JP2012510157A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

チャック支持構造体および複数の個別型静電部品を特徴とする静電チャック。静電部品のそれぞれは、電気的絶縁材料上に存在する電極に取り付けられた少なくとも１つの終端部を特徴とする。個別型静電部品の中の少なくともいくつかは、チャック支持構造体に取り外し可能に取り付けられ、あるいは、そのチャック支持構造体と静電部品との間に挿入された基板に取り外し可能に取り付けられる。
【選択図】 図１

Description

関連特許および関連特許出願の相互参照

[0001]本特許明細書は、２００８年１１月２５日に出願された米国特許仮出願第６１／２００，２４０号に基づく利益を主張するものである。

[0002]本発明は、集積回路または太陽電池のような有益な製品を製造すべく、半導体材料からなるウェーハを処理中に、このウェーハを支持および／または搬送するために使用される装置に関する。より詳細には、本発明は、処理ステップ中または処理ステップと処理ステップの間にそのようなウェーハを所定の位置に保持または固定すべく、静電力を用いてウェーハを支持または搬送するために使用される装置すなわち「チャック」に関する。この装置は「静電チャック」とも呼ばれる。

[0003]静電チャックを製造する従来技術は、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、または、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）のような薄膜技術を用いて、薄膜金属電極およびセラミック誘電体層を支持基板上に形成することを含んでいる。その結果として得られる静電ウェーハチャックは、モノリシック集積デバイスである。

[0004]Ｓｕｚｕｋｉへの米国特許第４，６９２，８３６号明細書は、電極が複数のスプリット電極に分割されている静電チャックを開示している。一方の電極が電気的絶縁材料または誘電体材料内に封止されかつ他方の電極が処理されるべきウェーハに電気的に接続された構成において、Ｓｕｚｕｋｉの発明は、ウェーハが完全に平坦ではなく上下に反るという問題を解決しようとするものである。静電力は、印加電圧の二乗に比例して、かつ、ウェーハと誘電体層との間の距離または間隙に反比例して、変化する。この特許の目的の１つは、少なくとも処理中にウェーハを「平坦」にすることである。ウェーハが、曲がり、あるいは、反り、それによって、周囲またはエッジが誘電体に接触し、中央部が誘電体に接触していない場合、静電吸着力を中央部に集中しなければならず、周囲には静電吸着力をほとんど、またはまったく加えなくてもよい。Ｓｕｚｕｋｉは、不均一な静電力をウェーハに加えるための様々な手段を教示している。一実施形態においては、電極は、間隔を置いて配置された複数の同心のスプリット電極から構成されるか、または、電極は、環状に間隔を置いて配置された複数の半径方向部材を特徴とする。あるいは、誘電体部材の厚さが変えられる。可変抵抗が、同じかまたは異なるＤＣ電圧を対応のスプリット電極に印加するために設けられる。

[0005]Ｓｈｅｒｍａｎへの米国特許第５，５３５，０９０号明細書は、コンデンサのプレートを形成する導電性加工物を保持するための複数の小規模静電構造を特徴とする静電チャックを開示している。

[0006]Ｈａｕｓｍａｎｎへの米国特許第５，８８０，９２３号明細書は、最新の静電チャックが典型的には、処理するためにウェーハを適所にきわめて簡単に保持すること、そして、それらの静電チャックは、ウェーハを加熱または冷却することが多いことに言及している。多くの場合、伝熱ガスが、ウェーハとチャックとの間の間隙または空間からウェーハの背面へ供給される。したがって、最新のチャックは、多くの場合、ウェーハの周囲と係合するように設計された材料のリップを有する。それにもかかわらず、このリップは、多くの伝熱ガスが漏れる箇所である。Ｈａｕｓｍａｎｎは、より大きい電圧を、すなわち、より大きい静電力を、チャックの周囲に存在する領域または周囲の近傍に存在する領域に加え、かつ、より小さい静電力をチャックの中間または中央に加えることによって、この問題を解決しようとするものである。Ｈａｕｓｍａｎｎは、いくつかのチャッキング領域を規定するいくつかの電極をチャックの表面の下方に埋め込むことによって、この解決を実施している。一形態においては、チャッキング領域は、電気絶縁材料でできた同心のリングである。電極は、いくつかの非ゼロ電圧によってエネルギーが与えられ、それによって、可変の非ゼロ・チャッキング力をチャッキング領域のそれぞれにおいて生成する。異なる力を有するウェーハチャッキング領域は、伝熱ガス層分布の均一性を改善する。

[0007]Ｗａｔａｎａｂｅへの米国特許第５，３８４，６８２号明細書は、ウェーハの汚染を回避すること、および、デバイスが電圧を電極（１つかまたは複数）に印加するのを停止したときに静電力を素早く消失させることに関するものである。Ｗａｔａｎａｂｅは、電流が漏れるかまたは消失しない限り、蓄積された電荷は、電圧の印加が停止された後にも残る傾向があり、それによって、ウェーハは、チャックに静電的に付着したままであることに言及している。Ｗａｔａｎａｂｅは、チャックからの汚染からウェーハを保護するための保護膜を提供することによって、これらの問題の両方を解決しようとするものである。さらに、Ｗａｔａｎａｂｅは、印加された電圧が遮断された後の短い時間において静電力を減少させるように、絶縁層の体積抵抗率、絶縁層の誘電率、絶縁層の厚さ、および、もしあれば、ウェーハとチャックとの間の間隙を工夫している。Ｗａｔａｎａｂｅは、基板材料の候補として、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、または、ＳｉＣを開示している。

[0008]Ｋｕｂｏｔａへの米国特許第５，３２４，０５３号明細書は、（５０の値を少なくとも有する）高誘電率材料を利用する静電チャックを開示している。静電力は、電圧が印加される電極を埋め込まれた電気絶縁体の誘電率に比例する。問題は、高誘電率材料が低体積抵抗率を有する傾向があることである。そのために、高誘電材料は、高いまたは大きな「漏れ電流」有する傾向があり、この傾向は、最終的に絶縁破壊をもたらすことがある。Ｋｕｂｏｔａは、高体積抵抗率材料を加工物（ウェーハ）と高誘電率材料との間に層の形で挿入することによって、この問題を解決している。高誘電率材料は、少なくとも５０の誘電率を有し、そして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコニウム、ＰＬＺＴ、などから作られてもよい。

[0009]Ｓｈｅｒｍａｎへの米国特許第５，４２６，５５８号明細書は、組立品が加熱および冷却された後に電極となるろう付け合成物の周囲に２つのほぼ平坦な誘電体部材を挟むことを特徴とする静電チャックを製造するための方法を開示している。金属加熱エレメントを特徴とし、かつ、この加熱エレメントと誘電体材料との間におけるＣＴＥ不整合を有するチャックにおいて、Ｓｈｅｒｍａｎは、複数の金属ピンを２つの材料間に挿入することによって、この問題を解決することを提案している。金属ピンは、金属加熱エレメントにろう付けされてもよい。

[00010]Ｋａｄｏｍｕｒａらへの米国特許第５，９６８，２７３号明細書は、「温度調節ジャケット」と呼ばれる加熱器をアルミニウム複合材料から作ることによって、ＣＴＥ不整合問題を解決しようとするものである。複合アルミニウム材料は、高圧下においてアルミニウムを無機繊維と合わせて処理することによって製造される。複合アルミニウムは、アルミニウムの熱伝導率に近い熱伝導率を有するが、アルミニウムのＣＴＥよりも小さいＣＴＥを有する。

[00011]Ｌｏｇａｎらへの米国特許第５，１９１，５０６号明細書は、多層セラミック（ＭＬＣ）基板上に配置された導電性静電パターンを提供することによって、ＣＴＥ不整合問題を解決するものであり、この静電パターンは、ＭＬＣ支持構造に接合される。放熱器基部が構造全体を支持し、ＭＬＣ絶縁層が、ウェーハを金属パターンと接触しないように絶縁するために、静電金属パターンの上部に配置される。放熱器基部を支持構造の底部に接合するための好ましい方法はろう付けである。放熱器基部用に選択される材料は重要である。なぜなら、この材料は、ＭＬＣ基板の熱膨張率と整合しなければならないからである。鉄／ニッケル／コバルト合金であるＫＯＶＡＲ（Ｗｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏ．の登録商標）は、好ましい材料である。

[00012]本発明によれば、従来技術とは対照的に、シリコンウェーハの静電チャックは、ウェーハチャックに、複数の個別型静電部品を実装することによって構成される。

シリコンウェーハを保持する本発明による静電チャックの前面の一部分を示す断面図である。 シリコンウェーハを保持する本発明による静電チャックの前面の一部分を示す断面図であり、本発明の別の実施形態を示している。 本発明による両極性静電吸着部品を示す断面図である。 焼結されてはいるがまだ終端処理されていない静電部品の実施例による写真である。 個々独立の表面実装部品を備えた本発明による静電チャック設計が実際に可能であることを実証するための簡単なデバイスの実施例による写真である。

[00018]従来技術による静電チャックは、典型的には、電極および誘電体材料を特徴とする１つ以上の静電吸着領域をチャック支持材料に配置し、それにより集積デバイスを形成することによって製造される。静電吸着部品は、通常、支持構造体から取り外すことはできない。さらに、従来技術の静電吸着部品は、誘電体材料からなるいくつかの比較的に大きなピースであることを特徴とする。静電チャックは、典型的には、ウェーハ処理中に徐々に熱くなるので、静電吸着部品および支持構造体を作る材料のそれぞれの熱膨張率（「ＣＴＥ」）が、考慮されなければならない。より詳細には、２つの材料間のＣＴＥ不整合が大きすぎる場合、亀裂またはその他の破局的故障が発生することがある。したがって、それぞれのＣＴＥを整合させることは従来技術において考察されるべき大きな問題であり、残念なことに、チャックのそれぞれの部分に使用される材料の選択に制約を与えてきた。

[00019]さらに、集積化された電極と誘電体層を作るのに適した薄膜技術（従来技術）は、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、および、Ｔａ−Ｏのような単純な誘電体化学物質（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）に限定される。単純なこれらの化学物質の誘電特性は、個別生産型コンデンサ産業において使用される要求に合わせた誘電体組成の誘電特性よりもはるかに劣るものである。例えば、クラスI、II、および、IIIの誘電体の比誘電率は、それぞれ、１００から２０，０００までの範囲に存在する。この高い比誘電率は、ウェーハに加えられる静電力を増加させるためにはきわめて望ましいものであり、そして、これらの誘電体は、薄膜成膜技術に適した単純な化学物質によって実現することはできない。

[00020]本発明によれば、従来技術とは対照的に、シリコンウェーハ用静電チャックは、複数の個別型静電部品をウェーハチャックに実装することによって構成される。例として、図１は、本発明による静電チャックの一実施形態を示す概略図である。静電部品は、ウェーハチャックに直接に取り付けられる。ウェーハチャックを静電部品から分離することによって、ウェーハチャックおよび静電部品自身のそれぞれの機能を得るように独立して最適化することができる。すなわち、ウェーハチャックは、優れたウェーハ支持体を提供するために、機械的および熱的に安定した材料から組み立てられてもよく、静電部品は、チャッキング機能およびデチャッキング（ｄｅ−ｃｈｕｃｋｉｎｇ：チャッキング解除）機能を最適化するために、工夫された新しい誘電体材料を用いて製造されてもよい。

[00021]これらの２つの構成要素を本発明の実施形態がなすように分離することによって、ＣＴＥ不整合問題はそれほど大きな問題ではなくなる。その理由は、（i）個別型静電吸着部品を、これまでよりもはるかに小さいものにすることができ、（ii）ろう付け層またははんだ付け層を挿入することによる取り付けは、ＣＴＥ不整合のために上昇した温度で発生するひずみを吸収することのできるコンプライアント層（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ ｌａｙｅｒ）の役割をなすことができるためである。さらに、薄膜処理能力のために材料が制限されることがないので、要求に合わせた特性を備えた広範囲にわたる材料をチャック支持構造体および静電部品の両方に使用することができる。

[00022]したがって、設計者は、ここでは、それぞれの構成要素の性能を最適化するために、それらの構成要素をより自由に工夫することができる。例えば、支持構造体は、ここでは、高い熱伝導率や高い強度など、支持構造体の重要な特性または機能に関して最適化されてもよい。同様に、静電吸着部品は、高い誘電率、小さい漏れ電流、低い汚染可能性、などを得るように最適化されてもよい。

[00023]静電部品は、シリコンウェーハ自身に接触していてもよく、あるいは、接触していなくてもよい。静電部品の機能は、シリコンウェーハを保持するための静電吸着力を生成することに限定される。チャック構造体は、複数の個別型部品によって引きつけられたシリコンウェーハを支持する。個別型静電部品は、限定はされないが、テープ成形、ウェット処理、および、様々な化学気相成長技術および物理蒸着技術を含む確立されている厚膜処理技術および薄膜処理技術によって作られてもよい。これらの製造技術は、確立されているものであり、かつ、多層セラミック産業および薄膜コンデンサ産業によって幅広く使用されているものである。

[00024]静電チャックは、設計によって必要とされる複数の個別型静電部品をチャック支持構造体に実装することによって作られてもよい。それぞれの個別型部品は、チャック支持構造体上に配置された金属電極上に取り付けられる。コンピュータベースの制御ユニットが、個々の部品それぞれに印加される電圧を独立して調節してもよく、したがって、シリコンウェーハに加えられる静電力の大きさを調節してもよい。あるいは、個別型部品は、内部メタライゼーションを備えた絶縁基板上に取り付けられてもよい。そのような基板は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）技術によって製造され、また、電子産業によって幅広く使用されている。そして、個別型部品を実装された結果として得られる基板は、ウェーハチャック構造体上に取り付けられてもよい。図２は、本発明における、この別の実施形態または第２の実施形態の概略図を示す。

[00025]本発明の第３の実施形態においては、個別型の両極性静電吸着部品は、限定はされないが、テープ成形、ウェット処理、および、様々な化学気相成長技術および物理蒸着技術を含む、確立されている厚膜処理技術および薄膜処理技術を用いて製造されうる。この個別型静電部品の設計構造が図３に概略的に示される。

[00026]この図３は、誘電体ベース、金属電極、および、最終的な薄い誘電体層を含む。金属電極は外部終端部に接続される。内部電極は、チャッキングおよびデチャッキングを効率的に最適化するために、両極性構造を有する。両極性構造は、動作中に静電部品がシリコンウェーハに接触する必要性を除去する。したがって、ウェーハを流れる正味電流は存在せず、デバイスが損傷する危険性を排除する。終端部は、改善されたはんだ付け表面を提供するために、ニッケルおよびスズのような様々な金属化学物質によってめっきされてもよい。あるいは、終端部は、金、パラジウム、または、プラチナ、あるいは、それらの合金のような安定した貴金属から製造されてもよい。はんだ付けに適していない終端部を備えた静電部品は、導電性エポキシ樹脂を用いて取り付けられてもよい。

[00027]本発明の実施形態を、以下の実施例を参照してさらに具体的に説明する。

[00028]この例のデバイスは、本発明の実施形態の実施可能性および機能性を実証するものである。静電部品を形成するために、水性セラミックスラリーが配合された。スラリーの配合は次の通りである。
６６重量％のＦＥＲＲＯ ＡＤ−３０２Ｌ Ｘ７Ｒ 誘電体粉末、
２１重量％のＪＯＮＣＲＹＬ １５３２ ラテックス接着剤、
３重量％のＤＡＲＶＡＮ ８２１Ａ 分散剤、
８重量％の脱イオン水、
１．６重量％のＤＦ−１６ 界面活性剤、
０．４重量％のＲＨＯＤＯＬＩＮＥ ６２２ 脱泡剤。

[00029]すべての含有物は、セラミックボールミル内に装填され、５０ｒｐｍで９６時間にわたり粉砕された。結果として得られたスラリーは、２０ミクロンのアブソリュートフィルターによって濾過され、脱泡のために、ガラスジャー内において２４時間（３〜５ｒｐｍ）にわたりゆっくりと揺り動かされた。

[00030]静電部品は、ウェット成形厚膜技術を用いて形成された。この作業には、１５ミクロンの厚さの誘電体層を成形すること、および、その結果として得られた厚膜を濾過された温風を用いて乾燥させることを含んだ。この成形および乾燥の一連の作業を継続し、４００ミクロンの厚さの基部誘電体層を積層した。

[00031]そして、両極性構造金属電極が、７０重量％のＰｄ／３０重量％のＡｇからなる金属電極インクを用いて、誘電体層上にスクリーン印刷された。スクリーン印刷された電極層は、同様に、濾過された温風を用いて乾燥させた。

[00032]最後に、１５ミクロンの厚さの誘電体層が、印刷された電極の上部に成形された。ウェット状態の積層体は乾燥させられ、単一化（ｓｉｎｇｕｌａｔｅ）され、そして、接着剤焼却サイクルによって有機物成分を除去するために熱処理された。

[00033]結果として得られた未加工の静電部品は、セラミックチップを得るために、１１３０°Ｃにおいて６時間にわたって焼結された。

[00034]チップの両端は、ファイヤオン銀ペースト（ｆｉｒｅ−ｏｎ ｓｉｌｖｅｒ ｐａｓｔｅ）を用いて終端処理された。

[00035]そして、終端部は、静電部品をはんだ付けによって取り付けるのを可能にするために、ＮｉおよびＳｎからなる連続層で電気めっきされる。これまでに説明したプロセスは、産業界において多層セラミックコンデンサを製造するときに幅広く使用されており、当業者にはよく知られているものである。図４はチップの写真である。

[00036]チップの性能は、複数の静電部品の端から端に高い電圧を印加するためにめっきされたメタライゼーションを備えた基板上にこれらのチップを１１個フローはんだ付けすることによって評価された。静電部品は並列構成で接続された。そして、長方形ウェーハ・グレード高純度シリコンピース（５０ｍｍ×５ｍｍ×０．８ｍｍ）が、チップ上に直接に配置された。結果として得られたデバイスは、高電圧供給源に接続され、チップは、５００Ｖにおいて帯電させられた。吸着力を実証するために、デバイスは裏返しにされ、シリコンピースは、静電部品によってしっかりと保持された。シリコンピースは、電圧が取り除かれるとすぐに保持が解除され、それによって、デチャッキングが実証された。

[00037]これまでに説明した設計の大きな利点は、ウェーハチャック支持構造体を個別型静電吸着部品から分離することによって実現され、それによって、個別型静電吸着部品およびウェーハチャック支持構造体の両方を、それら自身の機能に関して独立して最適化することができる。その他の有益な特徴には、次のことが含まれる。
１）支持構造体は、ＳｉＣ、または、Ｓｉ−ＳｉＣの複合材料、あるいは、低熱膨張率、高熱伝導率、高ヤング率、および、シリコンウェーハを熱的および機械的に安定的に支持するための低密度を備えた何らかのその他の周知の材料から製造されることができる。支持構造体は、限定はされないが、内部に存在する水およびヘリウム冷却チャンネルを含む内部特徴を含むことができる。
２）個別型静電部品は、誘電体層間に挟まれた金属電極を用いて作ることができる。これらの個別型部品は、強い静電吸着力、短いデチャッキング時間、および、高いデバイス信頼性をもたらすために、要求に合わせた誘電特性を備えた幅広い誘電体複合材料の中から製造され得る。
３）これらの個別型部品は、様々な本体寸法で組み立てることができる。したがって、静電ウェーハチャックは、設計によって必要とされるならば、数個または数千個の個別部品を実装することができる。また、シリコンウェーハチャックは、種々の本体寸法を備えた個別型部品を実装することができる。
４）それぞれの個別型部品によって加えられる静電吸着力の強さは、印加電圧を変化させることによって独立して調節され得る。そのため、すべての部品を最適な静電吸着力に較正することによって、シリコンウェーハの平坦度調節を行うことを可能にする。
５）それぞれの個別型部品は使用前に十分に検査され、不具合のある部品は容易に取り替えることができるため、デバイスを長寿命化することができ、その結果として、コストを減少させることができる。

[00038]さらに、それぞれの静電吸着部品は、少なくとも１つの電極を含むので、静電チャック全体は、必然的に複数の電極を含むはずである。電極は互いに電気的に絶縁されるので、それらの電極は同じ電位にまで上昇させなくてもよい。静電チャックのある特定の領域に存在する電極が、その他の電極よりも高い電位にまで上昇させられた場合、より高い電位を有する領域は、その他の領域よりも強い静電力を及ぼすが、静電力以外については同じままである。静電チャックの表面上に存在する領域に応じて静電力の強さを要求に合わせるこの能力は、きわめて有益である。

[00039]さらに、異なる電位を異なる静電吸着部品に施さなくてもよい。単一の静電吸着部品は複数の電極を含んでもよく、それぞれの電極は異なる電位にまで加圧される。一対の電極が等しくかつ逆の電荷を与えられると、これらの電極は、互いに対して「両極性」であると言われる。この電極構成は、静電吸着力を加えるためにウェーハに電気的に外部と接触することを必要とせず、また、正味電荷がウェーハに蓄積されない。チャッキングおよびデチャッキングは迅速である。また、正味電流が、両極性デバイスを流れることはなく、デバイスが損傷する危険性を除去する。

[00040]当業者は、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書で説明された本発明に様々な変更を加えてもよいことがわかるはずである。

Claims (15)

1. （ａ）チャック支持構造体と、
   （ｂ）複数の静電部品部材と
   を備える静電チャックであって、
   前記複数の静電部品のうちの複数の部材が互いに個別的なものであり、前記複数の静電部品のすべてが前記チャック支持構造体に取り付けられ、前記複数の静電部品のうちの少なくとも一部が、前記チャック支持構造体に取り外し可能に取り付けられ、前記複数の静電部品のそれぞれが、電気的絶縁材料に取り付けられた少なくとも１つの電極を備えている、静電チャック。
2. （ａ）チャック支持構造体と、
   （ｂ）複数の静電部品と、
   （ｃ）基板と
   を備える静電チャックであって、
   前記複数の静電部品が互いに個別的なものであり、前記複数の静電部品のそれぞれが、電気的絶縁材料上に存在する電極に取り付けられた少なくとも１つの終端部を備えており、
   前記チャック支持構造体が、前記基板の一方の面に取り付けられ、前記複数の静電部品のすべてが、前記基板の反対の面に取り付けられ、さらに、前記複数の静電部品のうちの少なくともいくつかが、前記基板に取り外し可能に取り付けられている、静電チャック。
3. 前記複数の静電部品のうちの少なくとも１つが多極性である、請求項１または２に記載の静電チャック。
4. 前記取り外し可能に取り付けることが、ろう付け、はんだ付け、または、導電性エポキシ樹脂によるものである、請求項１または２に記載の静電チャック。
5. 前記ろう付け、前記はんだ付け、または、前記導電性エポキシ樹脂を用いた取り付けが、前記チャック支持構造体上または前記基板上に配置された金属層に対してなされる、請求項４に記載の静電チャック。
6. 前記ろう付けまたは前記はんだ付けが、前記チャック支持構造体内または前記基板内に含まれる内部メタライゼーションに対してなされる、請求項１または２に記載の静電チャック。
7. 前記複数の静電部品が、クラスI、II、または、IIIの誘電体組成を備えている、請求項１または２に記載の静電チャック。
8. 当該静電チャックに実装された前記複数の静電部品が、すべて同じ寸法を有する、請求項１または２に記載の静電チャック。
9. 当該静電チャックに実装された前記複数の静電部品が、異なる寸法を有する、請求項１または２に記載の静電チャック。
10. 当該静電チャックに実装された前記複数の静電部品が、すべて同じ組成を有する、請求項１または２に記載の静電チャック。
11. 当該静電チャックに実装された前記複数の静電部品が、異なる組成を有する、請求項１または２に記載の静電チャック。
12. 前記チャック支持構造体が、低い熱膨張率、高い熱伝導率、高いヤング率、および、小さい密度を有する少なくとも１つの材料を含む、請求項１または２に記載の静電チャック。
13. 前記チャック支持構造体が炭化ケイ素を含む、請求項１または２に記載の静電チャック。
14. 前記チャック支持構造体が、シリコンまたは炭化ケイ素を含む複合材料を含む、請求項１または２に記載の静電チャック。
15. 静電チャックを製造する方法であって、
    （ａ）チャック支持構造体および複数の個別型静電部品を用意するステップと、
    （ｂ）前記個別型静電部品を検査するステップと、
    （ｃ）前記チャック支持構造体に前記複数の個別型静電部品を実装するステップであり、前記検査するステップを前記実装するステップの前に実施し、さらに、前記検査に合格しなかった前記個別型静電部品は、前記個別型静電部品が前記チャック支持構造体に実装される前に取り替えられる、前記実装するステップと
    を備える方法。

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