CN111446197B - 静电吸盘和包括其的静电吸盘装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底。所述静电吸盘包括：介电板，其被构造为支撑所述工作衬底；底板，其被构造为支撑所述介电板；以及吸附电极，其插在所述介电板和所述底板之间，并且被构造为产生用于吸附所述工作衬底的静电力。所述介电板是蓝宝石板，所述底板由氧化铝陶瓷材料组成，所述吸附电极在‑200℃至400℃范围内具有20％或更小的电阻变化率，并且所述介电板和所述底板是通过所述吸附电极一体粘合的。

Description

静电吸盘和包括其的静电吸盘装置
技术领域
本发明涉及一种静电吸盘以及一种包括其的静电吸盘装置。
背景技术
本发明涉及一种静电吸盘以及一种包括其的静电吸盘装置。
通常，静电卡盘定位在半导体制造设备的处理室中，以便使用静电力支撑晶片。静电吸盘可以包括用于固定晶片的吸附板或蓝宝石板(请参考以下相关技术)。
在日本专利申请公开号1994-291175和1997-82788中公开了相关技术。
可以使用粘合剂，诸如粘接剂将蓝宝石板粘合至绝缘板，并且可以使用粘接剂将绝缘板粘合至支撑板。然而，由于将蓝宝石板粘合到绝缘板的粘接剂可以很容易地暴露于等离子体而产生电弧或放电，因此在热处理工艺中可能难以利用静电吸盘。在另一方面，当不使用粘合剂时，可能需要进行熔融工艺以在相对较高的温度下熔化蓝宝石板的一部分，这可能导致蓝宝石板的表面受损或其特性退化。此外，可能难以将导电材料嵌入蓝宝石板中，且因此可能难以充当静电吸盘。
发明内容
本发明提供了一种静电吸盘以及一种静电吸盘装置，该静电吸盘装置具有提高的等离子体阻抗性并且即使在高温区域中的极低温区域中也能够抑制特性退化。
根据本发明的一个方面，一种使用静电力固定工作衬底的静电吸盘包括：介电板，其被构造为支撑工作衬底；底板，其被构造为支撑介电板；以及吸附电极，其插在介电板和底板之间，并且被构造为产生用于吸附工作衬底的静电力，其中介电板是蓝宝石板，底板由氧化铝陶瓷材料组成，吸附电极在-200℃至400℃范围内具有20％或更小的电阻变化率，并且介电板和底板是通过吸附电极一体粘合的。
在一个示例实施例中，吸附电极可以由具有氧化铝陶瓷材料、导电材料和基于氧化物的共晶材料的陶瓷复合材料组成，并且介电板和底板可以与吸附电极再烧结在一起。
在一个示例实施例中，底板可以包括沿着厚度方向穿透的通孔，电源电极可以设置在通孔中以电连接到吸附电极，并且电源电极可以包括与吸附电极相同的材料。
在一个示例实施例中，介电板、吸附电极和底板中的每一个可以具有8.0×10-6/K或更小的线性热膨胀系数。
在一个示例实施例中，介电板的上表面可以具有0.05μm或更小的表面粗糙度Ra。
在一个示例实施例中，介电板可以包括凸出部分，该凸出部分从其上表面突出，凸出部分可以具有0.3mm至3.0mm或更小的直径和0.05mm或更小的高度，凸出部分可以包括在其上端形成的且沿着其侧部弯曲的脊部分，并且脊部分具有0.03mm或更小的半径。
在这里，介电板的上表面可以具有0.3μm或更小的表面粗糙度Ra。
根据本发明的一个方面，一种静电吸盘装置包括静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底；支撑板，其包括流动路径，用于冷却静电吸盘的冷却剂流动通过流动路径；以及用于粘合静电吸盘和支撑板的粘合剂，其中静电吸盘包括介电板，其被构造为支撑工作衬底；底板，其被构造为支撑介电板；以及吸附电极，其插在介电板和底板之间，并且被构造为产生用于吸附工作衬底的静电力，其中介电板是蓝宝石板，底板由氧化铝陶瓷材料组成，吸附电极在-200℃至400℃范围内具有20％或更小的电阻变化率，并且介电板和底板是通过吸附电极一体粘合的。
根据本发明的一个方面，一种静电吸盘装置包括：静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底；以及支撑板，其包括流动路径，用于冷却静电吸盘的冷却剂流动通过流动路径，静电吸盘直接粘合到支撑板，其中静电吸盘包括介电板，其被构造为支撑工作衬底；底板，其被构造为支撑介电板；以及吸附电极，其插在介电板和底板之间，并且被构造为产生用于吸附工作衬底的静电力；其中介电板是蓝宝石板，底板由氧化铝陶瓷材料组成，吸附电极在-200℃至400℃范围内具有20％或更小的电阻变化率，并且介电板和底板是通过吸附电极一体粘合的。
根据本发明的示例实施例，可以提供一种静电吸盘以及一种静电吸盘装置，该静电吸盘装置具有提高的等离子体阻抗特性，以使得在极低温到高温的范围内抑制等离子体阻抗特性退化。
上面对本发明的概述不旨在描述本发明的每个所阐明的实施例或每个实施方式。下面的具体实施方式和权利要求更特别地例示了这些实施例。
附图说明
根据以下结合附图的描述，能够更加详细地理解示例实施例，其中：
图1是示出根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘装置的横截面视图；
图2是示出如在图1中所示的静电吸盘装置的一部分的放大的横截面视图；
图3是示出如在图1中所示的静电吸盘装置的一部分的放大的平面视图；
图4是示出作为比较示例的静电吸盘装置的横截面视图；
图5是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图6是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图7是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图8是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图9是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图10是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图11是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图12是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图13是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；
图14是示出制造根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘的步骤的横截面视图；以及
图15是示出根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘装置的横截面视图。
具体实施方式
虽然各种实施例适合于各种修改和替代形式，但其具体细节已通过示例的方式在附图中示出且将更详细地进行描述。然而，应理解的是其目的不是将所要求保护的本发明限制于所描述的特定实施例。相反地，本发明旨在涵盖落在由权利要求所限定的主题的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
在下文中，将参考附图更详细地描述关于滚道单元和具有其的OHT的特定实施例。然而，本发明可以按不同的形式进行具体化且不应被解释为仅限于本文阐明的实施例。相反地，提供了这些实施例，使得本发明将是彻底和完整的且将向本领域的技术人员完全传达本发明的范围。相同的附图标记始终指相同的元件。在附图中，为了说明清楚，层和区域的尺寸进行了放大。
诸如第一、第二等的术语能够被用于描述各种元件，但不应用上述术语来限制上述元件。上述术语仅用于区别一个元件与另一个元件。例如，在本发明中，在不脱离第一组件范围的情况下，可以类似地命名第二组件，也可以命名第二组件至第一组件。
在本文中使用的术语仅用于描述特定示例实施例且不旨在限制本发明的概念。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确指示外。还将要理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包括”指定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
除非另有限定外，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明的概念所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。还将进一步理解的是，术语，诸如常用词典中定义的那些应被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义相一致的含义，且不会以理想化或过度正式的意义进行解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1是示出根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘装置的横截面视图。
参考图1，根据一个示例实施例的一种静电吸盘装置10可以使用静电力吸收和支撑工作衬底W。工作衬底W可以包括半导体晶片。静电吸盘装置10可以安装在用于处理工作衬底W的衬底处理设备中。例如，衬底处理设备产生等离子体以对工作衬底W进行等离子体处理。
根据一个示例实施例的静电吸盘装置10包括静电吸盘20、粘合剂30和支撑板40。
静电吸盘20包括介电板21、吸附电极22、绝缘层23和底板24。
在一个示例实施例中，介电板21可以是蓝宝石板。蓝宝石板可以由氧化铝(A2O3)的单晶材料制成，并且可以具有没有晶粒边界的优异的等离子体阻抗。例如，在平面图中，介电板21可以具有圆形。平面图描绘了当在介电板21的上表面21a的竖直方向上观察该物体时的物体。是蓝宝石衬底的介电板21在低于400℃的温度下具有7.7x10-6/K的热膨胀系数。蓝宝石板的体积电阻值是1.0×1014Ω·cm或更大。介电板21可以具有在0.3mm至0.5mm的范围内的厚度。
吸附电极22设置在介电板21和底板24之间。在一个示例实施例中，吸附电极22在平面图中可以大体上具有圆形。此外，可以以预定图案形成吸附电极22。进一步地，可以通过吸附工艺在底板24上设置有多个吸附电极22。
吸附电极22可以包括具有氧化铝(Al2O3)和导电材料的复合陶瓷材料。导电材料可以包括氧化铝碳化钛(AlTiC)材料。AlTiC材料可以通过将碳化钛(TiC)分散到氧化铝(Al2O3)中，并且随后执行反应烧结工艺来获得。在400℃或更低的温度范围内，AlTiC材料的热膨胀系数为7.4×10-6/K。在-200℃至400℃的温度范围内，AlTiC材料的体积电阻值为1.0×10-3Ω·cm，并且AlTiC材料的电阻变化率小于20％。氧化钇(Y2O3)、氧化镱(Yb2O3)等可以用作基于氧化物的共晶点材料。可以使用包含Al2O3、TiC或AlTiC粉末的导电膏来形成吸附电极22。
绝缘层23设置在介电板21与底板24之间，并且围绕吸附电极22定位。在一个示例实施例中，绝缘层23在平面图中可以基本上具有环形。当设有具有预定图案的多个吸附电极22时，在吸附电极22之间设有绝缘层23以使吸附电极22彼此隔离。绝缘层23是至少沿着介电板21的外围设置的。绝缘层23可以包括氧化铝(Al2O3)。可以使用包含氧化铝(Al2O3)粉末的绝缘膏来形成绝缘层23。
例如，底板24在平面图中具有圆形。底板24具有通孔24x，其在厚度方向上穿透底板24。在通孔24x中设有电源电极25。电源电极25电连接到吸附电极22。底板24可以包括氧化铝(Al2O3)陶瓷材料。在400℃或更低的温度范围内，底板24的热膨胀系数是7.2×10-6/K。组成底板24的氧化铝(Al2O3)的体积电阻是1.0×1014Ω·cm或更大。例如，电源电极25是由与吸附电极22相同的材料制成的。
静电吸盘20可以对应于其中将包含AlTiC材料的吸附电极22插在由蓝宝石衬底制成的介电板21和由氧化铝陶瓷材料制成的底板24之间的衬底。即，根据一个实施例的静电吸盘20不使用粘合剂，诸如粘接剂。
图2是示出如在图1中所示的静电吸盘装置的一部分的放大的横截面视图。图3是示出如在图1中所示的静电吸盘装置的一部分的放大的平面视图。
如图2和3中所示，介电板21具有设置在其上表面21a上的多个凸出部分26。根据一个实施例，凸出部分26中的每一个具有圆柱形状。凸出部分26中的每一个可以具有在其上部处沿着侧表面26b弯曲的脊部分26a。
在一个示例实施例中，包括凸出部分26的介电板21的一个高度是0.3mm。替代地，当另一个高度被限定为从不具有凸出部分26的介电板21的下表面21b至上表面21a测量的高度时，介电板21的另一个高度可以是0.3mm。凸出部分26中的每一个可以具有在0.3mm至3mm的范围内的直径。进一步地，凸出部分26中的每一个的高度可以在0.03mm至0.05mm的范围内。围绕上周缘的脊状部分的半径在0.01mm至0.03mm的范围内。就表面粗糙度Ra而言，介电板21的表面粗糙度可以是0.05μm或更小。就表面粗糙度Ra而言，介电板21的上表面21a的表面粗糙度可以是0.3μm或更小。在一个实施例中，凸出部分26中的每一个的直径是0.5mm，高度是0.03mm且脊状部分的半径是0.01mm。
如图1中所示，静电吸盘20经由粘合剂30粘合到支撑板40的上表面40a。作为粘合剂30，可以使用例如，耐热性粘接树脂，诸如聚酰亚胺树脂、硅树脂和环氧树脂，或硬焊材料等。
支撑板40包括在其中形成的流动路径41。流动路径41可以充当冷却剂流经的路径，并且冷却剂是通过流动路径41从供应源60供应的。作为冷却剂，可以使用气体，诸如氦气(He)或氮气(N2)、水、专用有机溶剂等。因此，静电吸盘装置10可以冷却被吸附至静电吸盘20的工作衬底W。
支撑板40具有引出电极42。引出电极42连接到静电吸盘20的电源电极25。引出电极42连接到电源70。电源70可以经由引出电极42和电源电极25供应将工作衬底W吸附至吸附电极22中所需的电压。
图1中所示的静电吸盘20还可以包括聚焦环50。聚焦环50设置在静电吸盘20的周边区域中。聚焦环50具有环形并且是沿着静电吸盘20的周边布置的。聚焦环50的上表面具有台阶部分，使得外部51比内部52更高。内部52设置在聚焦环50的上表面上，其定位在与静电吸盘20的上表面相同的高度处，使得内部52具有与介电板21的上表面共面的上表面。聚焦环50的内部52可以支撑位于静电吸盘20的外部的工作衬底W的周边区域。聚焦环50的外部被定位成围绕工作衬底W的周边区域。聚焦环50延伸电场区域，使得工作衬底W位于等离子体区域的中心处。因此，在工作衬底W的区域上方均匀且整体地形成等离子体区域，并且对工作衬底W的区域均匀地进行等离子体处理。
接下来，将描述一种制造静电吸盘20的方法。为了便于解释，将用与最终构成元件相同的附图标记描述最终将转变成静电吸盘20的构成元件的元件。
参考图5，将由蓝宝石板制成的衬底21处理成期望的形状。例如，期望的形状包括圆板形状。
如在图6中所示，将氧化铝(Al2O3)衬底24机加工成期望的形状。例如，衬底24具有圆板，其具有贯穿其中的通孔24x。
参考图7，在衬底24的通孔24x中形成电源电极25。可以通过将，例如，具有与通孔24x对应的形状的圆柱形构件插入通孔24x中来形成电源电极25。替代地，可以通过用导电膏填充通孔24x来形成电源电极25。
如图8中所示，导电膏22和绝缘膏23设置在衬底24的表面上。导电膏22和绝缘膏23可以通过涂覆工艺，诸如丝网印刷工艺供应到衬底24上。
如图9中所示，将衬底21放置在衬底24上，导电膏22和绝缘膏23设置在衬底24上。
如图10中所示，针对衬底21和24以及插在衬底21和24之间的导电膏22和绝缘膏23在燃烧炉设备中执行热处理工艺。燃烧炉设备可以包括压力烧结装置(例如，热压装置)、等离子体放电烧结炉装置等。在燃烧工艺条件下，压制压力达到10MPa，燃烧温度为1700℃，并且燃烧工艺的时间为2小时。
参考图11，针对衬底21和24进行平面研磨和抛光工艺，以形成具有期望厚度的介电板21和底板24。例如，介电板21的期望厚度为0.3mm。
参考图12，在介电板21上形成了工艺掩模201。在衬底21上形成工艺掩模201，以覆盖用于形成在图2和3中所示的凸出部分26的区域，且工艺掩模201具有暴露衬底21的上表面的开口201x。
如在图13中所示，使用处理掩模201的开口201x通过喷砂工艺来部分移除衬底21以形成凸出部分26。例如，凸出部分26中的每一个的尺寸为0.5mm的直径和0.03mm的高度。凸出部分26可以根据处理掩模201的形状具有任意尺寸。例如，取决于处理掩模201的形状，凸出部分26中的每一个可以具有任意形状，诸如四边形或六边形。此外，通过调整处理时间，凸出部分26中的每一个可以具有任意高度。随后，移除处理掩模201。
如图14中所示，针对凸出部分26执行边缘抛光工艺，使得凸出部分26的上端周边部分可以具有弧形。在厚度方向上的介电板21的横截面视图中，脊部分26a中的每一个的半径是，例如，0.01mm。
通过上述工艺，形成了包括介电板21、吸附电极22、绝缘层23、底板24和电源电极25的静电吸盘20。
接下来，经由图1中所示的粘合剂30将静电吸盘20粘合至支撑板40。因此，制造了包括静电吸盘20和支撑板40的静电吸盘装置10。
接下来，将描述一种评估静电吸盘装置10的方法。
根据如上所述的静电吸盘装置10，将工作衬底W吸附和固定至静电吸盘20。在该状态中，在预定范围内改变环境温度。例如，环境温度在-200℃至200℃的范围内。
随后，测量流动通过工作衬底W的电流值以确认由蓝宝石衬底制成的介电板21的电阻值的变化。此外，通过测量工作衬底W的表面电势的变化，例如，表面电势增加的值，可以确认电源电极25和吸附电极22的电阻值的变化。
图4是示出作为比较示例的静电吸盘装置的横截面视图。为了便于说明，将用与图1至3中描述的元件相同的附图标记来描述包括在图4中所示的静电吸盘装置100中的元件。
根据作为图4中所示的比较示例的包括在静电吸盘装置100中的静电吸盘110，经由粘合剂111将介电板21粘合至底板24。由于介电板21具有小的厚度(例如，0.3mm)，用于将介电板21粘合到底板24的粘合剂111可能受到等离子体强烈地影响，该等离子体出现在包括静电吸盘装置100的制造设备，诸如等离子体处理设备中。结果，粘合剂111可能被腐蚀以容易地产生灰尘和进行放电。
在另一方面，根据图1中所示的本实施例的示例实施例的静电吸盘装置10包括可以将工作衬底W吸附和固定到介电板21的静电吸盘20，以及具有流动路径的支撑板40，用于冷却静电吸盘20的冷却剂流动通过该流动路径。静电吸盘20包括上面设置有工作衬底W的介电板21，用于支撑介电板21的底板24，以及吸附电极22，该吸附电极22插在介电板21和底板24之间，并且被构造为产生静电力以吸附工作衬底W。由于介电板21是蓝宝石衬底，并且底板24是由氧化铝陶瓷材料制成的，吸附电极22在-200℃至400℃的温度范围内具有20％或更小的电阻变化率。然后，介电板21和底板24经由吸附电极22一体地粘合。
根据本实施例的静电吸盘装置10，由于在静电吸盘20中不包括粘合剂，可以抑制灰尘和放电的发生。在另一方面，利用粘合剂30来粘合静电吸盘20和支撑板40，使得粘合剂30与静电吸盘20的上表面，即，介电板21间隔开。结果，粘合剂30几乎不受等离子体的影响，并且几乎不产生灰尘或进行放电。
如上所述，本实施例具有下列优点。
(1)静电吸盘20包括其上安装有工作衬底W的介电板21，支撑介电板21的底板24，以及吸附电极，该吸附电极插在介电板21和底板24之间，并且被构造为产生用于吸附工作衬底W的静电力。此外，介电板21是蓝宝石衬底，并且底板24是由氧化铝陶瓷材料制成的。吸附电极22在-200℃至400℃的温度范围内具有20％或更小的电阻变化率。然后，介电板21和底板24经由吸附电极22一体地粘合。蓝宝石衬底由氧化铝(Al2O3)的单晶材料组成，没有晶粒边界，并且因此具有优异的等离子体阻抗特性。由于静电吸盘20中不包括粘合剂，因此可以抑制灰尘和放电的发生。
(2)本实施例的静电吸盘20包括由蓝宝石衬底制成的介电板21，由氧化铝陶瓷材料(Al2O3)制成的底板24，以及插在介电板21和底板24之间的吸附电极22。吸附电极22由复合材料组成，该复合材料包括含有氧化铝陶瓷材料(Al2O3)的陶瓷材料和含有AlTiC材料的导电材料。使用氧化铝陶瓷材料(Al2O3)、导电材料和氧化晶粒共晶材料形成吸附电极22。因此，可以在相对较低的温度(例如，1,750℃或更低)下烧结吸附电极22，这对介电衬底的影响很小。在1750℃或更高的烧结温度下，介电板21的蓝宝石晶体结构发生变化，从而引起介电板21的特性退化。因此，根据本发明的一个示例实施例，由于在相对较低的温度下烧结吸附电极22，因此可以抑制由蓝宝石衬底制成的介电板21的诸如耐腐蚀性的特性退化。
(3)由于吸附电极22的导电材料包括AlTiC材料，因此AlTiC材料具有相对较低的对电阻值的温度依赖性。因此，可以在-200℃至400℃的宽温度范围内将静电吸盘20的电阻变化率抑制为20％或更小。
(4)均构成静电吸盘20的介电板21、吸附电极22、绝缘层23和底板24中的每一个具有小于8.0×10-6/K的热膨胀系数。因此，静电吸盘20可以在宽温度范围内使用并且可以用于运送工作衬底W的各种处理装置中。
(5)介电板21具有形成在其上表面21a上的多个凸出部分26。凸出部分26中的每一个的直径在0.3mm至3.0mm的范围内，并且凸出部分26中的每一个的高度是0.05mm或更小。凸出部分26中的每一个包括在其上端部朝向侧表面26b弯曲的脊部分26a，并且脊部分26a的半径是0.03mm或更小。由于凸出部分26，工作衬底W可以容易地吸附到介电板21。此外，凸出部分26可以促进工作衬底W从介电板21脱离。
要注意，以上实施例中的每一个可以以下列方式实施。在上述的实施例中，静电吸盘20可以直接结合到支撑板40。
图15是示出根据本发明的一个示例实施例的静电吸盘装置的横截面视图。
图15示出了根据一个修改实施例的静电吸盘装置10a。静电吸盘装置10a包括支撑板40和静电吸盘20。在不使用上述实施例的粘合剂30的情况下，将静电吸盘20直接粘合到支撑板40的上表面40a。作为直接结合静电吸盘20和支撑板40的方法，可以利用室温粘合方法。
在一个示例实施例中，导电膏可以包括另一种导电材料，诸如氧化钛(TiO2)。
在一个示例实施例中，可以将加热器嵌入静电吸盘20中。替代地，可以将加热器嵌入支撑板40中。
在一个示例实施例中，工作衬底W可以包括半导体晶片，但却包括，例如，用于液晶显示装置等的衬底。
尽管已参考具体实施例描述了静电吸盘和具有其的静电吸盘装置，但其不限于此。因此，本领域的技术人员将容易理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，能够对其进行各种修改和改变。

Claims (9)

1.一种静电吸盘，其使用静电力固定工作衬底，所述静电吸盘包括：
介电板，其被构造为支撑所述工作衬底；
底板，其被构造为支撑所述介电板；以及
吸附电极，其插在所述介电板和所述底板之间，并且被构造为产生用于吸附所述工作衬底的静电力；
其中所述介电板是蓝宝石板，
所述底板由氧化铝陶瓷材料组成，
所述吸附电极包括具有氧化铝和导电材料的复合陶瓷材料，所述导电材料包括氧化铝碳化钛材料，并且
所述介电板和所述底板与所述吸附电极再烧结在一起。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述底板包括沿着厚度方向穿透的通孔，电源电极设置在所述通孔中以电连接到所述吸附电极，并且所述电源电极包括与所述吸附电极相同的材料。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述底板包括沿着厚度方向穿透的通孔，并且电源电极设置在所述通孔中且电连接到所述吸附电极，
其中所述电源电极包括与所述吸附电极相同的材料。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述介电板、所述吸附电极和所述底板中的每一个具有8.0×10-6/K或更小的线性热膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述介电板的上表面具有0.05μm或更小的表面粗糙度Ra。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中所述介电板包括凸出部分，所述凸出部分从其上表面突出，所述凸出部分具有0.3mm至3.0mm或更小的直径和0.05mm或更小的高度，所述凸出部分包括在其上端形成的且沿着其侧部弯曲的脊部分，并且所述脊部分具有0.03mm或更小的半径。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中所述介电板的上表面具有0.3μm或更小的表面粗糙度Ra。
8.一种静电吸盘装置，所述静电吸盘装置包括：
静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底，所述静电吸盘包括：
介电板，其被构造为支撑所述工作衬底；
底板，其被构造为支撑所述介电板；以及
吸附电极，其插在所述介电板和所述底板之间，并且被构造为产生用于吸附所述工作衬底的静电力；
其中所述介电板是蓝宝石板，
所述底板由氧化铝陶瓷材料组成，
所述吸附电极包括具有氧化铝和导电材料的复合陶瓷材料，所述导电材料包括氧化铝碳化钛，并且
所述介电板和所述底板与所述吸附电极再烧结在一起，
支撑板，其包括流动路径，用于冷却所述静电吸盘的冷却剂流动通过所述流动路径；以及
用于粘合所述静电吸盘和所述支撑板的粘合剂。
9.一种静电吸盘装置，所述静电吸盘装置包括：
静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底；并且
所述静电吸盘包括：
介电板，其被构造为支撑所述工作衬底；
底板，其被构造为支撑所述介电板；以及
吸附电极，其插在所述介电板和所述底板之间，并且被构造为产生用于吸附所述工作衬底的静电力；
其中所述介电板是蓝宝石板，
所述底板由氧化铝陶瓷材料组成，
所述吸附电极包括具有氧化铝和导电材料的复合陶瓷材料，所述导电材料包括氧化铝碳化钛，并且
所述介电板和所述底板与所述吸附电极再烧结在一起，
支撑板，其包括流动路径，用于冷却所述静电吸盘的冷却剂流动通过所述流动路径，
其中所述静电吸盘直接粘合到所述支撑板。
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