JP2022148714A - 静電チャック、基板固定装置 - Google Patents

静電チャック、基板固定装置 Download PDF

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Abstract

【課題】均熱性をさらに向上した静電チャックを提供する。【解決手段】本静電チャックは、吸着対象物が載置される載置面を有する基体と、前記基体の前記載置面とは反対側に位置する裏面に形成された絶縁層と、前記絶縁層に内蔵された発熱体と、前記基体に内蔵された熱拡散層と、を有し、前記熱拡散層は、前記基体よりも熱伝導率の高い材料から形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、静電チャック、基板固定装置に関する。
従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等）やプラズマエッチング装置は、ウェハを真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。
このようなステージとして、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックにより、吸着対象物であるウェハを吸着保持する基板固定装置が提案されている。静電チャックは、例えば、発熱体や、発熱体からの熱を均一化させる金属層を備えている。
特開２０２０－８８３０４号公報
しかしながら、近年は、静電チャックに、さらなる均熱性向上が求められており、従来の構造では均熱性向上の要求を満足することは困難であった。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、均熱性をさらに向上した静電チャックを提供することを課題とする。
本静電チャックは、吸着対象物が載置される載置面を有する基体と、前記基体の前記載置面とは反対側に位置する裏面に形成された絶縁層と、前記絶縁層に内蔵された発熱体と、前記基体に内蔵された熱拡散層と、を有し、前記熱拡散層は、前記基体よりも熱伝導率の高い材料から形成されている。
開示の技術によれば、均熱性をさらに向上した静電チャックを提供できる。
第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。 第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その１）である。 第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その２）である。 第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その３）である。 第１実施形態の変形例１に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。 シミュレーション結果を示す図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［基板固定装置の構造］
図１は、第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。図１を参照すると、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、静電チャック３０とを有している。
ベースプレート１０は、静電チャック３０を搭載するための部材である。ベースプレート１０の厚さは、例えば、２０～５０ｍｍ程度とすることができる。ベースプレート１０は、例えば、アルミニウムから形成され、プラズマを制御するための電極等として利用することもできる。ベースプレート１０に所定の高周波電力を給電することで、発生したプラズマ状態にあるイオン等を静電チャック３０上に吸着されたウェハに衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行うことができる。
ベースプレート１０の内部には、水路１５が設けられている。水路１５は、一端に冷却水導入部１５ａを備え、他端に冷却水排出部１５ｂを備えている。水路１５は、基板固定装置１の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続されている。冷却水制御装置（図示せず）は、冷却水導入部１５ａから水路１５に冷却水を導入し、冷却水排出部１５ｂから冷却水を排出する。水路１５に冷却水を循環させベースプレート１０を冷却することで、静電チャック３０上に吸着されたウェハを冷却することができる。ベースプレート１０には、水路１５の他に、静電チャック３０上に吸着されたウェハを冷却する不活性ガスを導入するガス路等を設けてもよい。
静電チャック３０は、吸着対象物であるウェハを吸着保持する部分である。静電チャック３０の平面形状は、例えば、円形とすることができる。静電チャック３０の吸着対象物であるウェハの直径は、例えば、８、１２、又は１８インチ程度とすることができる。
静電チャック３０は、接着層２０を介して、ベースプレート１０の一方の面に搭載されている。接着層２０としては、例えば、シリコーン系接着剤を用いることができる。接着層２０の厚さは、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。接着層２０の熱伝導率は２Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。接着層２０は、複数の接着層が積層した積層構造としてもよい。例えば、接着層２０を熱伝導率が高い接着剤と弾性率が低い接着剤とを組み合わせた２層構造とすることで、アルミニウム製のベースプレートとの熱膨張差から生じるストレスを低減させる効果が得られる。
静電チャック３０は、基体３１と、静電電極３２と、熱拡散層３３と、絶縁層３４と、発熱体３５とを有している。静電チャック３０は、例えば、ジョンセン・ラーベック型静電チャックである。但し、静電チャック３０は、クーロン力型静電チャックであってもよい。
基体３１は誘電体であり、吸着対象物が載置される載置面３１ａを有する。基体３１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを用いることができる。基体３１の厚さＴは、例えば、４～１０ｍｍ程度、基体３１の比誘電率（１ｋＨｚ）は、例えば、９～１０程度とすることができる。
静電電極３２は、薄膜電極であり、基体３１に内蔵されている。静電電極３２は、基体３１に内蔵された垂直配線と電気的に接続されている。垂直配線は、交互に積層されたパッド３６とビア３７を複数組含む。最下層のパッド３６は、基体３１の裏面側に開口する凹部３１ｘ内に露出している。最下層のパッド３６は、基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、電源から所定の電圧が印加されると、ウェハとの間に静電気による吸着力を発生させる。これにより、静電チャック３０の基体３１の載置面３１ａ上にウェハを吸着保持することができる。吸着保持力は、静電電極３２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極３２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極３２、パッド３６、及びビア３７の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いることができる。
熱拡散層３３は、基体３１に内蔵されている。熱拡散層３３は、発熱体３５の発する熱を均一化して拡散する層であり、基体３１よりも熱伝導率の高い材料から形成されている。熱拡散層３３の熱伝導率は、４００Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。このような熱伝導率を達成できる材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、銀（Ａｇ）、銀合金等の金属やカーボンナノチューブ等が挙げられる。熱拡散層３３の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。
熱拡散層３３を基体３１内に最低１層設けることで、発熱体３５の発する熱を基体３１の全体に均一に拡散する効果が得られる。複数の熱拡散層３３を基体３１の厚さ方向に積層することで、発熱体３５の発する熱を基体３１の全体に均一に拡散する効果が一層大きくなる。熱を拡散する効果を向上する観点から、熱拡散層３３は、基体３１内の水平方向（載置面３１ａと平行な方向）の全体に配置することが好ましい。
第１実施形態では、一例として、熱拡散層３３をパッド３６が配置される全層に配置している。図１の例では、７層の熱拡散層３３が所定間隔で積層されている。上下に隣接する熱拡散層３３の間隔は、例えば、０．４５ｍｍである。各層の熱拡散層３３は、パッド３６と導通しないように、パッド３６と離隔して配置されている。パッド３６の平面形状が円形であれば、例えば、パッド３６よりも大径の円形の開口が熱拡散層３３に形成され、開口内にパッド３６が位置する。
第１実施形態では、一例として、熱拡散層３３は、パッド配置領域を除き、基体３１内の水平方向の全体に配置されており、熱拡散層３３の全外周面は、基体３１の外周面に露出している。すなわち、熱拡散層３３は、基体３１の最外周まで形成されている。ここで、パッド配置領域とは、パッド３６の外縁から１００μｍ外側の範囲までの領域を指す。
なお、従来の静電チャックでは、熱拡散層として機能する金属層等が接着層を介して基体に固定されていたり、金属層が所定形状にパターニングされたりしており、十分な均熱性が達成できていなかった。
絶縁層３４は、基体３１の裏面（載置面３１ａとは反対側に位置する面）に直接形成されている。絶縁層３４は、基体３１と発熱体３５とを絶縁する層である。絶縁層３４としては、例えば、高熱伝導率及び高耐熱性を有するエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等を用いることができる。絶縁層３４の熱伝導率は３Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。絶縁層３４にアルミナや窒化アルミニウム等のフィラーを含有させることで、絶縁層３４の熱伝導率を向上させることができる。又、絶縁層３４のガラス転移温度（Ｔｇ）は２５０℃以上とすることが好ましい。又、絶縁層３４の厚さは１００～１５０μｍ程度とすることが好ましく、絶縁層３４の厚さばらつきは±１０％以下とすることが好ましい。
発熱体３５は、絶縁層３４に内蔵されている。発熱体３５の周囲は、絶縁層３４に被覆され、外部から保護されている。発熱体３５は、基板固定装置１の外部から電圧を印加することで発熱し、基体３１の載置面３１ａが所定の温度となるように加熱する。発熱体３５は、例えば、基体３１の載置面３１ａの温度を２５０℃～３００℃程度まで加熱することができる。発熱体３５の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、コンスタンタン（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｍｎ／Ｆｅの合金）等を用いることができる。発熱体３５の厚さは、例えば、２０～１００μｍ程度とすることができる。発熱体３５は、例えば、同心円状のパターンとすることができる。
なお、発熱体３５と絶縁層３４との高温下での密着性を向上するため、発熱体３５の少なくとも一つの面（上下面の一方又は双方）が粗化されていることが好ましい。もちろん、発熱体３５の上下面の両方が粗化されていてもよい。この場合、発熱体３５の上面と下面で異なる粗化方法を用いてもよい。粗化の方法は特に限定されないが、エッチングによる方法、カップリング剤系の表面改質技術を用いる方法、波長３５５ｎｍ以下のＵＶ－ＹＡＧレーザによるドット加工を用いる方法等を例示することができる。
［基板固定装置の製造方法］
図２～図４は、第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図である。図２～図４を参照しながら、基板固定装置１の製造工程について、静電チャックの形成工程を中心に説明する。なお、図２（ａ）～図４（ａ）は、図１とは上下を反転した状態で描いている。
まず、図２（ａ）に示す工程では、グリーンシート３１１を準備する。例えば、基体３１を構成するセラミックスが酸化アルミニウムである場合、グリーンシート３１１を構成する材料は酸化アルミニウムの粒子を含む。グリーンシート３１１を構成する材料は、バインダや溶剤等を含んでもよい。グリーンシート３１１の厚さは、例えば、０．５８～０．６２ｍｍである（焼成後は０．４５ｍｍ程度となる）。次に、グリーンシート３１１の一方の面に、金属ペースト３２１を所定パターンで印刷する。金属ペースト３２１は、焼成により静電電極３２となる材料である。金属ペースト３２１は、例えば、タングステンペーストやモリブデンペーストである。
次に、図２（ｂ）に示す工程では、グリーンシート３１１の一方の面に、金属ペースト３２１を被覆するグリーンシート３１２を積層する。グリーンシート３１２の大きさや材料は、グリーンシート３１１と同様である。次に、グリーンシート３１２にビア加工を行い、ビアに金属ペースト３７１を充填する。金属ペースト３７１は、焼成によりビア３７となる材料である。金属ペースト３７１は、例えば、タングステンペーストやモリブデンペーストである。
次に、図２（ｃ）に示す工程では、グリーンシート３１２の一方の面に、金属ペースト３３１及び３６１を所定パターンで印刷する。金属ペースト３３１は、焼成により熱拡散層３３となる材料である。金属ペースト３６１は、焼成によりパッド３６となる材料である。金属ペースト３３１及び３６１は、例えば、タングステンペーストやモリブデンペーストである。金属ペースト３３１と金属ペースト３６１は、異なる材料であってもよい。
次に、図２（ｄ）に示す工程では、図２（ｂ）及び図２（ｃ）の工程を必要数繰り返し、その後、さらグリーンシートを必要数積層する。例えば、グリーンシート１枚当たりの厚さが０．５８～０．６２ｍｍである場合、０．５８～０．６２ｍｍ厚くするごとに熱拡散層３３となる金属ペースト３３１を１層形成することができる。次に、必要に応じて表面研磨等を行った後、焼成により、各グリーンシートが一体化し、基体３１が形成される。また、焼成により、各金属ペーストから静電電極３２、熱拡散層３３、パッド３６、及びビア３７が形成される。焼成後、凹部３１ｘを形成する。凹部３１ｘは、例えば、ブラスト処理やドリル加工等により形成できる。なお、ガス導入部等の他の溝や孔がある場合にも同様に加工する。
次に、図３（ａ）に示す工程では、基体３１の載置面３１ａとは反対側の面（図３（ａ）では上面）に、絶縁樹脂フィルム３４１を直接配置する。絶縁樹脂フィルム３４１は、真空中でラミネートすると、ボイドの巻き込みを抑制できる点で好適である。絶縁樹脂フィルム３４１は、硬化させずに、半硬化状態（Ｂ－ステージ）としておく。半硬化状態である絶縁樹脂フィルム３４１の粘着力により、絶縁樹脂フィルム３４１は基体３１上に仮固定される。
絶縁樹脂フィルム３４１としては、例えば、高熱伝導率及び高耐熱性を有するエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等を用いることができる。絶縁樹脂フィルム３４１の熱伝導率は３Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。絶縁樹脂フィルム３４１にアルミナや窒化アルミニウム等のフィラーを含有させることで、絶縁樹脂フィルム３４１の熱伝導率を向上させることができる。又、絶縁樹脂フィルム３４１のガラス転移温度は２５０℃以上とすることが好ましい。又、熱伝導性能を高める（熱伝導速度を速める）観点から、絶縁樹脂フィルム３４１の厚さは６０μｍ以下とすることが好ましく、絶縁樹脂フィルム３４１の厚さばらつきは±１０％以下とすることが好ましい。
次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３４１上に金属箔を配置し、金属箔をパターニングして発熱体３５を形成する。発熱体３５は、例えば、同心円状のパターンとすることができる。具体的には、例えば、金属箔上の全面にレジストを形成し、レジストを露光及び現像し、発熱体３５として残す部分のみを被覆するレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンに被覆されていない部分の金属箔をエッチングにより除去する。例えば、金属箔の材料が銅である場合には、金属箔を除去するエッチング液としては、塩化第二銅エッチング液や塩化第二鉄エッチング液等を用いることができる。
その後、レジストパターンを剥離液により剥離することにより、絶縁樹脂フィルム３４１の所定位置に発熱体３５が形成される（フォトリソグラフィ法）。フォトリソグラフィ法により発熱体３５を形成することにより、発熱体３５の幅方向の寸法のばらつきを低減することが可能となり、発熱分布を改善することができる。なお、エッチングにより形成された発熱体３５の断面形状は、例えば、略台形状とすることができる。この場合、絶縁樹脂フィルム３４１に接する面と、その反対面との配線幅の差は、例えば、１０～５０μｍ程度とすることができる。発熱体３５の断面形状をシンプルな略台形状とすることにより、発熱分布を改善することができる。
次に、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３４１上に、発熱体３５を被覆する絶縁樹脂フィルム３４２を配置する。絶縁樹脂フィルム３４２は、真空中でラミネートすると、ボイドの巻き込みを抑制できる点で好適である。絶縁樹脂フィルム３４２材料は、例えば、絶縁樹脂フィルム３４１と同様とすることができる。但し、絶縁樹脂フィルム３４２の厚さは、発熱体３５を被覆できる範囲内で適宜決定することができ、必ずしも絶縁樹脂フィルム３４１と同じ厚さにする必要はない。
次に、図４（ａ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３４１及び３４２を基体３１側に押圧しながら、絶縁樹脂フィルム３４１及び３４２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。これにより、絶縁樹脂フィルム３４１及び３４２が一体化して絶縁層３４となり、熱拡散層３３と直接接合された絶縁層３４が形成される。また、発熱体３５の周囲は、絶縁層３４に被覆される。次に、絶縁層３４に貫通孔を形成し、凹部３１ｘに連通させる。なお、常温に戻った時のストレスを考慮し、絶縁樹脂フィルム３４１及び３４２の加熱温度は、２００℃以下とすることが好ましい。以上により、静電チャック３０が完成する。
なお、絶縁樹脂フィルム３４１及び３４２を基体３１側に押圧しながら加熱硬化させることにより、発熱体３５の有無の影響による絶縁層３４の上面（静電チャック３０と接しない側の面）の凹凸を低減して平坦化することができる。絶縁層３４の上面の凹凸は、７μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層３４の上面の凹凸を７μｍ以下とすることにより、次工程で絶縁層３４と接着層２０との間に気泡を巻き込むことを防止できる。つまり、絶縁層３４と接着層２０との間の接着性が低下することを防止できる。
次に、図４（ｂ）に示す工程では、予め水路１５等を形成したベースプレート１０を準備し、ベースプレート１０上に接着層２０（未硬化）を形成する。そして、図４（ａ）に示す静電チャック３０を上下反転させ、接着層２０を介して、ベースプレート１０上に配置し、接着層２０を硬化させる。これにより、ベースプレート１０上に接着層２０を介して静電チャック３０が積層された基板固定装置１が完成する。
このように、静電チャック３０では、基体３１に熱拡散層３３が内蔵されているため、発熱体３５の発する熱を基体３１に均一に伝わりやすくすることができる。すなわち、静電チャック３０では、基体の外側に熱拡散層を設ける従来の構造と比べて、均熱性をさらに向上することが可能となる。
また、熱拡散層３３を基体３１の水平方向の全体に形成することで、発熱体３５の発する熱を基体３１の全体に均一に拡散することができる。また、熱拡散層３３の熱伝導率を４００Ｗ／ｍ・ｋ以上とすることで、基体３１の水平方向に対して素早く熱を拡散することができる。そして、熱拡散層３３によって均一に拡散された熱は、基体３１を均一に加熱することができる。
なお、発熱体３５から載置面３１ａに至る熱の拡散距離が短いと、すなわち基体３１の厚さＴが薄いほど、発熱体３５の寸法ばらつき等の影響が載置面３１ａに現れやすい。言い換えれば、基体３１の厚さＴが厚いほど、発熱体３５から載置面３１ａに至る熱の拡散距離が延びるため、載置面３１ａの温度分布がぼけやすくなり温度分布が改善する。基体３１の内部に熱拡散層３３を設けること、及び基体３１の厚さＴを厚くすることを組み合わせることで、より効果的な温度分布改善が望める。従来は、基体３１の厚さＴは４．５ｍｍ程度のものが多かったが、温度分布の改善のためには、基体３１の厚さＴを４．９５ｍｍ以上９ｍｍ以下程度とすることが好ましい。
〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、熱拡散層の積層数を更に増やす例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図５は、第１実施形態の変形例１に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。図５を参照すると、基板固定装置１Ａでは、パッド３６が形成される層より下層にも熱拡散層３３が設けられている点が、基板固定装置１と相違する。
すなわち、基板固定装置１Ａでは、熱拡散層３３は、基体３１の裏面に最も近い側に配置されたパッド３６よりも、さらに基体３１の裏面に近い側に配置されている。パッド３６が形成される層より下層に熱拡散層３３を設けるには、図２（ｄ）の工程において、凹部３１ｘが形成されるグリーンシートを積層するごとに熱拡散層３３となる金属ペースト３３１を１層形成すればよい。
このように、パッド３６が形成される層より下層の領域を有効活用し、この領域にも熱拡散層３３を設けることで、熱拡散層３３の層数をさらに増やせるため、均熱性を一層向上することが可能となる。
［シミュレーション］
下記の表１に示す４種類のサンプルに関し、基体の載置面の平均温度が６０度になるように制御した場合の、基体の載置面における温度分布（均熱性）のシミュレーションを行った。表１において、Ｒｅｆは、基体の厚さが４．５ｍｍで熱拡散層を有していないサンプルであり、従来の静電チャックに対応するものである。また、Ａは、基体の厚さが６．８ｍｍで熱拡散層を有していないサンプルであり、Ｒｅｆとは基体の厚さのみが相違する。また、Ｂは、基体の厚さが６．８ｍｍで熱拡散層を５層有しているサンプルであり、Ａとは熱拡散層の有無のみが相違する。また、Ｃは、基体の厚さが６．８ｍｍで熱拡散層を１４層有しているサンプルであり、Ｂとは熱拡散層の層数のみが相違する。
Figure 2022148714000002
 表２は、シミュレーション結果である。表２において、平均値は基体の載置面の温度の平均値、Ｒａｎｇｅは最低温度と最高温度との差、Ｓｉｇｍａは標準偏差である。
Figure 2022148714000003
 図６（ａ）は、表２に示すＲａｎｇｅを、ＲＥＦの値を基準（１００％）として示したものである。図６（ｂ）は、表２に示すＳｉｇｍａを、ＲＥＦの値を基準（１００％）として示したものである。
図６（ａ）において、サンプルＲｅｆとサンプルＡとを比較すると、基体を厚くするとＲａｎｇｅの値が３３％程度小さくなっていることがわかる。また、図６（ｂ）において、サンプルＲｅｆとサンプルＡとを比較すると、基体を厚くするとＳｉｇｍａの値が２０％弱程度小さくなっていることがわかる。
また、図６（ａ）において、サンプルＡとサンプルＢとを比較すると、基体に熱拡散層を内蔵するとＲａｎｇｅの値がわずかに改善することがわかる。また、図６（ｂ）において、サンプルＡとサンプルＢとを比較すると、基体に熱拡散層を内蔵するとＳｉｇｍａの値がわずかに改善することがわかる。
また、図６（ａ）において、サンプルＢとサンプルＣとを比較すると、基体に内蔵される熱拡散層の層数を増やすとＲａｎｇｅの値が更に改善することがわかる。また、図６（ｂ）において、サンプルＢとサンプルＣとを比較すると、基体に内蔵される熱拡散層の層数を増やすとＳｉｇｍａの値が更に改善することがわかる。
このように、基体を厚くすることで基体の載置面における温度分布のばらつきが大幅に改善し、基体に熱拡散層を内蔵することで基体の載置面における温度分布のばらつきが更に改善し、均熱性が向上することが確認された。また、基体に内蔵される熱拡散層の層数を増やすことで基体の載置面における温度分布のばらつきが一層改善し、均熱性が一層向上することが確認された。
以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、本発明に係る基板固定装置の吸着対象物としては、半導体ウェハ（シリコンウエハ等）以外に、液晶パネル等の製造工程で使用されるガラス基板等を例示することができる。
１、１Ａ 基板固定装置
１０ ベースプレート
１５ 水路
１５ａ 冷却水導入部
１５ｂ 冷却水排出部
２０ 接着層
３０ 静電チャック
３１ 基体
３１ａ 載置面
３１ｘ 凹部
３２ 静電電極
３３ 熱拡散層
３４ 絶縁層
３５ 発熱体
３６ パッド
３７ ビア
３２１、３３１、３６１、３７１ 金属ペースト
３４１、３４２ 絶縁樹脂フィルム

Claims (7)

  1. 吸着対象物が載置される載置面を有する基体と、
    前記基体の前記載置面とは反対側に位置する裏面に形成された絶縁層と、
    前記絶縁層に内蔵された発熱体と、
    前記基体に内蔵された熱拡散層と、を有し、
    前記熱拡散層は、前記基体よりも熱伝導率の高い材料から形成されている、静電チャック。
  2. 複数の前記熱拡散層が、前記基体の厚さ方向に積層されている、請求項１に記載の静電チャック。
  3. 前記基体に内蔵された電極と、
    前記基体に内蔵され、前記電極と電気的に接続された垂直配線と、を有し、
    前記垂直配線は、交互に積層されたパッドとビアを複数組含み、
    前記熱拡散層は、前記パッドが配置される全層に、前記パッドと離隔して配置されている、請求項２に記載の静電チャック。
  4. 前記熱拡散層は、パッド配置領域を除き、前記基体内の水平方向の全体に配置されている、請求項３に記載の静電チャック。
  5. 前記熱拡散層は、前記基体の前記裏面に最も近い側に配置された前記パッドよりも、さらに前記基体の前記裏面に近い側に配置されている、請求項３又は４に記載の静電チャック。
  6. 前記熱拡散層の全外周面は、前記基体の外周面に露出している、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の静電チャック。
  7. ベースプレートと、
    前記ベースプレートの一方の面に搭載された請求項１乃至６の何れか一項に記載の静電チャックと、を有する基板固定装置。
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