KR102230222B1 - 정전척의 접착층 충진 방법 - Google Patents

정전척의 접착층 충진 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 정전척의 접착층 충진 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 접착층 충진 방법은, 베이스 바디, 제1 접착층, 히터 플레이트, 제2 접착층 및 흡착 플레이트 순으로 적층된 정전척에 있어서, 상기 제1 접착층이 손상된 정전척을 준비하는 단계와, 상기 정전척의 측면에서 손상된 제1 접착층을 기설정된 깊이 이하로 제거하는 단계와, 상기 손상된 제1 접착층이 제거된 상기 정전척의 측면에, 상기 손상된 제1 접착층과 물성이 상이한 재생 접착제를 도포하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 손상된 제1 접착층을 보다 효과적으로 충진할 수 있게 된다.

Description

정전척의 접착층 충진 방법{A METHOD OF FILLING AN ADHESIVE LAYER OF ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 정전척의 접착층 충진 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 손상된 접착층을 보다 효과적으로 충진할 수 있는 정전척의 접착층 충진 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 챔버(chamber) 내에 안치된 웨이퍼에 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들을 순차적 또는 반복적으로 수행함으로써, 제조될 수 있다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 박막의 특성을 균일하게 유지하기 위해서는 웨이퍼(wafer)가 챔버 내에서 긴밀하게 고정되는 것이 중요하다.
한편, 웨이퍼를 고정시키는 방식에는 기계척(mechanical chuck) 방식과 정전척(Electrostatic Chuck: ESC) 방식이 있으나, 웨이퍼와의 접촉면 전체에 고른 인력 또는 척력을 발생시켜, 웨이퍼 표면의 편평도(flatness)를 보장하고, 웨이퍼가 접촉면에 긴밀하게 접촉하여 효과적으로 웨이퍼의 온도 조절이 가능한 정전척 방식이 널리 사용되고 있다.
그러나, 반도체 공정은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD), 스퍼터링(sputtering), 원자층증착(Atomic Layer Deposion:ALD), 건식식각(Dry Etch) 등과 같은 고온 고압의 환경에서 공정이 진행되기 때문에, 챔버 내부를 구성하는 부품들이 견딜 수 있는 물리적인 한계가 존재한다.
특히, 소재의 특성상, 흡착 플레이트, 히터 플레이트, 베이스 바디 등을 접착하기 위한 접착층(또는 절연층)이 보다 쉽게 식각 또는 경화될 수 있고, 이러한 접착층(또는 절연층)이 손상되는 경우, 반도체 공정의 심각할 불량을 야기할 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, KR 10-2015-0128220 A의 '히터가 장착된 캡형 정전척'은 캡 구조 제시하나, 상기 '히터가 장착된 캡형 정전척'은 전극만을 보호할 뿐, 실질적으로 내구성이 더 낮은 본딩층을 보호하지 못한다는 단점이 있다. 또한, 상기 '히터가 장착된 캡형 정전척' 초기 제조 과정이 복잡하고, 제조 비용이 증가한다는 문제점도 있다.
본 발명의 목적은, 접착층을 보다 효과적으로 충진시킬 수 있는, 정전척의 접착층 충진 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 접착층 충진 방법은, 베이스 바디, 제1 접착층, 히터 플레이트, 제2 접착층 및 흡착 플레이트 순으로 적층된 정전척에 있어서, 상기 제1 접착층 및 제2 접착층 중 제1 접착층이 손상된 정전척을 준비하는 단계와, 상기 정전척의 측면에서 손상된 제1 접착층을 기설정된 깊이 이하로 제거하는 단계와, 상기 손상된 제1 접착층이 제거된 상기 정전척의 측면에, 상기 손상된 제1 접착층과 물성이 상이한 재생 접착제를 도포하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 기설정된 깊이는, 상기 히터 플레이트의 외주연에서 히터 패턴이 시작되는 지점까지의 거리보다 작게 설정된다.
특히, 상기 기설정된 깊이는, 4mm인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 물성은, 점도, 비중, 유전상수, 비저항 중 적어도 어느 하나에 의해 결정된다.
또한, 정전척의 제1 접착층 충진 방법은, 도포된 상기 재생 접착제 내부의 기포를 제거하는 단계를 더 포함한다.
또한, 정전척의 제1 접착층 충진 방법은, 도포된 상기 재생 접착제의 측면이 상기 히터 플레이트의 측면과 동일한 평면상에 위치하도록 평탄화하는 단계를 더 포함한다.
정전척에 있어서, 절연층이 식각되는 경우, 전하를 축적하는 기능이 감소되어 원하는 쿨롱 힘을 기대할 수 없으나, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 손상된 절연층을 충진함으로써, 절연층의 성능을 유지시킬 수 있고, 따라서, 기대하는 척킹(chunking) 또는 디척킹(dechunking) 제어가 가능하다.
또한, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 손상된 절연층을 충진하여, 웨이퍼의 벤딩(bending) 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 손상된 절연층을 충진시키므로, 손상된 절연층에서 발생된 경화된 접착물질로 인한 파티클(particle) 생성을 방지하여, 반도체 소자의 불량을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 손상된 절연층을 충진시켜, 챔버 내로 여기되는 누설전류를 저감시키는 바, 이에 따라, 아크(arc) 방전 현상이 저감된다.
또한, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 절연층 외주면 전체에 링(또는 캡)을 형성하는 것이 아닌, 손상된 부분을 소정 깊이로 식각한 후, 재충진하는 방식이므로, 정전척의 초기 제작시 제조 공정이 별도로 추가될 필요가 없으며, 제조 비용이 저감되는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 따른 정전척의 절연층 충진 방법은, 종래 절연층을 링(또는 캡)으로 보호하는 방식에 비해, 유지비용이 보다 저감되는 효과가 있다.
특히, 히터 플레이트가 구비된 정전척에서, 본 발명의 따른 절연체 충진 방법은, 절연층을 손상된 일부만 제거하는 바, 히터 플레이트의 충격(damage)이 가지 않는다는 장점이 있다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 접착층 충진방법을 도시하는 순서도이다.
도 3은, 도 2의 설명에 참조되는 도면이다.
도 4는 도 2의 설명에 참조되는 도면이다.
도 5는 도 2의 설명에 참조되는 도면이다.
도 6은 도 2의 설명에 참조되는 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도면을 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(100)은, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)가 서로 적층되도록 접합되어 형성된다.
베이스 바디(110)는, 챔버(미도시) 내부에 수용되어, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)를 설치하기 위한 지지대로써 기능한다.
베이스 바디(110)는 평평한 원판 형상으로 형성되며, 흡착 플레이트(190)에 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 삽입되는 관통홀을, 적어도 하나 이상 포함한다.
실시예에 따라, 베이스 바디(110)의 외부 또는 내부에는, 흡착 플레이트(190) 상면의 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각수단(미도시)이 더 구비될 수 있다.
히터 플레이트(150)는, 정전척(200)의 온도 제어 수단으로서, 히터 패턴(155)이 히터 플레이트(150)의 내부 또는 하면에 인쇄될 수 있다. 히터 패턴(155)은 저항성 소자로서, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다.
이때, 히터 패턴(미도시)은, 몰리브덴(Mo), 스테인리스(SUS), 니켈-크롬(Ni-Cr) 합금, 텅스텐(W), 바람직하게는 인코넬(inconel)로 형성될 수 있다.
한편, 히터 플레이트(150)에서 발생된 열은, 고밀도 플라즈마 공정에서 가스 및/또는 웨이퍼(wafer)의 온도 제어에 사용될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 베이스 바디(110)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되고, 가공의 용이성을 위하여, 20T 두께로 제작되며, 베이스 바디(110)에 접합한 후, 1T 두께로 절삭, 연마 가공 될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 분리형 또는 일체형일 수 있으며, 설명의 편의를 위해 도시하지 않은 히터 전극이 히터 플레이트(150)에 연결될 수 있다. 또한, 히터 플레이트(150)에는 흡착 플레이트(190)로 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 연통하는 관통홀이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
흡착 플레이트(190)는, 정전척(200)의 최상부에 배치되어, 그 상면으로 웨이퍼(wafer)가 안착되는 수단으로서, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되며, 정전기력(electrostatic force)을 기초로 웨이퍼(wafer)를 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking) 하기 위한 흡착 전극(195)이 그 하면에 인쇄된다.
흡착 플레이트(190)는, 챔버 내 고온 환경에서 내구성이 있으며, 원판 전극에서 생성되는 정전기력이 원활하게 통과할 수 있도록 세라믹 소재가 사용될 수 있다.
예를 들어, 흡착 플레이트(190)는, Al2O3계 소재, 또는 Al2O3계 소재 보다 열전도성이 높은 세라믹 소재인 알루미늄 나이트라이드(Aluminum nitride, AlN) 소재 또는 탄화 규소(SiC) 소재가 사용될 수 있다.
흡착 플레이트(190)의 비저항 값은 1013(옴·cm)이상일 수 있으며, 이는 쿨롱 힘(coulomb force) 을 이용하기 위함이다. 이에 따라, 본 발명의 정전척(200)은 Johnsen-Rahbeck(J-R)이 아닌 쿨롱 힘을 이용한 고정항 정전척일 수 있다.
실시예에 따라, 본 발명의 정전척(200)은, 흡착 플레이트(190)에 열을 균일하게 전달하기 위하여, 흡착 플레이트(190)의 하면에 형성된 열전도 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 열전도 부재(미도시)는 흡착 플레이트(190)의 소재와 상이한 소재일 수 있다. 예를 들어, 열전도 부재(미도시)에는 열전도성이 우수한 알루미늄 소재가 사용될 수 있다.
상술한, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)는 접착제를 매개로 접합된다.
구체적으로, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)는 제1 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150) 사이에는 제1 접착층(130)이 형성된다.
또한, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)는 제2 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190) 사이에는 제2 접착층(170)이 형성된다.
제1 접착제 및 제2 접착제는, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)와 열팽창 계수가 유사한 소재로서, 이종 재료의 접합이 가능한 다양한 접착체가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 제1 접착제 및 제2 접착제는, 액체(liquid) 형태의 실리콘 접착제일 수 있다.
이때, 제1 접착제 및 제2 접착제는, 상온 경화 또는 열경화되어, 제1 접착층(130) 및 제2 접착층(170)을 형성한다.
또한, 제2 접착층(170)은 0.1mm 수준으로 매우 얇게 형성되어, 고온의 환경에 노출되더라도 흡착 플레이트(190)의 평편도에 영향을 줄 정도로 변형이 이루어지지 않는다.
전극(210)은, 흡착 플레이트(190)에 외부 전원을 공급하기 위한 것으로서, 제1 접착층(130), 히터 플레이트(150), 제2 접착층(170)을 관통하여 흡착 플레이트(190)에 접촉한다.
이에 따라, 히터 플레이트(150)에도 관통홀이 상하방향으로 관통되어 형성된다.
한편, 도 1에서는, 정전척(200)이 전극(210)을 단수개 포함하는 것(유니폴라 방식)을 도시하나, 실시예에 따라, 복수개의 전극(210)을 구비하는 것(바이폴라 방식)도 가능하며, 이 때, 관통홀은 전극(210)의 위치 및 개수에 대응하여 형성될 수 있다.
전극(210)은 , 흡착 플레이트(190)와의 접촉 특성을 강화하기 위하여, 흡착 플레이트(190)와 유사한 열팽창 계수를 갖거나 혹은 열팽창 계수의 차이가 적은 물질로 형성된다.
예를 들어, 전극은, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등 전도성 재료가 사용될 수 있다.
한편, 챔버 내 고온, 고압 환경에서 제1 접착층(130)이 손상될 수 있고, 제1 접착층(130)의 손상은 정전척의 성능 저하를 야기할 수 있다.
한편, 제2 접착층(170)은 0.1mm 수준으로 매우 얇게 형성되므로, 고온의 환경에 노출되더라도 수리가 불필요하다.
종래에는, 이러한 제1 접착층(130)이 손상되는 경우, 손상된 제1 접착층(130)을 모두 제거하고, 새로운 접착층을 재도포하는 방식을 사용하였으나, 히터 플레이트(150)가 1T 두께로 가공되어, 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(190) 사이에 접합하므로, 손상된 제1 접착층(130)의 제거시, 히터 플레이트(150)가 함께 훼손된다는 문제가 있었다.
따라서, 이 경우, 20T 두께의 히터 플레이트(150)를 베이스 바디(110)에 접합시켜, 다시 1T로 연삭 가공하는 바, 수리 시간이 증가할 뿐만 아니라, 수리 비용 역시 증가하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제1 접착층(130)의 일부만 제거한 후, 새로운 접착층을 충진함으로써, 수리 또는 재생 비용이 저감될 수 있는 접착층 충진 방법을 제시한다.
이하 도 2에서 보다 상세하게 살펴본다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 접착층 충진방법을 도시하는 순서도이고, 도 3 내지 도 6은 도 2의 설명에 참조되는 도면이다.
도면을 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(200)의 접착층 충진방법은, 제1 접착층(130)이 손상된 정전척을 준비하는 단계(S210), 손상된 제1 접착층(130)을 기설정된 깊이 이하로 제거하는 단계(S230), 손상된 제1 접착층(130)과 물성이 상이한 재생 접착체를 도포하는 단계(S250), 도포된 재생 접착제 내부의 기포를 제거하는 단계(S270) 및 도포된 재생 접착제를 평탄화하는 단계(S290)를 포함할 수 있다.
먼저, 제1 접착층(130)이 손상된 정전척을 준비하는 단계(S210)는, 도 3과 같이, 반복되는 식각 공정, 플라즈마 공정 등으로 인하여, 제1 접착층(130)이 손상된 정전척을 준비하는 단계이다.
예를 들어, 도 3에서 310은 손상된 접착층을 예시한다. 도 3에서 손상된 접착층(310)은 히터 플레이트(150)의 외주연에서 히터 패턴(155)이 시작되는 지점까지의 거리(D) 이하인 것을 알 수 있다.
손상된 접착층(310)이 히터 플레이트(150)의 외주연에서 히터 패턴(155)이 시작되는 지점까지의 거리를 초과하는 경우, 히터 패턴(155)이 플라즈마 가스, 식각 용액 등에 노출될 수 있다.
히터 패턴(155)이 플라즈마 가스, 식각 용액 등에 노출되는 경우, 히터 패턴(155)이 손상되므로, 후술하는 방법에 따라 접착층을 충진하는 경우에도, 목표하는 온도 제어를 수행할 수 없다.
따라서, 본 발명의 접착층 충진방법은, 손상된 제1 접착층(130)의 깊이가 히터 플레이트(150)의 외주연에서 히터 패턴(155)이 시작되는 지점까지의 거리 이하인 경우, 상기의 제1 접착층(130)이 손상된 정전척을 준비하는 단계(S210)를 수행할 수 있다.
이때, 히터 플레이트(150)의 외주연에서 히터 패턴(155)이 시작되는 지점까지의 거리를 기설정된 깊이라고 할 수 있다.
다음, 상기와 같이, 제1 접착층(130)이 손상된 정전척이 준비되는 경우, 본 발명은, 정전척(200)의 측면에서 손상된 접착층(310)을 기설정된 깊이 이하로 제거하는 단계(S230)를 수행할 수 있다.
반도체 공정 중, 정전척(200)이 고온, 고압의 환경에서 반복적으로 사용되는 경우, 제1 접착층(130)이 경화될 수 있고, 특히, 제1 접착층(130)의 최외곽 영역의 경화가 더욱 두드러지게 발생할 수 있다.
경화된 제1 접착층(130)은 파우더(powder) 형태로 분리될 수 있고, 이는 반도체 공정에 있어 불량을 야기시킴과 동시에, 목적하는 클램핑 기능을 온전히 수행할 수 없게 된다.
따라서, 본 발명은, 손상된 접착층(310)을 마진(margin)을 두어 제거하되, 기설정된 깊이 이하로 제거할 수 있다. 도 3 내지 도 4에서 110은 제거된 영역을 예시한다. 또한, 도 4에서 330은 손상된 접착층이 제거된 정전척(200)의 측면 영역을 예시한다.
도 4에서 제거된 정전척(200)의 측면 영역은 기설정된 깊이(D) 이하인 것을 알 수 있다. 이는 손상된 접착층(310)을 제거하는 단계에서, 히터 패턴(155)이 손상되지 않게 하기 위함이다.
히터 패턴(155)은 히터 플레이트(150)의 외주연에서 4mm에서 시작되는 것이 보통이므로, 기설정된 깊이(D)는 4mm일 수 있다.
다음, 손상된 접착층(310)이 기설정된 깊이 이하로 제거되는 경우, 본 발명은, 손상된 접착층(310)이 제거된 정전척(200)의 측면에, 손상된 접착층(310)과 물성이 상이한 재생 접착제를 도포하는 단계(S250)를 수행할 수 있다.
도 5는, 손상된 접착층이 제거된 정전척(200)의 측면에, 재생 접착제(350)가 도포되는 것을 예시하는 도면이다.
손상되지 않은 제1 접착층(130)은, 정전척(200)의 클램핑 기능을 수행하는데 문제가 되지 않지만, 손상되지 않은 제1 접착층(130) 역시, 고온, 고압의 환경에 노출되어 변성되었으므로, 손상되지 않은 제1 접착층(130)과 동일한 물성(예를 들어, 동일 제품)으로 충진하는 경우, 손상되지 않은 제1 접착층(130)과 충진된 제1 접착층(130)은 접착되지 않을 수 있다.
결과적으로, 재생 접착제(350)의 물성은, 손상된 제1 접착층(130)의 물성과 상이하여야 한다.
이때, 재생 접착제(350)의 물성은, 점도, 비중, 유전상수, 비저항 중 적어도 어느 하나에 의해 결정될 수 있다.
상기에서 물성, 점도는, 가공성 측면에서 요구되는 인자이며, 유전상수, 비저항은, 전기적 측면에서 요구되는 인자이다.
보다 구체적으로, 가공성 측면에서, 재생 접착제(350) 도포 후, 후술하는 발포 작업이, 초기 접착층 형성 후, 수행되는 발포 작업에 비해 어려우므로, 재생 접착제(350)의 점도는 손상된 접착층의 점도 보다 작아야 한다.
예를 들어, 손상된 접착층의 점도(viscosity)가 58000cPs인 경우, 재생 접착제(350)의 점도는, 4600cPs일 수 있다.
또한, 손상된 접착층은 열경화되어 응집력이 떨어지므로, 재생 접착제(350)의 비중은, 손상된 접착층의 비중보다 커야 한다.
예를 들어, 손상된 접착층의 비중이, 1.00인 경우, 재생 접착제(350)의 비중은 1.89일 수 있다.
전기적 측면에서, 정전척이 수리 후, 동일한 클램핑 능력을 가지기 위해서, 재생 접착제(350)는 손실된 유전율을 복구해주어야 하므로, 재생 접착제(350)의 유전율은, 손상된 접착층의 유전율보다 커야 한다.
예를 들어, 손상된 접착층의 유전율이, 2.8인 경우, 재생 접착제(350)의 유전율은 4일 수 있다.
같은 이치로, 재생 접착제(350)는 손실된 비저항성을 복구해주어야 하므로, 재생 접착제(350)의 비저항은, 손상된 접착층의 비저항 보다 커야 한다.
예를 들어, 손상된 접착층의 비저항이 6*107인 경우, 재생 접착제(350)의 비저항은 1*1015일 수 있다.
즉, 재생 접착제(350)의 점도는 손상된 접착층의 점도 보다 작고, 재생 접착제(350)의 비중, 유전율 및 비저항은, 손상된 접착층의 비저항 보다 클 수 있다.
이에 따라, 본 발명은, 수리 전, 후 전기적 성질은 유지하면서도, 재생 접착제의 기포가 발생되지 않고, 접합력이 우수한 접착층 충진 방법을 제공할 수 있게 된다.
한편, 재생 접착제에 기포가 있는 경우, 기포에 함유된 수분을 통해, 전극에서 발생된 누설 전류가 챔버 내로 급속하게 방출될 수 있다. 방출된 누설 전류는 챔버 내에서 아킹(arcing) 현상을 일으켜, 반도체 공정에 심각한 문제를 야기할 수 있다.
따라서, 본 발명은, 재생 접착제(350) 도포 후, 도포된 재생 접착제(350) 내부의 기포를 제거하는 단계(S270)를 더 수행할 수 있다.
이러한 발포 작업은 정전척(200)의 교반, 회전, 압력 인가 등에 의해 수행될 수 있다.
한편, 정전척(200)의 측면이, 재생 접착제(350)를 충진 후, 평탄하지 않은 경우, 전기적 성질이 가변되거나, 누설 전류가 발생되거나, 히터 플레이트(150)의 온도 조절 기능에 이상이 있을 수 있다.
따라서, 본 발명은, 발포 작업 후, 도포된 재생 접착제(350)의 측면이 히터 플레이트(150)의 측면과 동일한 평면상에 위치하도록 평탄화하는 단계(S290)를 더 수행할 수 있다.
평탄화 작업은 폴리싱(polishing) 랩핑(lapping) 또는 그밖에 알려진 연마 방법으로 표면 연마 가능하다.
특히, 평탄화 작업 후, 정전척(200)의 측면 평탄도가 초기 제품에 비해 변화가 없도록 할 수 있다.
본 발명의 이점은, 에어로졸 코팅 방식 또는 용사 코팅 방식 등, 코팅 방식에 비해 수리 과정이 단순하며, 수리 비용이 저감된다는 것이다.
또한, 이와 같이 재생된 정천척을 사용함으로써 고가의 정전척을 신품으로 교체하는 것에 비해 소요되는 비용을 줄일 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
200: 정전척
110: 베이스 바디
130: 제1 접착층
150: 히터 플레이트
155: 히터 패턴
170: 제2 접착층
190: 흡착 플레이트
195: 흡착 전극
210: 전극

Claims (6)

  1. 베이스 바디, 제1 접착층, 히터 플레이트, 제2 접착층 및 흡착 플레이트 순으로 적층된 정전척에 있어서,
    상기 제1 접착층이 손상된 정전척을 준비하는 단계;
    상기 정전척의 측면에서 손상된 제1 접착층을 기설정된 깊이 이하로 제거하는 단계;
    상기 손상된 제1 접착층이 제거된 상기 정전척의 측면에, 상기 손상된 제1 접착층과 물성이 상이한 재생 접착제를 도포하는 단계;를 포함하고,
    상기 재생 접착제의 점도는 상기 손상된 제1 접착층의 점도 보다 작고,
    상기 재생 접착제의 비중은 상기 손상된 제1 접착층의 비중 보다 크고,
    상기 재생 접착제의 유전율은 상기 손상된 제1 접착층의 유전율 보다 크고,
    상기 재생 접착제의 비저항은 상기 손상된 제1 접착층의 비저항 보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기설정된 깊이는,
    상기 히터 플레이트의 외주연에서 히터 패턴이 시작되는 지점까지의 거리보다 작게 설정되는 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기설정된 깊이는,
    4mm인 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 물성은,
    점도, 비중, 유전상수, 비저항 중 적어도 어느 하나에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    도포된 상기 재생 접착제 내부의 기포를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    도포된 상기 재생 접착제의 측면이 상기 히터 플레이트의 측면과 동일한 평면상에 위치하도록 평탄화하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 접착층 충진 방법.
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