CN107611059B - 配线基板接合体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种配线基板接合体。连接用FPC(75)与板状加热器(30)经由锡焊接合部件进行接合。在连接用FPC(75)中,接地接点(90b)与沿着接点的列延伸的连结电极(90d)连结,连结电极(90d)设置为向比列的两端更靠外侧伸出。在板状加热器(30)中,接地焊盘(46b)连结于沿着焊盘的列延伸的连结焊盘(46d),连结焊盘(46d)设置于向比列的两端更靠外侧伸出。
Description
技术领域
本发明涉及配线基板接合体。
背景技术
以往,作为柔性基板与印刷基板的配线基板接合体,公知有通过锡焊将柔性基板上的接点图案等的接点部分与印刷基板上的对应的接点部分电连接的接合体(例如专利文献1)。这样的配线基板接合体的一个例子示于图9。对于柔性基板110而言,在基板端除去表护层膜112,从而使以恒定间距平行地排列的铜箔图案的端部作为接点图案114而露出。然后,使接点图案114重叠于形成在印刷基板120上的接点图案124,使预先附着于接点图案114以及接点图案124的至少一方的表面的焊锡熔融,进行电连接。接点图案114的多个接点是分别独立的长方形的电极,以沿预定方向成列的方式并排。接点图案124的多个接点亦相同。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-90725号公报
然而,存在如下情况:柔性基板110的左右两侧容易卷缩(参照图9的箭头),使配置于接点图案114、接点图案124的左右两端的接点彼此的接合部分破损进而断线。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题而完成的,其主要目的在于实现提高接合于第二配线基板的第一配线基板的连接强度,即使接合于第二配线基板的第一配线基板的周围卷缩,也维持第一配线基板与第二配线基板的电连接。
本发明的配线基板接合体具备:第一配线基板,在上述第一配线基板中露出于外部的多个第一接点沿预定方向并排成列,上述多个第一接点的一个与沿着上述列延伸的第一连结电极连结,上述第一连结电极设置为向比上述列的两端更靠外侧伸出;与上述第一配线基板相同种类或者不同种类的第二配线基板,在上述第二配线基板中露出于外部的多个第二接点沿上述预定方向并排成列,上述多个第二接点的一个与沿着上述列延伸的第二连结电极连结,上述第二连结电极设置为向比上述列的两端更靠外侧伸出;以及接合部件,其使上述第一配线基板的上述多个第一接点与上述第二配线基板的上述多个第二接点以对置的状态进行焊接,并且使上述第一配线基板的上述第一连结电极与上述第二配线基板的上述第二连结电极以对置的状态进行焊接。
在该配线基板接合体中,第一配线基板的多个第一接点与第二配线基板的多个第二接点以对置的状态进行焊接,并且第一配线基板的第一连结电极与第二配线基板的第二连结电极以对置的状态进行焊接。这样焊接第一连结电极与第二连结电极,因此第一配线基板的与第二配线基板接合的连接强度提高。另外,即使接合于第二配线基板的第一配线基板的周围卷缩,也容易维持第一配线基板与第二配线基板的电连接。
此外,“焊接”是指锡焊(熔融温度小于450℃)、钎焊(熔融温度为450℃以上)。
在本发明的配线基板接合体中,上述第一连结电极可以具有第一曲折部,该第一曲折部以包围位于上述列的两端的两个第一接点的外侧的方式弯曲,上述第二连结电极也可以具有第二曲折部,该第二曲折部以包围位于上述列的两端的两个第二接点的外侧的方式弯曲。这样一来,第一配线基板的与第二配线基板接合的连接强度进一步提高。另外,即使接合于第二配线基板的第一配线基板的周围卷缩,也更加容易维持第一配线基板与第二配线基板的电连接。
在本发明的配线基板接合体中,上述第一曲折部可以延伸至位于上述列的两端的第一接点的端部,上述第二曲折部也可以延伸至位于上述列的两端的第二接点的端部。这样一来,接合于第二配线基板的第一配线基板的连接强度进一步提高。另外,即使接合于第二配线基板的第一配线基板的周围卷缩,也进一步容易维持第一配线基板与第二配线基板的电连接。在这样的本发明的配线基板接合体中,上述第二曲折部也可以越过位于上述列的两端的第二接点的端部。另外,在这样的本发明的配线基板接合体中,上述第一曲折部的面积可以比位于上述第一曲折部的相邻位置的第一接点的面积大,上述第二曲折部的面积也可以比位于上述第二曲折部的相邻位置的第二接点的面积大。这样一来,第一曲折部与第二曲折部的接合强度增高。
在本发明的配线基板接合体中,连接于上述第一连结电极的上述第一接点与连接于上述第二连结电极的上述第二接点也可以使用为供大电流流经的电路的接点。连接于第一连结电极的第一接点能够视为一个较大的接点,连接于第二连结电极的第二接点也能够视为一个较大的接点。供大电流流经的电路的接点的接合部容易发热。因此,作为供大电流流经的电路的接点,利用上述的较大的接点,从而能够抑制接合部的发热。
在本发明的配线基板接合体中,上述第一连结电极的外侧的角部以及上述第二连结电极的外侧的角部也可以带圆角。这样一来,即使在各连结电极作用有外力,由于该连结电极的外侧的角部带圆角,所以也能够使应力分散。因此,容易维持第一连结电极与第二连结电极的电连接。此外,“带圆角”是指例如成为圆弧或者椭圆的弧等的R形状。
在本发明的配线基板接合体中,上述第一配线基板可以是挠性印刷基板,上述第二配线基板也可以是板状加热器且配置于静电卡盘与金属制的支撑台之间。挠性印刷配线基板容易因外力卷缩,因此应用本发明的意义颇高。
附图说明
图1是表示等离子体处理装置10的简要结构的剖视图。
图2是表示板状加热器30的内部构造的立体图。
图3是表示配线基板接合体100的制造工序的说明图。
图4是图3(a)的A-A剖视图。
图5是表示配线基板接合体100的变形例的制造工序的说明图。
图6是表示配线基板接合体100的变形例的制造工序的说明图。
图7是表示配线基板接合体100的变形例的制造工序的说明图。
图8是表示配线基板接合体100的变形例的制造工序的说明图。
图9是以往的配线基板接合体的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。图1是表示等离子体处理装置10的简要结构的剖视图,图2是表示板状加热器30的内部构造的立体图。
如图1所示,作为半导体制造装置的等离子体处理装置10具备真空腔12、喷头14以及静电卡盘加热器20。真空腔12是由铝合金等形成为盒状的容器。喷头14设置于真空腔12的顶面。喷头14将从气体导入管16供给的处理气体从多个气体喷射孔18向真空腔12的内部释放。另外,喷头14发挥作为等离子体生成用的阴极板的作用。静电卡盘加热器20是将晶片W吸附保持于晶片载置面22a的装置。以下,对静电卡盘加热器20详细地进行说明。
静电卡盘加热器20具备静电卡盘22、板状加热器30以及支撑台60。静电卡盘22的下表面与板状加热器30的上表面30a经由第一连接板81相互粘合。支撑台60的上表面与板状加热器30的下表面30b经由第二连接板82相互粘合。作为各连接板81、82能够列举在聚丙烯制的芯材的两面具备丙烯酸树脂层的板、在聚酰亚胺制的芯材的两面具备硅酮树脂层的板、环氧树脂单独的板等。
静电卡盘22是圆板状的部件,在陶瓷烧结体26埋设有静电电极24。作为陶瓷烧结体26,能够列举例如氮化铝烧结体、氧化铝烧结体等。静电卡盘22的上表面成为供晶片W载置的晶片载置面22a。陶瓷烧结体26的厚度不特别地限定,但优选0.5~4mm。
板状加热器30是圆板状的部件,在耐热性的树脂板32内置有修正加热器电极34、跳线36、接地电极40以及基准加热器电极44。作为树脂板32的材质,能够列举例如聚酰亚胺树脂、液晶聚合物等。板状加热器30具有与板状加热器30的上表面30a平行且高度不同的第一电极区域A1~第四电极区域A4(参照图2)。
第一电极区域A1划分成多个分区Z1(例如100分区或者300分区)。在各分区Z1以如下方式进行配线,修正加热器电极34以一笔画下来的要领从一端34a至另一端34b遍布其分区Z1的整体。在图2中,向第一电极区域A1引出由虚线表示的假想线,将由该假想线围起的部分设为分区Z1。在该图2中,为了便于理解,仅在一个分区Z1表示修正加热器电极34,但在其他的分区Z1也设置有相同的修正加热器电极34。另外,利用点划线来表示板状加热器30的外形。
在第二电极区域A2设置有分别向多个修正加热器电极34供电的跳线36。因此,跳线36的个数与修正加热器电极34的个数一致。第二电极区域A2划分成少于分区Z1的个数的个数(例如6分区或者8分区)的分区Z2。在图2中,向第二电极区域A2引出由虚线表示的假想线,将由该假想线围起的部分设为分区Z2。在该图2中,为了便于说明,仅在一个分区Z2表示跳线36(一部分),但在其他的分区Z2也设置有相同的跳线36。在本实施方式中,通过使落入将一个分区Z2向第一电极区域A1投影时的投影区域中的多个修正加热器电极34属于相同的组来进行说明。属于一组的修正加热器电极34的一端34a经由沿上下方向贯通第一电极区域A1与第二电极区域A2之间的导通路35(参照图1)连接于与该组对应的分区Z2内的跳线36的一端36a。该跳线36的另一端36b引出至设置于该分区Z2的外周区域38。其结果,连接于属于相同的组的修正加热器电极34的跳线36的另一端36b集中配置于一个外周区域38。在将该外周区域38投影于板状加热器30的下表面30b的区域X内并排配置有经由导通路41(参照图1)与各跳线36的另一端36b连接的跳线焊盘(ランド)46a。换言之,多个跳线焊盘46a配置为两个以上成为一组并在相同的区域X向外部露出。此外,修正加热器电极34的电阻率优选形成跳线36的电阻率以上。
在第三电极区域A3设置有与多个修正加热器电极34共通的接地电极40。各修正加热器电极34通过从第一电极区域A1经由第二电极区域A2直至第三电极区域A3的导通路42(参照图1)连接于接地电极40。另外,接地电极40具有从外周向外侧露出的突起40a。该突起40a设置于与各外周区域38的切口39相对的位置。该突起40a经由导通路43(参照图1)连接于设置在板状加热器30的下表面30b的接地焊盘46b。接地焊盘46b与跳线焊盘46a一同设置在板状加热器30的下表面30b的区域X内。
第四电极区域A4划分成少于设置在第一电极区域A1的修正加热器电极34的总数的个数(例如4分区或者6分区)的分区Z4。在各分区Z4以如下方式进行配线,与修正加热器电极34相比高输出的基准加热器电极44以一笔画下来的要领从一端44a至另一端44b遍布其分区Z4的整体。在图2中,向第四电极区域A4引出由虚线表示的假想线,将由该假想线围起的部分设为分区Z4。在该图2中,为了便于理解,仅在一个分区Z4表示基准加热器电极44,但在其他的分区Z4也设置有相同的基准加热器电极44。各基准加热器电极44的两端44a、44b通过从第四电极区域A4直至板状加热器30的下表面30b的未图示的导通路连接于设置在板状加热器30的下表面30b的一对基准焊盘50a、50b。
如图1所示,支撑台60是由Al或者Al合金等的金属制成的圆板状的部件,在内部设置有制冷剂流路62。在制冷剂流路62的入口62a与出口62b连接有对制冷剂的温度进行调整的冷机70。制冷剂若从冷机70供给至制冷剂流路62的入口62a,则通过设置为遍布支撑台60的整体的制冷剂流路62,从制冷剂流路62的出口62b返回冷机70,在冷机70内冷却至设定温度后,再次供给至制冷剂流路62的入口62a。支撑台60具有沿上下方向贯通支撑台60的多种贯通孔64~67。贯通孔64是用于使静电电极24的供电端子25向外部露出的孔。贯通孔65是用于使设置在板状加热器30的下表面30b的区域X的焊盘组(跳线焊盘46a与接地焊盘46b,参照图2)向外部露出的孔。贯通孔66、67使基准加热器电极44的基准焊盘50a、50b分别向外部露出。在贯通孔66、67插入有电绝缘筒66a、67a。此外,支撑台60除此之外还具有虽未图示但用于使提升晶片W的升降销上下移动的贯通孔等。
等离子体处理装置10进一步具备静电卡盘电源72、修正加热器电源74、基准加热器电源76以及RF电源79。静电卡盘电源72是直流电源,经由插入于贯通孔64的供电棒73与静电电极24的供电端子25连接。修正加热器电源74是直流电源,经由插入于贯通孔65的金属配线集合体亦即连接用挠性印刷基板(连接用FPC)75与修正加热器电极34的跳线焊盘46a以及接地焊盘46b连接。具体而言,图2所示的属于相同的组的跳线焊盘46a以及接地焊盘46b并排设置在相同的区域X,因此经由一个连接用FPC75进行连接。连接用FPC75是将被树脂皮膜覆盖的金属配线75a、75b捆束为带状的电缆,与区域X对置的端部使各金属配线75a、75b露出。金属配线75a是用于将跳线焊盘46a连接于修正加热器电源74的正极的导线,金属配线75b是用于将接地焊盘46b连接于修正加热器电源74的负极的导线。基准加热器电源76是交流电源,经由插入于贯通孔66的电缆端子77与基准加热器电极44的一方的基准焊盘50a连接,并且经由插入于贯通孔67的电缆端子78与基准加热器电极44的另一方的基准焊盘50b连接。RF电源79是等离子体生成用的电源,以向作为阳极板发挥功能的支撑台60供给高频电力的方式进行连接。此外,作为阴极板发挥功能的喷头14经由可变电阻进行接地。
此处,使用图3以及图4对接合板状加热器30与连接用FPC75的配线基板接合体100进行说明。图3是表示配线基板接合体100的制造工序的说明图,图3(a)表示接合前,图3(b)表示接合后。图4是图3(a)的A-A剖视图。
连接用FPC75是利用树脂覆盖多个金属配线75a、75b的平面的配线材料。具体而言,如图4所示,连接用FPC75在树脂制的支撑层751与树脂制的覆盖层752之间具有多个金属配线75a、75b。构成金属配线75a的端部的跳线接点90a以及构成金属配线75b的端部的接地接点90b是长方形的电极,并且从覆盖层752露出。另外,连结电极90d也从覆盖层752露出。跳线接点90a以及接地接点90b以沿着连接用FPC75的短边方向成列的方式并排。接地接点90b位于该列的大致中央,并连结于沿着该列延伸的连结电极90d。连结电极90d以向比该列的两端更靠外侧露出的方式进行设置,并且从覆盖层752露出。连结电极90d具有以包围位于该列的两端的两个跳线接点90a的外侧的方式弯曲的曲折部90c。曲折部90c的端部901c延伸至其跳线接点90a的端部901a。曲折部90c的面积大于邻接的跳线接点90a。在接地接点90b与曲折部90c之间配置有多个跳线接点90a。
板状加热器30具有跳线焊盘46a、接地焊盘46b以及连结焊盘46d。跳线焊盘46a与跳线接点90a相同形状,接地焊盘46b与接地接点90b相同形状,连结焊盘46d与连结电极90d相同形状。这些焊盘46a、46b、46d在板状加热器30的下表面30b的区域X向外部露出。跳线焊盘46a以及接地焊盘46b以沿着区域X的长边方向成列的方式并排。接地焊盘46b位于该列的大致中央,并连结于沿着该列延伸的连结焊盘46d。连结焊盘46d以向比该列的两端更靠外侧露出的方式进行设置。连结焊盘46d具有以包围位于该列的两端的两个跳线焊盘46a的外侧的方式弯曲的曲折部46c。曲折部46c的端部461c延伸至其跳线焊盘46a的端部461a。曲折部46c的面积大于邻接的跳线焊盘46a。在接地焊盘46b与曲折部46c之间配置有多个跳线焊盘46a。
连接用FPC75与板状加热器30由锡焊接合部件92进行接合。即,使跳线接点90a与跳线焊盘46a对置,使接地接点90b与接地焊盘46b对置,使包含曲折部90c的连结电极90d与包含曲折部46c的连结焊盘46d对置,在该状态下对它们分别进行锡焊,从而形成配线基板接合体100。
接下来,对这样构成的等离子体处理装置10的使用例进行说明。首先,将晶片W载置于静电卡盘22的晶片载置面22a。然后,通过真空泵对真空腔12内进行减压而以成为预定的真空度的方式进行调整,向静电卡盘22的静电电极24施加直流电压产生库仑力或者JR(Johnson-Rahbek)力,将晶片W吸附固定于静电卡盘22的晶片载置面22a。接下来,将真空腔12内形成预定压力(例如数10~数100Pa)的处理气体气氛。在该状态下,向喷头14与支撑台60之间施加高频电压,产生等离子体。通过所产生的等离子体来蚀刻晶片W的表面。在该期间,未图示的控制器以晶片W的温度成为预先决定的目标温度的方式进行控制。具体而言,控制器输入来自测定晶片W的温度的测温传感器(未图示)的检测信号,以晶片W的测定温度与目标温度一致的方式控制向各基准加热器电极44供给的电流、向各修正加热器电极34供给的电流、在制冷剂流路62循环的制冷剂的温度。特别地,控制器以不产生晶片W的温度分布的方式细致地控制向各修正加热器电极34供给的电流。此外,测温传感器可以埋设于树脂板32,也可以粘合于树脂板32的表面。
此处,明确本实施方式的构成要素与本发明的构成要素的对应关系。本实施方式的连接用FPC75相当于本发明的第一配线基板,板状加热器30相当于第二配线基板,锡焊接合部件92相当于接合部件。另外,连接用FPC75的跳线接点90a以及接地接点90b相当于第一接点,曲折部90c相当于第一曲折部,连结电极90d相当于第一连结电极。另外,板状加热器30的跳线焊盘46a以及接地焊盘46b相当于第二接点,曲折部46c相当于第二曲折部,连结焊盘46d相当于第二连结电极。
在以上说明的配线基板接合体100中,钎焊连结焊盘46d与连结电极90d,因此能够提高接合于板状加热器30的连接用FPC75的连接强度。另外,即使连接用FPC75的周围卷缩,也容易维持板状加热器30与连接用FPC75的电连接。另外,连接用FPC75的两侧的曲折部90c发挥不容易使外力施加在处于这些之间的跳线接点90a、接地接点90b的作用,板状加热器30的两侧的曲折部46c发挥不容易使外力施加在处于这些之间的跳线焊盘46a、接地焊盘46b的作用。即便在这一点,也容易维持板状加热器30与连接用FPC75的电连接。
另外,连结焊盘46d具有以包围位于列的两端的两个跳线焊盘46a的外侧的方式弯曲的曲折部46c,曲折部46c延伸至其跳线焊盘46a的端部461a。连结电极90d具有以包围位于列的两端的两个跳线接点90a的外侧的方式弯曲的曲折部90c,曲折部90c延伸至其跳线接点90a的端部901a。因此,能够显著地获得上述的效果。
另外,连接于连接用FPC75的连结电极90d的接地接点90b能够视为一个较大的接点,连接于板状加热器30的连结焊盘46d的接地焊盘46b也能够视为一个较大的接点。在接地用的接点流经有比较大的电流,因此其接合部容易发热,但在本实施方式中,将较大的接点使用为接地用的接点,从而能够抑制接合部处的发热。
另外,曲折部46c的面积大于位于附近的跳线焊盘46a,曲折部90c的面积大于位于附近的跳线接点90a。因此,曲折部46c与曲折部90c的接合强度提高。
此外,本发明丝毫不被上述的实施方式限定,不言而喻只要属于本发明的技术范围,则能够以各种方式实施。
例如,在上述的实施方式的配线基板接合体100中,如图5所示,将连接用FPC75的连结电极90d的外侧的角部91做成圆弧或者椭圆的弧等的R形状,并且板状加热器30的连结焊盘46d的外侧的角部47也可以形成相同的R形状。这样一来,即使外力施加于连结电极90d、连结焊盘46d,由于这些外侧的角部91、47带圆角,因此应力会被分散。因此,容易维持连结电极90d与连结焊盘46d的电连接。此外,跳线接点90a的角部、接地接点90b的角部、跳线焊盘46a的角部、接地焊盘46b的角部也可以形成R形状。
在上述的实施方式的配线基板接合体100中,如图6所示,板状加热器30的曲折部46c的端部461c也可以超过跳线焊盘46a的端部461a。此处,与上述的实施方式相比,将跳线焊盘46a缩短长度L,从而曲折部46c的端部461c超过跳线焊盘46a的端部461a。这样一来,外力更不容易施加于板状加热器30的跳线焊盘46a与连接用FPC75的跳线接点90a的接合部。
在上述的实施方式的配线基板接合体100中,如图7所示,连接用FPC75的连结电极90d可以不具有曲折部90c而形成为直线状,板状加热器30的连结焊盘46d也可以不具有曲折部46c而形成为直线状。即便在该情况下,由于钎焊连结电极90d与连结焊盘46d,所以接合于板状加热器30的连接用FPC75的连接强度也提高,即使连接用FPC75的周围相对于板状加热器30卷缩,也容易维持连接用FPC75与板状加热器30的电连接。
在上述的实施方式的配线基板接合体100中,如图8所示,连接用FPC75的曲折部90c的端部901c可以延伸至跳线接点90a的端部901a的近前,板状加热器30的曲折部46c的端部461c也可以延伸至跳线焊盘46a的端部461a的近前。即便在该情况下,由于对具有曲折部90c的连结电极90d与具有曲折部46c的连结焊盘46d进行钎焊,因此接合于板状加热器30的连接用FPC75的连接强度提高,即使连接用FPC75的周围相对于板状加热器30卷缩,也容易维持连接用FPC75与板状加热器30的电连接。根据图8的构成,与图7的构成相比,能够更加可靠地获得这样的效果,但上述的实施方式(参照图3)与图8的构成相比,能够更加可靠地获得这样的效果。
在上述的实施方式中,作为第一配线基板例示了连接用FPC75,作为第二配线基板例示了板状加热器30,但特别地不限定于该组合。例如,作为第一配线基板可以使用扁平电缆,作为第二配线基板也可以使用印刷配线板。
在上述的实施方式中,接地接点90b位于接点的列(跳线接点90a以及接地接点90b并排的列)的大致中央,但也可以配置于该列的别处。其中,为了防止接地接点90b因连续电极90d的剥离而剥离,而优选配置于该列的两端以外的位置。换句话说,该列的两端优选为跳线接点90a。
本申请主张于2016年7月12日申请的日本专利申请第2016-137472号的优先权,通过引用在本说明书中包含有其内容的全部。
Claims (8)
1.一种配线基板接合体,其特征在于,具备:
第一配线基板,在所述第一配线基板中露出于外部的多个第一接点沿预定方向并排并成为第一接点列,所述多个第一接点的一个与沿着所述第一接点列延伸的第一连结电极连结,所述第一连结电极设置为向比所述第一接点列的两端更靠外侧伸出;
与所述第一配线基板相同种类或者不同种类的第二配线基板,在所述第二配线基板中露出于外部的多个第二接点沿所述预定方向并排并成为第二接点列,所述多个第二接点的一个与沿着所述第二接点列延伸的第二连结电极连结,所述第二连结电极设置为向比所述第二接点列的两端更靠外侧伸出;以及
接合部件,其使所述第一配线基板的所述多个第一接点与所述第二配线基板的所述多个第二接点以对置的状态进行焊接,并且使所述第一配线基板的所述第一连结电极与所述第二配线基板的所述第二连结电极以对置的状态进行焊接,
所述第一配线基板是多个金属配线被树脂皮膜覆盖的平面的挠性印刷基板,所述第一接点构成所述金属配线的端部,所述第一连结电极未设置于所述多个第一接点的所述金属配线的一侧。
2.根据权利要求1所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第一连结电极具有第一曲折部,该第一曲折部以包围位于所述第一接点列的两端的两个第一接点的外侧的方式弯曲,
所述第二连结电极具有第二曲折部,该第二曲折部以包围位于所述第二接点列的两端的两个第二接点的外侧的方式弯曲。
3.根据权利要求2所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第一曲折部延伸至位于所述第一接点列的两端的第一接点的端部,
所述第二曲折部延伸至位于所述第二接点列的两端的第二接点的端部。
4.根据权利要求3所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第二曲折部越过位于所述第二接点列的两端的第二接点的端部。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第一曲折部的面积比位于所述第一曲折部的相邻位置的第一接点的面积大,
所述第二曲折部的面积比位于所述第二曲折部的相邻位置的第二接点的面积大。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的配线基板接合体,其特征在于,
连接于所述第一连结电极的所述第一接点与连接于所述第二连结电极的所述第二接点用作供大电流流经的电路的接点。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第一连结电极的外侧的角部以及所述第二连结电极的外侧的角部带圆角。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的配线基板接合体,其特征在于,
所述第一配线基板是挠性印刷基板,
所述第二配线基板是板状加热器且配置于静电卡盘与金属制的支撑台之间。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326439A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Ricoh Co Ltd | 印刷配線板の端子構造および接続方法 |
CN101094561A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 日东电工株式会社 | 布线电路基板 |
CN101202261A (zh) * | 2006-11-30 | 2008-06-18 | 日本电气株式会社 | 元件安装结构和元件安装方法 |
CN104470205A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-25 | 三星电子株式会社 | 阵列印刷电路板、替换单印刷电路板的方法和制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590725A (ja) | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Canon Inc | フレキシブル基板の接続構造 |
JP2001267714A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Sony Corp | 電子回路装置 |
JP2005262752A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェットヘッド |
CN105474381B (zh) * | 2014-07-23 | 2018-06-05 | 应用材料公司 | 可调谐温度受控的基板支撑组件 |
JP6577867B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-09-18 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326439A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Ricoh Co Ltd | 印刷配線板の端子構造および接続方法 |
CN101094561A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 日东电工株式会社 | 布线电路基板 |
CN101202261A (zh) * | 2006-11-30 | 2008-06-18 | 日本电气株式会社 | 元件安装结构和元件安装方法 |
CN104470205A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-25 | 三星电子株式会社 | 阵列印刷电路板、替换单印刷电路板的方法和制造方法 |
Also Published As
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