JP2008016727A - 伝熱構造体及び基板処理装置 - Google Patents
伝熱構造体及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008016727A JP2008016727A JP2006188262A JP2006188262A JP2008016727A JP 2008016727 A JP2008016727 A JP 2008016727A JP 2006188262 A JP2006188262 A JP 2006188262A JP 2006188262 A JP2006188262 A JP 2006188262A JP 2008016727 A JP2008016727 A JP 2008016727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus ring
- electrostatic chuck
- wafer
- chamber
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
Abstract
【解決手段】基板処理装置10はチャンバ11を備え、該チャンバ11内には冷媒室25を有するサセプタ12が配され、サセプタ12の上部には上部円板状部材及び下部円板状部材からなる静電チャック22が配され、上部円板状部材の上にはウエハWが載置され、下部円板状部材の上にはウエハWを囲むようにフォーカスリング24が配され、静電チャック22及びフォーカスリング24の間にはゲル状物質からなる熱伝導シート39が配され、熱伝導シート39におけるW/m・Kで表される熱伝導率に対するアスカーCで表される硬度の比が20未満に設定される。
【選択図】図1
Description
S 処理空間
10 基板処理装置
11 チャンバ
12 サセプタ
22 静電チャック
24 フォーカスリング
25 冷媒室
39 熱伝導シート
Claims (3)
- 減圧環境下で基板にプラズマ処理を施す処理室内に配置された伝熱構造体であって、
プラズマに対して露出される露出面を有する消耗部品と、
該消耗部品を冷却する冷却部品と、
前記消耗部品及び前記冷却部品の間に配され且つゲル状物質からなる熱伝導部材とを備え、
前記熱伝導部材におけるW/m・Kで表される熱伝導率に対するアスカーCで表される硬度の比が20未満であることを特徴とする伝熱構造体。 - 前記消耗部品は前記基板の外縁を囲むように配される円環状部材であり、前記冷却部品は前記基板及び前記円環状部材を載置する載置台であることを特徴とする請求項1記載の伝熱構造体。
- 減圧環境下で基板にプラズマ処理を施す処理室と、該処理室内に配置された伝熱構造体とを備える基板処理装置であって、
前記伝熱構造体は、プラズマに対して露出される露出面を有する消耗部品と、該消耗部品を冷却する冷却部品と、前記消耗部品及び前記冷却部品の間に配され且つゲル状物質からなる熱伝導部材とを有し、
前記熱伝導部材におけるW/m・Kで表される熱伝導率に対するアスカーCで表される硬度の比が20未満であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006188262A JP2008016727A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | 伝熱構造体及び基板処理装置 |
KR1020070067707A KR100861261B1 (ko) | 2006-07-07 | 2007-07-05 | 전열 구조체 및 기판 처리 장치 |
TW96124733A TWI467649B (zh) | 2006-07-07 | 2007-07-06 | Heat transfer structure and substrate processing device |
US11/774,420 US8524005B2 (en) | 2006-07-07 | 2007-07-06 | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006188262A JP2008016727A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | 伝熱構造体及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016727A true JP2008016727A (ja) | 2008-01-24 |
JP2008016727A5 JP2008016727A5 (ja) | 2008-06-05 |
Family
ID=39073450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006188262A Pending JP2008016727A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | 伝熱構造体及び基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008016727A (ja) |
KR (1) | KR100861261B1 (ja) |
TW (1) | TWI467649B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012500471A (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-05 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリ |
JP2012009563A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びその製造方法 |
JP2015084383A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
KR20170028849A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 포커스 링 및 기판 처리 장치 |
JP2020080365A (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ウェハーステージ、半導体製造装置、ウェハーステージの製造方法 |
KR20200111632A (ko) * | 2019-03-19 | 2020-09-29 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법 |
KR20210063234A (ko) | 2019-11-22 | 2021-06-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열 전도성 부재, 플라즈마 처리 장치 및 전압 제어 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181677A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及び基板載置システム |
KR102088356B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2020-03-12 | (주)씨앤아이테크놀로지 | 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
JP2006165136A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Konica Minolta Holdings Inc | エッチング方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
KR100258984B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-08-01 | 윤종용 | 건식 식각 장치 |
US6073577A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6693790B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-02-17 | Komatsu, Ltd. | Static electricity chuck apparatus and semiconductor producing apparatus provided with the static electricity chuck apparatus |
US20040261946A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
JP2005298773A (ja) | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Geltec Co Ltd | 半導電性熱伝導材 |
JP5015436B2 (ja) | 2004-08-30 | 2012-08-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンエラストマー、熱伝導媒体および熱伝導性シリコーンエラストマー組成物 |
-
2006
- 2006-07-07 JP JP2006188262A patent/JP2008016727A/ja active Pending
-
2007
- 2007-07-05 KR KR1020070067707A patent/KR100861261B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-06 TW TW96124733A patent/TWI467649B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
JP2006165136A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Konica Minolta Holdings Inc | エッチング方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012500471A (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-05 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリ |
JP2012009563A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びその製造方法 |
JP2015084383A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
KR20170028849A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 포커스 링 및 기판 처리 장치 |
KR102569911B1 (ko) * | 2015-09-04 | 2023-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 포커스 링 및 기판 처리 장치 |
JP2020080365A (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ウェハーステージ、半導体製造装置、ウェハーステージの製造方法 |
KR20200111632A (ko) * | 2019-03-19 | 2020-09-29 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법 |
KR102382728B1 (ko) * | 2019-03-19 | 2022-04-06 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 배치 장치 및 그 제조법 |
US11430685B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-08-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer placement apparatus and method of manufacturing the same |
KR20210063234A (ko) | 2019-11-22 | 2021-06-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열 전도성 부재, 플라즈마 처리 장치 및 전압 제어 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080005116A (ko) | 2008-01-10 |
TWI467649B (zh) | 2015-01-01 |
TW200818311A (en) | 2008-04-16 |
KR100861261B1 (ko) | 2008-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5224855B2 (ja) | 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法 | |
KR100861261B1 (ko) | 전열 구조체 및 기판 처리 장치 | |
US10032611B2 (en) | Connection control method | |
JP5102500B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4935143B2 (ja) | 載置台及び真空処理装置 | |
US8524005B2 (en) | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus | |
JP5741124B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5762798B2 (ja) | 天井電極板及び基板処理載置 | |
JP4695606B2 (ja) | 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法 | |
JP5917946B2 (ja) | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 | |
JP6345030B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフォーカスリング | |
JP6552346B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5348919B2 (ja) | 電極構造及び基板処理装置 | |
JP2008251742A (ja) | 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台 | |
US20110247759A1 (en) | Focus ring and substrate mounting system | |
JP5308679B2 (ja) | シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置 | |
JP2011108816A (ja) | 基板処理装置の基板載置台 | |
JP2017126727A (ja) | 載置台の構造及び半導体処理装置 | |
JP2009224385A (ja) | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 | |
JP5479180B2 (ja) | 載置台 | |
JP2011035052A (ja) | プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置 | |
JP2006339678A (ja) | プラズマ処理装置及び電極部材 | |
JP6541355B2 (ja) | 冷却構造及び平行平板エッチング装置 | |
JP2013110440A (ja) | 電極ユニット及び基板処理装置 | |
JP2004055779A (ja) | 真空断熱層を有する載置機構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110415 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |