TWI720224B - 配線基板接合體 - Google Patents

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Abstract

連接用FPC75與片式加熱器30係經由焊料接合構件所接合。在連接用FPC75，接地接點90b係與沿著接點之列所延伸的連結電極90d連接，連結電極90d係被設置成比列的兩端更向外側突出。在片式加熱器30，接地連接盤46b係與沿著連接盤之列所延伸的連結連接盤46d連接，連結連接盤46d係被設置成比列的兩端更向外側突出。

Description

配線基板接合體
本發明係有關於一種配線基板接合體。
以往，作為軟性基板與印刷基板之配線基板接合體，已知藉由將軟性基板上之接點圖案等的接點部分、與印刷基板上之對應的接點部分焊接，而以電性連接者(例如專利文獻1)。在第9圖表示這種配線基板接合體之一例。軟性基板110係在基板端被除去封面(coverlay)薄膜112，而以固定間平行地排列之銅箔圖案的端部露出，作為接點圖案114。然後，將接點圖案114與形成於印刷基板120上的接點圖案124重疊，使預先附著於接點圖案114及接點圖案124之至少一方的表面之焊料熔化，而以電性連接。接點圖案114之複數個接點係各自是獨立之長方形的電極，並在既定方向排列成列。接點圖案124之複數個接點亦相同。
【先行專利文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開平5-90725號公報
可是，軟性基板110的左右兩側係易捲起(參照第 9圖之箭號)，被配置於接點圖案114或接點圖案124的左右兩端之接點彼此的接點部分可能損壞而斷線。
本發明係為了解決上述之課題而開發的，其主要目的在於設法提高與第2配線基板接合之第1配線基板的連接強度，作成即使與第2配線基板接合之第1配線基板的周圍捲起，亦維持第1配線基板與第2配線基板之電性連接。
本發明之配線基板接合體係包括：第1配線基板，係在外部露出之複數個第1接點在既定方向排列成列，該複數個第1接點之一係與沿著該列所延伸之第1連結電極連結，該第1連結電極係被設置成比該列的兩端更向外側突出；與該第1配線基板之種類相同或相異的第2配線基板，係在外部露出之複數個第2接點在該既定方向排列成列，該複數個第2接點之一係與沿著該列所延伸之第2連結電極連結，該第2連結電極係被設置成比該列的兩端更向外側突出；以及接合構件，係在使該第1配線基板之該複數個第1接點與該第2配線基板之該複數個第2接點相對向之狀態焊接，且在使該第1配線基板之該第1連結電極與該第2配線基板之該第2連結電極相對向之狀態焊接。
在本配線基板接合體，第1配線基板之複數個第1接點與第2配線基板之複數個第2接點在相對向之狀態被焊接，且第1配線基板之第1連結電極與第2配線基板之第2連結電極在相對向之狀態被焊接。依此方式，因為第1連結電極 與第2連結電極被焊接，所以與第2配線基板接合之第1配線基板的連接強度提高。又，即使與第2配線基板接合之第1配線基板的周圍捲起，亦易維持第1配線基板與第2配線基板的電性連接。
此外，「焊接」係意指軟焊(熔化溫度未滿450°)或硬焊(熔化溫度450°以上)。
在本發明之配線基板接合體，亦可該第1連結電極係具有被彎曲成包圍位於該列的兩端之2個第1接點之外側的第1彎曲部：該第2連結電極係具有被彎曲成包圍位於該列的兩端之2個第2接點之外側的第2彎曲部。依此方式，與第2配線基板接合之第1配線基板的連接強度更提高。又，即使與第2配線基板接合之第1配線基板的周圍捲起，亦更易維持第1配線基板與第2配線基板的電性連接。
在本發明之配線基板接合體，亦可該第1彎曲部係延伸至位於該列的兩端之第1接點的端部：該第2彎曲部係延伸至位於該列的兩端之第2接點的端部。依此方式，與第2配線基板接合之第1配線基板的連接強度更提高。又，即使與第2配線基板接合之第1配線基板的周圍捲起，亦更易維持第1配線基板與第2配線基板的電性連接。在這種本發明之配線基板接合體，亦可該第2彎曲部係超過位於該列的兩端之第2接點的端部。。又，本發明之配線基板接合體，亦可該第1彎曲部的面積係比位於該第1彎曲部的旁邊之第1接點的面積大：該第2彎曲部的面積係比位於該第2彎曲部的旁邊之第2接點的面積大。依此方式，第1彎曲部與第2彎曲部之接合強 度變高。
在本發明之配線基板接合體，亦可作成與該第1連結電極連接的該第1接點、及與該第2連結電極連接的該第2接點係用作大電流所流動之電路的接點。與第1連結電極連接的第1接點係可當作一個大的接點，與第2連結電極連接的第2接點亦可當作一個大的接點。大電流所流動的電路之接點的接合部係易發熱。因此，藉由作為大電流所流動之電路的接點，利用這種大的接合，可抑制接合部的發熱。
在本發明之配線基板接合體，亦可該第1連結電極之外側的角部及該第2連結電極之外側的角部係帶圓角。依此方式，即使外力作用於各連結電極，亦因為該連結電極之外側的角部帶圓角，所以應力被分散。因此，易維持第1連結電極與第2連結電極的電性連接。此外，「帶圓角」係意指例如成為圓弧或橢圓之弧等的R形狀。
在本發明之配線基板接合體，亦可該第1配線基板係軟性印刷基板：該第2配線基板係片式加熱器，並被配置於靜電夾頭與金屬製的支撐座之間。軟性印刷配線基板係因為因外力而捲起，所以應用本發明之意義大。
10‧‧‧電漿處理裝置
20‧‧‧靜電夾頭加熱器
30‧‧‧片式加熱器
30b‧‧‧下面
46a‧‧‧跳線連接盤
46b‧‧‧接地連接盤
46c‧‧‧彎曲部
461a‧‧‧端部
461c‧‧‧端部
75‧‧‧連接用FPC
75a、75b‧‧‧金屬配線
90a‧‧‧跳線接點
90b‧‧‧接地接點
90c‧‧‧彎曲部
901a‧‧‧端部
901c‧‧‧端部
100‧‧‧配線基板接合體
第1圖係表示電漿處理裝置10之示意構成的剖面圖。
第2圖係表示片式加熱器30之內部構造的立體圖。
第3圖係表示配線基板接合體100之製程的說明圖。
第4圖係第3圖(a)之A-A剖面圖。
第5圖係表示配線基板接合體100之變形例之製程的說明圖。
第6圖係表示配線基板接合體100之變形例之製程的說明圖。
第7圖係表示配線基板接合體100之變形例之製程的說明圖。
第8圖係表示配線基板接合體100之變形例之製程的說明圖。
第9圖係以往之配線基板接合體的立體圖。
在以下，一面參照圖面，一面說明本發明之較佳的實施形態。第1圖係表示電漿處理裝置10之示意構成的剖面圖，第2圖係表示片式加熱器30之內部構造的立體圖。
是半導體製造裝置之電漿處理裝置10係如第1圖所示，包括真空室12、蓮蓬頭14以及靜電夾頭加熱器20。真空室12係藉鋁合金等形成盒狀的容器。蓮蓬頭14係被設置於真空室12的頂面。蓮蓬頭14係從多個氣體噴射孔18向真空室12的內部噴射從氣體導入管16所供給的處理氣體。又，蓮蓬頭14係發揮作為電漿產生用之陰極板的功用。靜電夾頭加熱器20係將晶圓W吸附並固持於晶圓載置面22a的裝置。以下，詳細地說明靜電夾頭加熱器20。
靜電夾頭加熱器20包括靜電夾頭22、片式加熱器30以及支撐座60。靜電夾頭22的下面與片式加熱器30的上面30a係經由第1接合片81彼此接合。支撐座60的上面與片 式加熱器30的下面30b係經由第2接合片82彼此接合。作為各接合片81、82，列舉在聚丙烯製之芯材的雙面具備丙烯酸樹脂層的片、在聚醯亞胺製之芯材的雙面具備矽樹脂層的片、環氧樹脂單獨的片等。
靜電夾頭22係圓板狀的構件，膠帶掣子24係被埋設於陶瓷燒結體26。作為陶瓷燒結體26，列舉例如氮化鋁燒結體或氧化鋁燒結體等。靜電夾頭22的上面成為載置晶圓W的晶圓載置面22a。陶瓷燒結體26的厚度係無特別地限定，但是0.5~4mm較佳。
片式加熱器30係圓板狀的構件，係將修正加熱器電極34、跳線36、接地電極40以及基準加熱器電極44內建於耐熱性的樹脂片32。作為樹脂片32的材質，列舉例如聚醯亞胺樹脂或液晶聚合物等。片式加熱器30係在片式加熱器30的上面30a具有平行且高度相異的第1電極區域A1~第4電極區域A4(參照第2圖)。
第1電極區域A1係被區分成多個區Z1(例如100個區或300個區)。在各區Z1，以一筆畫要領將修正加熱器電極34從一端34a至另一端34b配線成遍及該區Z1的整體。在第2圖，在第1電極區域A1畫以虛線所示的虛擬線，將以該虛擬線所包圍之部分當作區Z1。在此第2圖，權宜上，僅在一個區Z1表示修正加熱器電極34，但是在其他的區Z1亦設置相同的修正加熱器電極34。又，以一點鏈線表示片式加熱器30的外形。
在第2電極區域A2，設置對複數個修正加熱器電 極34之各個進行供電的跳線36。因此，跳線36的線數係與修正加熱器電極34的個數一致。第2電極區域A2係被區分成個數(例如6個區或8個區)比區Z1之個數更少的區Z2。在第2圖，在第2電極區域A2畫以虛線所示的虛擬線，將以該虛擬線所包圍之部分當作區Z2。在此第2圖，權宜上，僅在一個區Z2表示跳線36(一部分)，但是在其他的區Z2亦設置相同的跳線36。在本實施形態，把進入將一個區Z2投影至第1電極區域A1時之投影區Z中的複數個修正加熱器電極34當作屬於相同的組加以說明。屬於一個組之修正加熱器電極34的一端34a係經由在上下方向貫穿第1電極區域A1與第2電極區域A2之間的通路35(參照第1圖)與對應於該組之區Z2內之跳線36的一端36a連接。該跳線36的另一端36b係被拉出至設置於該區Z2的外周區域38。結果，與屬於相同的組之修正加熱器電極34連接之跳線36的另一端36b係集中地被配置於一個外周區域38。在將該外周區域38投影至片式加熱器30之下面30b的區域X內，並列地配置經由通路41(參照第1圖)與各跳線36的另一端36b與連接的跳線連接盤46a。換言之，複數個跳線連接盤46a係2個以上成為一組，並在相同的區域X內被配置成在外部露出。此外，修正加熱器電極34之比電阻係設定成跳線36之比電阻以上較佳。
在第3電極區域A3，對複數個修正加熱器電極34設置共同的接地電極40。各修正加熱器電極34係經由從第1電極區域A1經由第2電極區域A2至第3電極區域A3的通路42(參照第1圖)與接地電極40連接。又，接地電極40係具有 外外周突出至外側的突起40a。此突起40a係被設置於與各外周區域38之缺口39相對向的位置。此突起40a係經由通路43(參照第1圖)與設置於片式加熱器30之下面30b的接地連接盤46b連接。接地連接盤46b係與跳線連接盤46a一起被設置於片式加熱器30之下面30b的區域X內。
第4電極區域A4係被區分成個數(例如4個區或6個區)比設置於第1電極區域A1之修正加熱器電極34的總個數更少的區Z4。在各區Z4，以一筆畫要領將輸出比修正加熱器電極34高之基準加熱器電極44從一端44a至另一端44b配線成遍及該區Z4的整體。在第2圖，在第4電極區域A4畫以虛線所示的虛擬線，將以該虛擬線所包圍之部分當作區Z4。在此第2圖，權宜上，僅在一個區Z4表示基準加熱器電極44，但是在其他的區Z4亦設置相同的基準加熱器電極44。各基準加熱器電極44的兩端44a、44b係經由從第4電極區域A4至片式加熱器30的下面30b之未圖示的通路，與設置於片式加熱器30之下面30b的一對基準連接盤50a、50b連接。
支撐座60係如第1圖所示，係以Al或Al合金等的金屬所製作之圓板形的構件，並在內部冷媒流路62。調整冷媒之溫度的急冷器70與冷媒流路62的入口62a及出口62b連接。冷媒係從急冷器70被供給至冷媒流路62的入口62a時，通過被設置成遍及支撐座60之整體的冷媒流路62，並從冷媒流路62的出口62b回去急冷器70，在急冷器70內被冷卻至設定溫度後再被供給至冷媒流路62的入口62a。支撐座60具有在上下方向貫穿支撐座60的複數種貫穿孔64~67。貫穿孔64 係用以使膠帶掣子24之拉伸彈簧25在外部露出的孔。貫穿孔65係用以使設置於片式加熱器30之下面30b的區域X之連接盤群(跳線連接盤46a與接地連接盤46b，參照第2圖)在外部露出的孔。貫穿孔66、67係使基準加熱器電極44的基準連接盤50a、50b各自在外部露出。電性絕緣筒66a、67a被插入貫穿孔66、67。此外，支撐座60係此外，具有未圖示之用以使提升晶圓W之升降銷進行上下動的貫穿孔等。
電漿處理裝置10係更包括靜電夾頭電源72、修正加熱器電源74、基準加熱器電源76以及RF電源79。靜電夾頭電源72係直流電源，並經由被插入貫穿孔64之供電棒73與膠帶掣子24的供電端子25連接。修正加熱器電源74係直流電源，並經由被插入貫穿孔65之是金屬配線集合體的連接用軟性印刷基板(連接用FPC)75與修正加熱器電極34之跳線連接盤46a及接地連接盤46b連接。具體而言，第2圖所示之屬於相同的組之跳線連接盤46a及接地連接盤46b係因為並列地被設置於相同的區域X，所以經由一條連接用FPC75連接。連接用FPC75係將以樹脂皮膜所包覆之金屬配線75a、75b束成帶狀的電纜，與區域X相對向的端部係各金屬配線75a、75b露出。金屬配線75a係用以將跳線連接盤46a與修正加熱器電源74之正極連接的導線，金屬配線75b係用以將接地連接盤46b與修正加熱器電源74之負極連接的導線。基準加熱器電源76係交流電源，並經由被插入貫穿孔66之電纜端子77，與基準加熱器電極44之一方的基準連接盤50a連接，且經由被插入貫穿孔67之電纜端子78，與基準加熱器電極44之另一方的 基準連接盤50b連接。RF電源79係電漿產生用的電源，與作為陽極板發揮功能之支撐座60連接成供給高頻電力。此外，作為陰極板發揮功能之蓮蓬頭14係經由可變電阻接地。
此處，使用第3圖及第4圖，說明將片式加熱器30與連接用FPC75接合的配線基板接合體100。第3圖係表示配線基板接合體100之製程的說明圖，(a)係表示接合前，(b)係表示接合後，第4圖係第3圖(a)之A-A剖面圖。
連接用FPC75係以樹脂包覆複數條金屬配線75a、75b之平坦的配線材料。具體而言，連接用FPC75係如第4圖所示，在樹脂製之支撐層751與樹脂製的包覆層752之間具有複數條金屬配線75a、75b。構成金屬配線75a之端部的跳線接點90a或構成金屬配線75b之端部的接地接點90b係長方形的電極，並從包覆層752露出。又，連結電極90d亦從包覆層752露出。跳線接點90a及接地接點90b係沿著連接用FPC75的短邊方向排列成列。接地接點90b係位於此列的約中央，並與沿著此列所延伸之連結電極90d連結。連結電極90d係被設置成比此列的兩端更向外側露出，並從包覆層752露出。連結電極90d具有被彎曲成包圍位於此列的兩端之2個跳線接點90a之外側的彎曲部90c。彎曲部90c的端部901c係延伸至此跳線接點90a的端部901a。彎曲部90c的面積係比鄰接之跳線接點90a的面積大。複數個跳線接點90a被配置於接地接點90b與彎曲部90c之間。
片式加熱器30具有跳線連接盤46a、接地連接盤46b以及連結連接盤46d。跳線連接盤46a係形狀與跳線接點 90a相同，接地連接盤46b係形狀與接地接點90b相同，連結連接盤46d係形狀與連結電極90d相同。這些46a、46b以及46d係在片式加熱器30之下面30b的區域X在外部露出。跳線連接盤46a及接地連接盤46b係沿著區域X之長度方向排列成列。接地連接盤46b係位於此列的約中央，並與沿著此列所延伸之連結連接盤46d連結。連結連接盤46d係被設置成比此列的兩端更向外側露出。連結連接盤46d具有被彎曲成包圍位於此列的兩端之2個跳線連接盤46a之外側的彎曲部46c。彎曲部46c的端部461c係延伸至該跳線連接盤46a的端部461a。彎曲部946的面積係比鄰接之跳線連接盤46a的面積大。複數個跳線連接盤46a被配置於接地連接盤46b與彎曲部46c之間。
連接用FPC75與片式加熱器30係藉焊料接合構件92所接合。即，使跳線接點90a與跳線連接盤46a相對向，使接地接點90b與接地連接盤46b相對向，並使包含彎曲部90c之連結電極90d與包含彎曲部46c之連結連接盤46d相對向，在此狀態對各個焊接，藉此，作成配線基板接合體100。
其次，說明依此方式所構成之電漿處理裝置10的使用例。首先，將晶圓W載置於靜電夾頭22的晶圓載置面22a。然後，藉真空泵在真空室12內進行降壓，調整成既定真空度後，對靜電夾頭22的膠帶掣子24施加直流電壓，產生庫倫力或Johnsen Rahbeck力，將晶圓W吸附並固定於靜電夾頭22的晶圓載置面22a。接著，將真空室12內設定成既定壓力(例如數十~數百Pa)之處理氣體環境。在此狀態，對蓮蓬頭14與支撐座60之間施加高頻電壓，而產生電漿。藉所產生之電漿 蝕刻晶圓W之表面。在此之間，未圖示之控制器將晶圓W的溫度控制成所預定之目標溫度。具體而言，控制器係輸入來自測量晶圓W之溫度的測温感測器(未圖示)之檢測信號，並以晶圓W之測量溫度成為與目標溫度一致的方式，控制對各基準加熱器電極44所供給之電流或對各修正加熱器電極34所供給之電流、在冷媒流路62循環之冷媒的溫度。尤其，控制器係將對各修正加熱器電極34所供給之電流微細地控制成晶圓W的溫度分布不會發生。此外，測温感測器係亦可被埋設於樹脂片32，亦可與樹脂片32之表面接合。
此處，弄清楚本實施形態之構成元件與本發明之構成元件的對應關係。本實施形態之連接用FPC75相當於本發明的第1配線基板，片式加熱器30相當於第2配線基板。焊料接合構件92相當於接合構件。又，連接用FPC75之跳線接點90a及接地接點90b相當於第1接點，彎曲部90c相當於第1彎曲部，連結電極90d相當於第1連結電極。又，片式加熱器30的跳線連接盤46a及接地連接盤46b相當於第2接點，彎曲部46c相當於第2彎曲部，連結連接盤46d相當於第2連結電極。
在以上所說明之配線基板接合體100，因為將連結連接盤46d與連結電極90d焊接，所以與片式加熱器30接合之連接用FPC75的連接強度提高。又，即使連接用FPC75之周圍捲起，亦易維持片式加熱器30與連接用FPC75的電性連接。進而，連接用FPC75之兩側的彎曲部90c係發揮外力難作用於位於這些元件之間之跳線接點90a或接地接點90b的功 用，片式加熱器30之兩側的彎曲部46c係發揮外力難作用於位於這些元件之間之跳線連接盤46a或接地連接盤46b的功用。在這一點，亦易維持片式加熱器30與連接用FPC75的電性連接。
又，連結連接盤46d係具有被彎曲成包圍位於列的兩端之2個跳線連接盤46a之外側的彎曲部46c。彎曲部46c係延伸至該跳線連接盤46a的端部461a。連結電極90d係具有被彎曲成包圍位於列的兩端之2個跳線接點90a之外側的彎曲部90c。彎曲部90c係延伸至該跳線接點90a的端部901a。因此，可顯著地得到上述之效果。
又，與連接用FPC75之連結電極90d連接的接地接點90b係可當作一個大的接點。與片式加熱器30之連結連接盤46d連接的接地連接盤46b亦可當作一個大的接點。因為比較大的電流流至接地用的接點，所以接合部係易發熱，但是在本實施形態，藉由將大的接點用作接地用的接點，可抑制在接合部係的發熱。
進而，彎曲部46c的面積係比位於旁邊之跳線連接盤46a的面積大。因此，彎曲部46c與彎曲部90c的接合強度變高。
此外，本發明係對上述之實施形態無絲毫的限定，當然只要屬於本發明的技術性範圍，能以各種的形態實施。
例如，在上述之實施形態的配線基板接合體100，如第5圖所示，亦可將連接用FPC75之連結電極90d之外側的角部91作成圓弧或橢圓之弧等的R形狀，且片式加熱器30之連結連接盤46d之外側的角部47亦作成相同的R形狀。依此方式，即使外力作用於連結電極90d或連結連接盤46d，亦因為這些外側的角部91、47具有圓角而應力被分散。因此，易維持連結電極90d與連結連接盤46d的電性連接。此外，跳線接點90a的角部或接地接點90b的角部、跳線連接盤46a的角部、接地連接盤46b的角部亦作成R形狀。
在上述之實施形態的配線基板接合體100，如第6圖所示，亦可片式加熱器30之彎曲部46c的端部461c係超過跳線連接盤46a的端部461a。此處，藉由使跳線連接盤46a的長度比上述之實施形態僅縮短長度L，作成彎曲部46c的端部461c係超過跳線連接盤46a的端部461a。依此方式，外力更難作用於片式加熱器30之跳線連接盤46a與連接用FPC75之跳線接點90a的接合部。
在上述之實施形態的配線基板接合體100，如第7圖所示，亦可連接用FPC75的連結電極90d係不具有彎曲部90c，而形成直線狀，片式加熱器30的連結連接盤46d亦不具有彎曲部90c，而形成直線狀。即使是此情況，亦因為將連結電極90d與連結連接盤46d焊接，所以與片式加熱器30接合之連接用FPC75的連接強度提高，即使連接用FPC75之周圍捲起，亦易維持連接用FPC75與片式加熱器30的電性連接。
在上述之實施形態的配線基板接合體100，如第8圖所示，亦可連接用FPC75之彎曲部90c的端部901c係延伸至跳線接點90a之端部901a的前面，片式加熱器30之彎曲部46c的端部461c係延伸至跳線連接盤46a之端部461a的前面。即使是此情況，亦因為將具有彎曲部90c之連結電極90d與具有彎曲部46c之連結連接盤46d焊接，所以與片式加熱器30接合之連接用FPC75的連接強度提高，即使對片式加熱器30，連接用FPC75之周圍捲起，亦易維持連接用FPC75與片式加熱器30的電性連接。若依據第8圖之構成，與第7圖之構成相比，可更確實地得到這種效果，但是上述之實施形態(參照第3圖)可比第8圖之構成更確實地得到這種效果。
在上述之實施形態，作為第1配線基板，舉例表示連接用FPC75，作為第2配線基板，舉例表示片式加熱器30，但是不是特別地限定為此組合。例如，亦可作為第1配線基板，使用扁平電纜，作為第2配線基板，使用印刷配線板。
在上述之實施形態，接地接點90b係採用位於接點之列(跳線接點90a及接地接點90b所排列的列)的約中央，但是配置於此列的何處都可。但，為了防止因連結電極90d之剝離而接地接點90b剝離，配置於此列之兩端以外的位置較佳。即，此列之兩端係跳線接點90a較佳。
本專利申請係將於2016年7用12日所申請之日本專利申請第2016-137472號作為優先權主張的基礎，藉引用將其內容的全部包含於本專利說明書。
30‧‧‧片式加熱器
30b‧‧‧下面
46a‧‧‧跳線連接盤
46b‧‧‧接地連接盤
46c‧‧‧彎曲部
46d‧‧‧連接盤
461a‧‧‧端部
461c‧‧‧端部
75‧‧‧連接用FPC
75a、75b‧‧‧金屬配線
90a‧‧‧跳線接點
90b‧‧‧接地接點
90c‧‧‧彎曲部
901a‧‧‧端部
901c‧‧‧端部
100‧‧‧配線基板接合體

Claims (8)

  1. 一種配線基板接合體，包括：第1配線基板，係在外部露出之複數個第1接點在既定方向排列成列，該複數個第1接點之一係與沿著該列所延伸之第1連結電極連結，該第1連結電極係被設置成比該列的兩端更向外側突出；與該第1配線基板之種類相同或相異的第2配線基板，係在外部露出之複數個第2接點在該既定方向排列成列，該複數個第2接點之一係與沿著該列所延伸之第2連結電極連結，該第2連結電極係被設置成比該列的兩端更向外側突出；以及接合構件，係在使該第1配線基板之該複數個第1接點與該第2配線基板之該複數個第2接點相對向之狀態焊接，且在使該第1配線基板之該第1連結電極與該第2配線基板之該第2連結電極相對向之狀態焊接；該第1配線基板為以樹脂包覆複數條金屬配線之平坦的軟性印刷基板，該第1接點構成該金屬配線之端部，該第1連結電極不設置於該複數個第1接點的該金屬配線側。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線基板接合體，其中該第1連結電極係具有被彎曲成包圍位於該列的兩端之2個第1接點之外側的第1彎曲部：該第2連結電極係具有被彎曲成包圍位於該列的兩端之2個第2接點之外側的第2彎曲部。
  3. 如申請專利範圍第2項之配線基板接合體，其中該第1彎 曲部係延伸至位於該列的兩端之第1接點的端部：該第2彎曲部係延伸至位於該列的兩端之第2接點的端部。
  4. 如申請專利範圍第3項之配線基板接合體，其中該第2彎曲部係超過位於該列的兩端之第2接點的端部。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之配線基板接合體，其中該第1彎曲部的面積係比位於該第1彎曲部的旁邊之第1接點的面積大：該第2彎曲部的面積係比位於該第2彎曲部的旁邊之第2接點的面積大。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線基板接合體，其中與該第1連結電極連接的該第1接點、及與該第2連結電極連接的該第2接點係被用作大電流所流動之電路的接點。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線基板接合體，其中該第1連結電極之外側的角部及該第2連結電極之外側的角部係帶圓角。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線基板接合體，其中該第1配線基板係軟性印刷基板：該第2配線基板係片式加熱器，並被配置於靜電夾頭與金屬製的支撐座之間。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7026778B2 (ja) * 2018-03-23 2022-02-28 日本碍子株式会社 半導体製造装置
KR102396865B1 (ko) * 2021-12-08 2022-05-12 주식회사 미코세라믹스 정전척

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326439A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Ricoh Co Ltd 印刷配線板の端子構造および接続方法
JP2005262752A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Konica Minolta Holdings Inc インクジェットヘッド
US20160027678A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
TW201616519A (zh) * 2014-09-18 2016-05-01 Sekisui Chemical Co Ltd 導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法
JP6326439B2 (ja) 2016-02-26 2018-05-16 本田技研工業株式会社 燃料電池システムの制御方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590725A (ja) 1991-09-27 1993-04-09 Canon Inc フレキシブル基板の接続構造
JP2001267714A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Sony Corp 電子回路装置
JP4187757B2 (ja) * 2006-06-22 2008-11-26 日東電工株式会社 配線回路基板
JP2008140891A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Nec Corp 素子実装構造及び素子実装方法
KR102041501B1 (ko) * 2013-09-13 2019-11-06 삼성전자 주식회사 연배열 인쇄회로기판, 그의 불량 단품 인쇄회로기판의 교체 방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326439A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Ricoh Co Ltd 印刷配線板の端子構造および接続方法
JP2005262752A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Konica Minolta Holdings Inc インクジェットヘッド
US20160027678A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
TW201616519A (zh) * 2014-09-18 2016-05-01 Sekisui Chemical Co Ltd 導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法
JP6326439B2 (ja) 2016-02-26 2018-05-16 本田技研工業株式会社 燃料電池システムの制御方法

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