(46a)를 하면(30b)에 노출시키는 것을 고려하면, 보정 히터 전극(34)의 바로 아래에 점퍼선(36)을 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 기준 히터 전극(44)을 보정 히터 전극(34)이나 점퍼선(36)의 상방에 배치하면 여러 가지의 문제가 생기기 때문에, 기준 히터 전극(44)은 보정 히터 전극(34)이나 점퍼선(36)의 하방에 배치하는 것이 바람직하다. 즉, 기준 히터 전극(44)을 보정 히터 전극(34)이나 점퍼선(36)의 상방에 배치하면, (1) 기준 히터 전극(44)은 보정 히터 전극(34)의 열을 면 방향으로 확산하는 열 확산층으로서 기능하여 버리기 때문에 보정 히터 전극(34)에 의한 미세한 온도 조정이 곤란해진다, (2) 기준 히터 전극(44)의 양단(44a, 44b)을 하면(30b)에 노출시키기 위한 구멍을 제1 및 제2 전극 영역(A1, A2)에 통과시킬 필요가 있지만, 그 구멍을 회피하도록 보정 히터 전극(34)을 설계하지 않으면 안 되어, 그 구멍의 주위의 온도 제어가 곤란해진다, (3) 고출력의 기준 히터 전극(44)의 열이 하측 방향의 지지대(60)를 향하여 방열되기 어려워진다, 라고 하는 문제가 생긴다.
전술한 실시형태에서는, 제1~제4 전극 영역(A1~A4)을 1층씩 마련하였지만, 제1~제4 전극 영역(A1~A4) 중 적어도 하나를 다층(다단)으로 하여도 좋다.
본 출원은 2015년 8월 20일에 출원된 미국 가출원 제62/207,484호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용의 모두가 본 명세서에 포함된다.
산업상 이용가능성
본 발명은 예컨대 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 반도체 제조 장치에 이용 가능하다.
10 : 플라즈마 처리 장치 12 : 진공 챔버
14 : 샤워 헤드 16 : 가스 도입관
18 : 가스 분사 구멍 20 : 정전 척 히터
22 : 정전 척 22a : 웨이퍼 배치면
24 : 정전 전극 25 : 급전 단자
26 : 세라믹스 소결체 30 : 시트 히터
30a : 상면 30b : 하면
32 : 수지 시트 34 : 보정 히터 전극
34a : 일단 34b : 타단
35 : 비아 36 : 점퍼선
36a : 일단 36b : 타단
38 : 외주 영역 39 : 노치
40 : 접지 전극 40a : 돌기
41~43 : 비아 44 : 기준 히터 전극
44a : 일단 44b : 타단
46a : 점퍼 랜드 46b : 접지 랜드
50, 50a, 50b : 기준 랜드 60 : 지지대
62 : 냉매 유로 62a : 입구
62b : 출구 64~67 : 관통 구멍
66a, 67a : 전기 절연통 70 : 칠러
72 : 정전 척 전원 73 : 급전봉
74 : 보정 히터 전원 75 : 접속용 FPC
75a, 75b : 금속 도선 76 : 기준 히터 전원
77, 78 : 케이블 단자 79 : RF 전원
81 : 제1 본딩 시트 82 : 제2 본딩 시트
110 : 수지층 116 : 랜드
118 : 수지층 120 : 랜드
122 : 수지층 124 : 랜드
126 : 랜드 128 : 수지층
130 : 수지층 Z1~Z3 : 존
V1~V9 : 비아 A1~A4 : 제1~제4 전극 영역

Claims (8)

  1. 세라믹스 소결체에 정전 전극이 매설된 정전 척과,
    1 또는 복수의 히터 전극을 갖는 수지 시트로서 한쪽의 면이 상기 정전 척에 수지 접착된 시트 히터와,
    상기 시트 히터의 다른쪽의 면에 수지 접착된 금속제의 지지대
    를 구비하고,
    상기 시트 히터는, 상기 시트 히터의 표면에 평행하며 높이가 상이한 제1 전극 영역과 제2 전극 영역을 가지고, 상기 제1 전극 영역은 복수의 히터 전극이 배치된 영역이며, 상기 제2 전극 영역은 상기 복수의 히터 전극의 각각에 급전하는 복수의 점퍼선이 배치된 영역이고, 상기 점퍼선 중 상기 히터 전극에 접속되는 일단과는 반대측의 타단이 상기 시트 히터의 외주측의 정해진 위치에 배치되어 있으며,
    상기 시트 히터는, 상기 제1 전극 영역 및 상기 제2 전극 영역과 평행하며 높이가 상이한 제3 전극 영역을 가지고, 상기 제3 전극 영역은 상기 복수의 히터 전극에 전기적으로 접속된 공통의 접지 전극이 배치된 영역인 것인 정전 척 히터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 점퍼선은, 각각 상기 시트 히터의 다른쪽의 면에 마련된 복수의 점퍼 랜드에 전기적으로 접속되고,
    상기 복수의 점퍼 랜드는, 상기 지지대에 마련된 관통 구멍에 면하고 있는 것인 정전 척 히터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 점퍼 랜드는, 2개 이상이 1조가 되도록 복수의 조로 나누어지고,
    각 조에 속하는 상기 점퍼 랜드는, 공통의 상기 관통 구멍에 면하고 있으며, 이 관통 구멍에 삽입된 하나의 플렉시블한 금속 도선 집합체를 통해 외부 전원과 전기적으로 접속되는 것인 정전 척 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시트 히터는, 상기 제1 전극 영역 및 상기 제2 전극 영역과 평행하며 높이가 상이한 제4 전극 영역을 가지고, 상기 제4 전극 영역은 상기 히터 전극보다 고출력의 1 이상의 기준 히터 전극이 배치된 영역인 것인 정전 척 히터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 전극 영역, 상기 제2 전극 영역, 상기 제3 전극 영역 및 상기 제4 전극 영역은, 상기 시트 히터의 상기 한쪽의 면으로부터 상기 다른쪽의 면을 향하여 이 순서로 배열되어 있는 것인 정전 척 히터.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정전 척과 상기 시트 히터의 수지 접착 및 상기 시트 히터와 상기 지지대의 수지 접착에는, 본딩 시트가 이용되고 있는 것인 정전 척 히터.
  7. 제4항에 있어서, 상기 정전 척과 상기 시트 히터의 수지 접착 및 상기 시트 히터와 상기 지지대의 수지 접착에는, 본딩 시트가 이용되고 있는 것인 정전 척 히터.
  8. 제5항에 있어서, 상기 정전 척과 상기 시트 히터의 수지 접착 및 상기 시트 히터와 상기 지지대의 수지 접착에는, 본딩 시트가 이용되고 있는 것인 정전 척 히터.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170039781A (ko) * 2015-10-01 2017-04-12 삼성디스플레이 주식회사 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6730861B2 (ja) * 2016-06-22 2020-07-29 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6698502B2 (ja) * 2016-11-21 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US11631597B2 (en) * 2017-02-01 2023-04-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
JP7158131B2 (ja) * 2017-05-30 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 ステージ及びプラズマ処理装置
JP6850228B2 (ja) * 2017-09-13 2021-03-31 日本特殊陶業株式会社 保持装置
KR102039403B1 (ko) 2017-09-26 2019-11-01 한국화학연구원 고순도 테레프탈산 제조 시 반응기에서 배출되는 부산물로부터 초산을 분리하는 방법 및 장치
US11664261B2 (en) * 2017-09-29 2023-05-30 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
US11236422B2 (en) * 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
DE112018005962T5 (de) 2017-11-21 2020-08-06 WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY (n.d.Ges.d. Staates Missouri) Multi-zonen trägerheizung ohne durchkontaktierungen
US10306776B1 (en) * 2017-11-29 2019-05-28 Lam Research Corporation Substrate processing system printed-circuit control board assembly with one or more heater layers
US10633742B2 (en) 2018-05-07 2020-04-28 Lam Research Foundation Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals
CN112368415B (zh) 2018-07-05 2024-03-22 朗姆研究公司 衬底处理系统中的衬底支撑件的动态温度控制
US11183400B2 (en) 2018-08-08 2021-11-23 Lam Research Corporation Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters
US10872747B2 (en) 2018-08-08 2020-12-22 Lam Research Corporation Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements
JP2020064841A (ja) * 2018-10-11 2020-04-23 日本発條株式会社 ステージ、成膜装置、および膜加工装置
JP6754514B1 (ja) * 2019-02-19 2020-09-09 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
JP6918042B2 (ja) 2019-03-26 2021-08-11 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
US11562913B2 (en) 2019-04-25 2023-01-24 Watlow Electric Manufacturing Company Multi-zone azimuthal heater
US11004710B2 (en) * 2019-06-04 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Wafer placement error detection based on measuring a current through an electrostatic chuck and solution for intervention
TWI762978B (zh) 2019-07-24 2022-05-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用於多層之靜電吸盤之接地機構及相關之方法
KR102570817B1 (ko) 2019-09-18 2023-08-24 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척 히터
JP7445433B2 (ja) * 2020-01-10 2024-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7373409B2 (ja) * 2020-01-10 2023-11-02 日本特殊陶業株式会社 保持装置
US11784080B2 (en) 2020-03-10 2023-10-10 Applied Materials, Inc. High temperature micro-zone electrostatic chuck
US11482444B2 (en) 2020-03-10 2022-10-25 Applied Materials, Inc. High temperature micro-zone electrostatic chuck
JP7202326B2 (ja) 2020-03-11 2023-01-11 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
DE102020107552A1 (de) 2020-03-19 2021-09-23 AIXTRON Ltd. Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors
KR20220158819A (ko) * 2020-03-31 2022-12-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 마이크로-존 정전 척
JP6842225B1 (ja) * 2020-11-12 2021-03-17 ハイソル株式会社 チャックユニット及びチャックユニットの温度制御方法
JP2022148714A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159018A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Kyocera Corp ウェハ支持部材
JP2008118052A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置
JP2014075525A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
US20150228513A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Pixilated temperature controlled substrate support assembly

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
TW512645B (en) * 2000-07-25 2002-12-01 Ibiden Co Ltd Ceramic substrate for semiconductor manufacture/inspection apparatus, ceramic heater, electrostatic clamp holder, and substrate for wafer prober
JP2002134600A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Ibiden Co Ltd 静電チャック
EP1391919A1 (en) 2001-04-11 2004-02-25 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater for semiconductor manufactring/inspecting apparatus
JP4278046B2 (ja) * 2003-11-10 2009-06-10 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 ヒータ機構付き静電チャック
JP5163349B2 (ja) * 2008-08-01 2013-03-13 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
EP2660860B8 (en) 2010-12-27 2020-12-09 Creative Technology Corporation Work heating device and work treatment device
JP6285620B2 (ja) * 2011-08-26 2018-02-28 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
JP6049509B2 (ja) 2012-03-28 2016-12-21 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、ヒーター電極及びセラミックヒーターの製法
JP5823915B2 (ja) * 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 静電チャックの製造方法
CN105408993A (zh) * 2013-08-06 2016-03-16 应用材料公司 局部加热的多区域基板支撑件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159018A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Kyocera Corp ウェハ支持部材
JP2008118052A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置
JP2014075525A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
US20150228513A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Pixilated temperature controlled substrate support assembly

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