JP6140457B2 - 接着方法、載置台及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、接着方法、載置台及び基板処理装置に関するものである。

従来より、静電チャックは、基台の表面に固定される。例えば、ヒータパターンが設けられた静電チャックの下面と、基台の表面にシート状の接着性樹脂を介して設けられた絶縁部材とを、有機系接着剤を用いて接着する手法がある。

特開２０１１−１７６２７５号公報 特開２００１−２４０９５３号公報 特開２００３−１９３２１６号公報

しかしながら、上述した技術では、有機系接着剤の厚さにばらつきが生じる結果、ヒータパターンが下面に設けられた静電チャックと基台の表面との間隔にばらつきが生じるという問題がある。

開示する接着方法は、静電チャックと基台とを接着する接着方法である。開示する接着方法は、１つの実施態様において、静電チャックの面のうち基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンの凹凸を充填することで充填部を形成し、充填部の面のうち基台と対向する基台接地面を研削し、研削された充填部の基台接地面を接着層を介して基台に接着する。

開示する接着方法の１つの態様によれば、ヒータパターンが下面に設けられた静電チャックと基台の表面との間隔を均一にすることが可能となるという効果を奏する。

図１は、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置の一例の全体像を示す断面図である。 図２は、第１の実施形態における半導体ウエハ、静電チャック、サセプタ、フォーカスリング及びシール部材の位置関係の一例を示す断面図である。 図３は、第１の実施形態における基台と静電チャックとについて更に示すための図である。 図４は、第１の実施形態における接着層の構造の一例の構成を示す図である。 図５は、第１の実施形態における静電チャックと基台とを接着する接着方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図６は、液状接着剤を用いて下面のヒータパターンが設けられた静電チャックと基台とを接着する場合について示すための図である。

以下に、開示する接着方法、載置台及び基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る接着方法は、静電チャックと基台とを接着する。第１の実施形態に係る接着方法は、実施形態の一例において、静電チャックの面のうち基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンの凹凸を充填することで充填部を形成し、充填部の面のうち基台と対向する基台接地面を研削し、研削された充填部の基台接地面を接着層を介して基台に接着する。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、充填部が、熱伝導率範囲が０．２Ｗ／ｍＫ以上３０Ｗ／ｍＫ以下であって、耐圧範囲が５ｋＶ／ｍｍ以上２０ｋＶ／ｍｍ以下である。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、接着層が、シート状接着剤である。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、充填部が、樹脂とセラミック粒子との混合物を下面に吹き付けた後に焼成することで形成される。

また、第１の実施形態に係る載置台は、実施形態の一例において、基台と、静電チャックと、静電チャックの面のうち基台と対向する面に設けられたヒータパターンと、ヒータパターンの凹凸を充填する充填部であって、基台と対向する面である基台接地面が研削された充填部と、充填部の基台接地面と基台とを接着する接着層とを有する。

また、第１の実施形態に係る基板処理装置は、実施形態の一例において、基台と、静電チャックと、静電チャックの面のうち基台と対向する面に設けられたヒータパターンと、ヒータパターンの凹凸を充填する充填部であって、基台と対向する面である基台接地面が研削された充填部と、充填部の基台接地面と基台とを接着する接着層とを有する載置台を備える。

（第１の実施形態における基板処理装置の構成の一例）
第１の実施形態における基板処理装置の構成の一例について説明する。以下では、基板処理装置の一例として、プラズマエッチング装置を用いて説明するが、これに限定されるものではない。具体的には、基台と、静電チャックと、静電チャックの面のうち基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンと、ヒータパターンの凹凸を充填する充填部であって基台と対向する面である基台接地面が研削された充填部と、充填部の基台接地面と基台とを接着する接着層とを有する載置台を備える任意の装置であって良い。

図１は、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置の一例の全体像を示す断面図である。図２は、第１の実施形態における半導体ウエハ、静電チャック、サセプタ、フォーカスリング及びシール部材の位置関係の一例を示す断面図である。

図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、チャンバー１を有する。チャンバー１は、外壁部に、導電性のアルミニウムで形成される。図１に示す例では、チャンバー１は、半導体ウエハ２をチャンバー１内に搬入又は搬出するための開口部３と、気密にシールする封止体を介して開閉可能なゲートバルブ４とを有する。封止剤とは、例えば、Ｏリングである。

図１には示されていないが、チャンバー１には、ゲートバルブ４を介して、ロードロック室が連設される。ロードロック室には、搬送装置が設けられる。搬送装置は、半導体ウエハ２をチャンバー１内に搬入又は搬出する。

また、チャンバー１は、側壁底部に、開口してチャンバー１内を減圧するための排出口１９を有する。排出口１９は、例えばバタフライ・バルブなどの開閉弁を介して図示しない真空排気装置に接続される。真空排気装置とは、例えば、ロータリーポンプ又はターボ分子ポンプ等である。

また、図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、チャンバー１の内部の底面中央部に、基台支持台５を有する。プラズマエッチング装置１００は、基台支持台５の上部に基台１０を有する。図１及び図２に示すように、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上部に静電チャック９を有する。また、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上部に、静電チャック９を取り囲むように設けられるフォーカスリング２１を有する。

また、図１及び図２に示すように、基台１０は、静電チャック９が設置される箇所と比較して、周辺の高さが高い。以下では、静電チャック９が設置される箇所と比較して高さが高い箇所を周辺凸部と称する。また、図２に示すように、静電チャック９の側面と、基台１０の周辺凸部と、サセプタの底辺とのうち、少なくとも２箇所と接触するシール部材２２を有する。シール部材２２は、例えば、Ｏリングである。

また、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上方かつチャンバー１の上部には、上部電極５０を有する。上部電極５０は、電気的に接地される。上部電極５０には、ガス供給管５１を介して処理ガスが供給され、上部電極５０の底壁に複数個穿設された放射状の小孔５２より半導体ウエハ２方向に処理ガスが放出する。ここで、高周波電源１２をＯＮにされることで、放出された処理ガスによるプラズマが上部電極５０と半導体ウエハ２との間に生成される。なお、処理ガスとは、例えば、ＣＨＦ３、ＣＦ４などである。

ここで、プラズマエッチング装置１００の各部について更に説明する。基台支持台５は、アルミニウム等の導電性部材で円柱形状に形成される。基台支持台５は、冷却媒体を内部に留める冷媒ジャケット６が内部に設けられる。冷媒ジャケット６には、冷却媒体を冷媒ジャケット６に導入するための流路７１と、冷却媒体を排出するための流路７２とが、チャンバー１の底面に気密に貫通して設けられる。

なお、以下では、冷媒ジャケット６が基台支持台５の内部に設けられる場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、冷媒ジャケット６が、基台１０の内部に設けられても良い。冷媒ジャケット６は、後述するように、チラー７０により冷却媒体が循環されることで、基台１０や基台支持台５の温度を制御する。

基台支持台５の上部に設けられる基台１０は、例えば、下部電極としてアルミニウム等の導電性部材（Ａｌの線熱膨張率；略２３．５×１０−６（ｃｍ／ｃｍ／度））で形成される。基台１０は、図示しないボルトにより基台支持台５に取り付けられる。基台１０は、冷媒ジャケット６の冷熱が基台支持台５を介して伝導されることで冷却される。基台１０は、ブロッキング・コンデンサ１１を介して高周波電源１２と接続される。高周波電源１２は、例えば、１３．５６ＭＨｚ又は４０ＭＨｚ等の高周波電源である。

静電チャック９は、例えば、セラミック製（線熱膨張率；略７．１×１０−６（ｃｍ／ｃｍ／度））で形成される。静電チャック９は、電極板９ｂを内部に有する。静電チャック９は、上面に半導体ウエハ２が載置される。また、後述するように、静電チャック９は、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１にヒータパターン９ａを有する。

図１に示すように、電極板９ｂは、導電線２５の一端側に接続され、導電線２５の他端側が給電棒２６に接続される。導電線２５は、基台１０に内蔵されたテフロン（登録商標）等の絶縁部材により周囲を覆われる。給電棒２６は、例えば、銅で形成され、２００Ｖ以上〜３ｋＶ以下の高電圧を給電する。また、給電棒２６は、チャンバー１の底面に気密かつ絶縁して貫通され、電磁スイッチ２８を介して高電圧電源２７に接続される。また、電磁スイッチ２８は図示しない装置を制御する制御信号によりＯＮ又はＯＦＦされる。

また、基台１０と基台支持台５と静電チャック９には、貫通孔１６が設けられる。貫通孔１６の内部には、電気的に抵抗又はインダクタンスを介して接地されたプッシャーピンが設けられる。プッシャーピンは、チャンバー１を気密にするとともに伸縮可能としたべローズ１７を介して上下移動手段となるエアーシリンダ１８に接続される。また、プッシャーピンは、ロードロック室の搬送装置より半導体ウエハ２の受渡しを行い、静電チャック９に半導体ウエハ２を接離する際に、エアーシリンダ１８により上下移動する。

基台１０及び静電チャック９には、伝熱媒体を半導体ウエハ２の裏面に均一に供給するための貫通孔１３ａが複数設けられる。貫通孔１３ａは、貫通孔１３ａにかかるＨｅガスの圧力を均一にするためのガス溜め室１３に接続される。ガス溜め室１３は、伝熱媒体をチャンバー１の外部より導入するための供給管１４に接続される。伝熱媒体とは、例えば、不活性ガスとしてのＨｅガスである。ただし、これに限定されるものではなく、任意のガスを用いて良い。

また、図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、冷媒ジャケット６に冷却媒体を循環させるチラー７０を有する。具体的には、チラー７０は、冷却媒体を流路７１から冷媒ジャケット６に送り込み、冷媒ジャケット６から出てきた冷却媒体を流路７２から受け付ける。

図３は、第１の実施形態における基台と静電チャックとについて更に示すための図である。図３に示す例では、説明の便宜上、シール部材２２と貫通孔１３ａとについては記載を省略する。図に示すように、プラズマエッチング装置１００は、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１にヒータパターン９ａを有する。ヒータパターン９ａは任意の金属のパターンを下面６１に形成することで形成される。例えば、ヒータパターン９ａは、任意のパターンを有するチタン薄膜を下面６１に貼り付けることで形成される。

また、図３に示すように、プラズマエッチング装置１００は、ヒータパターン９ａの凹凸を充填する充填部であって、基台１０と対向する面である基台接地面６２が研削された充填部３０を有する。充填部３０は、例えば、切削できることが可能となるアルミナ、Ｙ２Ｏ３などを用いたセラミック系溶射物や、耐熱樹脂系、硬質ゴム系などである。基台接地面６２は、研削されており、平滑な面である。

充填部３０の熱伝導率範囲は、例えば、０．２Ｗ／ｍＫ以上３０Ｗ／ｍＫ以下であって、好ましくは、１Ｗ／ｍＫ以上１０Ｗ／ｍＫ以下である。また、充填部３０の耐圧範囲は、例えば、５ｋＶ／ｍｍ以上２０ｋＶ／ｍｍ以下であってもよく、７ｋＶ／ｍｍ以上１５ｋＶ／ｍｍ以下であってもよい。また、充填部３０は、３０℃以上８０℃以下の範囲で使用可能なことが好ましく、より好ましくは、０℃以上１２０℃以下の範囲で使用可能なことである。

ここで、充填部３０は、樹脂とセラミック粒子との混合物を下面６１に吹き付けた後に焼成することで形成される。例えば、充填部３０は、ヒータパターン９ａが設けられた静電チャック９の下面６１に、熱可塑性エポキシ樹脂とＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの酸化物粒子の混合物を被覆し、熱硬化処理（キュアリング）することで形成される。セラミック粒子の粒径は、例えば、５〜５０μｍである。ただし、これに限定されるものではない。

ここで、充填部３０を形成する際に用いられる樹脂とセラミックとの混合割合は、例えば、樹脂：セラミック粒子＝７０以上１５０以下：２０以上８０以下であり、より好ましくは、９０以上〜１２０以下：３０以上４０以下である。ただし、これに限定されるものではなく、任意の混合割合として良い。また、焼成は、例えば、電気炉を用いて、大気下において７０℃以上１２０以下℃の温度で１時間程度加熱することで行われる。樹脂とセラミック粒子との混合物を下面６１に吹き付ける際には、例えば、圧縮空気を用いたスラリー吹き付け方法が用いられる。また、充填部３０の基台接地面６２は、任意の手法で研削される。

充填部３０を形成するより詳細な一例について説明する。例えば、充填部３０は、静電チャック９の下面６１にエポキシ樹脂７０ｗｔ％と粒径が３０μｍのＳｉＯ２粒子を３０ｗｔ％で混合した混合物を圧縮空気駆動ガンで吹き付け、その後、静電チャック９を電気炉内に装入して大気下で８０℃１時間の焼成が行われることで形成される。その後、充填部３０は、研削される。

また、例えば、充填部３０は、例えば、エポキシ系樹脂やイミド系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂及びその他の高分子材料と、セラミック粉末やサーメット粉末を混合した混合物を下面６１に吹き付けた後に焼成することで形成されても良い。混合物は、刷毛塗りや浸漬、噴霧、溶射などを用いて静電チャック９の下面６１に吹き付けられる。充填部３０は、上下各層との密着性を高めることを目的として、有機高分子系材料に平均粒径が５μｍ以上２００μｍ以下のセラミック粒子や炭化物サーメット粉末を５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下混合した混合物を溶射して静電チャック９の下面６１に被覆形成し、有機高分子系材料の安定化を図ることを目的として６０℃以上２００℃以下の温度で熱処理を行うことで形成される。

この場合、充填部３０は、例えば、エポキシ樹脂７０ｖｏｌ％とＳｉＯ２粒子（３０μｍ）３０ｖｏｌ％の混合物を圧縮空気スプレーガンを用いて吹き付けた後、電気炉に装入して大気下８０℃で２時間の加熱を行うことで形成される。また、充填部３０は、例えば、ポリイミド樹脂５０ｖｏｌ％とＡｌ２Ｏ３粒子（４０μｍ）５０ｖｏｌ％との混合物を塗装用刷毛で静電チャック９の下面６１に塗った後、電気炉内に装入して大気下１８０℃、１０時間の加熱を行うことで形成される。

また、図３に示すように、プラズマエッチング装置１００は、充填部３０の基台接地面６２と基台１０とを接着する接着層３１とを有する。言い換えると、接着層３１は、基台１０の表面６３と研削された基台接地面６２とを接着することで、基台１０と静電チャック９とを接合する。接着層３１は、例えば、シート状接着剤で形成される。接着層３１は、好ましくは、厚み安定性に優れたシート状プリ形成接着剤である。

図４は、第１の実施形態における接着層の構造の一例の構成を示す図である。図４に示す例では、接着層３１は、シート状接着剤で形成される。具体的には、接着層３１は、第１の接着層３１ａと、応力緩和層３１ｂと第２の接着層３１ｃとが積層される。第１の接着層３１ａと第２の接着層３１ｃとは、それぞれ、基台１０の表面６３と充填部３０の基台接地面６２と接着する。第１の接着層３１ａと第２の接着層３１ｃは、例えば、アクリルゴムである。ただし、これに限定されるものではなく、任意の接着剤であって良い。応力緩和層３１ｂは、例えば、柔らかく硬化しない材料で形成され、例えば、アクリルゴムとエポキシ樹脂との混合物で形成される。このように、柔らかく硬化しない材料で形成される応力緩和層３１ｂを有する接着層３１を用いることで、接着層３１を用いて基台１０と静電チャック９とを接着する際、圧着時の傾きを吸収でき、接着面への面圧を一定に保つことができる結果、応力緩和層３１ｂを有さない接着層を用いる場合と比較して基台１０と静電チャック９との距離を更に均一にすることが可能となる。また、応力緩和層３１ｂを有する接着層３１を用いることで、水平方向における変位を吸収可能でき、温度変化による体積膨張の差によって基台１０と静電チャック９とがはがれることを防止可能となる。

（第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置の制御装置）
プラズマエッチング装置１００の各構成部は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ９０に接続されて制御される。プロセスコントローラ９０には、工程管理者がプラズマエッチング装置１００を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザインタフェース９１が接続される。

また、プロセスコントローラ９０には、プラズマエッチング装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部９２が接続される。

また、ユーザインタフェース９１からの指示等にて任意のレシピを記憶部９２から呼び出され、プロセスコントローラ９０が実行することで、プロセスコントローラ９０の制御下で、プラズマエッチング装置１００での所望の処理が行われても良い。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。プロセスコントローラ９０は、「制御部」とも称する。なお、プロセスコントローラ９０の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されても良く、ハードウエアを用いて動作することにより実現されても良い。

（第１の実施形態における接着方法）
図５は、第１の実施形態における静電チャックと基台とを接着する接着方法の流れの一例を示すフローチャートである。

図５に示すように、第１の実施形態における静電チャック９と基台１０とを接着する接着方法では、処理タイミングとなると（ステップＳ１０１肯定）、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１に設けられたヒータパターン９ａの凹凸を充填することで充填部３０を形成する（ステップＳ１０２）。例えば、エポキシ樹脂７０ｗｔ％と粒径が３０μｍのＳｉＯ２粒子を３０ｗｔ％で混合した混合物を静電チャック９の下面６１に圧縮空気駆動ガンで吹き付け、その後、静電チャック９を電気炉内に装入して大気下で８０℃１時間の熱硬化処理を行うことで、充填部３０を形成する。

そして、充填部３０の面のうち基台１０と対向する基台接地面６２を研削する（ステップＳ１０３）。言い換えると、基台接地面６２を研削することで、基台接地面６２を平滑な面にする。

そして、研削された充填部３０の基台接地面６２を接着層３１を介して基台１０に接着する（ステップＳ１０４）。言い換えると、基台１０の表面６３と研削された基台接地面６２とを接着することで、基台１０と静電チャック９とを接合する。

（第１の実施形態による効果）
上述したように、第１の実施形態に係る接着方法は、静電チャック９と基台１０とを接着する。第１の実施形態に係る接着方法は、実施形態の一例において、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１に設けられたヒータパターン９ａの凹凸を充填することで充填部３０を形成し、充填部３０の面のうち基台１０と対向する基台接地面６２を研削し、研削された充填部３０の基台接地面６２を接着層３１を介して基台１０に接着する。この結果、ヒータパターン９ａが下面６１に設けられた静電チャック９と基台１０の表面との間隔を均一にすることが可能となる。

ここで、ヒータパターンが静電チャックの内部に埋め込まれており、静電チャックの面のうち基台と対向する面である下面が平面に形成されている場合が考えられる。しかしながら、この場合、例えば、シート状の接着剤を用いることで、基台と静電チャックとの間の距離を均一にすることができると考えられるが、静電チャックの内部にヒータパターンが埋め込まれており、一度条件を決定してしまうと変更が困難となり、変更するのにコストがかかる。また、静電チャックの面のうち基台と対向する面である下面にヒータパターンが形成されており、シリコーン接着剤などの液状接着剤を用いて静電チャックの下面と基台とを接着する場合が考えられる。しかしながら、この場合、基台と静電チャックとの間の距離を均一にならない。

図６は、液状接着剤を用いて下面のヒータパターンが設けられた静電チャックと基台とを接着する場合について示すための図である。図６において、「ＥＳＣ表面温度」は、静電チャックを上部電極側から見た場合における静電チャックの表面温度を示す。図６の「ＩＲカメラ（実測値）」は、ＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ）カメラを用いて得られた実測値を示し、図６の「シミュレーション」は、シミュレーションにより得られた値を示す。図６の「接着剤膜厚（実測より計算）」は、実測することで得られた液状接着剤の厚みを示す。図６の「接着剤膜厚ｖｓ温度相関」は、接着剤膜厚と温度差との相関関係を示す。

図６に示すように、液状接着剤を用いる場合、膜厚が最も薄い箇所と最も厚い箇所との膜厚の差が「３５μｍ」「２９μｍ」であった。また、表面温度の最も高い箇所と最も低い箇所との差は、それぞれ、「４．７度」「４度」であった。また、図６に示すように、膜厚と温度差との間には、相関関係が見られた。

このように、ヒータパターンが静電チャックの内部に埋め込まれている場合や、液状接着剤を用いて下面のヒータパターンが設けられた静電チャックと基台とを接着する場合と比較して、上述した第１の実施形態によれば、基台と静電チャックとの間の距離を簡単に均一にすることが可能となる。すなわち、ヒータパターン９ａが埋め込まれていない結果、設計変更が容易とすることが可能となり、研削された基台接地面６２と基台１０とを接着することで、ヒータパターン９ａが下面６１に設けられた静電チャック９と基台１０の表面との間隔を均一にすることが可能となる。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、充填部３０が、熱伝導率範囲が０．２Ｗ／ｍＫ以上３０Ｗ／ｍＫ以下であって、耐圧範囲が５ｋＶ／ｍｍ以上２０ｋＶ／ｍｍ以下である。この結果、基板処理装置に充填部３０を導入したとしても、適切に使用することが可能となる。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、接着層３１が、シート状接着剤である。この結果、基台と静電チャックとの間の距離をより均一にすることが可能となる。

また、第１の実施形態では、実施形態の一例において、充填部３０が、樹脂とセラミック粒子との混合物を下面に吹き付けた後に熱硬化処理することで形成される。この結果、熱伝導率範囲や耐圧範囲を満たす充填部３０を適切に形成可能となる。

また、第１の実施形態に係る載置台は、実施形態の一例において、基台１０と、静電チャック９と、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１に設けられたヒータパターン９ａと、ヒータパターン９ａの凹凸を充填する充填部３０であって基台１０と対向する面である基台接地面６２が研削された充填部３０と、充填部３０の基台接地面６２と基台１０とを接着する接着層３１とを有する。この結果、ヒータパターン９ａが下面６１に設けられた静電チャック９と基台１０の表面との間隔を均一となる結果、均一な温度で半導体ウエハ２を処理可能となる。

また、第１の実施形態に係る基板処理装置は、実施形態の一例において、基台１０と、静電チャック９と、静電チャック９の面のうち基台１０と対向する面となる下面６１に設けられたヒータパターン９ａと、ヒータパターン９ａの凹凸を充填する充填部３０であって基台１０と対向する面である基台接地面６２が研削された充填部３０と、充填部３０の基台接地面と基台１０とを接着する接着層３１とを有する載置台を備える。この結果、ヒータパターン９ａが下面６１に設けられた静電チャック９と基台１０の表面との間隔を均一となる結果、均一な温度で半導体ウエハ２を処理可能となる。

（その他の実施形態）
以上、第１の実施形態に係る接着方法、載置台及び基板処理装置について説明したが、これに限定されるものではない。以下では、他の実施形態について説明する。

例えば、図４に示す例では、接着層３１が応力緩和層３１ｂを有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、接着層３１は、第１の接着層３１ａと第２の接着層３１ｃとの間に柔らかく硬化しない部材を有するのではなく、硬い芯材を有しても良い。この場合、柔らかく硬化しない応力緩和層３１ｂを有する場合と比較してコストを抑えることが可能となる。また、使用するガスに応じた侵食耐性で３１bの材質を決定してもよい。

１ チャンバー
２ 半導体ウエハ
５ 基台支持台
９ 静電チャック
９ｂ 電極板
９ａ ヒータパターン
１０ 基台
３０ 充填部
３１ 接着層
３１ａ 第１の接着層
３１ｂ 応力緩和層
３１ｃ 第２の接着層
６１ 下面
６２ 基台接地面
６３ 表面
１００ プラズマエッチング装置

Claims (8)

1. 静電チャックと基台とを接着する接着方法であって、
   前記静電チャックの面のうち前記基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンの凹凸を充填することで充填部を形成し、
   前記充填部の面のうち前記基台と対向する基台接地面を研削し、
   研削された前記充填部の前記基台接地面を、第１の接着層と、応力緩和層と、第２の接着層とが積層された接着層を介して基台に接着し、
   前記基台の周辺部に形成された周辺凸部であって、前記静電チャックが接着される前記基台の中央部より高さが高い周辺凸部と、前記充填部および前記接着層の外周部との間にシール部材が設置され、
   前記シール部材は、前記充填部および前記接着層の外周部と、前記周辺凸部の側面とに接触することを特徴とする接着方法。
2. 前記充填部は、熱伝導率範囲が０．２Ｗ／ｍＫ以上３０Ｗ／ｍＫ以下であって、耐圧範囲が５ｋＶ／ｍｍ以上２０ｋＶ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の接着方法。
3. 前記接着層は、シート状接着剤であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着方法。
4. 前記充填部は、樹脂とセラミック粒子との混合物を前記下面に吹き付けた後に焼成することで形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着方法。
5. 基台と、
   静電チャックと、
   前記静電チャックの面のうち前記基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンと、
   前記ヒータパターンの凹凸を充填する充填部であって、前記基台と対向する面である基台接地面が研削された充填部と、
   前記充填部の前記基台接地面と前記基台とを接着する接着層であって、第１の接着層、応力緩和層、および第２の接着層が積層された接着層と、
   前記基台の周辺部に形成された周辺凸部であって、前記静電チャックが接着される前記基台の中央部より高さが高い周辺凸部と、前記充填部および前記接着層の外周部との間にシール部材と
   を有し、
   前記シール部材は、前記充填部および前記接着層の外周部と、前記周辺凸部の側面とに接触することを特徴とする載置台。
6. 前記シール部材は、Ｏリングであることを特徴とする請求項５に記載の載置台。
7. 基台と、
   静電チャックと、
   前記静電チャックの面のうち前記基台と対向する面となる下面に設けられたヒータパターンと、
   前記ヒータパターンの凹凸を充填する充填部であって、前記基台と対向する面である基台接地面が研削された充填部と、
   前記充填部の前記基台接地面と前記基台とを接着する接着層であって、第１の接着層、応力緩和層、および第２の接着層が積層された接着層と、
   前記基台の周辺部に形成された周辺凸部であって、前記静電チャックが接着される前記基台の中央部より高さが高い周辺凸部と、前記充填部および前記接着層の外周部との間にシール部材と
   を有する載置台を備え、
   前記シール部材は、前記充填部および前記接着層の外周部と、前記周辺凸部の側面とに接触することを特徴とする基板処理装置。
8. 前記シール部材は、Ｏリングであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。

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