KR100258984B1 - 건식 식각 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자의 제조에 사용되는 건식 식각 장치에 대해 개시한다. 본 발명에 따른 건식 식각 장치에 따르면, 플라즈마의 분포를 조절하며 캐소드를 받치고 있는 제한 링을 고정시키는 나사는 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위한 금속 링과의 거리가 최대가 되는 위치에 설치된다. 따라서 미세 아킹을 방지하고 플라즈마를 웨이퍼상에만 분포시켜, 식각 공정 진행 도중 오염 입자가 발생하는 것을 방지하여 건식 식각 공정의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

건식 식각 장치
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 특히 건식 식각에 사용되는 건식 식각 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중 많은 공정이 플라즈마를 사용하는 건식 식각 장치를 사용하여 진행된다.
플라즈마를 사용하는 건식 식각 장치를 이용하여 식각 공정을 진행하기 위해서는 먼저 건식 식각 장치내로 반응 가스를 주입하고 외부에서 건식 식각 장치내의 실리콘 캐소드(silicon cathode)와 애노드(anode)에 고주파(Radio Frequency) 전력을 인가한다. 캐소드와 애노드 사이에 형성된 고주파 전계에 의해 가속된 전자가 반응 가스 분자와 여러번의 탄성 충돌을 거쳐 고 에너지를 얻고 다음에 반응 가스 분자와 비탄성 충돌하여 반응 가스 분자를 전리, 여기하여 플라즈마를 발생시킨다. 이렇게 만들어진 플라즈마 가스 중 음(陰)의 성격을 띄고 있는 플라즈마 가스는 캐소드와 애노드 사이의 전압차에 의해 애노드쪽으로 이동하고 애노드 상부에 로딩되어 있는 웨이퍼와 반응하여 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성함으로써 식각 공정이 진행된다.
식각 공정의 진행 과정으로부터 알 수 있듯이 건식 식각 장치에서 식각 반응이 정확하고 효율적으로 일어나도록 하기 위해서는 플라즈마의 분포를 애노드 상의 웨이퍼로만 제한하고 플라즈마 이외의 기타 다른 불순물이 건식 식각 장치내에 발생되지 않도록 하는 것이 중요하다.
그런데 종래의 건식 식각 장치를 사용하여 웨이퍼를 가공한 후 건식 식각 장치를 검사하면 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 하부 챔버(10)의 정전형척(Electro Static Chuck : 이하 ESC)(12)의 가장자리에 형성되어 있는 링(14)과 상부 챔버(20)의 실리콘 캐소드(22)의 가장자리를 받치고 있는 플라즈마 제한 링(24)상에 해바라기 모양으로 폴리머 및 오염입자들(30)이 이상 증착되는 문제점이 발견되었다.
이렇게 해바라기 모양으로 이상 증착되는 폴리머 및 오염입자들(30)은 건식 식각 장치내에서 오염입자로 작용하여 건식 식각 공정의 수율을 감소시키는 주 원인으로 작용한다.
이러한 폴리머 및 오염입자들(30)의 이상 증착은 주로 플라즈마 분포를 웨이퍼 상으로 한정시키는 제한 링(24)을 상부 챔버에 고정시키는 나사들(26)과 정전형척(12)의 가장자리에 형성되어 플라즈마 밀도를 균일하게 하고 웨이퍼를 고정시키는 기능을 하는 알루미늄 링(14)간에 발생하는 미세 아킹(micro arcing)에 기인한다는 사실이 본 발명자에 의해 밝혀졌다. 건식 식각 공정 진행중 나사들(26)과 알루미늄 링(14)간에 미세 아킹이 발생하면, 미세 아킹은 실리콘 캐소드(22) 및 실리콘 캐소드(22) 상부에 설치되어 있는 알루미늄 기류 조절 장치(baffle, 미도시)내에 형성되어 있는 기류 조절용 홀들에 작용하여 알루미늄 또는 실리콘 입자를 발생시켜서 오염원을 생성한다. 이렇게 생성된 오염원은 건식 식각 공정이 진행되는 웨이퍼상에 오염입자로 작용하여 건식 식각 공정의 수율을 감소시킨다. 또, 플라즈마를 웨이퍼상으로만 분포시키도록 하는 플라즈마 제한 링(24)이 플라즈마 분포를 한정하는 역할을 제대로 수행하지 못하여 하부 챔버의 알루미늄 링(14) 위에까지 플라즈마가 퍼져나가는 현상 또한 발견되었다. 이렇게 퍼져나간 플라즈마 및 오염원과 결합한 플라즈마는 미세 아킹에 의해 연소되어 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 해바라기 모양의 폴리머 및 오염입자들(30)을 형성한다. 이러한 폴리머 및 오염입자들(30)이 건식 식각 공정의 수율을 감소시킴은 물론이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 미세 아킹이 발생하지 않는 건식 식각 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 플라즈마의 분포를 공정 대상물인 웨이퍼상으로만 효과적으로 제한할 수 있는 건식 식각 장치를 제공하고자 하는 것이다.
제1도는 종래의 건식 식각 장치내에 형성된 폴리머 및 오염입자를 나타내기 위해 도시한 건식 식각 장치의 사시도이다.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 건식 식각 장치의 단면도이다.
제3도는 제2도의 A영역의 확대 단면도이다.
제4도는 제2도에 도시되어 있는 건식 식각 장치를 사용하여 고주파(RF) 전력인가 시간과 오염 입자 발생간의 관계를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
제5도는 제1도에 도시되어 있는 건식 식각 장치를 사용하여 고주파 전력 인가시간과 오염 입자 발생간의 관계를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 건식 식각 장치는 다음과 같은 구성요소로 형성된다. 건식 식각 장치의 하부에는 웨이퍼가 로딩되는 척이 설치된다. 척의 주위에는 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위한 금속 링이 설치된다. 건식 식각 장치의 상부에는 척과 대향하며 일정 거리 떨어져서 캐소드가 설치된다. 캐소드의 가장자리에는 캐소드를 받치며 캐소드 아래로 돌출된 형태로 형성되어 있는 제한 링이 형성된다. 그리고 상기 제한 링은 상기 금속 링과의 거리가 최대가 되는 위치에 나사를 구비하여 상기 제한 링을 상기 건식 식각 장치의 상부에 고정시킨다.
본 발명에 있어서, 상기 금속 링은 순수 금속 또는 아노다이징(annodizing)처리가 된 금속으로 제조되며, 상기 금속 링 상부에 절연물 링을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 제한 링은 플라즈마 분포를 상기 척위에 로딩되는 웨이퍼상으로만 한정할 수 있는 물리적 장벽으로 작용하며, 상기 제한 링의 높이는 상기 물리적 장벽 기능에 적합한 높이, 예컨대 7mm 내지 9mm로 형성된다. 그리고 상기 제한 링은 세라믹 또는 건식 식각 장치내에서 형성되는 플라즈마에 의해 손상되지 않는 재질, 예컨대 양극산화된 알루미늄 산화물 또는 석영으로 제조되며, 상기 캐소드와의 접촉시 오염입자를 발생시키지 않도록 테프론(polytetrafluoroethylene)으로 코팅되는 것이 바람직하다.
상기 나사는 건식 식각 장치내에 형성되는 고주파(RF) 전계의 영향이 최소화된 위치 또는 영향이 미치지 않는 위치, 예컨대 상기 척의 말단에 대응하는 상기 제한 링의 위치로부터 9mm 내지 12mm만큼 떨어진 위치에 설치된다. 또, 상기 나사는 아노다이징 처리가 된 금속 또는 고정력이 유지되는 절연물, 예컨대 테프론으로 제조된다. 바람직하기로는 상기 나사는 절연물 캡을 더 구비하며, 절연물 캡의 진공 홀은 상기 금속 링과 수평방향이 되는 위치에 형성된다.
본 발명에 따른 건식 식각 장치를 사용할 경우, 건식 식각공정시 원하지 않는 미세 아킹이 발생하지 않을 뿐만 아니라 플라즈마가 웨이퍼상에만 작용하게 되기 때문에 건식 식각 공정 진행 도중 오염 입자의 발생을 방지하고 건식 식각 공정의 수율을 향상시킬 수 있게된다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 건식 식각 장치를 구성하고 있는 부품들의 크기와 위치는 명료성을 위해서 강조되었다. 도면에서 동일참조부호는 동일부재를 나타낸다.
본 발명의 일실시예에 따른 건식 식각 장치를 도 2에 도시되어 있는 단면도를 참고하여 설명한다.
건식 식각 장치(100)의 하부에는 웨이퍼가 로딩되고 애노드로 기능하는 정전형척(112)이 설치되어 있고 정전형척(112)의 가장자리를 따라서 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위한 링(focus ring)(114A, 114B, 116)이 형성되어 있다. 금속 링(114B)은 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위한 링(focus ring)으로 기능한다. 그리고 금속 링(114B)은 순수 알루미늄 금속으로 제조될 수도 있으나, 미세 아킹을 방지하기 위하여 아노다이징(annodizing: 금속 표면을 매끄럽게 하는 처리) 처리가 된 알루미늄 또는 스테리인레스 스틸로 제조되는 것이 바람직하다. 금속 링(114B)위에는 금속 링(114B)이 플라즈마에 직접 노출되는 것을 방지하고 아킹의 발생을 일정 정도 방지하기 위한 절연물 링(114A)이 형성되어 있다. 그리고 금속 링(114B) 및 절연물 링(114A)의 가장자리를 따라 절연역할을 수행하는 절연링(116)이 설치되어 있다. 정전형척(112) 상면에는 건식 식각 공정을 진행하기 위한 웨이퍼(118)가 로딩되며 정전형척(112) 가장자리의 링(114A, 114B, 116)은 웨이퍼(118)를 고정시키고 웨이퍼의 이탈을 방지하는 기능도 수행한다.
건식 식각 장치(100)의 상부에는 캐소드(122)와 기류 조절 장치(128)가 차례대로 적층되어 설치된다. 캐소드(122)는 제한 링(124)위에 올려지는 방법으로 건식 식각 장치(100)의 상부에 설치된다. 제한 링(124)은 플라즈마를 하부의 웨이퍼(116) 상으로만 분포시키기 위하여 캐소드(122) 아래로 일정 높이(H) 돌출된 형태로 형성된다. 제한 링(124)은 세라믹 또는 플라즈마에 의해 손상되지 않는 재질, 예컨대 양극 산화된 알루미늄 산화물 또는 석영으로 제조되는 것이 바람직하다. 또 제한 링(124)은 제한 링(124)위에 올려지는 실리콘 캐소드(122)와 직접적인 마찰에 의해 실리콘 가루가 발생하는 것을 방지하기 위하여 테프론등으로 코팅하여 형성하는 것이 바람직하다.
그리고 제한 링(124)은 나사(126)에 의해 상부 봉합 플레이트(130)에 고정됨으로써 건식 식각 장치(100)의 상부 구조를 완성한다. 나사(126)는 고주파(RF) 전계의 초점을 맞추기 위한 금속 링(focus ring)(114B)과의 거리(D1)가 최대가 되도록 하고 플라즈마 형성 영역 즉, 고주파 전계의 형성 영역과 멀리 떨어진 위치에 설치된다. 나사(126)는 미세 아킹의 발생을 방지하기 위하여 아노다이징 처리가 된 금속으로 제조되거나 충분한 고정력이 확보되는 범위내에서 절연물, 예컨대 테프론으로 제조되는 것이 바람직하다. 또, 나사(126)는 나사(126)를 구성하는 금속 물질이 직접 노출되는 것을 방지하며 미세 아킹을 일정 정도 방지하기 위한 절연물 캡(126A)을 더 구비하는 것이 바람직하다. 또, 절연물 캡(126A)은 하부의 금속 링(114B)과 대향하지 않고 수평 방향이 되는 위치에 진공 홀(127)을 구비하는 것이 바람직하다. 금속 링(114B)과 대향하지 않고 수평 방향이 되도록 하는 이유는 나사(126)가 플라즈마에 노출되는 것을 방지하가 위한 것이다. 진공 홀(127)은 나사(126)를 제한 링(124)과 상부 봉합 플레이트(130)로부터 분리시키기 용이하게 하기 위해서 형성한다. 그 이유는 다음과 같다. 건식 식각 공정 진행시 건식 식각 장치(100) 내부는 진공 상태가 된다. 따라서 나사(126)와 제한 링(124) 및 상부 봉합 플레이트(130)사이의 공간 또한 진공 상태가 된다. 그런데 건식 식각 공정이 완료된후, 건식 식각 장치(100) 내부의 압력을 대기압으로 하기 위해서 벤팅할때 만약 진공 홀(127)이 없다면, 나사(126)와 제한 링(124) 및 상부 봉합 플레이트(130)사이의 공간은 여전히 진공 상태로 남아 있게 된다. 따라서, 나사(126)를 분리시키는 것이 매우 어렵게 된다. 그러므로, 나사(126)와 제한 링(124) 및 상부 봉합 플레이트(130)사이의 공간을 벤팅하기 위해서 진공 홀(127)을 형성하는 것이다.
건식 식각 장치(100) 상부에는 반응 가스를 주입하기 위한 가스 주입구(140)가 형성되어 있고 하부에는 반응이 완료된 가스를 배기하기 위한 가스 배출구(170)가 형성되어 있다. 그리고 캐소드(122) 및 애노드(112)에는 고주파 전원(150)이 연결되어 있다.
가스 주입구(140) 내로 반응 가스를 주입하고 고주파 전원(150)을 통해 캐소드(122) 및 애노드(112)에 전원을 인가하면 캐소드(122) 및 애노드(112) 사이에 고주파 전계가 형성되고 고주파 전계에 의해 반응 가스가 플라즈마(160)로 변화된다. 형성된 플라즈마(160)은 애노드(112)상의 웨이퍼(118)에 작용하여 건식 식각 공정이 진행된다.
플라즈마(160)를 웨이퍼(118)상에만 분포하도록 하는 제한 링(124)의 구조 및 제한 링(124)을 상부 봉합 플레이트(130)에 연결하는 나사(126)의 위치 관계에 대해서는 도 2의 A영역을 확대 도시한 도 3을 참고하여 설명한다.
도 3을 참고하면, 제한 링(124)이 플라즈마를 하부의 웨이퍼(118) 상에만 분포되도록 하는 기능은 캐소드(122) 위로 돌출된 제한 링(124)의 높이(H)에 의해 결정된다. 따라서 제한 링(124)은 플라즈마가 하부의 웨이퍼(118)상에만 분포되도록 하기에 적합한 물리적 장벽 높이(H)로 형성된다. 예컨대 본 발명의 건식 식각 장치의 기타 다른 부품의 크기를 종래의 건식 식각 장치와 동일하게 형성한 경우에는 제한 링의 높이를 종래의 5mm 보다 2mm 내지 4mm 정도 증가시켜 7mm 내지 9mm로 형성한다. 이렇게 제한 링(124)의 높이를 증가시킴으로써 플라즈마의 분포를 효과적으로 웨이퍼(118) 상으로만 한정시킬 수 있다.
그리고 제한 링(124)을 상부 봉합 플레이트(130)에 연결시켜 건식 식각 장치(100)의 상부 구조를 완성하는 나사(126)는 고정 기능을 수행할 수 있는 범위내에서, RF 전계 형성 영역과 멀리 떨어진 위치에 설치된다. 따라서 나사(126)는 웨이퍼가 놓여지는 정전형척(112)의 말단에 대응하는 제한 링의 위치(P)로부터 D3만큼 떨어진 위치에 설치된다. 그리고 하부의 금속 링(114B)과의 거리(D1)가 최대가 되는 위치에 설치된다. 예를 들면, 본 발명의 건식 식각 장치의 기타 다른 부품의 크기를 종래의 건식 식각 장치와 동일하게 형성한 경우에는 종래의 나사의 위치보다 2mm 내지 5mm 정도 고주파 전계 영역 바깥으로 이동시켜 설치한다. 따라서 종래의 건식 식각 장치에서 정전형척(112)의 말단에 대응하는 제한 링의 위치(P)로부터 나사(126')간의 거리(D2)가 7mm 이었다면, 본 발명에 따른 건식 식각 장치에서 정전형척(112)의 말단에 대응하는 제한 링의 위치(P)로부터 나사(126)간의 거리(D3)는 9mm 내지 12mm가 된다. 이렇게 나사(126)의 위치를 설정함으로써 나사(126)는 고주파 전계의 영향권 밖에 위치하게 되고 나사(126)가 전계의 영향을 받더라도 나사(126)와 금속 링(114B)간의 거리(D1)가 최대화되기 때문에 미세 아킹이 발생하지 않는다.
따라서 본 발명에 따른 건식 식각 장치를 사용할 경우, 플라즈마를 이용한 건식 식각시 원하지 않는 미세 아킹이 발생하지 않을 뿐만 아니라 플라즈마를 웨이퍼상에만 분포시킬 수 있다. 따라서 건식 식각 공정 진행 도중 오염 입자가 발생하는 것을 방지하여 건식 식각 공정의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명은 하기의 실험예를 참고로 더욱 상세히 설명되며, 이 실험예가 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
[실험예 1]
본 발명에 따른 건식 식각 장치를 사용하여 건식 식각을 수행할 경우 건식 식각 장치내에 얼마나 많은 오염 입자가 발생하는지를 알아보기 위하여 다음과 같이 실시하였다.
먼저 도 2에 도시된 바와 같은 구조의 건식 식각 장치(100)에 1500Å 두께의 산화막이 형성된 웨이퍼(118)를 정전형척(112)위에 로딩한 후, 가스 주입구(140)을 통하여 CF4, CHF3및 Ar가스를 주입한 후, 고주파(RF) 전원(150)을 캐소드(122)와 애노드(112)에 인가되여 플라즈마를 생성하여 산화막을 식각하였다. 이 때, 고주파(RF) 전원(150)의 인가 시간을 0 분에서부터 3750분까지 변화시키면서 각 시간 별로 건식 식각 장치(100)내에 발생한 오염 입자의 수를 측정하였다. 그 결과를 도 4에 그래프로 나타내었다.
본 발명의 건식 식각 장치를 사용하였을 경우의 결과와 비교하기 위하여 기타 공정 조건은 상기 실험예와 동일하게 하고 도 1에 도시된 바와 같은 종래의 건식 식각 장치를 이용하여 고주파(RF) 전원의 인가 시간별로 건식 식각 장치내에 발생한 오염 입자의 수를 측정하여 그 결과를 도 5에 그래프로 나타내었다.
도 4와 도 5의 결과로부터 확연하게 알 수 있듯이 본 발명에 따른 건식 식각 장치(100)를 사용할 경우 건식 식각 장치(100)내에 발생하는 오염 입자의 수는 10이하로 거의 오염 입자가 발생하지 않음을 알 수 있다.
반면 종래의 건식 식각 장치를 사용할 경우에는 전반적으로 많은 수의 오염입자가 발생함을 알 수 있으며 그 숫자도 50 이상으로 매우 큼을 알 수 있다.
도면 및 상세한 설명에서 본 발명의 바람직한 실시예가 기술되었고, 특정 용어가 사용되었으나, 이는 이하의 청구범위에 개시되어 있는 발명의 범주로 이를 제한하고자 하는 목적이 아니라 기술적인 개념에서 사용된 것이다. 따라서 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.
즉, 본 발명에 따른 건식 식각 장치의 경우, 제한 링(124)을 상부 봉합 플레이트(130)에 고정시켜 건식 식각 장치(100)의 상부 구조를 완성하는 나사(126)는 고정 기능을 수행할 수 있는 범위내에서, 고주파 전계의 영향권밖의 위치로서, 플라즈마의 밀도를 균일하게 하기 위한 금속 링(114B)과의 거리(D1)가 최대가 되는 위치에 설치된다. 따라서 건식 식각 공정 진행중에 나사(126)와 금속 링(114B)간에 미세 아킹이 발생하지 않게 된다. 그리고 나사(126) 및 금속 링(114B)표면에 절연물 캡 및 절연물 링을 더 구비하고, 나사(126) 및 금속 링(114B)을 아노다이징된 금속으로 제조함으로써 미세 아킹을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 플라즈마를 하부의 웨이퍼(118) 상에만 한정시키기 위한 제한 링(124)의 높이가 플라즈마를 하부의 웨이퍼(118)상에만 한정되도록 하기에 적합한 물리적 장벽의 높이(H)로 형성되기 때문에 플라즈마의 분포를 효과적으로 웨이퍼(118) 상으로만 한정시킬 수 있다. 그러므로 본 발명에 따른 건식 식각 장치를 사용할 경우, 건식 식각공정시 원하지 않는 미세 아킹이 발생하지 않을 뿐만 아니라 플라즈마가 웨이퍼상에만 작용하게 되기 때문에 건식 식각 공정 진행 도중 오염 입자의 발생을 방지하고 건식 식각 공정의 수율을 향상시킬 수 있게된다.

Claims (14)

  1. 건식 식각 장치의 하부에 설치되고 웨이퍼가 로딩되는 척; 상기 척의 주위를 따라 형성되어 있으며, 플라즈마의 밀도를 균일하게 하기 위한 금속 링; 상기 건식 식각 장치의 상부에 설치되고 상기 척과 대향하며 일정 거리 떨어져 있는 캐소드; 상기 캐소드의 가장자리를 따라 상기 캐소드를 받치고 있으며, 상기 캐소드 아래로 돌출된 형태로 형성되어 있는 제한 링; 및 상기 제한 링을 상기 건식 식각 장치의 상부에 고정시키기 위하여 상기 제한링내에 설치되며 고정력이 유지되는 범위내에서 상기 금속 링과의 거리가 최대가 되는 위치에 설치되는 나사를 구비하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 링은 아노다이징(anodizing) 처리가 된 금속으로 제조된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 링 상부에 절연물 링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제한 링은 플라즈마 분포를 상기 척위에 로딩되는 웨이퍼상으로만 한정할 수 있는 물리적 장벽으로 작용하며, 상기 제한 링의 높이는 상기 물리적 장벽 기능에 적합한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 높이는 7mm 내지 9mm인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제한 링은 세라믹 또한 건식 식각 장치내에서 형성되는 플라즈마에 의해 손상되지 않는 재질로 제조되는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마에 의해 손상되지 않는 재질은 양극산화된 알루미늄 산화물 또는 석영인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제한 링은 상기 캐소드와의 접촉시 오염입자를 발생시키지 않도록 테프론으로 코팅된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 나사가 설치되는 위치는 건식 식각 장치내에 형성되는 고주파(RF) 전계의 영향이 최소화된 위치 또는 영향이 미치지 않는 위치인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 나사가 설치되는 위치는 상기 척의 말단에 대응하는 상기 제한 링의 위치로부터 9mm 내지 12mm만큼 떨어진 위치인 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 나사는 아노다이징 처리가 된 금속으로 제조된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 나사는 절연물 캡을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 절연물 캡의 진공 홀은 상기 금속 링과 수평방향이 되는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 나사는 절연물로 제조된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
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