JP5957812B2 - 静電チャック装置 - Google Patents
静電チャック装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5957812B2 JP5957812B2 JP2011137387A JP2011137387A JP5957812B2 JP 5957812 B2 JP5957812 B2 JP 5957812B2 JP 2011137387 A JP2011137387 A JP 2011137387A JP 2011137387 A JP2011137387 A JP 2011137387A JP 5957812 B2 JP5957812 B2 JP 5957812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- plate
- mounting plate
- support plate
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Description
このプラズマエッチング技術はドライエッチング技術の一種であり、加工対象となる固体材料の上にレジストでマスクパターンを形成し、この固体材料を真空中に支持した状態で、この真空中に反応性ガスを導入し、この反応性ガスに高周波の電界を印加することにより、加速された電子がガス分子と衝突してプラズマ状態となり、このプラズマから発生するラジカル(フリーラジカル)とイオンを固体材料と反応させて反応生成物として取り除くことにより、固体材料に微細パターンを形成する技術である。
このようなプラズマエッチング装置、プラズマCVD装置等のプラズマを用いた半導体製造装置においては、従来から、試料台に簡単にウエハを取付け、固定するとともに、このウエハを所望の温度に維持する装置として静電チャック装置が使用されている。
また、プラズマエッチング装置の構造や方式の違い等により、ウエハの面内温度分布に差が生じる。
このヒータ機能付き静電チャック装置は、ウエハ内に局所的に温度分布を作ることができるので、ウエハの面内温度分布を膜堆積速度やプラズマエッチング速度に合わせて設定することにより、ウエハ上へのパターン形成などの局所的な膜形成や局所的なプラズマエッチングを効率よく行なうことができる。
また、ヒータ機能付き静電チャック装置においても、ヒータを加熱した際や、ウェハにプラズマを照射した際等に急速に温度が昇降し、この昇降温の際に各部材間に熱応力が発生して、静電チャック装置が破損し、場合によっては破壊するという問題点があった。
さらに、ドライエッチング、プラズマエッチング、クリーニング等の工程においては、フッ素系ガスや塩素系ガス等の腐食性ガスが用いられていることから、これらの腐食性ガスやプラズマにより静電チャック装置が腐食するという問題点があった。
この静電チャック装置では、耐食性セラミックスを、酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、希土類元素添加酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、酸化イットリウムの群から選択される1種または2種以上により構成したことにより、腐食性ガスやプラズマに対する耐食性が向上する。これにより、静電チャック部の耐久性がさらに向上する。
この静電チャック装置では、支持板と温度調整用ベース部との間に設けられた加熱部材を有機系絶縁性接着剤層に埋設させたことにより、急速に温度が昇降温する際においても、この有機系絶縁性接着剤層が支持板及び温度調整用ベース部に対して急激な膨張・収縮を緩和する緩衝層として機能し、支持板に破損や破壊が生じるのを防止する。これにより、静電チャック部の耐久性がさらに向上する。
この静電チャック装置では、載置板の厚みを0.3mm以上かつ2.0mm以下とすることにより、この載置板に十分な強度を付与するとともに、この載置板を含む静電チャック部自体の熱容量が小さくなり、載置される板状試料との熱交換効率、熱応答性も優れたものとなる。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物としては、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG:Y3Al5O12)、Y2O3・Al2O3、Y2O3−Al2O3複合相等が挙げられる。
希土類元素(RE)の添加率を上記の範囲とすることにより、希土類元素(RE)添加酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物のハロゲンガスやプラズマに対する耐食性が向上する。
この絶縁性セラミックスの熱伝導率は、載置板11を構成する耐食性セラミックスの熱伝導率が20W/mK未満であることから、少なくとも20W/mK以上であればよい。
この静電吸着用内部電極13は、酸化アルミニウム−炭化タンタル(Al2O3−Ta4C5)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−タングステン(Al2O3−W)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タングステン(AlN−W)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タンタル(AlN−Ta)導電性複合焼結体、酸化イットリウム−モリブデン(Y2O3−Mo)導電性複合焼結体等の導電性セラミックス、または、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属、あるいは、上記の導電性セラミックス中に上記の高融点金属をフィラーとして含む高融点金属添加導電性セラミックスにより形成されている。
このような厚みの静電吸着用内部電極13は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいはスクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。
ここで、絶縁性接着層14の面内の厚みのバラツキが10μmを超えると、載置板11及び静電吸着用内部電極13と支持板12とを接着一体化した際に、載置板11と支持板12との面内間隔に10μmを超えるバラツキが生じ、その結果、載置板11の載置面における面内温度が不均一となるので、好ましくない。
そして、この給電用端子15は支持板12に接合一体化され、さらに、載置板11と支持板12とは、静電吸着用内部電極13及び絶縁性接着層14により接合一体化されて静電チャック部2を構成している。
この温度調整用ベース部3としては、例えば、その内部に水を循環させる流路(図示略)が形成された水冷ベース等が好適である。
この温度調整用ベース部3を構成する材料としては、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、銅(Cu)、銅合金、ステンレス鋼(SUS) 等が好適に用いられる。この温度調整用ベース部3の少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理が施されているか、あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
ここで、ヒータエレメント4の厚みを0.2mm以下とした理由は、厚みが0.2mmを超えると、ヒータエレメント4のパターン形状が板状試料Wの温度分布として反映され、板状試料Wの面内温度を所望の温度パターンに維持することが困難になるからである。
また、一定の厚みの非磁性金属薄板を用いてヒータエレメント4を形成すると、ヒータエレメント4の厚みが加熱面全域で一定となり、さらに発熱量も加熱面全域で一定となるので、静電チャック部2の載置面における温度分布を均一化することができる。
このヒータエレメント4には、直流電圧を印加する給電用端子22が接続され、この給電用端子22は、絶縁性を有する碍子23により温度調整用ベース部3に対して絶縁されている。
この接着材21の厚みは、5μm〜100μmが好ましく、より好ましくは10μm〜50μmである。この接着材21の面内の厚みのバラツキは10μm以内が好ましい。
ここで、接着材21の面内の厚みのバラツキが10μmを超えると、静電チャック部2とヒータエレメント4との面内間隔に10μmを超えるバラツキが生じ、その結果、ヒータエレメント4から静電チャック部2に伝達される熱の面内均一性が低下し、静電チャック部2の載置面における面内温度が不均一となるので、好ましくない。
ここで、この有機系絶縁性接着剤層5の厚みを上記の範囲とした理由は、この有機系絶縁性接着剤層5の厚みが50μmを下回ると、静電チャック部2と温度調整用ベース部3との間の熱伝導性は良好となるものの、熱応力緩和が不充分となり、割れやクラックが生じ易くなるからであり、一方、有機系絶縁性接着剤層5の厚みが500μmを超えると、静電チャック部2と温度調整用ベース部3との間の熱伝導性を十分確保することができなくなるからである。
このようなシリコーン樹脂としては、特に、硬化後のヤング率が8MPa以下の樹脂が好ましい。ここで、硬化後のヤング率が8MPaを超えると、有機系絶縁性接着剤層5に昇温、降温の熱サイクルが負荷された際に、支持板12と温度調整用ベース部3との熱膨張差を吸収することができず、有機系絶縁性接着剤層5の耐久性が低下するので、好ましくない。
この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子は、シリコーン樹脂の熱伝導性を改善するために混入されたもので、その混入率を調整することにより、有機系絶縁性接着剤層5の熱伝達率を制御することができる。
また、窒化アルミニウム(AlN)粒子の表面に酸化ケイ素(SiO2)からなる被覆層が形成されているので、表面被覆が施されていない単なる窒化アルミニウム(AlN)粒子と比較して優れた耐水性を有している。したがって、シリコーン系樹脂組成物を主成分とする有機系絶縁性接着剤層5の耐久性を確保することができ、その結果、静電チャック装置1の耐久性を飛躍的に向上させることができる。
なお、この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子は、半導体ウエハ等の板状試料Wへの汚染源となる虞もなく、この点からも好ましいフィラーということができる。
ここで、この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子の平均粒径が1μmを下回ると、粒子同士の接触が不十分となり、結果的に熱伝達率が低下する虞があり、また、粒径が細か過ぎると、取扱等の作業性の低下を招くこととなり、好ましくない。一方、平均粒径が10μmを越えると、接着層の厚みにばらつきが生じ易くなるので好ましくない。
まず、酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、希土類元素添加酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、酸化イットリウム(Y2O3)のいずれかにより板状の載置板11を作製する。
例えば、希土類元素添加酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物を用いる場合、酸化イットリウム粉体と、酸化アルミニウム粉体と、希土類元素酸化物粉体とを、それぞれ所定の比率で混合し、混合物とする。
この場合、必要に応じて、水やアルコール類等の溶媒、あるいは分散媒を添加してもよい。
分散機、超高圧粉砕分散機等のメディアレス分散機が用いられる。特に、メディアレス分散機は、混合物に不純物が含まれる虞がないので、半導体製造装置用の静電チャック装置には好適である。
加圧焼成法における加圧力は、特に制限はないが、通常、10〜40MPa程度である。
このようにして得られた焼結体を、さらに、真空中、還元性雰囲気中のいずれかの雰囲気中、1000℃〜1800℃、好ましくは1200℃〜1600℃にて、1〜100時間程度加熱処理してもよい。
例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)を用いる場合、酸化アルミニウム(Al2O3)を、自動乳鉢あるいはスプレードライヤー等の造粒装置を用いて所定の粒径を有する顆粒とし、この顆粒を所望の形状に成形し、得られた成形体を、例えば、大気中、50℃〜600℃に加熱して成形体中の揮発成分を散逸(脱脂)させ、次いで、大気中、1000℃〜1800℃、好ましくは1500℃〜1700℃にて、1〜10時間焼成することにより、支持板12を得ることができる。
次いで、給電用端子15を、支持板12の固定孔に密着固定し得る大きさ、形状となるように作製する。この給電用端子15の作製方法としては、例えば、給電用端子15を導電性複合焼結体とした場合、導電性セラミックス粉体を、所望の形状に成形して加圧焼成する方法等が挙げられる。
また、給電用端子15を金属とした場合、高融点金属を用い、研削法、粉体治金等の金属加工法等により形成する方法等が挙げられる。
この塗布法としては、均一な厚さに塗布する必要があることから、スクリーン印刷法等を用いることが望ましい。また、他の方法としては、蒸着法あるいはスパッタリング法により上記の高融点金属の薄膜を成膜する方法、上記の導電性セラミックスあるいは高融点金属からなる薄板を配設して静電吸着用内部電極形成層とする方法等がある。
また、給電用端子15は、高温、高圧下でのホットプレスで再焼成され、支持板12の固定孔に密着固定される。
そして、これら接合体の上下面、外周およびガス穴等を機械加工し、静電チャック部2とする。
この接着材21は、支持板12の表面(下面)に、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有する接着性樹脂シートまたは接着性樹脂フィルムを貼着し、このシートまたはフィルムにヒータエレメント4と同一のパターンを形成することによっても作製することができる。
これにより、支持板12の表面(下面)に所望のヒーターパターンを有するヒータエレメント4が接着材21を介して形成されたヒータエレメント付き静電チャック部が得られる。
また、給電用端子22を金属とした場合、高融点金属を用い、研削法、粉体治金等の金属加工法等により形成する方法等が挙げられる。
この温度調整用ベース部3の少なくともプラズマに曝される面には、アルマイト処理を施すか、あるいはアルミナ等の絶縁膜を成膜することが好ましい。
次いで、静電チャック部2を温度調整用ベース部3に押圧し、静電チャック部2を有機系絶縁性接着剤層5を介して温度調整用ベース部3に接着一体化する。
以上により、静電チャック部2及び温度調整用ベース部3は、有機系絶縁性接着剤層5を介して接合一体化され、本実施形態の静電チャック装置1が得られることとなる。
(静電チャック装置の作製)
公知の方法により、内部に厚み20μmの静電吸着用内部電極13が埋設された静電チャック部2を作製した。
この静電チャック部2の載置板11は、酸化イットリウム(Y2O3)焼結体であり、直径は298mm、厚みは0.5mmの円板状であった。また、この載置板11の静電吸着面を、高さが40μmの多数の突起部16を形成することで凹凸面とし、これらの突起部16の頂面を板状試料Wの保持面とし、凹部と静電吸着された板状試料Wとの間に形成される溝に冷却ガスを流すことができるようにした。
これら載置板11及び支持板12を接合一体化することにより、静電チャック部2の全体の厚みは2.5mmとなっていた。
一方、直径350mm、高さ30mmのアルミニウム製の温度調整用ベース部3を、機械加工により作製した。この温度調整用ベース部3の内部には冷媒を循環させる流路(図示略)を形成した。
次いで、この接着材21上に、厚みが100μmのチタン(Ti)薄板を載置した。次いで、真空中、150℃にて加圧保持し、静電チャック部2とチタン(Ti)薄板とを接着固定した。
これにより、ヒータエレメント付き静電チャック部が得られた。
次いで、シート接着剤が貼着された温度調整用ベース部3上に、上記のヒータエレメント付き静電チャック部を重ね合わせ、この静電チャック部2を温度調整用ベース部3に押圧して静電チャック部2と温度調整用ベース部3とを接合させ、実施例1の静電チャック装置1を作製した。
この静電チャック装置の載置板及び支持板それぞれの(1)熱伝導率、(2)熱膨張率、及び、この静電チャック装置の(3)均熱性、(4)熱サイクル試験、(5)耐食性、それぞれについて評価した。
載置板及び支持板それぞれから、直径10mm、厚み2mmの円板状の試験片を切り取り、この試験片について、日本工業規格JIS R 1611「ファインセラミックスのフラッシュ法による熱拡散率・比熱容量・熱伝導率の測定方法」に規定されたレーザーフラッシュ法により測定した。
載置板及び支持板それぞれの熱膨張率を、熱膨張率測定装置 DL7000(アルバック理工株式会社製)を用いて測定した。
測定条件は、アルゴンガスの雰囲気下、室温(25℃)から1000℃まで、昇温速度5℃/分にて昇温させ、その間における熱膨張率を算出した。
静電チャック装置の載置面に直径300mmのシリコンウエハを静電吸着させ、温度調整用ベース部の流路(図示略)に20℃の冷却水を循環させながら、シリコンウエハの中心温度が40℃となるようにヒータエレメントに通電し、このときのシリコンウエハの面内温度分布をサーモグラフィTVS−200EX(日本アビオニクス社製)を用いて測定した。
静電チャック装置を真空チャンバに装置し、フロン系冷媒により温度調整用ベース部を20℃に一定に保った状態で、載置面にシリコンウエハを配置し、ヒータエレメントに4000Wの電力を印加することでシリコンウエハを断続的に加熱することにより、シリコンウエハの表面温度が40℃と100℃との間を繰り返すサイクルを計1000回繰り返した。
また、破壊したと判断された静電チャック装置については、繰り返すサイクルを500回、200回、100回と順次減少させて静電チャック装置が破壊する回数を調べ、この回数を試験結果とした。
静電チャック装置を炭化ハロゲン系ガス・酸素・アルゴンの混合ガス中でプラズマに8時間暴露し、暴露面を走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、載置面の表面荒れを評価した。
評価基準は次のとおりである。
○:表面荒れが認められない
△:表面荒れがやや認められる
×:表面荒れが認められる
これらの評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11を酸化イットリウム(Y2O3)焼結体からイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)に替えた他は、実施例1に準じて、実施例2の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11を酸化イットリウム(Y2O3)焼結体から、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)に酸化サマリウム(Sm2O3)を10質量%添加した酸化サマリウム(Sm2O3)添加イットリウムアルミニウムガーネット(YAG・Sm)に替えた他は、実施例1に準じて、実施例3の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11を酸化イットリウム(Y2O3)焼結体から、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG・Gd)に酸化ガドリニウム(Gd2O3)を10質量%添加した酸化ガドリニウム(Gd2O3)添加イットリウムアルミニウムガーネット(YAG・Gd)に替えた他は、実施例1に準じて、実施例4の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11を酸化イットリウム(Y2O3)焼結体から、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)に酸化サマリウム(Sm2O3)を10質量%添加した酸化サマリウム(Sm2O3)添加イットリウムアルミニウムガーネット(YAG・Sm)に替え、支持板12を酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体から窒化アルミニウム(AlN)焼結体に替えた他は、実施例1に準じて、実施例4の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11及び支持板12を、共にイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)とした他は、実施例1に準じて、比較例1の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11及び支持板12を、1枚のイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)板により構成し、この中に静電吸着用内部電極を埋め込んだ構造とした他は、実施例1に準じて、比較例2の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
静電チャック部2の載置板11及び支持板12を、共に酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体とした他は、実施例1に準じて、比較例3の静電チャック装置を作製し、評価した。
評価結果を表1に示す。
一方、比較例1は、載置板11及び支持板12を、共に熱伝導率が20W/Km未満と低くかつ機械的強度の弱いイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)により構成したことにより、載置板11と支持板12との間にクラックや剥がれが生じていた。
比較例2は、載置板11及び支持板12を、熱伝導率が20W/Km未満と低くかつ機械的強度の弱い1枚のイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)板により構成したことにより、内部にクラックが生じていた。
比較例3は、載置板11に酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体を用いたために、耐食性が劣っていた。
2 静電チャック部
3 温度調整用ベース部
4 ヒータエレメント(加熱部材)
5 有機系絶縁性接着剤層
6 孔
7 碍子
11 載置板
12 支持板
13 静電吸着用内部電極
14 樹脂系の絶縁性接着層
15 給電用端子
16 突起部
17 碍子
21 接着材
22 給電用端子
23 碍子
W 板状試料
Claims (4)
- 一主面を板状試料を載置する載置面とした耐食性セラミックスからなる載置板と、この載置板と一体化されて該載置板を支持し熱伝導率が前記耐食性セラミックスより大である絶縁性セラミックスからなる支持板と、これら載置板と支持板との間に設けられた静電吸着用内部電極と、前記載置板と前記支持板との間に設けられ前記載置板と前記支持板とを接着一体化する樹脂製の接着層と、を備えた静電チャック部と、
この静電チャック部を所望の温度に調整する温度調整用ベース部とを備え、
前記接着層の厚みは、10μm〜100μmであることを特徴とする静電チャック装置。 - 前記耐食性セラミックスは、酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、希土類元素添加酸化イットリウムアルミニウム複合酸化物、酸化イットリウムの群から選択される1種または2種以上からなることを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記支持板と前記温度調整用ベース部との間に加熱部材を設け、この加熱部材は有機系絶縁性接着剤層に埋設されていることを特徴とする請求項1または2記載の静電チャック装置。
- 前記載置板の厚みは0.3mm以上かつ2.0mm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の静電チャック装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137387A JP5957812B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 静電チャック装置 |
US13/718,071 US9837296B2 (en) | 2011-06-21 | 2012-12-18 | Electrostatic chuck apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137387A JP5957812B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 静電チャック装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004900A JP2013004900A (ja) | 2013-01-07 |
JP5957812B2 true JP5957812B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=47673102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011137387A Active JP5957812B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 静電チャック装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9837296B2 (ja) |
JP (1) | JP5957812B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140116622A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Semes Co. Ltd. | Electrostatic chuck and substrate processing apparatus |
JP2014138164A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP6106519B2 (ja) * | 2013-05-09 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム |
JP5992375B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2016-09-14 | 株式会社東芝 | 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法 |
JP6244804B2 (ja) | 2013-10-15 | 2017-12-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6277015B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
EP3167479B1 (en) * | 2014-07-08 | 2021-12-01 | Watlow Electric Manufacturing Company | Bonded assembly with integrated temperature sensing in bond layer |
WO2016158110A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6642170B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-02-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置及びその製造方法 |
US10636630B2 (en) * | 2017-07-27 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber and method with thermal control |
US10551297B2 (en) * | 2017-09-22 | 2020-02-04 | Saudi Arabian Oil Company | Thermography image processing with neural networks to identify corrosion under insulation (CUI) |
KR102056089B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2019-12-16 | 주식회사 에스엔텍비엠 | 센서 장착 웨이퍼를 위한 온도 보정 장치 |
CN111081517B (zh) * | 2018-10-19 | 2023-03-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种静电吸盘的防腐蚀方法 |
WO2023286812A1 (ja) | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151559A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
JP4480951B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2010-06-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材 |
JP4349952B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-10-21 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
US20060090855A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method |
JP4811790B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-11-09 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US7672111B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-03-02 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck and method for manufacturing same |
JP5018244B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
JP5034992B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2012-09-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 焼結体およびその製造方法 |
JP5423632B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-02-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
2011
- 2011-06-21 JP JP2011137387A patent/JP5957812B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-18 US US13/718,071 patent/US9837296B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9837296B2 (en) | 2017-12-05 |
JP2013004900A (ja) | 2013-01-07 |
US20130265690A1 (en) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5957812B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP6103046B2 (ja) | 誘電体材料、静電チャック装置 | |
JP5423632B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
KR101712538B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
JP5163349B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US9287156B2 (en) | Electrostatic chucking device | |
KR101800337B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
JP6070827B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5522220B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP6988999B2 (ja) | セラミックス基体およびサセプタ | |
JP6155922B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5846186B2 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
JP2013187477A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5504924B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2016124734A (ja) | 耐食性部材、静電チャック装置および耐食性部材の製造方法 | |
JP6503689B2 (ja) | 静電チャック装置およびその製造方法 | |
JP2019179780A (ja) | 静電チャック装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150323 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160405 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5957812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |