JPWO2013047555A1 - 静電チャック装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2011年9月28日に、日本に出願された特願2011−212955号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、プラズマエッチング装置の構造や方式の違い等により、ウエハの面内温度分布に差が生じる。
そこで、ウエハの面内温度分布を小さくするために、静電チャック部と冷却ベース部との間に形成された渦巻き状または蛇行状のヒーターパターンを、内側ヒーターパターンと外側ヒーターパターンの2ゾーンのヒーターパターンとし、各ゾーンのヒーターパターンを個別に制御したヒータ機能付き静電チャック装置(例えば、特許文献1等参照)、ヒーターパターンを上下方向に複数層形成することにより、ウエハの吸着面の面内温度分布を小さくしたセラミックヒータ(例えば、特許文献2等参照)等が提案されている。
確かに、ヒーターパターンを複数のゾーンに分割し、各ゾーンのヒーターパターンを個別に制御すれば、ウエハの面内温度分布における温度差は小さくなるものの、現在のプラズマエッチング技術が要求するウエハの面内温度分布をさらに均一化することが難しいという問題点があった。より高効率かつより大面積の微細加工が求められている今日では、進歩するプラズマエッチング技術に対応してウエハの面内温度分布をさらに均一化することは現段階では難しいのが現状である。
この静電チャック装置では、ヒーターパターンと島状部とを、ヒーターパターンの断面積より小さな断面積を有する接続部で接続したことにより、加熱部材を構成するヒーターパターンと島状部とが等電位となり、ヒーターパターンと島状部と接続部とを含む加熱部材全体の高周波の透過性及び電位差が均一化される。よって、板状試料上におけるプラズマ密度が均一化され、板状試料のプラズマエッチングの面内均一性が向上する。
この静電チャック装置では、ヒーターパターン及び島状部、または接続部を、非磁性金属材料としたことにより、このヒーターパターン及び島状部、または接続部のパターン形状が板状試料に反映され難くなり、板状試料の面内温度が所望の温度パターンに維持し易くなる。
この静電チャック装置では、ヒーターパターン及び島状部、または接続部を、絶縁性の有機系接着材層により静電チャック部及び冷却ベース部に接着一体化したことにより、この絶縁性の有機系接着材層が静電チャック部と冷却ベース部との間の応力及び熱膨張差を緩和する。
ヒーターパターン及び島状部、または接続部を、絶縁性の有機系接着材層により静電チャック部及び冷却ベース部に接着一体化することにより、この絶縁性の有機系接着材層により静電チャック部と冷却ベース部との間の応力及び熱膨張差を緩和することができる。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
図1は、本発明の第1の実施形態の静電チャック装置を示す断面図であり、この静電チャック装置1は、円板状の静電チャック部2と、この静電チャック部2を所望の温度に冷却する厚みのある円板状の冷却ベース部3と、静電チャック部2と冷却ベース部3との間に設けられ所定の形状のヒーターパターンを有するヒータエレメント(加熱部材)4と、このヒータエレメント4の上面を静電チャック部2の下面に接着させた絶縁性の有機系接着材層5及びヒータエレメント4の下面を冷却ベース部3の上面に接着させた絶縁性の有機系接着材層6とにより構成されている。
この載置板11の載置面には、直径が板状試料の厚みより小さい突起部(図示略)が複数個形成されており、これらの突起部が板状試料Wを支える構成になっている。
このセラミックス焼結体としては、体積固有抵抗が1013〜 1015Ω・cm程度で機械的な強度を有し、しかも腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性を有するものであれば特に制限されるものではなく、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体、窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)複合焼結体等が好適に用いられる。
この静電吸着用内部電極13は、その熱膨張係数が載置板11及び支持板12の熱膨張係数に出来るだけ近似していることが好ましく、この様な電極材料としては、例えば、炭化ケイ素(SiC)導電性焼結体、窒化チタン(Ti3N4)導電性焼結体、炭化チタン(TiC)導電性焼結体、酸化アルミニウム−炭化タンタル(Al2O3−Ta4C5)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−タングステン(Al2O3−W)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タングステン(AlN−W)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タンタル(AlN−Ta)導電性複合焼結体等の導電性セラミックス、または、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)等の高融点金属、あるいは、グラファイト、カーボン等の炭素材料により形成されている。
その理由は、厚みが0.1μm未満であると、面積抵抗が大きくなりすぎて充分な導電性を確保することができず、一方、厚みが100μmを越えると、この静電吸着用内部電極13と載置板11及び支持板12との間の熱膨張率差に起因して、この静電吸着用内部電極13と載置板11及び支持板12との接合界面にクラックが入り易くなるからである。
このような厚みの静電吸着用内部電極13は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいはスクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。
この給電用端子15の材料としては、耐熱性に優れた導電性材料であれば特に制限されるものではないが、熱膨張係数が静電吸着用内部電極13及び支持板12の熱膨張係数に近似したものが好ましく、例えば、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、コバール合金等の金属材料、各種の導電性セラミックスが好適に用いられる。
この給電用端子15は、絶縁性の有機系接着材層5、6及び冷却ベース部3を貫通し、外部の電源(図示略)に接続されている。
この冷却ベース部3内には、水や有機溶媒等の冷却用媒体を循環させる流路18が形成され、上記の載置板11上に載置される板状試料Wの温度を所望の温度に維持することができるようになっている。
この冷却ベース部3の少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理が施されているか、あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
このヒータエレメント4は、非磁性金属薄板、例えば、チタン(Ti)薄板、タングステン(W)薄板、モリブデン(Mo)薄板等を所望の形状のヒーターパターン21にエッチング加工することで形成される。
また、一定厚みの非磁性金属薄板でヒーターパターン21を形成すると、ヒーターパターン21の厚みが加熱面全域で一定となり、発熱量も加熱面全域で一定となって温度分布を均一化することができる。
この島状部24は、ヒーターパターン21と同一の非磁性金属薄板、例えば、チタン(Ti)薄板、タングステン(W)薄板、モリブデン(Mo)薄板等を所望の形状の島状パターンにエッチング加工することで形成される。
この島状部24の個数及び配置は、板状試料Wを載置する載置面11aにおける面内温度分布が均一化されるように、適宜設定される。
この島状部24とヒーターパターン21との間隔は、島状部24がヒーターパターン21から電気的に独立することができる程度の間隔であればよく、500μm以上かつ3000μm以下、好ましくは1000μm以上かつ2000μm以下である。
このように、ヒーターパターン21を相互に独立した2つ以上のヒーターパターンにより構成すると、これら相互に独立したヒーターパターンを個々に制御することにより、処理中の板状試料Wの温度を自由に制御することができるので、好ましい。
これら絶縁性の有機系接着材層5、6の間に、さらに第3の絶縁性の有機系接着材層を設けることにより、これらの絶縁性の有機系接着材層を3層構造とし、この3層構造の絶縁性の有機系接着材層を介して静電チャック部2及び冷却ベース部3を接着一体化してもよい。この第3の絶縁性の有機系接着材層としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
ここで、絶縁性の有機系接着材層5、6の面内の厚みのバラツキが10μmを超えると、ヒータエレメント4と静電チャック部2との面内間隔、及びヒータエレメント4と冷却ベース部3との面内間隔に10μmを超えるバラツキが生じ、その結果、静電チャック部2と冷却ベース部3との間における熱の面内均一性が低下し、静電チャック部2の載置面11aにおける面内温度が不均一となり、板状試料Wの面内温度の均一性が低下するので、好ましくない。
この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子は、有機系接着材層の熱伝導性を改善するために混入されたもので、その混入率を調整することにより、有機系接着剤層5、6各々の熱伝達率を制御することができる。
また、窒化アルミニウム(AlN)粒子の表面に酸化ケイ素(SiO2)からなる被覆層が形成されているので、表面被覆が施されていない単なる窒化アルミニウム(AlN)粒子と比較して、優れた耐水性を有している。したがって、有機系接着剤層5、6の耐久性を確保することができ、その結果、静電チャック装置1の耐久性を飛躍的に向上させることができる。
この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子は、半導体ウエハ等の板状試料Wへの汚染源となる虞もない。
ここで、この表面被覆窒化アルミニウム(AlN)粒子の平均粒径が1μmを下回ると、粒子同士の接触が不十分となり、結果的に熱伝達率が低下する虞があり、また、粒径が細か過ぎると、取扱等の作業性の低下を招くこととなり、好ましくない。一方、平均粒径が10μmを越えると、局所的には有機系接着剤層内における樹脂組成物の占める割合が減少し、有機系接着剤層の伸び性、接着強度の低下を招く虞がある。
まず、酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体、窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)複合焼結体等により板状の載置板11及び支持板12を作製する。
例えば、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)複合焼結体により載置板11及び支持板12を作製する場合、炭化ケイ素粉体及び酸化アルミニウム粉体を含む混合粉体を所望の形状に成形し、その後、例えば1600℃〜2000℃の温度、非酸化性雰囲気、好ましくは不活性雰囲気下にて所定時間、焼成することにより得ることができる。
次いで、給電用端子15を、支持板12の固定孔に密着固定し得る大きさ、形状となるように作製する。この給電用端子15の作製方法としては、例えば、給電用端子15を導電性複合焼結体とした場合、導電性セラミックス粉体を、所望の形状に成形して加圧焼成する方法等が挙げられる。
この導電性セラミックス粉体としては、静電吸着用内部電極13と同様の材質からなる導電性セラミックス粉体が好ましい。
また、給電用端子15を金属とした場合、高融点金属を用い、研削法、粉体治金等の金属加工法等により形成する方法等が挙げられる。
この塗布法としては、均一な厚さに塗布することができる点で、スクリーン印刷法、スピンコート法等が望ましい。また、他の方法としては、支持板12の表面の所定領域に、上記の高融点金属薄膜を蒸着法あるいはスパッタリング法により成膜する方法、上記の導電性セラミックスあるいは高融点金属からなる薄板を配設し、エッチング加工により所定形状の静電吸着用内部電極形成層とする方法等がある。
この絶縁材層は、例えば、載置板11及び支持板12と同一組成または主成分が同一の絶縁材料粉体を有機溶媒に分散した塗布液を、上記所定領域にスクリーン印刷等で塗布し、乾燥することにより形成することができる。
また、給電用端子15は、高温、高圧下でのホットプレスで再焼成され、支持板12の固定孔に密着固定される。
そして、これら接合体の上下面、外周およびガス穴等を機械加工し、静電チャック部2とする。
これにより、支持板12の表面(下面)に所望のヒーターパターン21と、このヒーターパターン21から独立した島状部24とからなるヒータエレメント4が絶縁性の有機系接着材層5を介して形成されたヒータエレメント付き静電チャック部が得られる。
次いで、この給電用端子22をヒータエレメント4に電気的に接続する。接続方法としては、ネジもしくは溶接による方法が挙げられる。
この冷却ベース部3の少なくともプラズマに曝される面には、アルマイト処理を施すか、あるいはアルミナ等の絶縁膜を成膜することが好ましい。
次いで、静電チャック部2を上方から所定の圧力にて押圧し、静電チャック部2と冷却ベース部3とを、ヒーターパターン21と島状部24とからなるヒータエレメント4及び絶縁性の有機系接着材層5、6を介して接着一体化する。
以上により、静電チャック部2、ヒータエレメント4及び絶縁性の有機系接着材層5と、冷却ベース部3及び絶縁性の有機系接着材層6とは、接合一体化され、本実施形態の静電チャック装置1が得られることとなる。
また、静電チャック部2と冷却ベース部3とを、ヒーターパターン21と島状部24とからなるヒータエレメント4及び絶縁性の有機系接着材層5、6を介して接着一体化したので、絶縁性の有機系接着材層5、6により静電チャック部2と冷却ベース部3との間の応力及び熱膨張差を緩和することができる。
図3は、本発明の第2の実施形態の静電チャック装置の第1の実施形態の領域Aに対応する位置におけるヒータエレメント(加熱部材)31を示す平面図であり、本実施形態のヒータエレメント31が図2に示す第1の実施形態のヒータエレメント4と異なる点は、第1の実施形態のヒータエレメント4では、ヒーターパターン21間に形成された隙間部分23に、ヒーターパターン21から電気的に独立した島状部24を設けたのに対し、本実施形態のヒータエレメント31では、ヒーターパターン21と島状部24とを、このヒーターパターン21の断面積より小さな断面積を有しかつヒーターパターン21及び島状部24と同一の材料組成からなる接続部32により接続した点であり、この他の構成要素については、第1の実施形態のヒータエレメント4と全く同様である。
一方、ヒーターパターン21は、幅が10mm(10000μm)以下、好ましくは3mm(3000μm)以下、厚みが300μm以下、好ましくは100μm以下の1本の帯状の金属材料からなるもので、その断面積は3,000,000μm2以下、好ましくは300,000μm2以下である。
したがって、この接続部32の断面積は、ヒーターパターン21の断面積より小さいものとなっている。
また、ヒーターパターン21の一部を拡張し、この拡張部分に穴を形成して隙間部分とし、この隙間部分に、ヒーターパターン21から独立した島状部24を設けた構成としてもよい。
(静電チャック装置の作製)
公知の方法により、内部に厚み10μmの静電吸着用内部電極13が埋設された静電チャック部2を作製した。
この静電チャック部2の載置板11は、炭化ケイ素を10質量%含有する酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体であり、直径は300mm、厚みは0.5mmの円板状であった。
これら載置板11及び支持板12を静電吸着用内部電極13及び絶縁材層14を介して接合一体化した後に機械加工を施し、さらに載置板11の静電吸着面を、高さが40μmの多数の突起部を形成することで凹凸面とすることにより、全体の直径が300mm、厚みが4mmの静電チャック部2を作製した。
次いで、この絶縁性の有機系接着材層5上に、厚みが100μmのチタン(Ti)薄板を貼着し、静電チャック部2とチタン(Ti)薄板とを接着固定した。
これにより、ヒータエレメント付き静電チャック部が得られた。
これにより、絶縁性の有機系接着材層付き冷却ベース部が得られた。
この静電チャック装置の載置面における面内温度分布を測定し、評価した。評価方法及び評価結果は下記のとおりである。
「面内温度分布」
静電チャック部2の載置面11aに直径300mmのシリコンウエハを静電吸着させ、冷却ベース部3の流路18に20℃の冷却水を循環させながら、シリコンウエハの中心温度が60℃となるようにヒータエレメント4に通電し、このときのシリコンウエハの面内温度分布をサーモグラフィTVS−200EX(日本アビオニクス社製)を用いて測定した。その結果、シリコンウエハの一直径方向の中心温度と周縁部の温度との差は1℃であり、±1℃以内であった。
チタン(Ti)薄板を、フォトリソグラフィー法により所定のヒーターパターン21、島状部24及び接続部32にエッチング加工し、ヒータエレメント31とした他は、実施例1と同様にして、実施例2の静電チャック装置を作製した。
次いで、この静電チャック装置の載置面における面内温度分布を実施例1に準じて測定し、評価した。その結果、シリコンウエハの一直径方向の中心温度と周縁部の温度との差は1℃であり、±1℃以内であった。
チタン(Ti)薄板をフォトリソグラフィー法により、渦巻き状のヒーターパターンにエッチング加工してヒータエレメントとした他は、実施例1と同様にして、比較例の静電チャック装置を作製した。
次いで、この静電チャック装置の載置面における面内温度分布を実施例1に準じて測定し、評価した。その結果、シリコンウエハの一直径方向の中心温度と周縁部の温度との差は2℃であり、±2℃の範囲を超えていた。
実施例1〜2及び比較例各々の静電チャック装置におけるプラズマ均一性の評価を行った。
ここでは、上記の静電チャック装置をプラズマエッチング装置の処理容器内に搭載し、この静電チャック装置の載置面に板状試料を載置した。この板状試料としては、表面にレジスト膜が成膜された直径300mm(12インチ)のウエハを用いた。
そして、このウエハを直流2500V印加による静電吸着により載置面に固定しつつ、プラズマを発生させ、レジスト膜のアッシング処理を行った。この処理容器内は0.7Pa(5mTorr)のO2ガス(100sccmにて供給)雰囲気とし、プラズマ発生用の高周波電力は周波数100MHz、2kW とし、また、冷却ガス導入孔より静電チャック装置の載置板11とウエハとの隙間に所定の圧力(15Torr)のHeガスを流し、冷却ベース部3の流路18に20℃の冷却水を流した。
これらの評価結果によれば、実施例1の静電チャック装置では、エッチング量がウエハの中心部から外周部までほぼ同一であったが、島状部上でわずかに増加していた。また、実施例2の静電チャック装置では、エッチング量がウエハの中心部から外周部までほぼ同一であり、最もプラズマ均一性に優れていることが分かった。
2 静電チャック部
3 冷却ベース部
4 ヒータエレメント(加熱部材)
5、6 絶縁性の有機系接着材層
11 載置板
11a 載置面
12 支持板
13 静電吸着用内部電極
14 絶縁材層
15 給電用端子
18 流路
21 ヒーターパターン
22 給電用端子
23 隙間部分
24 島状部
31 ヒータエレメント(加熱部材)
32 接続部
A 領域
W 板状試料
Claims (4)
- 一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵してなる静電チャック部と、前記静電チャック部を冷却する冷却ベース部とを備え、
前記静電チャック部と前記冷却ベース部との間に所定の形状のヒーターパターンを有する加熱部材を設け、前記ヒーターパターンの隙間部分、前記ヒーターパターンの内部のいずれか一方または双方に、前記ヒーターパターンから独立しかつ前記ヒーターパターンと同一の材質からなる島状部を1つ以上設けてなることを特徴とする静電チャック装置。 - 前記ヒーターパターンと前記島状部とは、前記ヒーターパターンの断面積より小さな断面積を有する接続部により接続してなることを特徴とする請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記ヒーターパターン及び前記島状部、または前記接続部は、非磁性金属材料からなることを特徴とする請求項1または2記載の静電チャック装置。
- 前記ヒーターパターン及び前記島状部、または前記接続部は、絶縁性の有機系接着材層により前記静電チャック部及び前記冷却ベース部に接着一体化されていることを特徴とする請求項1または2項記載の静電チャック装置。
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CN105789094B (zh) * | 2016-03-30 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干蚀刻装置及降低其内屏蔽环与吸附平台间缝隙的方法 |
JP6666809B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-03-18 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
JP6807217B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
JP6341457B1 (ja) | 2017-03-29 | 2018-06-13 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US10688750B2 (en) * | 2017-10-03 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Bonding structure of E chuck to aluminum base configuration |
JP6489195B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-03-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
WO2019104040A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | Watlow Electric Manufacturing Company | Dual-purpose vias for use in ceramic pedestals |
KR102543933B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2023-06-14 | 램 리써치 코포레이션 | 냉각제 가스 존들 및 대응하는 그루브 및 단극성 정전 클램핑 전극 패턴들을 갖는 정전 척들 |
JP7430489B2 (ja) * | 2019-01-16 | 2024-02-13 | セメス株式会社 | 静電チャック、静電チャック装置 |
JP7221737B2 (ja) * | 2019-03-04 | 2023-02-14 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
CN112366166B (zh) * | 2020-10-19 | 2024-03-01 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种获取静电吸盘图案的方法及晶圆中心的校正方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106317A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Sony Corp | 試料台 |
JPH08274147A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JPH11502062A (ja) * | 1995-03-10 | 1999-02-16 | ラム リサーチ コーポレイション | 多層型の静電チャック及びその製造方法 |
JPH11220008A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2002313900A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板保持構造体および基板処理装置 |
JP2010040644A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2010129766A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US20100193501A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Mattson Technology, Inc. | Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4009006B2 (ja) | 1998-04-15 | 2007-11-14 | 株式会社アルバック | ホットプレート |
US6462928B1 (en) * | 1999-05-07 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved electrical connector and method |
KR20010111058A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
JP3713220B2 (ja) | 2001-06-15 | 2005-11-09 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ |
US6538872B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having heater and method |
JP4119211B2 (ja) | 2002-09-13 | 2008-07-16 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
JP5143184B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2013-02-13 | 日本碍子株式会社 | ウエハー載置装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-09-26 US US14/345,967 patent/US9209061B2/en active Active
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- 2012-09-26 KR KR1020147006351A patent/KR101800337B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106317A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Sony Corp | 試料台 |
JPH11502062A (ja) * | 1995-03-10 | 1999-02-16 | ラム リサーチ コーポレイション | 多層型の静電チャック及びその製造方法 |
JPH08274147A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JPH11220008A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2002313900A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板保持構造体および基板処理装置 |
JP2010040644A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2010129766A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US20100193501A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Mattson Technology, Inc. | Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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