KR102283385B1 - 기판 고정 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 발열체가 발생시키는 열의 균열성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상에 설치된 발열부와, 상기 발열부 상에 설치된 정전 척을 포함하고, 상기 발열부는, 제1 재료로 형성된 발열체와, 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하며, 상기 배선은, 상기 제1 재료로 형성된 제1 도전층 상에 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 형성된 제2 도전층이 접합되어 이루어진다.

Description

기판 고정 장치 및 그 제조방법{SUBSTRATE FIXING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 기판 고정 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래에 IC, LSI 등 반도체 장치를 제조할 때에 사용되는 성막 장치(예를 들어, CVD 장치, PVD 장치 등), 플라즈마 에칭 장치 등은, 웨이퍼를 진공 처리실 내에 높은 정밀도로 유지하기 위한 스테이지를 가진다. 이와 같은 스테이지로서, 예를 들어, 베이스 플레이트에 탑재된 정전 척에 의해 흡착 대상물인 웨이퍼를 흡착 유지하는 기판 고정 장치가 제안되어 있다.
기판 고정 장치에는, 웨이퍼의 온도를 조절하기 위한 발열체(히터 요소)를 구비한 것이 있다. 발열체는, 예를 들어, 접착제에 의해 정전 척 표면에 접합되어 있고, 급전 단자를 통해 기판 고정 장치의 외부에 배치된 전원으로부터 전압이 공급되면 발열한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2011-176275호
그런데, 발열체에는 어느 정도 비저항이 높은 재료가 사용된다. 그러므로, 예를 들어, 발열체로부터 급전 단자로 배선을 설치하는 경우, 발열체와 같은 재료로 형성되는 배선이 의도하지 않은 열을 발생시켜, 발열체가 발생시키는 열의 균열성(均熱性)을 저해하는 경우가 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 고려하여 이루어진 것으로서, 발열체가 발생시키는 열의 균열성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상에 설치된 발열부와, 상기 발열부 상에 설치된 정전 척을 포함하고, 상기 발열부는, 제1 재료로 형성된 발열체와, 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하며, 상기 배선은, 상기 제1 재료로 형성된 제1 도전층 상에 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 형성된 제2 도전층이 접합되어 이루어지는 것을 요건으로 한다.
개시된 기술에 의하면, 발열체가 발생시키는 열의 균열성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공할 수 있다.
도 1a와 도 1b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 발열체의 설명도이다.
도 3a 내지 도 3d는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면(1)이다.
도 4a 내지 도 4d는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면(2)이다.
도 5a 내지 도 5d는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면(3)이다.
도 6a 내지 도 6d는 제1 실시형태의 변형예에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다.
도 7a와 도 7b는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 발열체의 설명도이다.
도 9a 내지 도 9d는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10d는 제2 실시형태의 변형예에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다.
이하에서, 도면을 참조하여 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 한편, 각 도면에 있어서 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
<제1 실시형태>
[기판 고정 장치의 구조]
도 1a와 도 1b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도인데, 도 1a는 전체도이고, 도 1b는 도 1a에서 A부분을 확대한 확대도이다. 도 1a와 도 1b를 참조하면, 기판 고정 장치(1)는 주요한 구성 요소로서, 베이스 플레이트(10)와 접착층(20)과 발열부(30)와 정전 척(40)을 가진다.
베이스 플레이트(10)는 발열부(30), 정전 척(40) 등을 탑재하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(10)의 두께는, 예를 들어, 20~50㎜ 정도로 할 수 있다. 베이스 플레이트(10)는, 예를 들어, 알루미늄으로 형성되며, 플라즈마를 제어하기 위한 전극 등으로 사용할 수도 있다. 베이스 플레이트(10)에 소정의 고주파 전력을 공급함으로써, 발생된 플라즈마 상태에 있는 이온 등을 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼에 충돌시키기 위한 에너지를 제어하여 에칭 처리를 효과적으로 실시할 수 있다.
베이스 플레이트(10)의 내부에는 수로(15)가 설치되어 있다. 수로(15)는, 일단에 냉각수 도입부(15a)를 구비하고, 타단에 냉각수 배출부(15b)를 구비하고 있다. 수로(15)는, 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 냉각수 제어 장치(미도시)에 연결되어 있다. 냉각수 제어 장치(미도시)는, 냉각수 도입부(15a)로부터 수로(15)에 냉각수를 도입하고, 냉각수 배출부(15b)로부터 냉각수를 배출한다. 수로(15)에 냉각수를 순환시켜 베이스 플레이트(10)를 냉각시킴으로써, 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼를 냉각할 수 있다. 베이스 플레이트(10)에는, 수로(15) 외에도, 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼를 냉각하는 불활성 가스를 도입하는 가스 통로 등을 설치할 수도 있다.
발열부(30)는 접착층(20)을 통해 베이스 플레이트(10) 상에 고착되어 있다. 접착층(20)은, 예를 들어, 제1층(21) 및 제2층(22)으로 된 2층 구조로 할 수 있다. 제1층(21) 및 제2층(22)으로는, 예를 들어, 실리콘계 접착제를 사용할 수 있다. 제1층(21) 및 제2층(22) 각각의 두께는, 예를 들어, 1㎜ 정도로 할 수 있다. 제1층(21) 및 제2층(22)의 열전도율은, 2W/mK 이상으로 하는 것이 바람직하다. 접착층(20)은, 1층으로 형성할 수도 있으나, 열전도율이 높은 접착제와 탄성율이 낮은 접착제를 조합한 2층 구조로 함으로써, 알루미늄제 베이스 플레이트(10)와 정전 척(40)의 열팽창 차로 인해 생기는 응력을 저감시키는 효과를 얻을 수 있다.
발열부(30)는 절연층(31), 발열체(32), 배선(33), 급전 단자(34)를 구비하고 있다.
절연층(31)은 발열체(32), 배선(33) 및 급전 단자(34)의 주위를 피복하고 있다. 절연층(31)은 베이스 플레이트(10)와 정전 척(40)의 사이에 구비되어 있다. 절연층(31)으로는, 예를 들어, 고열전도율 및 고내열성을 갖는 에폭시 수지, BT(Bismaleimide Triazine) 수지 등을 사용할 수 있다. 절연층(31)의 열전도율은, 3W/mK 이상으로 하는 것이 바람직하다. 절연층(31)에 알루미나, 질화 알루미늄 등의 필러를 함유시킴으로써, 절연층(31)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 또한, 절연층(31)의 유리 전이 온도(Tg)는, 250℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 절연층(31)의 두께는 100~150㎛ 정도로 하는 것이 바람직하며, 절연층(31)의 두께 오차는 ±10% 이하로 하는 것이 바람직하다.
발열체(32)로는, 압연 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 압연 합금을 사용함으로써, 발열체(32)의 두께 오차를 저감하는 것이 가능하며, 발열 분포를 개선할 수 있다. 한편, 발열체(32)는, 반드시 절연층(31)의 두께 방향 중앙부에 내장될 필요는 없고, 요구되는 사양에 따라 절연층(31)의 두께 방향 중앙부로부터 베이스 플레이트(10) 쪽 또는 정전 척(40) 쪽으로 치우쳐 있을 수도 있다.
발열체(32)의 비저항은 10~70μΩ/cm인 것이 바람직하며, 10~50μΩ/cm이면 더 바람직하다. 종래의 기판 고정 장치에서는, 비저항이 100μΩ/cm 정도인 NiCr계 발열체를 사용하였기 때문에, 설계값을 20~50Ω으로 한 경우, 폭이 1~2㎜, 두께가 50㎛ 정도로 되어 발열체 패턴의 미세화가 어려웠다. 발열체(32)의 비저항을 NiCr계 발열체의 비저항보다 낮은 10~70μΩ/cm로 함으로써, 상기와 같은 설계값인 20~50Ω으로 한 경우 종래에 비해 발열체(32) 패턴을 미세화하는 것이 가능하다. 한편, 비저항이 10μΩ/cm보다 작으면, 발열성이 저하되므로 바람직하지 않다.
발열체(32)에 사용하면 좋은 구체적인 압연 합금으로는, 예를 들어, CN49(콘스탄탄: Cu/Ni/Mn/Fe 합금), Zeranin®(Cu/Mn/Sn 합금), Manganin®(Cu/Mn/Ni 합금) 등을 들 수 있다. 한편, CN49(콘스탄탄)의 비저항은 약 50μΩ/cm, Zeranin®의 비저항은 약 29μΩ/cm, Mangnin®의 비저항은 약 44μΩ/cm이다. 발열체(32)의 두께는, 에칭에 의해 패턴이 형성되는 성질을 고려하여 60㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
한편, 발열체(32)와 절연층(31)의 고온하에서의 밀착성을 향상시키기 위해, 발열체(32)의 적어도 하나의 면(상하면 중 한쪽 또는 양쪽)이 조화(粗化)되어 있음이 바람직하다. 물론, 발열체(32)의 상하면 양쪽이 조화(粗化)되어 있을 수도 있다. 이 경우, 발열체(32)의 상면과 하면에서 서로 다른 조화 방법을 사용할 수도 있다. 조화 방법으로는, 특별히 한정되지는 않으나, 에칭에 의한 방법, 커플링제 계통의 표면 개질 기술을 이용하는 방법, 파장이 355㎚ 이하인 UV-YAG 레이저에 의한 도트 가공을 이용하는 방법 등을 예시할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 발열체의 설명도인데, 도 2a는 부분 평면도, 도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 단면도, 도 2c는 도 2a의 B-B선에 따른 단면도이다. 도 1a와 도 1b, 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 발열체(32)는, 기판 고정 장치(1)의 중심쪽으로부터, Z1(Inner Zone), Z2(Mid Inner Zone), Z3(Mid Outer Zone), Z4(Outer Zone) 4개의 영역마다 독립적으로 배치되어 있다. 다만, 이것은 하나의 예이며 영역이 4개로 한정되지는 않는다.
각 영역의 발열체(32)는 대략 동심원 형상의 끊어지지 않은 패턴으로 되어 있으며, 각 영역의 발열체(32)에는 각각 한 쌍의 급전 단자가 설치되어 있다. 각 영역의 발열체(32)의 한 쌍의 급전 단자에 독립적으로 전압을 공급함으로써, 각 영역을 독립적으로 온도 제어할 수 있다. 각 영역의 발열체(32)는, 요구되는 사양에 따라 그 폭 및 간격이 독립적으로 설정되어 있다.
여기에서, Z4를 예로 들어, 급전 단자에 대해 보다 상세하게 설명한다. 도시는 생략하나, 다른 영역에도 Z4과 마찬가지의 급전 단자가 설치되어 있다.
Z4에 배치된 발열체(32)의 일단(32T1)에는, 인출선인 배선(33)이 직렬로 연결되어 있다. 또한, 배선(33)에는, 발열체(32)에 전압을 공급하는 급전 단자(34)가 직렬로 연결되어 있다. 마찬가지로, Z4에 배치된 발열체(32)의 타단(32T2)에는, 인출선인 배선(33)이 직렬로 연결되어 있다. 또한, 배선(33)에는 급전 단자(34)가 직렬로 연결되어 있다. 각 급전 단자(34)의 평면 형상은, 예를 들어, 원형이다. 각 급전 단자(34)는, 절연층(31)의 개구부(31x) 안에 설치된 접합부(50, 땜납 등)를 통해 급전선(60)의 도체(61, 구리선 등) 일단에 연결되어 있다. 한편, 도체(61)의 주위는 절연체(62, 비닐 등)에 의해 피복되어 있다. 각 급전선(60)의 타단은 기판 고정 장치(1)의 외부 전원에 연결된다.
발열체(32)의 일단(32T1)에서 타단(32T2)까지는 끊어지지 않은 패턴으로 되어 있다. 그리하여, 기판 고정 장치(1)의 외부 전원으로부터, 급전선(60) 및 접합부(50)를 경유하여, 한 쌍의 급전 단자(34) 사이에 소정 전압을 인가하면, 발열체(32)에 전류가 흘러 발열한다. 한 쌍의 급전 단자(34) 사이에 인가하는 전압에 의해, 발열체(32)의 발열량을 제어할 수 있다.
그런데, 발열체(32)의 배치 밀도가 높아지면, 한 쌍의 급전 단자(34)를 배치하는 것이 어려워진다. 예를 들어, Z4의 폭이 다른 영역에 비해 좁은 경우, 한 쌍의 급전 단자(34)를 다른 영역(예를 들어, Z3)에 배치하는 것이 편한 경우가 있다. 또는, Z4에 배치된 발열체(32)가 다른 영역에 배치된 발열체에 비해 폭이 넓고 간격이 좁은 경우, 한 쌍의 급전 단자(34)를 다른 영역(예를 들어, Z3) 에 배치하는 것이 편한 경우가 있다. 도 2a 내지 도 2c의 예에서는, Z4의 발열체(32)용인 한 쌍의 급전 단자(34)를 Z3에 배치하고 있다. 이 경우, 각 배선(33)이 영역을 걸치도록 배치되는데, 각 영역에서는 발열체(32)의 사양(예를 들어, 폭, 간격 등)이 서로 다르므로, 예를 들어 각 배선(33)을 Z4의 사양으로 설계하면, Z3의 균열성을 저해하게 된다. 또한, 각 배선(33)을 Z3의 사양으로 설계하면, Z4의 균열성을 저해하게 된다.
그러므로, 영역을 걸치도록 배치되는 각 배선(33)은, 발열체로는 기능시키지 않는 것이 바람직하다. 그래서, 본 실시형태에서는, 배선(33)을, 고(高)저항부(331) 상에 저(低)저항부(332)가 접합된 구조로 하고 있다. 이로써, 배선(33)의 저항값을 낮추어, 배선(33)의 발열을 발열체(32)의 발열에 비해 대폭 저감할 수 있다. 여기에서, 고저항부(331)는 발열체(32)와 동일한 재료로 형성된 제1 도전층이고, 저저항부(332)는 발열체(32)를 형성하는 재료보다 비저항이 낮은, 예를 들어, 금속 등의 재료로 형성된 제2 도전층이다. 한편, 본 실시형태에서, 고저항부(331)는 발열체(32)보다 층두께가 얇다.
예를 들어, 발열체(32)가 CN49로 형성되어 있으면, 고저항부(331)도 CN49로 형성된다. 이 경우, 저저항부(332)는, 예를 들어, CN49보다 비저항이 낮은 구리로 형성할 수 있다. 구리의 비저항은 약 1.7μΩ/cm이어서, CN49의 비저항(약 50μΩ/cm)의 약 1/30이다. 그리하여, 배선(33)의 일부에 저저항부(332)를 설치함으로써 배선(33)의 저항값을 대폭 저감할 수 있다.
한편, 급전 단자(34)는, 발열체(32)와 동일한 재료로 형성할 수도 있고, 일부를 발열체(32)보다 비저항이 낮은 재료로 형성할 수도 있다. 급전 단자(34)가 발생시키는 열은 접합부(50) 및 급전선(60)을 경유하여 방열되므로, 급전 단자(34) 재료의 비저항의 크고 작음이 각 영역의 균일화를 저해하는 요인으로는 되기 어렵기 때문이다.
도 1a, 도 1b로 돌아가서, 정전 척(40)은 흡착 대상물인 웨이퍼를 흡착, 유지하는 부분이다. 정전 척(40)의 흡착 대상물인 웨이퍼의 직경은, 예를 들어, 8, 12 또는 18 인치 정도로 할 수 있다.
정전 척(40)은 발열부(30) 상에 설치되어 있다. 정전 척(40)은 기체(基體,41)와 정전 전극(42)을 가진다. 정전 척(40)은, 예를 들어, 존슨-라벡 타입 정전 척이다. 다만, 정전 척(40)은 쿨롱 타입 정전 척일 수도 있다.
기체(41)는 유전체인데, 기체(41)로는, 예를 들어, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등의 세라믹을 사용할 수 있다. 기체(41)의 두께는, 예를 들어, 1~10㎜ 정도, 기체(41)의 비유전율(1kHz)은, 예를 들어, 9~10 정도로 할 수 있다. 정전 척(40)과, 발열부(30)의 절연층(31)은 직접 접합되어 있다. 발열부(30)와 정전 척(40)을 접착제를 통하지 않고 직접 접합함으로써, 기판 고정 장치(1)의 내열 온도를 향상시킬 수 있다. 발열부(30)와 정전 척(40)을 접착제로 접합하는 종래의 기판 고정 장치의 내열 온도는 150℃ 정도인데, 기판 고정 장치(1)에서는 내열 온도를 200℃ 정도로 할 수 있다.
정전 전극(42)은, 박막 전극이며 기체(41)에 내장되어 있다. 정전 전극(42)은, 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 전원에 연결되며, 소정 전압이 인가되면, 웨이퍼와의 사이에 정전기에 의한 흡착력이 발생하여 정전 척(40) 상에 웨이퍼를 흡착, 유지할 수 있다. 흡착 유지력은, 정전 전극(42)에 인가되는 전압이 높을수록 강해진다. 정전 전극(42)은, 단극 형상일 수도 있고 쌍극 형상일 수도 있다. 정전 전극(42)의 재료로는, 예를 들어, 텅스텐, 몰리브덴 등을 사용할 수 있다.
[기판 고정 장치의 제조방법]
도 3a 내지 도 5d는, 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다. 도 3a 내지 도 5d을 참조하면서, 기판 고정 장치(1)의 제조 공정에 대해, 발열부(30) 형성 공정을 중심으로 설명한다. 여기에서는, Z4의 발열부(30) 형성 공정을 중심으로 설명하나, 다른 영역에 대해서도 마찬가지의 방법으로 발열체, 급전 단자 등을 형성할 수 있다. 한편, 도 3a 내지 도 5c는, 도 1a 내지 도 2c와는 상하가 반전된 상태를 나타내고 있다.
우선, 도 3a에 나타내는 공정에서는, 그린 시트에 비어 가공을 실시하는 공정, 비어에 도전 페이스트를 충전하는 공정, 정전 전극이 되는 패턴을 형성하는 공정, 다른 그린 시트를 적층하여 소성하는 공정, 표면을 평탄화하는 공정 등을 포함하는 주지의 제조방법에 의해, 기체(41)에 정전 전극(42)을 내장하는 정전 척(40)을 제작한다. 한편, 절연 수지 필름(311)과의 밀착성을 향상시키기 위해, 정전 척(40)에서 절연 수지 필름(311)이 적층되는 면에 블라스트 처리 등을 실시하여 조화(粗化)시킬 수도 있다.
이어서, 도 3b에 나타내는 공정에서는, 정전 척(40) 상에 절연 수지 필름(311)을 직접 적층한다. 절연 수지 필름(311)은, 진공 안에서 적층하면, 보이드(void)에 말려 들어가는 것을 억제할 수 있는 점에서 좋다. 절연 수지 필름(311)은, 경화시키지 않고 반 경화 상태(B-스테이지)로 해 둔다. 반 경화 상태인 절연 수지 필름(311)의 점착력에 의해, 절연 수지 필름(311)은 정전 척(40) 상에 가고정된다.
절연 수지 필름(311)으로는, 예를 들어, 고열전도율 및 고내열성을 갖는 에폭시 수지, BT(Bismaleimide Triazine) 수지 등을 사용할 수 있다. 절연 수지 필름(311)의 열전도율은, 3W/mK 이상으로 하는 것이 바람직하다. 절연 수지 필름(311)에 알루미나, 질화 알루미늄 등의 필러를 함유시킴으로써, 절연 수지 필름(311)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 또한, 절연 수지 필름(311)의 유리 전이 온도는, 250℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 열전도 성능을 향상시키는(열전도 속도를 빠르게 하는) 관점에서, 절연 수지 필름(311)의 두께는 60㎛ 이하로 하는 것이 바람직하며, 절연 수지 필름(311)의 두께 오차는 ±10% 이하로 하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 3c에 나타내는 공정에서는, 절연 수지 필름(311) 상에 금속박(321)을 배치한다. 금속박(321)의 재료로는, 발열체(32)의 재료로 예시한 것을 사용할 수 있다. 금속박(321)의 두께는, 에칭에 의해 패턴이 형성되는 성질을 고려하여 60㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 금속박(321)은, 반 경화 상태인 절연 수지 필름(311)의 점착력에 의해, 절연 수지 필름(311) 상에 가고정된다.
한편, 절연 수지 필름(311) 상에 배치하기 전에, 금속박(321)의 적어도 하나의 면(상하면 중 한쪽 또는 양쪽)을 조화(粗化)해 두는 것이 바람직하다. 물론, 금속박(321)의 상하면 양쪽이 조화(粗化)되어 있을 수도 있다. 이 경우, 금속박(321)의 상면과 하면에서 서로 다른 조화 방법을 사용할 수도 있다. 조화 방법으로는, 특별히 한정되지는 않으나, 에칭에 의한 방법, 커플링제 계통의 표면 개질 기술을 이용하는 방법, 파장이 355㎚ 이하인 UV-YAG 레이저에 의한 도트 가공을 이용하는 방법 등을 예시할 수 있다.
또한, 도트 가공을 이용하는 방법에서는, 금속박(321)의 필요한 영역을 선택적으로 조화(粗化)할 수 있다. 그러므로, 도트 가공을 이용하는 방법에서는, 금속박(321)의 전체 영역에 대해 조화를 실시할 필요는 없고, 최소한으로 발열체(32)로서 남길 영역에 대해 조화를 실시하면 족하다(즉, 에칭으로 제거되는 영역에 대해서까지 조화를 실시할 필요는 없다).
이어서, 도 3d 및 도 4a에 나타내는 공정에서는, 금속박(321)을 하프 에칭하여, 저저항부(332)를 형성한 부분에 오목부(321x)를 형성한다. 즉, 금속박(321)을 하프 에칭하여, 발열체(32)보다 층두께가 얇은 고저항부(331)가 되는 부분을 형성한다. 한편, 도 4a 내지 도 4c는 도 3d에서 B 부분의 확대도이다.
구체적으로는, 예를 들어, 금속박(321) 상의 전체면에 레지스트를 형성하고, 레지스트를 노광 및 현상하여, 오목부(321x)를 형성할 부분만을 노출하는 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 금속박(321)을 하프 에칭하여 오목부(321x)를 형성한다. 그 후, 레지스트를 제거한다. 금속박(321)의 하프 에칭에 사용하는 에칭액으로는, 예를 들어, 염화제이구리 에칭액, 염화제이철 에칭액 등을 사용할 수 있다.
이어서, 도 4b에 나타내는 공정에서는, 오목부(321x) 내에 저저항부(332)를 형성한다. 구체적으로는, 예를 들어, 금속박(321) 상의 전체면에 레지스트를 형성하고, 레지스트를 노광 및 현상하여 오목부(321x)만을 노출하는 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 오목부(321x) 내에, 예를 들어, 금속박(321)을 급전층으로 하는 전해 도금법에 의해 구리 등을 석출시켜, 저저항부(332)를 형성한다. 그 후, 레지스트를 제거한다.
이어서, 도 4c 및 도 4d에 나타내는 공정에서는, 금속박(321)을 패터닝하여, 발열체(32), 고저항부(331) 상에 저저항부(332)가 접합되어 이루어지는 배선(33) 및 급전 단자(34)를 형성한다. 그러므로, 발열체(32), 배선(33), 급전 단자(34)는 절연 수지 필름(311) 상에서 동일한 면에 위치한다. Z4에서, 각 배선(33)은 발열체(32)의 일단(32T1) 및 타단(32T2)에 직렬로 연결되도록 형성된다. 한편, 도 4d는 도 4c의 평면도이다. 바꾸어 말하면, 도 4c는 도 4d의 C-C 선에 따른 단면도이다. 도 4d에서는, 편의상 저저항부(332)를 점박이 모양으로 나타내고 있다.
구체적으로는, 예를 들어, 금속박(321) 상의 전체면에 레지스트를 형성하고, 레지스트를 노광 및 현상하여 발열체(32), 배선(33) 및 급전 단자(34)로서 남길 부분만을 피복하는 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴에 의해 피복되지 않는 부분의 금속박(321)을 에칭에 의해 제거한다. 금속박(321)을 제거하는 에칭액으로는, 예를 들어, 염화제이구리 에칭액, 염화제이철 에칭액 등을 사용할 수 있다.
그 후, 레지스트 패턴을 박리액에 의해 박리함으로써, 절연 수지 필름(311) 상의 소정 위치에 발열체(32), 배선(33) 및 급전 단자(34)가 형성된다(포토리소그래피법). 포토리소그래피법에 의해 발열체(32)를 형성함으로써, 발열체(32)의 폭방향 치수 오차를 저감할 수 있어서 발열 분포를 개선할 수 있다. 한편, 에칭에 의해 형성된 발열체(32)의 단면 형상은, 예를 들어, 대략 사다리꼴 형상으로 할 수 있다. 이 경우, 절연 수지 필름(311)에 접하는 면과 그 반대면과의 폭의 차는, 예를 들어, 10-50㎛ 정도로 할 수 있다. 발열체(32)의 단면 형상을 단순하게 대략 사다리꼴 형상으로 함으로써, 발열 분포를 개선할 수 있다.
이어서, 도 5a에 나타내는 공정에서는, 절연 수지 필름(311) 상에 발열체(32), 배선(33) 및 급전 단자(34)를 피복하는 절연 수지 필름(312)을 적층한다. 절연 수지 필름(312)은 진공 안에서 적층하면, 보이드(void)에 말려 들어가는 것을 억제할 수 있다는 점에서 좋다. 절연 수지 필름(312)의 재료는, 예를 들어, 절연 수지 필름(311)과 같게 할 수 있다. 다만, 절연 수지 필름(312)의 두께는, 발열체(32) 등을 피복할 수 있는 범위 내에서 적절히 결정할 수 있으며, 반드시 절연 수지 필름(311)과 같은 두께로 할 필요는 없다.
이어서, 도 5b에 나타내는 공정에서는, 절연 수지 필름(311)을 노광 및 현상하여, 각 급전 단자(34)의 일부를 노출하는 개구부(31x)를 형성한다. 그 후, 절연 수지 필름(311,312)을 정전 척(40) 쪽으로 가압하면서, 절연 수지 필름(311,322)을 경화 온도 이상으로 가열하여 경화시킨다. 이로써, 절연 수지 필름(311,312)이 일체화되어 절연층(31)으로 되며, 발열체(32)의 주위가 절연층(31)에 의해 피복된 발열부(30)가 형성되고, 발열부(30)의 절연층(31)과 정전 척(40)이 직접 접합된다. 상온으로 돌아갔을 때의 응력을 고려하여, 절연 수지 필름(311,322)의 가열 온도는 200℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
한편, 절연 수지 필름(311,312)을 정전 척(40) 쪽으로 가압하면서 가열 경화시킴으로써, 발열체(32) 유무의 영향에 따른 절연층(31) 상면(정전 척(40)에 접하지 않는 쪽의 면)의 요철을 저감시켜 평탄화할 수 있다. 절연층(31) 상면의 요철은, 7㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 절연층(31) 상면의 요철을 7㎛ 이하로 함으로써, 다음 공정에서 절연층(31)과 접착층(20)(제2층(22))의 사이에 기포가 말려 들어오는 것을 방지할 수 있다. 즉, 절연층(31)과 접착층(20)(제2층(22)) 사이의 접착성이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 5c에 나타내는 공정에서는, 각 개구부(31x) 안에서 노출되는 급전 단자(34)에, 접합부(50, 땜납 등)를 통해 급전선(60)의 도체(61, 구리선 등)의 일단을 연결한다.
이어서, 도 5d에 나타내는 공정에서는, 미리 수로(15) 등을 형성한 베이스 플레이트(10)를 준비하고, 베이스 플레이트(10) 상에 제1층(21)과 제2층(22)을 차례로 적층하여 접착층(20, 미경화)을 형성한다. 그리고, 도 5c에 나타내는 구조체를 상하 반전시켜 접착층(20)을 사이에 두고 베이스 플레이트(10) 상에 배치하고, 접착층(20)을 경화시킨다. 한편, 급전층(60)은, 미리 베이스 플레이트(10)에 형성된 관통 구멍에 삽입 통과시켜, 급전층(60)의 타단은 베이스 플레이트(10)의 하면 측에 노출되어 기판 고정 장치(1)의 외부에 배치된 전원에 연결 가능한 상태로 된다. 이로써, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(20)을 사이에 두고 발열부(30) 및 정전 척(40)이 차례로 적층된 기판 고정 장치(1)를 완성한다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)에서는, 발열체(32)에 직렬로 연결된 배선(33)을, 고저항부(331) 상에 저저항부(332)가 접합된 구조로 하고 있다. 이로써, 배선(33)의 저항값을 낮추어, 배선(33)의 발열을 발열체(32)의 발열에 비해 대폭 저감할 수 있다. 예를 들어, 발열체(32)가 복수의 영역마다 독립적으로 배치되고, 영역을 걸치도록 배선(33)이 배치되는 경우에도, 배선(33)의 발열이 작으므로 각 영역의 균열성을 저해하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 발열체(32)가 발생시키는 열의 균열성을 향상시킨 기판 고정 장치(1)을 실현할 수 있다.
한편, 정전 척(40) 안으로 배선(33)을 통하게 하거나, 절연층(31)과는 별도로 새롭게 추가한 절연층 안으로 배선(33)을 통하게 하는 방법도 생각할 수 있으나, 구조가 복잡해지고 배선의 접속 신뢰성이 저하된다. 본 실시형태에서는, 발열체(32)와 배선(33)이 동일한 층에 형성되므로, 구조가 복잡해지거나 배선의 접속 신뢰성이 저하될 우려가 없다.
<제1 실시형태의 변형예>
제1 실시형태의 변형예에서는, 제1 실시형태와는 다른 방법에 의해 배선 및 급전 단자를 형성하는 예를 나타낸다. 한편, 제1 실시형태의 변형예에 있어, 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 6a 내지 도 6d는, 제1 실시형태의 변형예에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다. 우선, 제1 실시형태의 도 3a 내지 도 3c와 마찬가지의 공정을 실행한 후, 도 6a에 나타내는 공정에서는, 금속박(321)을 패터닝하여, 발열체(32), 발열체(32)에 직렬로 연결된 배선(330) 및 급전 단자(340)를 형성한다. 한편, 배선(330)은, 저저항부(332)가 형성되기 전의 배선이며 고저항부만으로 이루어진다.
이어서, 도 6b에 나타내는 공정에서는, 배선(330)을 하프 에칭하여, 저저항부(332)를 형성하고 싶은 부분에 오목부(321x)를 형성한다. 즉, 배선(330)을 하프 에칭하여, 발열체(32)보다 층두께가 얇은 고저항부(331)를 형성한다. 오목부(321x)의 구체적인 형성 방법은, 도 3d 및 도 4a에 나타내는 공정에서 설명한 것과 같다. 한편, 도 6b 및 도 6c는 도 6a에서의 B 부분의 확대도이다.
이어서, 도 6c 및 도 6d에 나타내는 공정에서는, 도 4b에 나타내는 공정과 마찬가지로 하여 오목부(321x) 안에 저저항부(332)를 형성한다. 이로써, 고저항부(331) 상에 저저항부(332)가 접합되어 이루어지는 배선(33)이 완성된다. 한편, 도 6d는 도 6c의 평면도이다. 바꾸어 말하면, 도 6c는 도 6d에서의 C-C 선에 따른 단면도이다. 도 6d에서는 편의상 저저항부(332)를 점박이 모양으로 나타내고 있다.
그 후, 제1 실시형태의 도 5a 내지 도 5d와 마찬가지의 공정을 실행함으로써, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(20)을 사이에 두고 발열부(30) 및 정전 척(40)이 차례로 적층된 기판 고정 장치(1)가 완성된다.
이와 같이, 금속박(321)을 패터닝한 후에 저저항부(332)를 형성할 수도 있다.
<제2 실시형태>
제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와는 배선 구조가 다른 예를 나타낸다. 한편, 제2 실시형태에 있어, 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 7a와 도 7b는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도인데, 도 7a는 전체도이고, 도 7b는 도 7a에서 A부분의 확대도이다. 도 8a 내지 도 8c는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 발열체의 설명도인데, 도 8a는 부분 평면도이고, 도 8b는 도 8a에서의 A-A선에 따른 단면도이며, 도 8c는 도 8a에서의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 7a 내지 도 8c를 참조하면, 기판 고정 장치(2)는, 배선(33)이 배선(33A)으로 치환되어 있는 점이 기판 고정 장치(1)와 다르다. 여기에서, 고저항부(331A)는, 고저항부(331)와 마찬가지로 발열체(32)와 동일한 재료로 형성되어 있는 부분이고, 저저항부(332A)는, 저저항부(332)와 마찬가지로 발열체(32)보다 비저항이 낮은 재료로 형성된 부분이다. 다만, 고저항부(331A)에는 오목부가 형성되어 있지 않으며, 고저항부(331A)는 발열체(32)와 동일한 층두께를 가진다. 그리고, 저저항부(332A)는 고저항부(331A)의 표면으로부터 돌출하도록 형성되어 있다. 즉, 배선(33A)은 발열체(32)보다 층두께가 두껍다.
도 9a 내지 도 9d는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다. 우선, 제1 실시형태의 도 3a 내지 도 3c와 마찬가지의 공정을 실행하여, 도 9a에 나타내는 구조체를 제작한다.
이어서, 도 9b에 나타내는 공정에서는, 금속박(321) 상의 소정 영역에 저저항부(332A)를 형성한다. 구체적으로는, 예를 들어, 금속박(321) 상의 전체면에 레지스트를 형성하고, 레지스트를 노광 및 현상하여 저저항부(332A)를 형성하는 부분만을 노출시키는 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 금속박(321) 상에, 예를 들어, 금속박(321)을 급전층으로 하는 전해 도금법에 의해 구리 등을 석출시켜 저저항부(332A)를 형성한다. 그 후, 레지스트 패턴을 제거한다. 한편, 도 9b 및 도 9c는 도 9a에서의 B 부분의 확대도이다.
이어서, 도 9c 및 도 9d에 나타내는 공정에서는, 도 4c 및 도 4d에 나타내는 공정과 마찬가지로 하여 금속박(321)을 패터닝하여, 발열체(32), 고저항부(331A) 상에 저저항부(332A)가 접합되어 이루어지는 배선(33A), 및 급전 단자(34)를 형성한다. 한편, 도 9d는 도 9c의 평면도이다. 바꾸어 말하면, 도 9c는 도 9d에서의 C-C 선에 따른 단면도이다. 도 9d에서는 편의상 저저항부(332A)를 점박이 모양으로 나타내고 있다.
그 후, 제1 실시형태의 도 5a 내지 도 5d와 마찬가지의 공정을 실행함으로써, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(20)을 사이에 두고 발열부(30) 및 정전 척(40)이 차례로 적층된 기판 고정 장치(2)가 완성된다.
이와 같이, 금속박(321)을 하프 에칭하지 않고서, 고저항부(331A) 상에 저저항부(332A)가 접합되어 이루어지는 배선(33A)을 형성할 수도 있다. 즉, 고저항부는, 발열체와 동일한 층두께를 가질 수도 있고, 발열체보다 층두께가 얇을 수도 있다.
<제2 실시형태의 변형예>
제2 실시형태의 변형예에서는, 제2 실시형태와는 다른 방법에 의해 배선 및 급전 단자를 형성하는 예를 나타낸다. 한편, 제2 실시형태의 변형예에 있어, 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 10a 내지 도 10d는 제2 실시형태의 변형예에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다. 우선, 제1 실시형태의 도 3a 내지 도 3c와 마찬가지의 공정을 실행한 후, 도 10a에 나타내는 공정에서는, 금속박(321)을 패터닝하여 발열체(32), 고저항부(331A) 및 급전 단자(34)를 형성한다.
이어서, 도 10b 내지 도 10d에 나타내는 공정에서는, 도 9b에 나타내는 공정과 마찬가지로 하여 고저항부(331A)에 저저항부(332A)를 형성한다. 한편, 도 10b는 도 10a에서의 B 부분의 확대도이다. 또한, 도 10c는 도 10b의 평면도이다. 바꾸어 말하면, 도 10b는 도 10c에서의 C-C 선에 따른 단면도이다. 도 10c에서는 편의상 저저항부(332A)를 점박이 모양으로 나타내고 있다. 도 10d는 도 10c에서의 D-D 선에 따른 단면도이다.
그 후, 제1 실시형태의 도 5a 내지 도 5d와 마찬가지의 공정을 실행함으로써, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(20)을 사이에 두고 발열부(30) 및 정전 척(40)이 차례로 적층된 기판 고정 장치(2)가 완성된다.
이와 같이, 금속박(321)을 패터닝한 후에 저저항부(332A)를 형성할 수도 있다. 한편, 도 10d에 나타내는 바와 같이, 고저항부(331A)의 긴쪽 방향 측면에도 저저항부(332A)가 형성된다.
이상, 바람직한 실시 형태 등에 대해 설명하였으나, 전술한 실시 형태 등에 제한되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범위를 일탈하지 않으면서 전술한 실시 형태 등에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 발열체가 복수의 영역마다 독립적으로 배치되는 예를 나타내었다. 그러나, 본 발명은, 연속된 하나의 발열체를 갖는 기판 고정 장치(복수의 영역으로 나누어져 있지 않음)에 있어서 발열체의 일부를 저(低)저항화하고 싶은 경우에도 적용 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 기판 고정 장치의 흡착 대상물로는, 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼 등) 이외에, 액정 패널 등의 제조 공정에서 사용되는 유리 기판 등을 예시할 수 있다.
한편, 본원은 일본 특허청에 2016년 8월 8일에 출원된 기초 출원 2016-155760호의 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.
1,2 기판 고정 장치
10 베이스 플레이트
15 수로
15a 냉각수 도입부
15b 냉각수 배출부
20 접착층
21 제1층
22 제2층
30 발열부
31 절연층
31x 개구부
32 발열체
32T1 발열체의 일단
32T2 발열체의 타단
33,33A,330 배선
34 급전 단자
40 정전 척
41 기체
42 정전 전극
50 접합부
60 급전선
61 도체
62 절연체
311,312 절연 수지 필름
321 금속박
321x 오목부
331,331A 고저항부
332,332A 저저항부

Claims (13)

  1. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서,
    베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트 상에 설치된 발열부와,
    상기 발열부 상에 설치된 정전 척을 포함하고,
    상기 발열부는, 제1 재료로 형성된 발열체와, 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하며,
    상기 배선은, 상기 제1 재료로 형성된 제1 도전층 상에 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 형성된 제2 도전층이 접합되어 있고,
    상기 발열체는, 상기 배선을 통해 상기 발열체에 전압을 공급하는 급전 단자에 연결되고,
    상기 발열체는, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 복수의 영역마다 독립적으로 배치되고,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 발열체는, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 걸치도록 배치된 상기 배선을 통해, 상기 제2 영역에 배치된 상기 급전 단자에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  2. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서,
    베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트 상에 설치된 발열부와,
    상기 발열부 상에 설치된 정전 척을 포함하고,
    상기 발열부는, 제1 재료로 형성된 발열체와, 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하며,
    상기 배선은, 상기 제1 재료로 형성된 제1 도전층에 설치된 오목부 내에, 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 형성된 제2 도전층이 접합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발열체는, 상기 배선을 통해 상기 발열체에 전압을 공급하는 급전 단자에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발열체는, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 복수의 영역마다 독립적으로 배치되고,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 발열체는, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 걸치도록 배치된 상기 배선을 통해, 상기 제2 영역에 배치된 상기 급전 단자에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 도전층은 상기 발열체보다 층 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 도전층은 상기 발열체와 층 두께가 동일한 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층과 상기 정전 척이 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발열체의 상기 정전 척에 대향하는 면과 상기 배선의 상기 정전 척에 대향하는 면이 동일한 면에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 재료는 압연 합금이고,
    상기 제2 재료는 상기 압연 합금 상의 금속 도금인 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발열체의 적어도 하나의 면이 조화(粗化)되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  11. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치의 제조방법으로서,
    정전 척 상에, 제1 재료로 형성된 발열체와 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하는 발열부를 형성하는 공정과,
    베이스 플레이트 상에, 상기 발열부가 설치된 상기 정전 척을 고착하는 공정을 포함하고,
    상기 발열부를 형성하는 공정은,
    상기 정전 척 상에, 제1 절연 수지 필름을 배치하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 상에, 상기 제1 재료로 형성된 금속박을 배치하는 공정과,
    상기 금속박에서 상기 배선의 제1 도전층이 되는 부분 상에, 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 이루어지는 제2 도전층을 형성하는 공정과,
    상기 금속박을 패터닝하여, 상기 제1 재료로 형성된 발열체와, 상기 제1 도전층 상에 상기 제2 도전층이 접합되어 이루어지는 배선을 형성하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 상에, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 제2 절연 수지 필름을 배치하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 및 상기 제2 절연 수지 필름을 경화시켜, 상기 정전 척에 접합된 절연층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치 제조방법.
  12. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치의 제조방법으로서,
    정전 척 상에, 제1 재료로 형성된 발열체와 상기 발열체에 직렬로 연결된 배선과 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 절연층을 포함하는 발열부를 형성하는 공정과,
    베이스 플레이트 상에, 상기 발열부가 설치된 상기 정전 척을 고착하는 공정을 포함하고,
    상기 발열부를 형성하는 공정은,
    상기 정전 척 상에, 제1 절연 수지 필름을 배치하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 상에, 상기 제1 재료로 형성된 금속박을 배치하는 공정과,
    상기 금속박을 패터닝하여, 발열체와, 상기 발열체에 직렬로 연결된 상기 배선의 제1 도전층을 형성하는 공정과,
    상기 제1 도전층에 상기 제1 재료보다 비저항이 낮은 제2 재료로 이루어지는 제2 도전층을 형성하여, 상기 배선을 형성하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 상에, 상기 발열체 및 상기 배선을 피복하는 제2 절연 수지 필름을 배치하는 공정과,
    상기 제1 절연 수지 필름 및 상기 제2 절연 수지 필름을 경화시켜, 상기 정전 척에 접합된 절연층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치 제조방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    하프 에칭에 의해 상기 발열체의 층 두께보다 얇은 상기 제1 도전층을 형성하는 공정과,
    상기 발열체의 층 두께보다 얇은 상기 제1 도전층 상에, 상기 제2 도전층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치 제조방법.
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