JP6517754B2 - 配線基板接合体 - Google Patents

配線基板接合体 Download PDF

Info

Publication number
JP6517754B2
JP6517754B2 JP2016137472A JP2016137472A JP6517754B2 JP 6517754 B2 JP6517754 B2 JP 6517754B2 JP 2016137472 A JP2016137472 A JP 2016137472A JP 2016137472 A JP2016137472 A JP 2016137472A JP 6517754 B2 JP6517754 B2 JP 6517754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
row
contacts
connection
connection electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016137472A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018010918A (ja
Inventor
央史 竹林
央史 竹林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2016137472A priority Critical patent/JP6517754B2/ja
Priority to US15/642,768 priority patent/US10609818B2/en
Priority to KR1020170086274A priority patent/KR102353072B1/ko
Priority to TW106123016A priority patent/TWI720224B/zh
Priority to CN201710565857.1A priority patent/CN107611059B/zh
Publication of JP2018010918A publication Critical patent/JP2018010918A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6517754B2 publication Critical patent/JP6517754B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0212—Printed circuits or mounted components having integral heating means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0215—Grounding of printed circuits by connection to external grounding means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04—Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/041—Stacked PCBs, i.e. having neither an empty space nor mounted components in between
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09381—Shape of non-curved single flat metallic pad, land or exposed part thereof; Shape of electrode of leadless component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Description

本発明は、配線基板接合体に関する。
従来、フレキシブル基板とプリント基板との配線基板接合体として、フレキシブル基板上の接点パターン等の接点部分と、プリント基板上の対応する接点部分とをはんだ付けにより電気的に接続するものが知られている（例えば特許文献１）。こうした配線基板接合体の一例を図７に示す。フレキシブル基板１１０は、基板端においてカバーレイフィルム１１２が除去されて、一定ピッチで平行に配列された銅箔パターンの端部が接点パターン１１４として露出されている。そして、接点パターン１１４をプリント基板１２０上に形成された接点パターン１２４に重ね合わせ、接点パターン１１４及び接点パターン１２４の少なくとも一方の表面に予め付着されたはんだを溶融させ、電気的に接続している。接点パターン１１４の複数の接点はそれぞれ独立した長方形状の電極であり、所定方向に列をなすように並んでいる。接点パターン１２４の複数の接点も同様である。
特開平５−９０７２５号公報
しかしながら、フレキシブル基板１１０の左右両側はめくれやすく（図９の矢印参照）、接点パターン１１４や接点パターン１２４の左右両端に配置された接点同士の接合部分が破損して断線することがあった。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、第２配線基板に接合されている第１配線基板の接続強度の向上を図り、仮に第２配線基板に接合されている第１配線基板の周りがめくれたとしても第１配線基板と第２配線基板との電気的な接続が維持されるようにすることを主目的とする。
本発明の配線基板接合体は、
外部に露出した複数の第１接点が所定方向に列をなすように並んでおり、前記複数の第１接点の一つは前記列に沿って延びる第１連結電極に連結され、前記第１連結電極は前記列の両端よりも外側にはみ出すように設けられている第１配線基板と、
外部に露出した複数の第２接点が前記所定方向に列をなすように並んでおり、前記複数の第２接点の一つは前記列に沿って延びる第２連結電極に連結され、前記第２連結電極は前記列の両端よりも外側にはみ出すように設けられている、前記第１配線基板と同種又は異種の第２配線基板と、
前記第１配線基板の前記複数の第１接点と前記第２配線基板の前記複数の第２接点とを対向させた状態でろう接すると共に、前記第１配線基板の前記第１連結電極と前記第２配線基板の前記第２連結電極とを対向させた状態でろう接した接合部材と、
を備えたものである。
この配線基板接合体では、第１配線基板の複数の第１接点と第２配線基板の複数の第２接点とが対向した状態でろう接されると共に、第１配線基板の第１連結電極と第２配線基板の第２連結電極とが対向した状態でろう接されている。このように第１連結電極と第２連結電極とがろう接されているため、第２配線基板に接合されている第１配線基板の接続強度が向上する。また、仮に第２配線基板に接合されている第１配線基板の周りがめくれたとしても第１配線基板と第２配線基板との電気的な接続が維持されやすい。
なお、「ろう接」とは、はんだ付け（溶融温度が４５０℃未満）やろう付け（溶融温度が４５０℃以上）のことをいう。
本発明の配線基板接合体において、前記第１連結電極は、前記列の両端に位置する２つの第１接点の外側を囲うように曲げられた第１折曲部を有し、前記第２連結電極は、前記列の両端に位置する２つの第２接点の外側を囲うように曲げられた第２折曲部を有していてもよい。こうすれば、第２配線基板に接合されている第１配線基板の接続強度がより向上する。また、仮に第２配線基板に接合されている第１配線基板の周りがめくれたとしても第１配線基板と第２配線基板との電気的な接続はより維持されやすくなる。
本発明の配線基板接合体において、前記第１折曲部は、前記列の両端に位置する第１接点の端部まで延びており、前記第２折曲部は、前記列の両端に位置する第２接点の端部まで延びていてもよい。こうすれば、第２配線基板に接合されている第１配線基板の接続強度が更に向上する。また、仮に第２配線基板に接合されている第１配線基板の周りがめくれたとしても第１配線基板と第２配線基板との電気的な接続は更に維持されやすくなる。こうした本発明の配線基板接合体において、前記第２折曲部は、前記列の両端に位置する第２接点の端部を超えていてもよい。また、こうした本発明の配線基板接合体において、前記第１折曲部の面積は、前記第１折曲部の隣に位置する第１接点より大きく、前記第２折曲部の面積は、前記第２折曲部の隣に位置する第２接点より大きくしてもよい。こうすれば、第１折曲部と第２折曲部との接合強度が高くなる。
本発明の配線基板接合体において、前記第１連結電極に接続された前記第１接点と、前記第２連結電極に接続された前記第２接点は、大電流が流れる回路の接点として用いるようにしてもよい。第１連結電極に接続された第１接点は一つの大きな接点とみなすことができ、第２連結電極に接続された第２接点も一つの大きな接点とみなすことができる。大電流が流れる回路の接点の接合部は発熱しやすい。そのため、大電流が流れる回路の接点としてこのような大きな接点を利用することで、接合部の発熱を抑えることができる。
本発明の配線基板接合体において、前記第１連結電極の外側の角部及び前記第２連結電極の外側の角部は、丸みを帯びていてもよい。こうすれば、各連結電極に外力が働いたとしても、その連結電極の外側の角部が丸みを帯びているため応力が分散される。そのため、第１連結電極と第２連結電極との電気的な接続が維持されやすい。なお、「丸みを帯びている」とは、例えば円弧とか楕円の弧などのＲ形状になっていることをいう。
本発明の配線基板接合体において、前記第１配線基板は、フレキシブルプリント基板であり、前記第２配線基板は、シートヒータであって静電チャックと金属製の支持台との間に配置されるものであってもよい。フレキシブルプリント配線基板は、外力によってめくれやすいため、本発明を適用する意義が高い。
プラズマ処理装置１０の概略構成を示す断面図。 シートヒータ３０の内部構造を示す斜視図。 配線基板接合体１００の製造工程を表す説明図。 図３（ａ）のＡ−Ａ断面図。 配線基板接合体１００の変形例の製造工程を表す説明図。 配線基板接合体１００の変形例の製造工程を表す説明図。 配線基板接合体１００の変形例の製造工程を表す説明図。 配線基板接合体１００の変形例の製造工程を表す説明図。 従来の配線基板接合体の斜視図。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はプラズマ処理装置１０の概略構成を示す断面図、図２はシートヒータ３０の内部構造を示す斜視図である。
半導体製造装置であるプラズマ処理装置１０は、図１に示すように、真空チャンバ１２と、シャワーヘッド１４と、静電チャックヒータ２０とを備えている。真空チャンバ１２は、アルミニウム合金等によりボックス状に形成された容器である。シャワーヘッド１４は、真空チャンバ１２の天井面に設けられている。シャワーヘッド１４は、ガス導入管１６から供給されるプロセスガスを多数のガス噴射孔１８から真空チャンバ１２の内部へ放出する。また、シャワーヘッド１４は、プラズマ生成用のカソード板としての役割を果たす。静電チャックヒータ２０は、ウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸着保持する装置である。以下、静電チャックヒータ２０について詳細に説明する。
静電チャックヒータ２０は、静電チャック２２、シートヒータ３０及び支持台６０を備えている。静電チャック２２の下面とシートヒータ３０の上面３０ａとは第１ボンディングシート８１を介して互いに接着されている。支持台６０の上面とシートヒータ３０の下面３０ｂとは第２ボンディングシート８２を介して互いに接着されている。各ボンディングシート８１，８２としては、ポリプロピレン製の芯材の両面にアクリル樹脂層を備えたシート、ポリイミド製の芯材の両面にシリコーン樹脂層を備えたシート、エポキシ樹脂単独のシートなどが挙げられる。
静電チャック２２は、円板状の部材であり、セラミックス焼結体２６に静電電極２４が埋設されたものである。セラミックス焼結体２６としては、例えば窒化アルミニウム焼結体やアルミナ焼結体などが挙げられる。静電チャック２２の上面は、ウエハＷを載置するウエハ載置面２２ａとなっている。セラミックス焼結体２６の厚みは、特に限定するものではないが、０．５〜４ｍｍが好ましい。
シートヒータ３０は、円板状の部材であり、耐熱性の樹脂シート３２に、補正ヒータ電極３４、ジャンパ線３６、グランド電極４０及び基準ヒータ電極４４を内蔵したものである。樹脂シート３２の材質としては、例えばポリイミド樹脂や液晶ポリマーなどが挙げられる。シートヒータ３０は、シートヒータ３０の上面３０ａに平行で高さの異なる第１電極領域Ａ１〜第４電極領域Ａ４（図２参照）を有している。
第１電極領域Ａ１は、多数のゾーンＺ１（例えば１００ゾーンとか３００ゾーン）に分けられている。各ゾーンＺ１には、補正ヒータ電極３４が一筆書きの要領で一端３４ａから他端３４ｂまでそのゾーンＺ１の全体に行き渡るように配線されている。図２では、第１電極領域Ａ１に点線で示す仮想線を引き、その仮想線で囲まれた部分をゾーンＺ１とした。この図２では、便宜上、１つのゾーンＺ１のみに補正ヒータ電極３４を示したが、他のゾーンＺ１にも同様の補正ヒータ電極３４が設けられている。また、シートヒータ３０の外形を一点鎖線で示した。
第２電極領域Ａ２には、複数の補正ヒータ電極３４のそれぞれに給電するジャンパ線３６が設けられている。そのため、ジャンパ線３６の数は補正ヒータ電極３４の数と一致する。第２電極領域Ａ２は、ゾーンＺ１の数よりも少ない数（例えば６ゾーンとか８ゾーン）のゾーンＺ２に分けられている。図２では、第２電極領域Ａ２に点線で示す仮想線を引き、その仮想線で囲まれた部分をゾーンＺ２とした。この図２では、便宜上、１つのゾーンＺ２のみにジャンパ線３６（一部）を示したが、他のゾーンＺ２にも同様のジャンパ線３６が設けられている。本実施形態では、一つのゾーンＺ２を第１電極領域Ａ１に投影したときの投影領域の中に入る複数の補正ヒータ電極３４を、同じ組に属するものとして説明する。一つの組に属する補正ヒータ電極３４の一端３４ａは、その組に対応するゾーンＺ２内のジャンパ線３６の一端３６ａに、第１電極領域Ａ１と第２電極領域Ａ２との間を上下方向に貫くビア３５（図１参照）を介して接続されている。そのジャンパ線３６の他端３６ｂはそのゾーンＺ２に設けられた外周領域３８まで引き出されている。その結果、同じ組に属する補正ヒータ電極３４に接続されたジャンパ線３６の他端３６ｂは、一つの外周領域３８にまとめて配置されている。その外周領域３８をシートヒータ３０の下面３０ｂに投影した領域Ｘ内には、各ジャンパ線３６の他端３６ｂとビア４１（図１参照）を介して接続されるジャンパランド４６ａが並んで配置されている。言い換えると、複数のジャンパランド４６ａは、２つ以上がひと組となって同じ領域Ｘに外部に露出するように配置されている。なお、補正ヒータ電極３４の比抵抗はジャンパ線３６の比抵抗以上とするのが好ましい。
第３電極領域Ａ３には、複数の補正ヒータ電極３４に共通のグランド電極４０が設けられている。各補正ヒータ電極３４は、第１電極領域Ａ１から第２電極領域Ａ２を経て第３電極領域Ａ３に至るビア４２（図１参照）を介してグランド電極４０に接続されている。また、グランド電極４０は、外周から外側にはみ出した突起４０ａを有している。この突起４０ａは、各外周領域３８の切欠３９と向かい合う位置に設けられている。この突起４０ａは、シートヒータ３０の下面３０ｂに設けられたグランドランド４６ｂにビア４３（図１参照）を介して接続されている。グランドランド４６ｂは、シートヒータ３０の下面３０ｂの領域Ｘ内にジャンパランド４６ａと共に設けられている。
第４電極領域Ａ４は、第１電極領域Ａ１に設けられた補正ヒータ電極３４の総数よりも少ない数（例えば４ゾーンとか６ゾーン）のゾーンＺ４に分けられている。各ゾーンＺ４には、補正ヒータ電極３４より高出力の基準ヒータ電極４４が一筆書きの要領で一端４４ａから他端４４ｂまでそのゾーンＺ４の全体に行き渡るように配線されている。図２では、第４電極領域Ａ４に点線で示す仮想線を引き、その仮想線で囲まれた部分をゾーンＺ４とした。この図２では、便宜上、１つのゾーンＺ４のみに基準ヒータ電極４４を示したが、他のゾーンＺ４にも同様の基準ヒータ電極４４が設けられている。各基準ヒータ電極４４の両端４４ａ，４４ｂは、第４電極領域Ａ４からシートヒータ３０の下面３０ｂに至る図示しないビアを介してシートヒータ３０の下面３０ｂに設けられた一対の基準ランド５０ａ，５０ｂに接続されている。
支持台６０は、図１に示すように、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属で作製された円板状の部材であり、内部に冷媒流路６２が設けられている。冷媒流路６２の入口６２ａと出口６２ｂには、冷媒の温度を調整するチラー７０が接続されている。冷媒は、チラー７０から冷媒流路６２の入口６２ａに供給されると、支持台６０の全体に行き渡るように設けられた冷媒流路６２を通過し、冷媒流路６２の出口６２ｂからチラー７０へ戻され、チラー７０内で設定温度に冷やされたあと再び冷媒流路６２の入口６２ａに供給される。支持台６０は、支持台６０を上下方向に貫通する複数種類の貫通孔６４〜６７を有している。貫通孔６４は、静電電極２４の給電端子２５を外部に露出するための孔である。貫通孔６５は、シートヒータ３０の下面３０ｂの領域Ｘに設けられたランド群（ジャンパランド４６ａとグランドランド４６ｂ、図２参照）を外部に露出するための孔である。貫通孔６６，６７は、基準ヒータ電極４４の基準ランド５０ａ，５０ｂをそれぞれ外部に露出するものである。貫通孔６６，６７には、電気絶縁筒６６ａ，６７ａが挿入されている。なお、支持台６０は、その他に、図示しないがウエハＷをリフトアップするリフトピンを上下動するための貫通孔などを有している。
プラズマ処理装置１０は、更に、静電チャック電源７２、補正ヒータ電源７４、基準ヒータ電源７６及びＲＦ電源７９を備えている。静電チャック電源７２は、直流電源であり、貫通孔６４に挿入された給電棒７３を介して静電電極２４の給電端子２５に接続されている。補正ヒータ電源７４は、直流電源であり、貫通孔６５に挿入された金属配線集合体である接続用フレキシブルプリント基板（接続用ＦＰＣ）７５を介して補正ヒータ電極３４のジャンパランド４６ａ及びグランドランド４６ｂに接続されている。具体的には、図２に示す同じ組に属するジャンパランド４６ａ及びグランドランド４６ｂは、同じ領域Ｘに並べて設けられているため、一つの接続用ＦＰＣ７５を介して接続されている。接続用ＦＰＣ７５は、樹脂皮膜で覆われた金属配線７５ａ，７５ｂを帯状に束ねたケーブルであり、領域Ｘと対向する端部は各金属配線７５ａ，７５ｂが露出している。金属配線７５ａは、ジャンパランド４６ａを補正ヒータ電源７４のプラス極に接続するための導線であり、金属配線７５ｂは、グランドランド４６ｂを補正ヒータ電源７４のマイナス極に接続するための導線である。基準ヒータ電源７６は、交流電源であり、貫通孔６６に挿入されたケーブル端子７７を介して基準ヒータ電極４４の一方の基準ランド５０ａに接続されると共に、貫通孔６７に挿入されたケーブル端子７８を介して基準ヒータ電極４４の他方の基準ランド５０ｂに接続されている。ＲＦ電源７９は、プラズマ生成用の電源であり、アノード板として機能する支持台６０に高周波電力を供給するように接続されている。なお、カソード板として機能するシャワーヘッド１４は可変抵抗を介して接地されている。
ここで、シートヒータ３０と接続用ＦＰＣ７５とを接合した配線基板接合体１００について図３及び図４を用いて説明する。図３は、配線基板接合体１００の製造工程を表す説明図で、（ａ）は接合前、（ｂ）は接合後を表す。図４は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
接続用ＦＰＣ７５は、複数の金属配線７５ａ，７５ｂが樹脂で被覆されたフラットな配線材である。具体的には、接続用ＦＰＣ７５は、図４に示すように、樹脂製の支持層７５１と樹脂製の被覆層７５２との間に複数の金属配線７５ａ，７５ｂを有している。金属配線７５ａの端部をなすジャンパ接点９０ａや金属配線７５ｂの端部をなすグランド接点９０ｂは、長方形状の電極であり、被覆層７５２から露出している。また、連結電極９０ｄも、被覆層７５２から露出している。ジャンパ接点９０ａ及びグランド接点９０ｂは、接続用ＦＰＣ７５の短辺方向に沿って列をなすように並んでいる。グランド接点９０ｂは、この列のほぼ中央に位置しており、この列に沿って延びる連結電極９０ｄに連結されている。連結電極９０ｄは、この列の両端よりも外側にはみ出すように設けられ、被覆層７５２から露出している。連結電極９０ｄは、この列の両端に位置する２つのジャンパ接点９０ａの外側を囲うように曲げられた折曲部９０ｃを有している。折曲部９０ｃの端部９０１ｃは、そのジャンパ接点９０ａの端部９０１ａまで延びている。折曲部９０ｃの面積は、隣接するジャンパ接点９０ａより大きくなっている。グランド接点９０ｂと折曲部９０ｃとの間には、複数のジャンパ接点９０ａが配置されている。
シートヒータ３０は、ジャンパランド４６ａ，グランドランド４６ｂ及び連結ランド４６ｄを有している。ジャンパランド４６ａはジャンパ接点９０ａと同形状であり、グランドランド４６ｂはグランド接点９０ｂと同形状であり、連結ランド４６ｄは連結電極９０ｄと同形状である。これらのランド４６ａ，４６ｂ，４６ｄは、シートヒータ３０の下面３０ｂの領域Ｘにおいて外部に露出している。ジャンパランド４６ａ及びグランドランド４６ｂは、領域Ｘの長手方向に沿って列をなすように並んでいる。グランドランド４６ｂは、この列のほぼ中央に位置しており、この列に沿って延びる連結ランド４６ｄに連結されている。連結ランド４６ｄは、この列の両端よりも外側にはみ出すように設けられている。連結ランド４６ｄは、この列の両端に位置する２つのジャンパランド４６ａの外側を囲うように曲げられた折曲部４６ｃを有している。折曲部４６ｃの端部４６１ｃは、そのジャンパランド４６ａの端部４６１ａまで延びている。折曲部４６ｃの面積は、隣接するジャンパランド４６ａより大きくなっている。グランドランド４６ｂと折曲部４６ｃとの間には、複数のジャンパランド４６ａが配置されている。
接続用ＦＰＣ７５とシートヒータ３０とは、はんだ接合部材９２により接合されている。すなわち、ジャンパ接点９０ａとジャンパランド４６ａとを対向させ、グランド接点９０ｂとグランドランド４６ｂとを対向させ、折曲部９０ｃを含む連結電極９０ｄと折曲部４６ｃを含む連結ランド４６ｄとを対向させ、その状態でそれぞれをはんだ付けすることにより、配線基板接合体１００としたものである。
次に、こうして構成されたプラズマ処理装置１０の使用例について説明する。まずウエハＷを静電チャック２２のウエハ載置面２２ａに載置する。そして、真空チャンバ１２内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、静電チャック２２の静電電極２４に直流電圧をかけてクーロン力又はジョンソン・ラベック力を発生させ、ウエハＷを静電チャック２２のウエハ載置面２２ａに吸着固定する。次に、真空チャンバ１２内を所定圧力（例えば数１０〜数１００Ｐａ）のプロセスガス雰囲気とする。この状態で、シャワーヘッド１４と支持台６０との間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させる。発生したプラズマによってウエハＷの表面がエッチングされる。この間、ウエハＷの温度が予め定めた目標温度となるように、図示しないコントローラが制御する。具体的には、コントローラは、ウエハＷの温度を測定する測温センサ（図示せず）からの検出信号を入力し、ウエハＷの測定温度が目標温度に一致するように、各基準ヒータ電極４４へ供給する電流や各補正ヒータ電極３４へ供給する電流、冷媒流路６２に循環させる冷媒の温度を制御する。特に、コントローラは、ウエハＷの温度分布が発生しないように各補正ヒータ電極３４へ供給する電流を細かく制御する。なお、測温センサは、樹脂シート３２に埋設されていてもよいし、樹脂シート３２の表面に接着されていてもよい。
ここで、本実施形態の構成要素と本発明の構成要素との対応関係を明らかにする。本実施形態の接続用ＦＰＣ７５が本発明の第１配線基板に相当し、シートヒータ３０が第２配線基板に相当し、はんだ接合部材９２が接合部材に相当する。また、接続用ＦＰＣ７５のジャンパ接点９０ａ及びグランド接点９０ｂが第１接点に相当し、折曲部９０ｃが第１折曲部に相当し、連結電極９０ｄが第１連結電極に相当する。また、シートヒータ３０のジャンパランド４６ａ及びグランドランド４６ｂが第２接点に相当し、折曲部４６ｃが第２折曲部に相当し、連結ランド４６ｄが第２連結電極に相当する。
以上説明した配線基板接合体１００では、連結ランド４６ｄと連結電極９０ｄとがろう接されているため、シートヒータ３０に接合されている接続用ＦＰＣ７５の接続強度が向上する。また、仮に接続用ＦＰＣ７５の周りがめくれたとしても、シートヒータ３０と接続用ＦＰＣ７５との電気的な接続が維持されやすい。更に、接続用ＦＰＣ７５の両側の折曲部９０ｃはこれらの間にあるジャンパ接点９０ａやグランド接点９０ｂに外力が及びにくくする役割を果たし、シートヒータ３０の両側の折曲部４６ｃはこれらの間にあるジャンパランド４６ａやグランドランド４６ｂに外力が及びにくくする役割を果たす。この点でも、シートヒータ３０と接続用ＦＰＣ７５との電気的な接続が維持されやすい。
また、連結ランド４６ｄは、列の両端に位置する２つのジャンパランド４６ａの外側を囲うように曲げられた折曲部４６ｃを有し、折曲部４６ｃは、そのジャンパランド４６ａの端部４６１ａまで延びている。連結電極９０ｄは、列の両端に位置する２つのジャンパ接点９０ａの外側を囲うように曲げられた折曲部９０ｃを有し、折曲部９０ｃは、そのジャンパ接点９０ａの端部９０１ａまで延びている。そのため、上述した効果が顕著に得られる。
また、接続用ＦＰＣ７５の連結電極９０ｄに接続されたグランド接点９０ｂは、一つの大きな接点とみなすことができ、シートヒータ３０の連結ランド４６ｄに接続されたグランドランド４６ｂも一つの大きな接点とみなすことができる。グランド用の接点には比較的大きな電流が流れるためその接合部は発熱しやすいが、本実施形態では、大きな接点をグランド用の接点として用いることで接合部での発熱を抑えることができる。
更に、折曲部４６ｃの面積は、隣に位置するジャンパランド４６ａより大きく、折曲部９０ｃの面積は、隣に位置するジャンパ接点９０ａより大きい。そのため、折曲部４６ｃと折曲部９０ｃとの接合強度が高くなる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態の配線基板接合体１００において、図５に示すように、接続用ＦＰＣ７５の連結電極９０ｄの外側の角部９１を円弧とか楕円の弧などのＲ形状にすると共に、シートヒータ３０の連結ランド４６ｄの外側の角部４７も同様のＲ形状にしてもよい。こうすれば、連結電極９０ｄや連結ランド４６ｄに外力が働いたとしても、これらの外側の角部９１，４７が丸みを帯びているため応力が分散される。そのため、連結電極９０ｄと連結ランド４６ｄとの電気的な接続が維持されやすい。なお、ジャンパ接点９０ａの角部やグランド接点９０ｂの角部、ジャンパランド４６ａの角部、グランドランド４６ｂの角部もＲ形状にしてもよい。
上述した実施形態の配線基板接合体１００において、図６に示すように、シートヒータ３０の折曲部４６ｃの端部４６１ｃは、ジャンパランド４６ａの端部４６１ａを超えていてもよい。ここでは、ジャンパランド４６ａのを上述した実施形態に比べて長さＬだけ短くすることにより、折曲部４６ｃの端部４６１ｃがジャンパランド４６ａの端部４６１ａを超えるようにした。こうすれば、シートヒータ３０のジャンパランド４６ａと接続用ＦＰＣ７５のジャンパ接点９０ａとの接合部に外力が一層加わりづらくなる。
上述した実施形態の配線基板接合体１００において、図７に示すように、接続用ＦＰＣ７５の連結電極９０ｄは折曲部９０ｃを有さず直線状に形成され、シートヒータ３０の連結ランド４６ｄも折曲部４６ｃを有さず直線状に形成されていてもよい。この場合であっても、連結電極９０ｄと連結ランド４６ｄとがろう接されるため、シートヒータ３０に接合されている接続用ＦＰＣ７５の接続強度が向上するし、仮にシートヒータ３０に対して接続用ＦＰＣ７５の周りがめくれたとしても接続用ＦＰＣ７５とシートヒータ３０との電気的な接続が維持されやすい。
上述した実施形態の配線基板接合体１００において、図８に示すように、接続用ＦＰＣ７５の折曲部９０ｃの端部９０１ｃはジャンパ接点９０ａの端部９０１ａの手前まで延びており、シートヒータ３０の折曲部４６ｃの端部４６１ｃはジャンパランド４６ａの端部４６１ａの手前まで延びていてもよい。この場合であっても、折曲部９０ｃを有する連結電極９０ｄと折曲部４６ｃを有する連結ランド４６ｄとがろう接されるため、シートヒータ３０に接合されている接続用ＦＰＣ７５の接続強度が向上するし、仮にシートヒータ３０に対して接続用ＦＰＣ７５の周りがめくれたとしても接続用ＦＰＣ７５とシートヒータ３０との電気的な接続が維持されやすい。図８の構成によれば、図７の構成に比べてこうした効果をより確実に得ることができるが、上述した実施形態（図３参照）の方が図８の構成に比べてこうした効果をより確実に得ることができる。
上述した実施形態では、第１配線基板として接続用ＦＰＣ７５、第２配線基板としてシートヒータ３０を例示したが、特にこの組合せに限定されるものではない。例えば、第１配線基板としてフラットケーブルを用いてもよいし、第２配線基板としてプリント配線板を用いてもよい。
上述した実施形態では、グランド接点９０ｂは、接点の列（ジャンパ接点９０ａ及びグランド接点９０ｂが並んでいる列）のほぼ中央に位置するものとしたが、この列のどこに配置してもよい。但し、連続電極９０ｄの剥がれによりグランド接点９０ｂが剥がれることを防止するためには、この列の両端以外の位置に配置するのが好ましい。つまり、この列の両端はジャンパ接点９０ａであることが好ましい。
１０ プラズマ処理装置、１２ 真空チャンバ、１４ シャワーヘッド、１６ ガス導入管、１８ ガス噴射孔、２０ 静電チャックヒータ、２２ 静電チャック、２２ａ ウエハ載置面、２４ 静電電極、２５ 給電端子、２６ セラミックス焼結体、３０ シートヒータ、３０ａ 上面、３０ｂ 下面、３２ 樹脂シート、３４ 補正ヒータ電極、３４ａ 一端、３４ｂ 他端、３５ ビア、３６ ジャンパ線、３６ａ 一端、３６ｂ 他端、３８ 外周領域、３９ 切欠、４０ グランド電極、４０ａ 突起、４１〜４３ ビア、４４ 基準ヒータ電極、４４ａ 一端、４４ｂ 他端、４６ａ ジャンパランド、４６ｂ グランドランド、４６ｃ 折曲部、４６ｄ 連結ランド、４７ 角部、５０ａ，５０ｂ 基準ランド、６０ 支持台、６２ 冷媒流路、６２ａ 入口、６２ｂ 出口、６４〜６７ 貫通孔、６６ａ，６７ａ 電気絶縁筒、７０ チラー、７２ 静電チャック電源、７３ 給電棒、７４ 補正ヒータ電源、７５ 接続用ＦＰＣ、７５ａ，７５ｂ 金属配線、７６ 基準ヒータ電源、７７，７８ ケーブル端子、７９ ＲＦ電源、８１ 第１ボンディングシート、８２ 第２ボンディングシート、９０ａ ジャンパ接点、９０１ａ，９０１ｃ 端部、９０ｂ グランド接点、９０ｃ 折曲部、９０ｄ 連結電極、９１ 角部、９２ はんだ接合部材、１００ 配線基板接合体、１１０ フレキシブル基板、１１２ カバーレイフィルム、１１４ 接点パターン、１２０ プリント基板、１２４ 接点パターン、４６１ａ，４６１ｃ 端部、７５１ 支持層、７５２ 被覆層、Ａ１〜Ａ４ 第１電極領域〜第４電極領域、Ｚ１〜Ｚ４ ゾーン。

Claims (8)

  1. 外部に露出した複数の第１接点が所定方向に列をなすように並んでおり、前記複数の第１接点の一つは前記列に沿って延びる第１連結電極に連結され、前記第１連結電極は前記列の両端よりも外側にはみ出すように設けられている第１配線基板と、
    外部に露出した複数の第２接点が前記所定方向に列をなすように並んでおり、前記複数の第２接点の一つは前記列に沿って延びる第２連結電極に連結され、前記第２連結電極は前記列の両端よりも外側にはみ出すように設けられている、前記第１配線基板と同種又は異種の第２配線基板と、
    前記第１配線基板の前記複数の第１接点と前記第２配線基板の前記複数の第２接点とを対向させた状態でろう接すると共に、前記第１配線基板の前記第１連結電極と前記第２配線基板の前記第２連結電極とを対向させた状態でろう接した接合部材と、
    を備え、
    前記第１配線基板は、複数の金属配線が樹脂で被覆されたフラットなフレキシブルプリント基板であり、前記第１接点は、前記金属配線の端部をなすものであり、前記第１連結電極は、前記複数の第１接点の前記金属配線側には設けられていない、
    配線基板接合体。
  2. 前記第１連結電極は、前記列の両端に位置する２つの第１接点の外側を囲うように曲げられた第１折曲部を有し、
    前記第２連結電極は、前記列の両端に位置する２つの第２接点の外側を囲うように曲げられた第２折曲部を有する、
    請求項１に記載の配線基板接合体。
  3. 前記第１折曲部は、前記列の両端に位置する第１接点の端部まで延びており、
    前記第２折曲部は、前記列の両端に位置する第２接点の端部まで延びている、
    請求項２に記載の配線基板接合体。
  4. 前記第２折曲部は、前記列の両端に位置する第２接点の端部を超えている、
    請求項３に記載の配線基板接合体。
  5. 前記第１折曲部の面積は、前記第１折曲部の隣に位置する第１接点より大きく、
    前記第２折曲部の面積は、前記第２折曲部の隣に位置する第２接点より大きい、
    請求項２〜４のいずれか１項に記載の配線基板接合体。
  6. 前記第１連結電極に接続された前記第１接点と、前記第２連結電極に接続された前記第２接点は、大電流が流れる回路の接点として用いられる、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板接合体。
  7. 前記第１連結電極の外側の角部及び前記第２連結電極の外側の角部は、丸みを帯びている、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板接合体。
  8. 前記第１配線基板は、フレキシブルプリント基板であり、
    前記第２配線基板は、シートヒータであって静電チャックと金属製の支持台との間に配置されるものである、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板接合体。
JP2016137472A 2016-07-12 2016-07-12 配線基板接合体 Active JP6517754B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016137472A JP6517754B2 (ja) 2016-07-12 2016-07-12 配線基板接合体
US15/642,768 US10609818B2 (en) 2016-07-12 2017-07-06 Integrated wiring board assembly
KR1020170086274A KR102353072B1 (ko) 2016-07-12 2017-07-07 배선 기판 접합체
TW106123016A TWI720224B (zh) 2016-07-12 2017-07-10 配線基板接合體
CN201710565857.1A CN107611059B (zh) 2016-07-12 2017-07-12 配线基板接合体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016137472A JP6517754B2 (ja) 2016-07-12 2016-07-12 配線基板接合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018010918A JP2018010918A (ja) 2018-01-18
JP6517754B2 true JP6517754B2 (ja) 2019-05-22

Family

ID=60942227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016137472A Active JP6517754B2 (ja) 2016-07-12 2016-07-12 配線基板接合体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10609818B2 (ja)
JP (1) JP6517754B2 (ja)
KR (1) KR102353072B1 (ja)
CN (1) CN107611059B (ja)
TW (1) TWI720224B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111868912B (zh) * 2018-03-23 2023-11-03 日本碍子株式会社 半导体制造装置
KR102396865B1 (ko) * 2021-12-08 2022-05-12 주식회사 미코세라믹스 정전척

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590725A (ja) 1991-09-27 1993-04-09 Canon Inc フレキシブル基板の接続構造
JP3187206B2 (ja) * 1993-05-17 2001-07-11 株式会社リコー 印刷配線板の端子構造および接続方法
JP2001267714A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Sony Corp 電子回路装置
JP2005262752A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Konica Minolta Holdings Inc インクジェットヘッド
JP4187757B2 (ja) * 2006-06-22 2008-11-26 日東電工株式会社 配線回路基板
JP2008140891A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Nec Corp 素子実装構造及び素子実装方法
KR102041501B1 (ko) * 2013-09-13 2019-11-06 삼성전자 주식회사 연배열 인쇄회로기판, 그의 불량 단품 인쇄회로기판의 교체 방법 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법
WO2016014138A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
CN106463200B (zh) * 2014-09-18 2019-05-31 积水化学工业株式会社 导电糊剂、连接结构体及连接结构体的制造方法
JP6326439B2 (ja) 2016-02-26 2018-05-16 本田技研工業株式会社 燃料電池システムの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10609818B2 (en) 2020-03-31
TWI720224B (zh) 2021-03-01
US20180020544A1 (en) 2018-01-18
CN107611059B (zh) 2021-12-31
KR20180007323A (ko) 2018-01-22
TW201813465A (zh) 2018-04-01
CN107611059A (zh) 2018-01-19
JP2018010918A (ja) 2018-01-18
KR102353072B1 (ko) 2022-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10029328B2 (en) Metal wiring bonding structure and production method therefor
JP6129451B1 (ja) 静電チャックヒータ
JP6397588B2 (ja) 静電チャックヒータ
CN107548231B (zh) 柔性基板以及金属配线接合结构的制法
WO2017170374A1 (ja) 静電チャックヒータ
JP2014524671A (ja) 回路基板
KR20070057958A (ko) 일체형 열 분배기를 구비한 전자 장치
JP6517754B2 (ja) 配線基板接合体
KR102282236B1 (ko) 금속 배선 접합 구조 및 그 제법
JP2010226020A (ja) デバイス実装方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
JP2001217279A (ja) 高密度実装装置
JP2006164913A (ja) イオン発生装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181211

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6517754

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150