JP6577867B2 - 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、はんだ粒子を含む導電ペーストに関する。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。
また、特許文献1では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。
下記の特許文献2には、導電性粒子が絶縁性バインダーに分散されている異方性導電材料が開示されている。この異方性導電材料の最低溶融粘度[η]は1.0×10〜1.0×10mPa・secである。この異方性導電材料では、1<[η]/[η]≦3([η]は異方性導電材料の最低溶融粘度、[η]は最低溶融粘度を示す温度Tより30℃低い温度Tにおける溶融粘度)を満足する。
また、下記の特許文献3には、硬化性化合物と、熱ラジカル開始剤と、光ラジカル開始剤と、導電性粒子とを含有する異方性導電材料が開示されている。
下記の特許文献4には、導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しない樹脂成分とを含む異方性導電材料が記載されている。上記導電性粒子としては、具体的には、錫(Sn)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、銀(Ag)及びタリウム(Tl)等の金属や、これらの金属の合金が挙げられている。
特許文献4では、上記導電性粒子の融点よりも高く、かつ上記樹脂成分の硬化が完了しない温度に、異方性導電樹脂を加熱する樹脂加熱ステップと、上記樹脂成分を硬化させる樹脂成分硬化ステップとを経て、電極間を電気的に接続することが記載されている。また、特許文献1には、特許文献1の図8に示された温度プロファイルで実装を行うことが記載されている。特許文献1では、異方性導電樹脂が加熱される温度にて硬化が完了しない樹脂成分内で、導電性粒子が溶融する。
また、下記の特許文献5には、複数の電極端子を有する配線基板と対向させて、複数の接続端子を有する半導体チップを配設し、上記配線基板の上記電極端子と、上記半導体チップの上記接続端子とを電気的に接続するフリップチップ実装方法が開示されている。このフリップチップ実装方法は、(1)上記配線基板の上記電極端子を有する表面上に、はんだ粉及び対流添加剤を含有する樹脂を供給する工程と、(2)上記樹脂表面に、上記半導体チップを当接させる工程と、(3)上記配線基板を、上記はんだ粉が溶融する温度に加熱する工程と、(4)上記加熱工程後、上記樹脂を硬化させる工程とを含む。上記配線基板の加熱工程(3)において、上記電極端子と上記接続端子とを電気的に接続する接続体を形成し、また、上記樹脂の硬化工程(4)において、上記半導体チップを上記配線基板に固定する。
WO2008/023452A1 特開2009−32657号公報 特開2012−186161号公報 特開2004−260131号公報 特開2006−114865号公報
特許文献1に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、はんだ粉を電極(ライン)上に効率的に配置することは困難である。例えば、特許文献1に記載の接着テープでは、はんだ粉の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)にも配置されやすい。電極が形成されていない領域に配置されたはんだ粉は、電極間の導通に寄与しない。
また、従来のはんだ粉や、はんだ層を表面に有する導電性粒子を含む異方性導電ペーストでは、はんだ粉又は導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置されないことがある。従来のはんだ粉又は導電性粒子では、はんだ粉又は導電性粒子の電極上への移動速度が遅いことがある。
さらに、従来の異方性導電ペーストでは、接続されるべき上下の電極間の位置ずれが生じることがある。
なお、特許文献1,2では、異方性導電材料に用いる導電性粒子については、具体的な記載がない。特許文献3,5の実施例では、樹脂粒子の表面上に銅層が形成されており、該銅層の表面にはんだ層が形成されている導電性粒子が用いられている。この導電性粒子の中心部分は、樹脂粒子により構成されている。また、特許文献1,2,3,5に記載の異方性導電材料を用いたとしても、導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置されなかったり、接続されるべき上下の電極間の位置ずれが生じたりすることがある。
また、特許文献4に記載の異方性導電材料を用いて、特許文献4に記載の方法で電極間を電気的に接続すると、はんだを含む導電性粒子が電極(ライン)上に効率的に配置されないことがある。また、特許文献4の実施例では、はんだの融点以上の温度で、はんだを十分に移動させるために、一定温度に保持しており、接続構造体の製造効率が低くなる。特許文献4の図8に示された温度プロファイルで実装を行うと、接続構造体の製造効率が低くなる。
本発明の目的は、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の位置ずれを防ぐことができ、電極間の導通信頼性を高めることができる導電ペーストを提供することである。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分として熱硬化性化合物及び熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含み、前記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含み、前記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である、導電ペーストが提供される。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物が25℃で固体である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の融点が80℃以上、150℃以下である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の分子量が300以上、500以下である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物は、ベンゾフェノン型エポキシ化合物である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比が5以下である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径が、前記はんだ粒子の平均粒子径の1/1.5以下である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径が、前記はんだ粒子の平均粒子径の1/10以上である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記結晶性熱硬化性化合物の融点は、前記はんだの融点よりも低い。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペーストはフラックスを含み、前記結晶性熱硬化性化合物の融点は、前記フラックスの活性温度よりも低い。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記熱硬化性化合物の全体100重量%中、前記結晶性熱硬化性化合物の含有量が10重量%以上である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペーストはフィラーを含まないか、又はフィラーを5重量%以下で含む。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペースト中で、前記結晶性熱硬化性化合物が、粒子状に分散している。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、結晶性熱硬化性化合物とは異なる他の熱硬化性化合物を含む。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、60μm以下である。
本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、80重量%以下である。
本発明の広い局面によれば、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電ペーストの硬化物であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
本発明の広い局面によれば、上述した導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わるか、又は、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満である。
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる。
前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。
前記接続構造体において、前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。前記接続構造体において、前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向と直交する方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分に、前記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されていることが好ましい。
本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分として熱硬化性化合物及び熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含み、上記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含み、上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子であるので、電極間を電気的に接続した場合に、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の位置ずれを防ぐことができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。 図3は、接続構造体の変形例を示す断面図である。
以下、本発明の詳細を説明する。
(導電ペースト)
本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分として熱硬化性化合物及び熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電ペーストでは、上記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含む。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、上記はんだ粒子の中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である。
本発明に係る導電ペーストでは、上記の構成が採用されているので、電極間を電気的に接続した場合に、複数のはんだ粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。さらに、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電ペーストを塗布した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態で、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とを接続させることができる(セルフアライメント効果)。このような効果を得るために、導電ペーストであること、熱硬化性化合物及び熱硬化剤とともに用いられる導電性粒子が、はんだ粒子であること、並びに、上記熱硬化性化合物が結晶性熱硬化性化合物であることは大きく寄与する。
なお、上記はんだ粒子ではなく、はんだにより形成されていない基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ層とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まりにくくなり、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる。このため、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる。
結晶性熱硬化性化合物における「結晶性」とは、分子鎖が規則正しく配列している状態を意味し、上記化合物はガラス転移温度及び融点を有する。
本発明に係る導電ペーストでは、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比が5以下であることが好ましい。
従来の異方性導電ペーストでは、保管した後に使用されると、導電性粒子が電極(ライン)上により一層配置されにくくなることがある。
上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比が5以下である場合には、導電ペーストの保存安定性に優れている。このため、導電ペーストの保管前及び保管後のいずれの場合であっても、はんだを電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。
導電ペースト中に結晶性熱硬化性化合物が含まれることで、導電ペーストに熱を付与すると、導電ペーストの粘度が充分に低くなる。上記導電ペーストに熱が付与されると、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶性が失われることで、導電ペーストの粘度が充分に低下し、はんだの移動が促進される。また、結晶性熱硬化性化合物を含む導電ペーストでは、導電ペーストの保管前後において、はんだ粒子の移動性能が異なる場合があることが見出された。これは、結晶性熱硬化性化合物の結晶状態が変化するためであると考えられる。結晶性熱硬化性化合物を用いている場合に、該結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比が5以下であれば、導電ペーストの保管前後において、はんだ粒子の移動性能が変化しにくいことが見出された。
さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電ペーストを上面に配置した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態で、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とを接続させることができる(セルフアライメント効果)。このような効果を得るために、特定の組成を有する導電ペーストを用いることは、大きく寄与する。
上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比を5以下にする方法としては、結晶性熱硬化性化合物を粉砕する方法等が挙げられる。結晶性熱硬化性化合物を粉砕した後に、導電ペーストに配合することが好ましい。平均アスペクト比が5以下となるように、結晶性熱硬化性化合物を選別した後、結晶性熱硬化性化合物を用いてもよい。
導電ペーストの保存安定性をより一層高め、はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比は好ましくは4以下である。上記平均アスペクト比は、複数の結晶のアスペクト比の平均である。上記アスペクト比は、長径/短径を示す。上記アスペクト比は、導電ペースト中でのアスペクト比である。
上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比は1以上である。上記結晶性熱硬化性化合物の結晶は、針状結晶であることが好ましい。導電ペーストの初期粘度を高くし、導電ペーストの過度の濡れ拡がりを抑え、更にはんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比は、好ましくは1.3以上、より好ましくは1.5以上である。
導電ペーストの保存安定性をより一層高め、はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径は、好ましくは上記はんだ粒子の平均粒子径の1/1.5以下であり、より好ましくは上記はんだ粒子の平均粒子径の1/2以下である。
導電ペーストの初期粘度を高くし、導電ペーストの過度の濡れ拡がりを抑え、更にはんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径は、好ましくは上記はんだ粒子の平均粒子径の1/10以上であり、より好ましくは上記はんだ粒子の平均粒子径の1/8以上である。
はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点は、上記はんだの融点よりも低いことが好ましい。はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点と上記はんだの融点との差の絶対値は好ましくは10℃以上、より好ましくは20℃以上、好ましくは80℃以下、より好ましくは70℃以下である。
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点は、上記フラックスの活性温度よりも低いことが好ましい。はんだを電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑える観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点と上記フラックスの活性温度との差の絶対値は好ましくは5℃以上、より好ましくは10℃以上、好ましくは60℃以下、より好ましくは50℃以下である。
塗工性の向上効果と、導電性粒子の電極上への効率的な移動による達成される電極間の導通信頼性の向上効果との双方を高いレベルで両立して得る観点からは、本発明に係る導電ペースト中で、上記結晶性熱硬化性化合物は粒子状に分散していることが好ましい。
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストの25℃での粘度(η25)は好ましくは10Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上、更に好ましくは100Pa・s以上、好ましくは800Pa・s以下、より好ましくは600Pa・s以下、更に好ましくは500Pa・s以下である。
上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量に適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。
上記粘度(η25)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定可能である。
本発明に係る導電ペーストは、後述する本発明に係る接続構造体及び接続構造体の製造方法に好適に用いることができる。
上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電ペーストは、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電ペーストは、回路接続材料であることが好ましい。
以下、上記導電ペーストに含まれる各成分を説明する。
(はんだ粒子)
上記はんだ粒子は、はんだを導電性の外表面に有する。上記はんだ粒子では、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である。
電極上にはんだ粒子を効率的に集める観点からは、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスであることが好ましい。但し、本発明では、上記はんだ粒子の表面のゼータ電位がプラスでなくてもよい。
ゼータ電位は以下のようにして測定される。
ゼータ電位の測定方法:
はんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理等をすることで、均一に分散させて、分散液を得る。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定することができる。
はんだ粒子のゼータ電位は好ましくは0mV以上、より好ましくは0mVを超え、好ましくは10mV以下、より好ましくは5mV以下、より一層好ましくは1mV以下、更に好ましくは0.7mV以下、特に好ましくは0.5mV以下である。ゼータ電位が上記上限以下であると、使用前の導電ペースト中にて、はんだ粒子が凝集しにくくなる。ゼータ電位が0mV以上であると、実装時に電極上にはんだ粒子が効率的に凝集する。
表面のゼータ電位をプラスにすることが容易であることから、上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体と、上記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有することが好ましい。上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体をアニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記はんだ粒子は、アニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物による表面処理物であることが好ましい。上記アニオンポリマー及び上記アニオンポリマーとなる化合物はそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
はんだ粒子本体をアニオンポリマーで表面処理する方法としては、アニオンポリマーとして、例えば(メタ)アクリル酸を共重合した(メタ)アクリルポリマー、ジカルボン酸とジオールとから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、ジカルボン酸の分子間脱水縮合反応により得られかつ両末端にカルボキシル基を有するポリマー、ジカルボン酸とジアミンから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、並びにカルボキシル基を有する変性ポバール(日本合成化学社製「ゴーセネックスT」)等を用いて、アニオンポリマーのカルボキシル基と、はんだ粒子本体の表面の水酸基とを反応させる方法が挙げられる。
上記アニオンポリマーのアニオン部分としては、上記カルボキシル基が挙げられ、それ以外には、トシル基(p−HCCS(=O)−)、スルホン酸イオン基(−SO )、及びリン酸イオン基(−PO )等が挙げられる。
また、他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに、付加、縮合反応により重合可能な官能基を有する化合物を用いて、この化合物をはんだ粒子本体の表面上にてポリマー化する方法が挙げられる。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基としては、カルボキシル基、及びイソシアネート基等が挙げられ、付加、縮合反応により重合する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び(メタ)アクリロイル基が挙げられる。
上記アニオンポリマーの重量平均分子量は好ましくは2000以上、より好ましくは3000以上、好ましくは10000以下、より好ましくは8000以下である。
上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子本体の表面上にアニオンポリマーを配置することが容易であり、はんだ粒子の表面のゼータ電位をプラスにすることが容易であり、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
はんだ粒子本体をアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られたポリマーの重量平均分子量は、はんだ粒子中のはんだを溶解し、ポリマーの分解を起こさない希塩酸等により、はんだ粒子を除去した後、残存しているポリマーの重量平均分子量を測定することで求めることができる。
上記はんだは、融点が450℃以下である金属(低融点金属)であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である金属粒子(低融点金属粒子)であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。
なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。
上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。
上記はんだ粒子を構成する金属(低融点金属)は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
上記はんだ粒子は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。
上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。
上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、更に好ましくは3μm以上、特に好ましくは5μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm未満、より一層好ましくは75μm以下、より一層好ましくは60μm以下、より一層好ましくは40μm以下、より一層好ましくは30μm以下、更に好ましくは20μm以下、特に好ましくは15μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、3μm以上、30μm以下であることが特に好ましい。
上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。
上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、5%未満であってもよい。
上記変動係数(CV値)は下記式で表される。
CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Dn:はんだ粒子の粒子径の平均値
上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状などの球形状以外の形状であってもよい。
上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、特に好ましくは20重量%以上、最も好ましくは30重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは50重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。
電極が形成されている部分のライン(L)が50μm以上、150μm未満である場合に、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは20重量%以上、より好ましくは30重量%以上、好ましくは55重量%以下、より好ましくは45重量%以下である。
電極が形成されていない部分のスペース(S)が50μm以上、150μm未満である場合に、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。
電極が形成されている部分のライン(L)が150μm以上、1000μm未満である場合に、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電ペースト100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下である。
(熱硬化性化合物:熱硬化性成分)
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
はんだ粒子を電極上に効率的に配置し、電極間の位置ずれを効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性を高める観点から、上記熱硬化性化合物は、結晶性熱硬化性化合物を含む。上記結晶性熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物は、25℃で固体であることが好ましい。
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の融点は好ましくは80℃以上、より好ましくは85℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは140℃以下である。
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物の分子量は好ましくは300以上、より好ましくは350以上、好ましくは500以下、より好ましくは400以下である。
上記分子量は、上記熱硬化性化合物が重合体ではない場合、及び上記熱硬化性化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記熱硬化性化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。
上記結晶性熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物、及び(メタ)アクリル化合物等が挙げられる。
上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。中でも、レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。特に、2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン、又は4,4’−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンが好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃が、加速度が付与された際に、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との位置ずれを抑制することができ、なおかつ、硬化時の熱により、導電ペーストの粘度を大きく低下させることができ、はんだ粒子の凝集を効率よく進行させることができる。
上記(メタ)アクリル化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する化合物である。上記(メタ)アクリル化合物としては、エポキシ(メタ)アクリレート化合物が挙げられる。エポキシ化合物に(メタ)アクリル酸等で、(メタ)アクリロイル基を導入した化合物が好ましい。
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層効果的に抑制し、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記結晶性熱硬化性化合物は、ベンゾフェノン型エポキシ化合物であることが特に好ましく、2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン、又は4,4’−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンであることが最も好ましい。
上記導電ペースト100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分及び上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。
熱硬化性化合物(他の熱硬化性化合物及び結晶性熱硬化性化合物)の全体100重量%中、上記結晶性熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは100重量%以下である。
(熱硬化剤:熱硬化性成分)
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤などのチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤(熱カチオン硬化剤)及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
上記チオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−tert−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、更に好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだが電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。
上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
上記結晶性熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。また、上記熱硬化性化合物の全体100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、更に好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
(フラックス)
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
上記フラックスの活性温度(融点)は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、更に好ましくは80℃以上、好ましくは200℃以下、より好ましくは190℃以下、より一層好ましくは160℃以下、更に好ましくは150℃以下、更に一層好ましくは140℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだが電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上、190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。
フラックスの活性温度(融点)が80℃以上、190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。
また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。
上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。
上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだを電極上により一層効率的に配置することができる。
上記導電ペースト100重量%中、上記フラックスの含有量は好ましくは0.5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。
(フィラー)
上記導電ペーストには、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、はんだ粒子の凝集する距離を抑制し、基板の全電極上に対して、はんだ粒子を均一に凝集させることができる。
上記導電ペーストは、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを5重量%以下で含むことが好ましい。結晶性熱硬化性化合物を用いているので、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだが移動しやすくなる。
上記導電ペースト100重量%中、上記フィラーの含有量は好ましくは0重量%(未含有)以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下、更に好ましくは1重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。
(他の成分)
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と、上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部が、上述した導電ペーストにより形成されており、上述した導電ペーストの硬化物である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。
本発明に係る接続構造体の製造方法は、上述した導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上かつ上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える。好ましくは、上記熱硬化性化合物の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱する。
本発明に係る接続構造体及び本発明に係る接続構造体の製造方法では、特定の導電ペーストを用いているので、複数のはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。
また、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするためには、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いる必要があることを、本発明者は見出した。
本発明では、複数のはんだ粒子を電極間に効率的に集める他の方法を更に採用してもよい。複数のはんだ粒子を電極間に効率的に集める方法としては、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との間の導電ペーストに、熱を付与した際、熱により導電ペーストの粘度が低下することで、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との間の導電ペーストの対流を発生させる方法等が挙げられる。この方法において、接続対象部材の表面の電極とそれ以外の表面部材との熱容量の差異により対流を発生させる方法、接続対象部材の水分を、熱により水蒸気として対流を発生させる方法、並びに第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との温度差により対流を発生させる方法等が挙げられる。これにより、導電ペースト中のはんだ粒子を、電極の表面に効率的に移動させることができる。
本発明では、電極の表面に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法を更に採用してもよい。電極の表面に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法としては、溶融したはんだ粒子の濡れ性がよい電極材質と、溶融したはんだ粒子の濡れ性の悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、電極の表面に到達した溶融したはんだ粒子を選択的に電極に付着させ、その溶融したはんだ粒子に対し、別のはんだ粒子を溶融させて付着させる方法、熱伝導性がよい電極材質と、熱伝導性が悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、熱を付与した際に、電極の温度を他の表面部材に対し高くすることで、選択的に電極上ではんだを溶融させる方法、金属により形成された電極上に存在するマイナスの電荷に対して、プラスの電荷を持つように処理されたはんだ粒子を用いて、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法、並びに、親水性の金属表面を有する電極に対して、導電ペースト中のはんだ粒子以外の樹脂を疎水性とすることで、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法等が挙げられる。
電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積(電極の露出した面積100%中のはんだが接している面積)は、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上、好ましくは100%以下である。
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるか、又は、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満であることが好ましい。1MPa以上の加圧の圧力を加えないことで、はんだ粒子の凝集がかなり促進される。接続対象部材の反りを抑える観点からは、本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満であってもよい。加圧を行う場合に、上記第2の接続対象部材を配置する工程のみにおいて、加圧を行ってもよく、上記接続部を形成する工程のみにおいて、加圧を行ってもよく、上記第2の接続対象部材を配置する工程と上記接続部を形成する工程との双方において、加圧を行ってもよい。加圧の圧力が1MPa未満には、加圧していない場合が含まれる。加圧を行う場合に、加圧の圧力は、好ましくは0.9MPa以下、より好ましくは0.8MPa以下である。加圧の圧力が0.8MPa以下である場合に、加圧の圧力が0.8MPaを超える場合と比べて、はんだ粒子の凝集がより一層顕著に促進される。
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましく、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、複数のはんだ粒子が電極間に多く集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
さらに、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加われば、接続部が形成される前に電極が形成されていない領域(スペース)に配置されていたはんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間により一層集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができることも、本発明者は見出した。本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いるという構成と、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第2の接続対象部材の重量が加わるようにするという構成とを組み合わせて採用することには、本発明の効果をより一層高いレベルで得るために大きな意味がある。
なお、WO2008/023452A1では、はんだ粉を電極表面に押し流して効率よく移動させる観点からは、接着時に所定の圧力で加圧するとよいことが記載されており、加圧圧力は、はんだ領域をさらに確実に形成する観点では、例えば、0MPa以上、好ましくは1MPa以上とすることが記載されており、更に、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであっても、接着テープ上に配置された部材の自重により、接着テープに所定の圧力が加わってもよいことが記載されている。WO2008/023452A1では、接着テープに意図的に加える圧力が0MPaであってもよいことは記載されているが、0MPaを超える圧力を付与した場合と0MPaとした場合との効果の差異については、何ら記載されていない。また、WO2008/023452A1では、フィルム状ではなく、ペースト状の導電ペーストを用いることの重要性についても何ら認識されていない。
また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されるという問題がある。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。
図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、上述した導電ペーストにより形成されている。本実施形態では、結晶性熱硬化性化合物を含有する熱硬化性化合物と、熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含む。上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とは、熱硬化性成分である。
接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。
第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。
図1に示すように、接続構造体1では、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストは、フラックスを含んでいてもよい。フラックスを用いた場合には、加熱により、一般にフラックスは次第に失活する。
なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上(好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上、更に好ましくは80%以上、特に好ましくは90%以上)に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。
次に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。
先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aとを含む導電ペースト11を配置する(第1の工程)。第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電ペースト11を配置する。導電ペースト11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。
導電ペースト11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。
また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電ペースト11において、導電ペースト11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電ペースト11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。
次に、はんだ粒子11Aの融点以上及び熱硬化性成分11Bの硬化温度以上に導電ペースト11を加熱する(第3の工程)。すなわち、はんだ粒子11Aの融点及び熱硬化性成分11Bの硬化温度の内のより低い温度以上に、導電ペースト11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、更に導電ペーストが特定の組成を有するために、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4を、導電ペースト11により形成する。導電ペースト11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが十分に移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
本実施形態では、上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行っていない。本実施形態では、導電ペースト11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。このことは、本発明者によって見出された。
ただし、第1の電極と第2の電極との間隔を確保できれば、加圧を行ってもよい。電極間の間隔を確保する手段として、例えば、所望の電極間の間隔に相当するスペーサーを添加し、少なくとも1個、好ましくは3個以上のスペーサーが電極間に配置されるようにすればよい。スペーサーとしては、無機粒子、有機粒子が挙げられる。スペーサーは絶縁性粒子であることが好ましい。
また、本実施形態では、加圧を行っていないため、導電ペーストを塗布した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極のアライメントがずれた状態で、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材との電極を接続させることができる(セルフアライメント効果)。これは、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極との間に自己凝集した溶融したはんだが、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極との間のはんだと導電ペーストのその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電ペーストが硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電ペーストのはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。
はんだの融点温度での導電ペーストの粘度は、好ましくは50Pa・s以下、より好ましくは10Pa・s以下、更に好ましくは1Pa・s以下、好ましくは0.1Pa・s以上、より好ましくは0.2Pa・s以上である。所定の粘度以下であれば、はんだ粒子を効率的に凝集させることができ、所定の粘度以上であれば、接続部でのボイドを抑制し、接続部以外への導電ペーストのはみだしを抑制することができる。
このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電ペースト11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。
なお、上記第3の工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、第1の接続対象部材又は第2の接続対象部材を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだ粒子の融点以上、より好ましくははんだ粒子の融点(℃)+10℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだ粒子の融点(℃)+100℃以下であってもよい。
上記第3の工程における加熱温度は、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上であれば特に限定されない。上記加熱温度は、好ましくは140℃以上、より好ましくは160℃以上、好ましくは450℃以下、より好ましくは250℃以下、更に好ましくは200℃以下である。
第3の工程の前に、溶融前のはんだ粒子の凝集を均一化するために、加熱工程を設けてよい。上記加熱工程における加熱温度は、好ましくは60℃以上、より好ましくは80℃以上、好ましくは130℃以下、より好ましくは120℃以下の温度条件にて、好ましくは5秒以上、好ましくは120秒以下保持する。この加熱工程によって、熱硬化性成分が熱により低粘度化し、溶融前のはんだ粒子が、凝集することで網目構造を形成し、第3の工程ではんだ粒子が溶融して凝集する際、取り残されるはんだ粒子を少なくすることができる。
第3の工程において、好ましくははんだの融点(℃)以上、より好ましくははんだの融点(℃)+5℃以上、好ましくははんだの融点(℃)+20℃以下、より好ましくははんだの融点(℃)+10℃以下の温度にて、好ましくは10秒以上、好ましくは120秒以下保持したのち、熱硬化性成分の硬化温度にあげてもよい。これにより、熱硬化性成分が硬化する前の、熱硬化性成分の粘度が低い状態にて、はんだ粒子の凝集を完了させることができ、より一層均一なはんだ粒子の凝集を行うことができる。
第3の工程における昇温速度は、30℃からはんだ粒子の融点までの昇温に関して、好ましくは50℃/秒以下、より好ましくは20℃/秒以下、更に好ましくは10℃/秒以下、好ましくは1℃/秒以上、より好ましくは5℃/秒以上である。昇温速度が上記下限以上であると、はんだ粒子の凝集がより一層均一になる。昇温速度が上記上限以下であると、熱硬化性成分の硬化の進行による過度の粘度上昇が抑えられ、はんだ粒子の凝集が阻害されにくくなる。
上記第3の工程における加熱方法としては、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。
局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。
また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。
上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。
上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。
上記第1の電極及び上記第2の電極が、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されていることが好ましい。電極が、エリアアレイ、ペリフェラルにて面にて配置されている場合にて、本発明の効果が一層効果的に発揮される。エリアアレイとは、接続対象部材の電極が配置されている面にて、格子状に電極が配置されている構造のことである。ペリフェラルとは、接続対象部材の外周部に電極が配置されている構造のことである。電極が櫛型に並んでいる構造の場合は、櫛に垂直な方向に沿ってはんだ粒子が凝集すればよいのに対して、上記構造では電極が配置されている面において、全面にて均一にはんだ粒子が凝集する必要があるため、従来の方法では、はんだ量が不均一になりやすいのに対して、本発明の方法では、本発明の効果が一層効果的に発揮される。
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
ポリマーA:
ビスフェノールF(4,4’−メチレンビスフェノールと2,4’−メチレンビスフェノールと2,2’−メチレンビスフェノールとを重量比で2:3:1で含む)100重量部、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル130重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製「EPICLON EXA−830CRP」)5重量部、及びレゾルシノール型エポキシ化合物(ナガセケムテックス社製「EX−201」)10重量部を、3つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、100℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基の付加反応触媒であるトリフェニルブチルホスホニウムブロミド0.15重量部を添加し、窒素フロー下にて、140℃で4時間、付加重合反応させることにより、反応物(ポリマーA)を得た。
NMRにより、付加重合反応が進行したことを確認して、反応物(ポリマーA)が、ビスフェノールFに由来する水酸基と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びレゾルシノール型エポキシ化合物のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。
GPCにより得られた反応物(ポリマーA)の重量平均分子量は28000、数平均分子量は8000であった。
ポリマーB:両末端エポキシ基剛直骨格フェノキシ樹脂、三菱化学社製「YX6900BH45」、重量平均分子量16000
熱硬化性化合物1:2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノン(結晶性熱硬化性化合物、融点94℃、分子量362)
2,4−ビス(グリシジルオキシ)ベンゾフェノンの合成:
3口フラスコに、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン27g、エピクロルヒドリン230g、n−ブタノール70g、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド1gを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、70℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液(濃度48重量%)45gを滴下した。滴下は、4時間かけて行った。その後、70℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら2時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
得られた反応生成物を、MEK(メチルエチルケトン):n−ブタノール=3:1(重量比)の混合溶剤400gに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液(濃度10重量%)5gを添加し、80℃で2時間加熱した。
その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。
n−ヘキサンを用い、上記反応生成物34gを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。
得られたエポキシ化合物:DSCによる融点は94℃、エポキシ当量は176g/eq.、マススペクトルによる分子量は362、150℃での溶融粘度は5mPa・sであった。
・示差走査熱量測定(DSC)測定装置及び測定条件
装置;日立ハイテクサイエンス社製「X−DSC7000」、サンプル量;3mg、温度条件;10℃/min
・150℃における溶融粘度:ASTM D4287に準拠し、エムエスティーエンジニアリング社製のICIコーンプレート粘度計を用いて測定
・エポキシ当量の測定:JIS K7236:2001に準拠して測定
・分子量の測定:マススペクトル GC−MS装置(日本電子社製「JMS K−9」)を用いて測定
熱硬化性化合物2:4,4’−ビス(グリジジルオキシ)ベンゾフェノン(結晶性熱硬化性化合物、融点132℃、分子量362)
4,4’−ビス(グリジジルオキシ)ベンゾフェノンの合成:
3口フラスコに、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン27g、エピクロルヒドリン230g、n−ブタノール70g、及びテトラエチルベンジルアンモニウムクロライド1gを入れ、室温にて撹拌、溶解させた。その後、窒素雰囲気下、撹拌下にて、70℃に昇温し、減圧還流下、水酸化ナトリウム水溶液(濃度48重量%)45gを滴下した。滴下は、4時間かけて行った。その後。70℃にて、ディーンスターク管を用い、水分を除去しながら2時間反応させた。その後、減圧下で、未反応のエピクロルヒドリンを除去した。
得られた反応生成物を、MEK(メチルエチルケトン):n−ブタノール=3:1(重量比)の混合溶剤400gに溶解し、水酸化ナトリウム水溶液(濃度10重量%)5gを添加し、80℃で2時間加熱した。
その後、室温に冷却し、純水により、洗液が中性になるまで洗浄を行った。有機層をろ過しながら分取し、減圧下にて、残水分及び混合溶媒を除去し、反応生成物を得た。
n−ヘキサンを用い、上記反応生成物34gを再結晶により精製し、真空乾燥により残溶剤分を除去した。
得られたエポキシ化合物:DSCによる融点は135℃、エポキシ当量は176g/eq.、マススペクトルによる分子量は362、150℃での溶融粘度は12mPa・sであった。
熱硬化性化合物3:1,6ヘキサンジオールジグリシジルエーテル(四日市合成社製「エポゴーセHD」、25℃で液体、分子量230)
熱硬化性化合物4:ビスフェノールF型エポキシ化合物、DIC社製「EXA830CRP」
熱硬化剤1:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、昭和電工社製「カレンズMT PE1」
潜在性エポキシ熱硬化剤1:T&K TOKA社製「フジキュア7000」
フラックス1:アジピン酸、和光純薬工業社製、融点(活性温度)152℃
はんだ粒子1〜3の作製方法:
アニオンポリマー1を有するはんだ粒子:はんだ粒子本体200gと、アジピン酸40gと、アセトン70gとを3つ口フラスコに秤量し、次にはんだ粒子本体の表面の水酸基とアジピン酸のカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジブチル錫オキサイド0.3gを添加し、60℃で4時間反応させた。その後、はんだ粒子をろ過することで回収した。
回収したはんだ粒子と、アジピン酸50gと、トルエン200gと、パラトルエンスルホン酸0.3gとを3つ口フラスコに秤量し、真空引き、及び還流を行いながら、120℃で、3時間反応させた。この際、ディーンスターク抽出装置を用いて、脱水縮合により生成した水を除去しながら反応させた。
その後、ろ過によりはんだ粒子を回収し、ヘキサンにて洗浄し、乾燥した。その後、得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のCV値となるように篩にかけた。
はんだ粒子1(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「ST−3」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径4μm、CV値7%、表面のゼータ電位:+0.65mV、ポリマー分子量Mw=6500)
はんだ粒子2(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「DS−10」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径13μm、CV値20%、表面のゼータ電位:+0.48mV、ポリマー分子量Mw=7000)
はんだ粒子3(SnBiはんだ粒子、融点139℃、三井金属社製「10−25」を選別したはんだ粒子本体を用い、表面処理を行ったアニオンポリマー1を有するはんだ粒子、平均粒子径25μm、CV値15%、表面のゼータ電位:+0.4mV、ポリマー分子量Mw=8000)
はんだ粒子4〜6の作製方法:
はんだ粒子4:
SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒子径(メディアン径)12μm)200g、イソシアネート基を有するシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBE−9007」)10g、アセトン70gを3つ口フラスコに秤量した。室温で撹拌しながら、はんだ粒子表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒であるジブチルスズラウレート0.25gを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、60℃で30分加熱した。その後、メタノールを50g添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、60℃で10分間加熱した。
その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、真空乾燥にて、室温で1時間脱溶剤を行った。
上記はんだ粒子を、3つ口フラスコに入れ、アセトン70g、アジピン酸モノエチル30g、エステル交換反応触媒であるモノブチルスズオキサイド0.5gを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下で60℃で1時間反応させた。
これにより、シランカップリング剤由来のシラノール基に対して、アジピン酸モノエチルのエステル基をエステル交換反応により反応させ、共有結合させた。
その後、アジピン酸を10g追加し、60℃で1時間反応させることで、アジピン酸モノエチルのシラノール基と反応していない残エチルエステル基に対して、アジピン酸を付加させた。
その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、ろ紙上でヘキサンにてはんだ粒子を洗浄することで、未反応、及びはんだ粒子の表面に非共有結合にて付着している、残アジピン酸モノエチル、アジピン酸を除去したのち、真空乾燥にて、室温で1時間脱溶剤を行った。
得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のCV値となるように篩を選択した。
はんだ表面に形成されたポリマーの分子量は、0.1Nの塩酸を用い、はんだを溶解後、ポリマーをろ過により回収し、GPCにより重量平均分子量を求めた。
これにより、はんだ粒子4を得た。得られたはんだ粒子4では、CV値20%、表面のゼータ電位0.9mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=9800であった。
はんだ粒子5:
SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒子径(メディアン径)12μm)の代わりに、SnBiはんだ粒子(三井金属社製、平均粒子径(メディアン径)30μm)を用いたこと以外は、はんだ粒子4と同様にしてはんだ粒子5を作製した。得られたはんだ粒子5では、CV値15%、表面のゼータ電位1mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=9900であった。
はんだ粒子6:
SnBiはんだ粒子(三井金属社製「DS−10」、平均粒子径(メディアン径)12μm)の代わりに、SnBiはんだ粒子(三井金属社製、平均粒子径(メディアン径)50μm)を用いたこと以外は、はんだ粒子4と同様にしてはんだ粒子6を作製した。得られたはんだ粒子6では、CV値13%、表面のゼータ電位1.1mV、表面を構成しているポリマーの分子量Mw=10000であった。
(ゼータ電位測定)
また、得られたはんだ粒子を、アニオンポリマー1を有するはんだ粒子0.05gを、メタノール10gに入れ、超音波処理をすることで、均一に分散させて、分散液を得た。この分散液を用いて、かつBeckman Coulter社製「Delsamax PRO」を用いて、電気泳動測定法にて、ゼータ電位を測定した。
(アニオンポリマーの重量平均分子量)
はんだ粒子の表面のアニオンポリマー1の重量平均分子量は、0.1Nの塩酸を用い、はんだを溶解した後、ポリマーをろ過により回収し、GPCにより求めた。
(はんだ粒子のCV値)
CV値を、レーザー回折式粒度分布測定装置(堀場製作所社製「LA−920」)にて、測定した。
導電性粒子1:樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子
導電性粒子1の作製方法:
平均粒子径10μmのジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−210」)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ3μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み3μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子1を作製した。
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)
(実施例1〜6,8及び比較例2)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。なお、比較例2では、中心部分がはんだではない導電性粒子を用いた。
(2)第1の接続構造体(L/S=50μm/50μm)の作製
L/Sが50μm/50μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが50μm/50μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×3mmとし、接続した電極数は75対とした。
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ100μmとなるように、メタルマスクを用い、スクリーン印刷にて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が190℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を190℃及び10秒で硬化させ、第1の接続構造体を得た。
(3)第2の接続構造体(L/S=75μm/75μm)の作製
L/Sが75μm/75μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが75μm/75μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第2の接続構造体を得た。
(4)第3の接続構造体(L/S=100μm/100μm)の作製
L/Sが100μm/100μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが100μm/100μm、電極長さ3mmの銅電極パターン(銅電極の厚み12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の接続対象部材)を用意した。
L/Sが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第1の接続構造体の作製と同様にして、第3の接続構造体を得た。
(実施例7)
第1の導電ペースト層の加熱時に1MPaの圧力を加えたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(比較例1)
(1)異方性導電ペーストの作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと、加熱時に1MPaの圧力を加えたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(比較例3)
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)10重量部をメチルエチルケトン(MEK)に固形分が50重量%となるように溶解させて、溶解液を得た。下記の表1に示すフェノキシ樹脂を除く成分を下記の表1に示す配合量と、上記溶解液の全量とを配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが30μmになるよう離型PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、MEKを除去することにより、異方性導電フィルムを得た。
異方性導電フィルムを用いたこと以外は実施例1と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を得た。
(実施例9〜18)
下記の表3,4に示す成分を下記の表3,4に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
まず、熱硬化性化合物1,2を、140℃に熱し、液状化した。これを、40℃まで冷却し、熱硬化剤1を添加した。その後、他の熱硬化性化合物である熱硬化性化合物3を添加し、均一になるまで、遊星式攪拌機にて撹拌した。その後、10℃にて、5時間静置し、熱硬化性化合物1,2を結晶化させた。
上記配合物を、3本ロールにて、熱硬化性化合物1,2の結晶が、下記の表2,3に示す所定の結晶サイズになるまで、混練した。
さらに、他の配合物を添加し、遊星式攪拌機にて撹拌した。
保管前の異方性導電ペーストを用いて、実施例1〜6,8及び比較例2と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を作製した。異方性導電ペーストを50℃で12時間保管した。保管後の異方性導電ペーストを用いて、実施例1〜6,8及び比較例2と同様にして、第1,第2,第3の接続構造体を作製した。
(評価)
(0)結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比及び平均長径
保管前の異方性導電ペーストを電子顕微鏡で観察することにより、結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比及び平均長径を評価した。
(1)粘度
保管前の異方性導電ペーストの25℃での粘度(η25)を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び5rpmと、25℃及び0.5rpmとの各条件で測定した。
(2)保存安定性
異方性導電ペーストを50℃で24時間保管した。保管後の異方性導電ペーストの25℃での粘度(η25’)を、E型粘度計(東機産業社製)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。保存安定性を以下の基準で判定した。
[保存安定性の判定基準]
○○:粘度(η25’)/粘度(η25)が1以上、1.2未満
○:粘度(η25’)/粘度(η25)が1.2以上、1.5未満
△:粘度(η25’)/粘度(η25)が1.5以上、2未満
×:粘度(η25’)/粘度(η25)が2以上
(3)はんだ部の厚み
保管前の異方性導電ペーストを用いて得られた第1の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極の間に位置しているはんだ部の厚みを評価した。
(4)電極上のはんだの配置精度1
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Xを評価した。電極上のはんだの配置精度1を下記の基準で判定した。
[電極上のはんだの配置精度1の判定基準]
○○:割合Xが70%以上
○:割合Xが60%以上、70%未満
△:割合Xが50%以上、60%未満
×:割合Xが50%未満
(5)電極上のはんだの配置精度2
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向と直交する方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、接続部中のはんだ部100%中、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分に配置されている接続部中のはんだ部の割合Yを評価した。電極上のはんだの配置精度2を下記の基準で判定した。
[電極上のはんだの配置精度2の判定基準]
○○:割合Yが99%以上
○:割合Yが90%以上、99%未満
△:割合Yが70%以上、90%未満
×:割合Yが70%未満
(6)上下の電極間の導通信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、上下の電極間の1接続箇所当たりの接続抵抗をそれぞれ、4端子法により、測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が50mΩ以下
○:接続抵抗の平均値が50mΩを超え、70mΩ以下
△:接続抵抗の平均値が70mΩを超え、100mΩ以下
×:接続抵抗の平均値が100mΩを超える、又は接続不良が生じている
(7)横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた第1,第2,第3の接続構造体(n=15個)において、85℃、湿度85%の雰囲気中に100時間放置後、横方向に隣接する電極間に、5Vを印加し、抵抗値を25箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
[絶縁信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が10Ω以上
○:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
△:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
×:接続抵抗の平均値が10Ω未満
(8)上下の電極間の位置ずれ
得られた第1,第2,第3の接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極の中心線と第2の電極の中心線とが揃っているか否か、並びに位置ずれの距離を評価した。上下の電極間の位置ずれを下記の基準で判定した。
[上下の電極間の位置ずれの判定基準]
○○:位置ずれが15μm未満
○:位置ずれが15μm以上、25μm未満
△:位置ずれが25μm以上、40μm未満
×:位置ずれが40μm以上
結果を下記の表1〜3に示す。
Figure 0006577867
Figure 0006577867
Figure 0006577867
なお、実施例9,10,16の保管後の異方性導電ペーストでの結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比及平均長径は、保管前の異方性導電ペーストと同じであった。実施例9の保管後の異方性導電ペーストの25℃及び5rpmでの粘度は、130mPa・s、25℃及び0.5rpmでの粘度は450mPa・s、実施例10の保管後の異方性導電ペーストの25℃及び5rpmでの粘度は、160mPa・s、25℃及び0.5rpmでの粘度は500mPa・s、実施例16の保管後の異方性導電ペーストの25℃及び5rpmでの粘度は、350mPa・s、25℃及び0.5rpmでの粘度は1200mPa・sであった。また、保管後の異方性導電ペーストを用いて得られた第1の接続構造体のはんだ部の厚みは、実施例9では33μm、実施例10では36μm、実施例16では43μmであった。
フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。
1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電ペースト
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分

Claims (25)

  1. 熱硬化性成分として熱硬化性化合物及び熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含み、
    前記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含み、
    前記結晶性熱硬化性化合物が、ベンゾフェノン型エポキシ化合物であり、
    前記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である、導電ペースト。
  2. 熱硬化性成分として熱硬化性化合物及び熱硬化剤と、複数のはんだ粒子とを含み、
    前記熱硬化性化合物が、結晶性熱硬化性化合物を含み、
    前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均アスペクト比が5以下であり、
    前記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である、導電ペースト。
  3. 前記結晶性熱硬化性化合物が25℃で固体である、請求項1又は2に記載の導電ペースト。
  4. 前記結晶性熱硬化性化合物の融点が80℃以上、150℃以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  5. 前記結晶性熱硬化性化合物の分子量が300以上、500以下である、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  6. 前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径が、前記はんだ粒子の平均粒子径の1/1.5以下である、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  7. 前記結晶性熱硬化性化合物の結晶の平均長径が、前記はんだ粒子の平均粒子径の1/10以上である、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  8. 前記結晶性熱硬化性化合物の融点は、前記はんだの融点よりも低い、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  9. フラックスを含み、
    前記結晶性熱硬化性化合物の融点は、前記フラックスの活性温度よりも低い、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  10. 前記熱硬化性化合物の全体100重量%中、前記結晶性熱硬化性化合物の含有量が10重量%以上である、請求項1〜のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  11. フィラーを含まないか、又はフィラーを5重量%以下で含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  12. 導電ペースト中で、前記結晶性熱硬化性化合物が、粒子状に分散している、請求項1〜11のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  13. 結晶性熱硬化性化合物とは異なる他の熱硬化性化合物を含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  14. 前記はんだ粒子の平均粒子径が1μm以上、60μm以下である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  15. 前記はんだ粒子の含有量が10重量%以上、80重量%以下である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の導電ペースト。
  16. 少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
    少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
    前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
    前記接続部が、請求項1〜15のいずれか1項に記載の導電ペーストの硬化物であり、
    前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
  17. 前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項16に記載の接続構造体。
  18. 前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている、請求項16又は17に記載の接続構造体。
  19. 前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向と直交する方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分に、前記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されている、請求項1618のいずれか1項に記載の接続構造体。
  20. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の導電ペーストを用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、
    前記導電ペーストの前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、
    前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
  21. 前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わるか、又は、
    前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程の内の少なくとも一方において、加圧を行い、かつ、前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程の双方において、加圧の圧力が1MPa未満である、請求項20に記載の接続構造体の製造方法。
  22. 前記第2の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第2の接続対象部材の重量が加わる、請求項21に記載の接続構造体の製造方法。
  23. 前記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項2022のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。
  24. 前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得る、請求項2023のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。
  25. 前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向と直交する方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分に、前記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されている接続構造体を得る、請求項2024のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220135894A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 주식회사 노피온 자가 조립형 이방성 도전 접착제 및 이를 이용한 부품 실장 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017179532A1 (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
JP6517754B2 (ja) * 2016-07-12 2019-05-22 日本碍子株式会社 配線基板接合体
CN109313956A (zh) * 2016-09-09 2019-02-05 积水化学工业株式会社 导电材料、连接结构体以及连接结构体的制造方法
JP6956475B2 (ja) 2016-09-28 2021-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム
JP6726070B2 (ja) 2016-09-28 2020-07-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム
CN109791813B (zh) * 2016-09-30 2020-08-14 积水化成品工业株式会社 导电性树脂颗粒和其用途
CN111417488A (zh) * 2017-12-22 2020-07-14 积水化学工业株式会社 焊锡粒子、导电材料、焊锡粒子的保管方法、导电材料的保管方法、导电材料的制造方法、连接结构体及连接结构体的制造方法
KR20220016863A (ko) * 2019-06-13 2022-02-10 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
JP7389657B2 (ja) 2020-01-21 2023-11-30 積水化学工業株式会社 導電ペースト及び接続構造体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769688B2 (ja) 2003-02-05 2006-04-26 独立行政法人科学技術振興機構 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
JP3955302B2 (ja) 2004-09-15 2007-08-08 松下電器産業株式会社 フリップチップ実装体の製造方法
CN101501154B (zh) 2006-08-25 2013-05-15 住友电木株式会社 粘合带、接合体和半导体封装件
JP2008109115A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップ積層体及びその製造方法
CN101578345A (zh) * 2007-01-12 2009-11-11 积水化学工业株式会社 电子部件用粘合剂
JP5386837B2 (ja) * 2007-03-23 2014-01-15 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP5093482B2 (ja) 2007-06-26 2012-12-12 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法
CN102585709B (zh) * 2007-08-08 2016-04-27 日立化成株式会社 粘接剂组合物、膜状粘接剂和电路部件的连接结构
JP4998732B2 (ja) * 2007-10-22 2012-08-15 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接着剤
EP2357876A4 (en) * 2008-09-05 2012-04-25 Sumitomo Bakelite Co ELECTROCONDUCTIVE CONNECTION MATERIAL, METHOD FOR CONNECTING TERMINALS TO OTHER BY USING THE ELECTROCONDUCTIVE CONNECTION MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTION TERMINAL
WO2011024719A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 積水化学工業株式会社 異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP5619466B2 (ja) * 2010-04-13 2014-11-05 デクセリアルズ株式会社 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、ダイボンド剤、非導電性ペースト、接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性エポキシ樹脂フィルム、異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム
JP5771084B2 (ja) * 2010-07-21 2015-08-26 積水化学工業株式会社 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂
JP5916423B2 (ja) 2011-02-17 2016-05-11 積水化学工業株式会社 異方性導電材料のbステージ化物、異方性導電材料のbステージ化物の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP6066158B2 (ja) * 2012-01-27 2017-01-25 Dic株式会社 エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、及び半導体装置
JP2014056816A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Sekisui Chem Co Ltd 導電材料及び接続構造体
WO2014061545A1 (ja) * 2012-10-15 2014-04-24 積水化学工業株式会社 有機無機ハイブリッド粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6152043B2 (ja) * 2012-11-30 2017-06-21 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
JP5664673B2 (ja) * 2013-01-28 2015-02-04 日立化成株式会社 樹脂ペースト組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220135894A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 주식회사 노피온 자가 조립형 이방성 도전 접착제 및 이를 이용한 부품 실장 방법
KR102556928B1 (ko) * 2021-03-31 2023-07-20 주식회사 노피온 자가 조립형 이방성 도전 접착제 및 이를 이용한 부품 실장 방법

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