JP5053696B2 - 静電チャック - Google Patents
静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP5053696B2 JP5053696B2 JP2007117411A JP2007117411A JP5053696B2 JP 5053696 B2 JP5053696 B2 JP 5053696B2 JP 2007117411 A JP2007117411 A JP 2007117411A JP 2007117411 A JP2007117411 A JP 2007117411A JP 5053696 B2 JP5053696 B2 JP 5053696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrostatic chuck
- adhesive layer
- silicone rubber
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
従って本発明の目的は、絶縁性能及び低パーティクル性能が従来以上に優れた、静電チャックを提供することにある。
また、前記4つの接着剤層のうち、少なくとも1層の接着剤層が設けられていると共に、該接着剤層が、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、石英粉からなる群より選ばれる少なくとも一つの熱伝導性付与剤を含むことが好ましい。
また、金属基板2と、リード線11a、11b及び導電性パターン6との間の絶縁性を確保するために、穴1には封止剤12が装填されている。封止剤12は、例えば、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系等の公知の封止剤の中から適宜選択して使用することができる。
本発明で使用する金属基板は、耐久性があるだけでなく発塵によって半導体回路を汚染しない金属からなることが好ましい。そのような金属としては、例えば、アルミニウム、アルマイト及びジュラルミン等が挙げられる。
第1絶縁層は、熱伝導率が0.5W/mK以上、好ましくは1W/mK以上、特に好ましくは3W/mK以上の熱伝導性シリコーンゴムからなる。この熱伝導率が低すぎると、イオンビームの注入により発生する熱によるウェハの温度上昇を抑えることが困難となるので、ウェハの温度を均一かつ一定にして、ウェハに熱ダメージを与えることなく安定したイオン注入を行うことができなくなる場合が生じる。また熱伝導率は、シリコーンゴムとしての特性が生かされる限り高いほど好ましく、例えば、熱伝導率が10W/mK程度の熱伝導性シリコーンゴムも好適に用いることができる。なお、第1絶縁層に用いられる熱伝導性シリコーンゴムの硬さ及び表面粗さは、特に制限されることはない。
接着剤層には、熱伝導性を高める目的で、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、石英粉等の熱伝導性付与剤を配合してもよい。これらの熱伝導性付与剤は、単独で用いても二種以上を組み合わせて用いてもよい。
導電性パターンは、静電チャックがウェハを吸着するときの電極として作用する。その材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、タングステン等の金属、窒化チタン等の導電性セラミックスが挙げられる。
導電性パターンの厚さは1〜100μmであることが好ましく、特に10〜50μmであることが好ましい。厚さがこの範囲であると、導電性パターンの機械的強度が確保されるので、第2絶縁層及び第3絶縁層を積層する工程や、導電性パターンに電圧供給用のリード線をハンダ付けにより接合する工程で、導電性パターンが破損するのを防止することができる上、無駄に厚くすることなく導電性パターンの機械的強度や電気的性能を確保することができるので、材料コストの面からも有利である。
導電性パターンは、第1絶縁層上に直接形成されるか、又は、図1に示されるように、第1絶縁層上に接着剤層を介して形成(積層)される。接着剤層の成分及び厚さ等は、金属基板と第1絶縁層との間の接着剤層の場合と同様でよい。
第2絶縁層は、絶縁性ポリイミドフィルムからなる。この第2絶縁層の存在により、スパッター金属をウェハとの間に挟み込んでも、絶縁異常が発生することを抑えることができる。上記の絶縁性ポリイミドフィルムとしては、例えば、カプトン(商品名、東レ・デュポン(株)製)、アピカル(商品名、鐘淵化学工業(株)製)、ユーピレックス(商品名、宇部興産(株)製)が挙げられる。
第3絶縁層は、補強性シリカ配合シリコーンゴムからなる。この第3絶縁層により、本発明の静電チャックがウェハと接触したり擦れた場合にパーティクルが発生することを抑えることができる。上記第3絶縁層に用いられる補強性シリカ配合シリコーンゴムは、平均粒子径0.5μm未満の熱伝導性充填剤を含み、平均粒子径0.5μm以上の熱伝導性充填剤を含まないことが必要であり、平均粒子径0.2μm以上の熱伝導性充填剤を含まないことが好ましい。平均粒子径0.5μm以上の熱伝導性充填剤を含むと、ウェハと接触したり擦れた場合に脱落してパーティクルが発生することが懸念される。第3絶縁層の硬さは、通常50以上であり、好ましくは60〜95である。50未満では表面の粘着性が強くなり、ウェハにゴムが移行するおそれがある。また、引張強さは、通常5MPa以上であり、好ましくは6〜15MPaである。5MPa未満ではゴムの強度が不足するので、ウェハの吸着を繰り返すことによってゴムが破壊するおそれがある。
また、補強性シリカ配合シリコーンゴムには、公知の着色剤、耐熱性付与剤、難燃性付与剤等の添加剤を配合してもよい。これらは単独で用いても二種以上を組み合わせて用いてもよい。
各絶縁層及び導電性パターンの説明中で記載したとおり、金属基板と第1絶縁層との間の接着剤層、第1絶縁層と導電性パターンとの間の接着剤層、導電性パターンと第2絶縁層との間の接着剤層、及び第2絶縁層と第3絶縁層との間の接着剤層は、形成される場合には、それぞれ独立に、シリコーンゴム系接着剤若しくはアクリル系接着剤等の接着剤、又は、シランカップリング剤若しくはチタン系カップリング剤等を含有するプライマーを含んでなる層であり、その厚さは0.1〜30μmの範囲であることが好ましい。厚さがこの範囲であると、接着剤層の熱伝導性が低下せず、静電チャックとしての放熱性が十分に確保される。また、接着剤層には、熱伝導性を高める目的で、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、石英粉等の熱伝導性付与剤を配合してもよい。これらの熱伝導性付与剤は、単独で用いても二種以上を組み合わせて用いてもよい。
以下、参考例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの参考例によって制限されるものではない。
図1に示す構造を有する静電チャックを次のようにして作製した。
電解銅箔(厚さ35μm)の片面に、接着剤としてプライマーNo24T(商品名、信越化学工業(株)製)を、ハケを用いて塗布し、室温で30分間風乾して、接着剤層5(厚さ10μm)を得た。接着剤層5と、窒化ホウ素が配合された熱伝導性シリコーンゴムTC−65BG(商品名、信越化学工業(株)製、厚さ650μm、熱伝導率4W/mK)の未加硫シートからなる第1絶縁層4とを貼り合わせ、圧力5MPa、温度170℃で10分間プレス接着させた。その後、前記電解銅箔を化学エッチングして、図2に示す形状の導電性パターン6(銅電極)を第1絶縁層4上に形成させた。
最後に、上記積層複合シートの導電性パターン6にPTFE被覆電線11a及び11bをハンダ付けし、更に封止剤12としてエポキシ系封止剤セミコート114A(商品名、信越化学工業(株)製)を穴1に装填し、120℃で5時間硬化させて静電チャックを作製した。
次のように条件を変更したこと以外は、参考例1と同様にして静電チャックを作製した。
(1)補強性シリカ配合シリコーンゴムAの未加硫シートからなる第3絶縁層10の代わりに、オルガノポリシロキサン(組成、ジメチルシロキサン単位99.85モル%、メチルビニルシロキサン単位0.15モル%からなる平均重合度8000のメチルビニルポリシロキサン)100質量部に、比表面積200m2/gの煙霧質シリカAerosil200(商品名、日本アエロジル(株)製)50質量部、及び2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン0.7質量部が配合された補強性シリカ配合シリコーンゴムB(厚さ120μm、硬さ63、引張強さ8.8MPa、表面粗さ0.5μm)の未加硫シートからなる第3絶縁層10を用いた。
(2)厚さ25μmのポリイミドフィルムからなる第2絶縁層8の代わりに、厚さ12.5μmのポリイミドフィルム(アピカル、商品名、鐘淵化学工業(株)製)からなる第2絶縁層8を用いた。
接着剤層7及び接着剤層3として使用した液状シリコーンゴム系接着剤KE1825の代わりに、熱伝導性シリコーンゴム系接着剤KE1862(商品名、信越化学工業(株)製)を用いたこと以外は、参考例1と同様にして静電チャックを作製した。
(冷却性能)
参考例1〜3で得られた各静電チャックについて、冷却性能を評価した。評価には冷却性能試験器を使用した。図3は、冷却性能試験器の構成の概略を示す縦断面図である。図3における符合13は静電チャック、符合14はチャンバー、符合15は台、符合16は冷却管、符合17はウェハ、符合18は電源である。静電チャック13はチャンバー14内の台15の上に装着され、台15に設けられた冷却管に冷却水を循環させ、静電チャック13を冷却した。ウェハ17を静電チャック13の上に設置した後、チャンバー14内の圧力を0.01Torrに減圧した。次いで、電源18から静電チャック13に、±500Vの直流電圧を供給し、静電チャック13上にウェハ17を静電吸着させて固定した。
次いで、ヒーター19を用いてウェハ17を150℃に加熱した後、5℃の冷却水を冷却管16内で循環させた。ウェハ17の温度が平衡状態になった時に、表面温度計20を用いてウェハ17表面の温度を測定した。結果を表1に示す。
参考例1〜3で得られた各静電チャックについて、絶縁性能を評価した。評価には耐電圧試験器を使用した。図4は、耐電圧試験器の構成の概略を示す縦断面図である。図4に示すように、静電チャック13を電源21と接続し、ウェハ17を静電チャック13の上に設置した後、±10kVの直流電圧を10分間印加して、絶縁破壊が発生するか否かを観察した。結果を表1に示す。
参考例1〜3で得られた各静電チャックについて、パーティクル性能を評価した。評価にはイオン注入装置を使用した。静電チャックをイオン注入装置に装着し、吸着電圧±1200V、注入熱量0.5W/cm2、ドーズ量5×1015ions/cm2、注入時間500秒の条件で、8インチのウェハにイオン注入を行ったところ、ウェハの温度を60℃に保った状態で、良好なイオン注入を行うことができた。また、ウェハへの金属不純物の付着量を、全反射蛍光X線分析によって定量分析した結果、何れの測定点においても、金属不純物(Cu、Fe、Cr、Al、Na、Niなど)は5×1010atoms/cm2以下と、良好な結果であった。更に、パーティクルカウンターにより、ウェハ裏面に付着した0.16μm以上のパーティクルの数を測定した。結果を表1に示す。
第3絶縁層10として使用した補強性シリカ配合シリコーンゴムAの代わりに、平均粒子径が4μmであるアルミナが配合された熱伝導性シリコーンゴムTC−20A(商品名、信越化学工業(株)製、厚さ200μm、硬さ70、熱伝導率1.1W/mK、表面粗さ1μm)を用いたこと以外は、参考例1と同様にして静電チャックを作製した。
第2絶縁層8及び接着剤層7を形成させなかったこと以外は、比較例1と同様にして静電チャックを作製した。この場合、プライマーCを、第1絶縁層4/接着剤層5/導電性パターン6/接着剤層7/第2絶縁層8からなる積層複合シートのポリイミドフィルム(第2絶縁層8)側に塗布する代わりに、第1絶縁層4/接着剤層5/導電性パターン6からなる積層複合シートの導電性パターン6側に塗布し、第2絶縁層8及び接着剤層7を設けなかった。
参考例1〜3の静電チャックの評価と同様にして、比較例1及び2で得られた各静電チャックについて冷却性能と絶縁性能とパーティクル性能を評価した。その結果を表2に示す。
参考例の静電チャックと比較例2の静電チャックとの間で冷却性能に大きな差はなく、本発明の静電チャックが比較例2の場合よりも絶縁層が多いにもかかわらず、冷却性能に優れることが確認された。
一方、絶縁性能の評価においては、表1に示すとおり、参考例の静電チャックでは絶縁破壊が発生しなかったのに対し、比較例2の静電チャックでは第3絶縁層で絶縁破壊が発生した。このことから、本発明の静電チャックは絶縁性能に優れることが確認された。
また、パーティクル性能の評価においては、表1に示すとおり、参考例の静電チャックではパーティクルの数が少なかったのに対し、比較例1及び2の静電チャックではパーティクルの数が桁違いに多かった。このことから、本発明の静電チャックはパーティクル性能に優れることが確認された。
2 金属基板
3 接着剤層
4 第1絶縁層
5 接着剤層
6 導電性パターン
7 接着剤層
8 第2絶縁層
9 接着剤層
10 第3絶縁層
11a、11b リード線
12 封止剤
13 静電チャック
14 チャンバー
15 台
16 冷却管
17 ウェハ
18 電源
19 ヒーター
20 表面温度計
21 電源
Claims (5)
- 金属基板、該金属基板上に直接又は接着剤層を介して形成された熱伝導率が0.5W/mK以上である、厚みが300〜800μmの熱伝導性シリコーンゴムからなる第1絶縁層、該第1絶縁層上に直接又は接着剤層を介して形成された導電性パターン、該導電性パターン上に直接又は接着剤層を介して形成された絶縁性ポリイミドフィルムからなる第2絶縁層、該第2絶縁層上に直接又は接着剤層を介して形成された第3絶縁層からなると共に、該第3絶縁層が、厚みが10〜150μmの範囲であり、補強性シリカとして、BET比表面積が50m2/g以上の煙霧質シリカ(乾式シリカ)が配合され、平均粒子径0.5μm未満の熱伝導性充填剤を含み、平均粒子径0.5μm以上の熱伝導性充填剤を含まないシリコーンゴムからなる層であることを特徴とする静電チャック。
- 前記第3絶縁層が、硬さが50以上かつ引張強さが5MPa以上であって表面粗さが5μm以下である、請求項1に記載された静電チャック。
- 前記第2絶縁層の厚さが5〜50μmの範囲である、請求項1又は2に記載された静電チャック。
- 前記4つの接着剤層のうち、少なくとも1層の接着剤層が設けられていると共に、該接着剤層が、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、石英粉からなる群より選ばれる少なくとも一つの熱伝導性付与剤を含む、請求項1〜3のいずれかに記載された静電チャック。
- 前記第3絶縁層が、平均粒子径0.2μm未満の熱伝導性充填剤を含み、平均粒子径0.2μm以上の熱伝導性充填剤を含まないシリコーンゴムからなる、請求項1〜4の何れかに記載された静電チャック。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007117411A JP5053696B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 静電チャック |
DE602008002009T DE602008002009D1 (de) | 2007-04-26 | 2008-04-22 | Elektrostatische Klammer |
EP08251479A EP1986228B1 (en) | 2007-04-26 | 2008-04-22 | Electrostatic chuck |
US12/108,650 US7940512B2 (en) | 2007-04-26 | 2008-04-24 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007117411A JP5053696B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277446A JP2008277446A (ja) | 2008-11-13 |
JP5053696B2 true JP5053696B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=39739432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007117411A Expired - Fee Related JP5053696B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 静電チャック |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7940512B2 (ja) |
EP (1) | EP1986228B1 (ja) |
JP (1) | JP5053696B2 (ja) |
DE (1) | DE602008002009D1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102132209B (zh) * | 2008-08-21 | 2014-07-16 | Asml控股股份有限公司 | 具有高热传导率的euv掩模版基底 |
US9520314B2 (en) * | 2008-12-19 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck bonding adhesive |
EP2434619B1 (en) * | 2010-09-22 | 2018-11-14 | General Electric Technology GmbH | Arrangement of conducting bar ends |
BR112013007656B1 (pt) * | 2010-09-30 | 2020-08-25 | Abb Schweiz Ag | composição iniciadora de silicone, seus usos e seu método de produção |
WO2012132691A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 日立化成工業株式会社 | 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置 |
WO2012147931A1 (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-01 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US9685356B2 (en) * | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
JP6140457B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 接着方法、載置台及び基板処理装置 |
JP5890795B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2016-03-22 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
JP6616607B2 (ja) | 2015-07-14 | 2019-12-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 静電アクチュエータおよび静電アクチュエータの製造方法 |
US10570257B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Copolymerized high temperature bonding component |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
EP3530709B1 (en) * | 2016-10-14 | 2022-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermally conductive composite silicone rubber sheet and method for manufacturing same |
US20190115241A1 (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Applied Materials, Inc. | Hydrophobic electrostatic chuck |
JP7090481B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-06-24 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
US11373890B2 (en) * | 2018-12-17 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Wireless in-situ real-time measurement of electrostatic chucking force in semiconductor wafer processing |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5964245A (ja) | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Fujitsu Ltd | 静電チヤツク |
JP2634343B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1997-07-23 | 信越化学工業株式会社 | 半導体ウェーハの保持方法 |
JP3386831B2 (ja) * | 1992-10-27 | 2003-03-17 | ジーイー東芝シリコーン株式会社 | フルオロシリコーンゴム組成物 |
JP3789586B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2006-06-28 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
JP3172671B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2001-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
JP2004031938A (ja) * | 1996-03-04 | 2004-01-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック |
JP3428836B2 (ja) * | 1996-11-19 | 2003-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
JPH10209256A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置およびその製造方法 |
US6166897A (en) | 1997-01-22 | 2000-12-26 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Static chuck apparatus and its manufacture |
JPH11297804A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック |
JP3611018B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2005-01-19 | 信越化学工業株式会社 | フロロシリコーンゴム組成物 |
JP3599634B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2004-12-08 | 信越化学工業株式会社 | イオン注入機用静電チャック |
JP2002324834A (ja) * | 2002-04-03 | 2002-11-08 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤 |
JP2004269757A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Uchiyama Mfg Corp | ガスケット用ゴム部材 |
EP1615972B1 (en) | 2003-04-15 | 2009-11-11 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Thermoconductive addition-curable liquid silicone rubber composition and coated fixing roll |
JP4565491B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2010-10-20 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性付加硬化型液状シリコーンゴム組成物 |
JP2004352947A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化型熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
US20060079634A1 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | RTV heat conductive silicone rubber compositions |
JP4386360B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2009-12-16 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
JP4381393B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック |
-
2007
- 2007-04-26 JP JP2007117411A patent/JP5053696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-22 DE DE602008002009T patent/DE602008002009D1/de active Active
- 2008-04-22 EP EP08251479A patent/EP1986228B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-24 US US12/108,650 patent/US7940512B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008277446A (ja) | 2008-11-13 |
US7940512B2 (en) | 2011-05-10 |
EP1986228A1 (en) | 2008-10-29 |
DE602008002009D1 (de) | 2010-09-16 |
EP1986228B1 (en) | 2010-08-04 |
US20080266746A1 (en) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5053696B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4386360B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4381393B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4301468B2 (ja) | 耐熱熱伝導性シリコーンゴム複合シート及びその製造方法 | |
JP4572243B2 (ja) | 熱伝導性積層体およびその製造方法 | |
JP6261287B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6008063B1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP3599634B2 (ja) | イオン注入機用静電チャック | |
CN108604569B (zh) | 静电卡盘装置 | |
JP2000114358A (ja) | 静電チャック装置 | |
TW432435B (en) | Wafer holder of ion implantation apparatus | |
JP2003060020A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP6112236B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP3789586B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2004031938A (ja) | 静電チャック | |
JP6796569B2 (ja) | 熱伝導性複合シートの製造方法 | |
JP6616363B2 (ja) | 保持装置 | |
WO2023189699A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP5482631B2 (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110121 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110818 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20111104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5053696 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |