JP5985316B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマエッチング装置に関する。

従来、基台（サセプタ）と静電チャックとの間に、基台と静電チャックとを接合する接合層を有するプラズマエッチング装置がある。また、静電チャックと接合層と基台とを貫通して形成される貫通穴が設けられ、貫通穴に露出した基台を覆うようにセラミックの管が設けられ、セラミックの管の内部にシリコンウエハなどの試料を昇降させるためのプッシャーピンが設けられたプラズマエッチング装置がある。セラミックの管は、例えば、接合層により静電チャックと接続される。

特開２０１１−１５１３３６号公報

しかしながら、上述の技術では、接合層が消耗するという問題がある。例えば、セラミックの管の上端部からプラズマが侵入すると、侵入したプラズマによってセラミックの管と静電チャックとの間にある接合層が消耗する。

開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、基台を有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、前記基台の載置面に配置されて被処理体が載置される静電チャックを有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、前記基台と前記静電チャックとを接合する接合層を有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、前記静電チャック内に設けられたヒーターを有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、前記静電チャックと前記接合層と前記基台とを貫通して形成される貫通穴を有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、前記貫通穴において前記基台及び前記接合層の露出面を覆うように設けられ、前記静電チャックの下部と接触する弾性部材を有する。また、開示するプラズマエッチング装置は、一つの実施態様において、基台側から静電チャック側への押圧力を前記弾性部材にかける付勢部材を有する。

開示するプラズマエッチング装置の一つの態様によれば、接合層の消耗を防止可能となるという効果を奏する。

図１は、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置の全体像を示す断面図である。 図２は、第１の実施形態における半導体ウエハ、静電チャック、サセプタ、フォーカスリング及びシール部材の位置関係を示す断面図である。 図３は、第１の実施形態における弾性部材と付勢部材と貫通穴との位置関係について示す図である。 図４は、緩和部を有する弾性部材の実施形態の一例を示す図である。 図５は、第１の部分及び第２の部分とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分及び第２の部分以外の部分がセラミックで形成される実施形態の一例を示す図である。 図６は、第１の部分及び第２の部分とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分及び第２の部分以外の部分がセラミックで形成される実施形態の一例を示す図である。

以下に、開示するプラズマエッチング装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施例により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

（第１の実施形態）
第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置は、実施形態の一例において、基台と、基台の載置面に配置されて被処理体が載置される静電チャックと、基台と静電チャックとを接合する接合層と、静電チャック内に設けられたヒーターと、静電チャックと接合層と基台とを貫通して形成される貫通穴とを有する。また、１の実施形態に係るプラズマエッチング装置は、実施形態の一例において、貫通穴において基台及び接合層の露出面を覆うように設けられ、静電チャックの下部と接触する弾性部材と、基台側から静電チャック側への押圧力を弾性部材にかける付勢部材とを有する。

また、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置は、実施形態の一例において、弾性部材が、フッ素ゴムから形成される。

また、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置は、実施形態の一例において、付勢部材が、弾性部材の下部に接触する板状部材を有し、板状部材と基台とを連結するネジ部材を有する。

また、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置は、実施形態の一例において、基台は、接合層及び静電チャックが設けられた載置面の周囲に周辺凸部を有し、周辺凸部の側面と、静電チャックの側面と、基台の底面とのうち、少なくとも２箇所と接触するシール部材を有する。

（第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成）
図１は、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置の全体像を示す断面図である。図２は、第１の実施形態における半導体ウエハ、静電チャック、サセプタ、フォーカスリング及びシール部材の位置関係を示す断面図である。

図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、チャンバー１を有する。チャンバー１は、外壁部に、導電性のアルミニウムで形成される。図１に示す例では、チャンバー１は、半導体ウエハ２をチャンバー１内に搬入又は搬出するための開口部３と、気密にシールする封止体を介して開閉可能なゲートバルブ４とを有する。封止体とは、例えば、Ｏリングである。

図１には示されていないが、チャンバー１には、ゲートバルブ４を介して、ロードロック室が連設される。ロードロック室には、搬送装置が設けられる。搬送装置は、半導体ウエハ２をチャンバー１内に搬入又は搬出する。

また、チャンバー１は、側壁底部に、開口してチャンバー１内を減圧するための排出口１９を有する。排出口１９は、例えばバタフライ・バルブなどの開閉弁を介して図示しない真空排気装置に接続される。真空排気装置とは、例えば、ロータリーポンプ又はターボ分子ポンプ等である。

また、図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、チャンバー１の内部の底面中央部に、基台支持台５を有する。プラズマエッチング装置１００は、基台支持台５の上部に基台１０を有する。図１及び図２に示すように、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上部に静電チャック９を有する。また、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上部に、静電チャック９を取り囲むように設けられるフォーカスリング２１を有する。

また、図１及び図２に示すように、基台１０は、静電チャック９が設置される箇所と比較して、箇所の周辺の高さが高い。以下では、静電チャック９が設置される箇所と比較して高さが高い箇所を周辺凸部と称する。また、図２に示すように、静電チャック９の側面と、基台１０の周辺凸部と、サセプタの底辺とのうち、少なくとも２箇所と接触するシール部材２２を有する。シール部材２２は、例えば、Ｏリングである。

また、プラズマエッチング装置１００は、基台１０の上方かつチャンバー１の上部には、上部電極５０を有する。上部電極５０は、電気的に接地される。上部電極５０には、ガス供給管５１を介して処理ガスが供給され、上部電極５０の底壁に複数個穿設された放射状の小穴５２より半導体ウエハ２方向に処理ガスが放出する。ここで、高周波電源１２をＯＮにされることで、放出された処理ガスによるプラズマが上部電極５０と半導体ウエハ２との間に生成される。なお、処理ガスとは、例えば、ＣＨＦ３、ＣＦ４などである。

ここで、プラズマエッチング装置１００の各部について更に説明する。基台支持台５は、アルミニウム等の導電性部材で円柱形状に形成される。基台支持台５は、冷却媒体を内部に留める冷媒ジャケット６が内部に設けられる。冷媒ジャケット６には、冷却媒体を冷媒ジャケット６に導入するための流路７１と、冷却媒体を排出するための流路７２とが、チャンバー１の底面に気密に貫通して設けられる。

なお、以下では、冷媒ジャケット６が基台支持台５の内部に設けられる場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、冷媒ジャケット６が、基台１０の内部に設けられても良い。冷媒ジャケット６は、後述するように、チラー７０により冷却媒体が循環されることで、基台１０や基台支持台５の温度を制御する。

基台支持台５の上部に設けられる基台１０は、アルミニウムよりも熱膨張率の低い材料で形成される。例えば、基台１０は、静電チャック９の材料と熱望率が同等となる材料を用いて形成される。基台１０を形成する金属は、例えば、チタン、コバール、インバー、スーパーインバー、ノビナイトの少なくとも１つを含む。基台１０は、ブロッキング・コンデンサ１１を介して高周波電源１２と接続される。高周波電源１２は、例えば、１３．５６ＭＨｚ又は４０ＭＨｚ等の高周波電源である。

図１及び図２に示すように、基台１０と静電チャック９とは、接合層２０によって接合される。接合層２０は、静電チャック９と基台１０との応力緩和の役割を果たすとともに、基台１０と静電チャック９とを接合する。接合層２０を「メタライズ層」とも称する。接合層２０は、金属ろうを用いて形成される。金属ろうは、アルミニウムよりも熱膨張率の低い金属を用いて形成される。金属ろうは、例えば、銀と銅とチタンの合金とろう剤との混合物であったり、金と銅とチタンとの合金とろう剤との混合物であったりする。ただし、これは一例であって、これに限定されるものではない。

静電チャック９は、例えば、セラミック製（線熱膨張率；略７．１×１０−６（ｃｍ／ｃｍ／度））で形成される。静電チャック９は、電極板９ｂとヒーター９ａとを内部に有する。静電チャック９は、上面に半導体ウエハ２が載置される。

図１に示すように、電極板９ｂは、導電線２５の一端側に接続され、導電線２５の他端側が給電棒２６に接続される。導電線２５は、基台１０に内蔵されたテフロン（登録商標）等の絶縁部材により周囲を覆われる。給電棒２６は、例えば、銅で形成され、２００Ｖ〜３ＫＶの高電圧を給電する。また、給電棒２６は、チャンバー１の底面に気密かつ絶縁して貫通され、電磁スイッチ２８を介して高電圧電源２７に接続される。また、電磁スイッチ２８は図示しない装置を制御する制御信号によりＯＮ又はＯＦＦされる。

また、基台１０と基台支持台５と接合層２０と静電チャック９には、貫通穴１６が設けられる。貫通穴１６の内部には、電気的に抵抗又はインダクタンスを介して接地されたプッシャーピン１５が設けられる。プッシャーピン１５は、チャンバー１を気密にするとともに伸縮可能としたべローズ１７を介して上下移動手段となるエアーシリンダ１８に接続される。また、プッシャーピン１５は、ロードロック室の搬送装置より半導体ウエハ２の受渡しを行い、静電チャック９に半導体ウエハ２を接離する際に、エアーシリンダ１８により上下移動する。半導体ウエハ２をチャンバー１内に受け渡す場合の搬入動作を説明する。ゲートバルブ４が開き、開口部３より搬送装置が半導体ウエハ２をチャンバー１内に搬入する。次に、プッシャーピン１５が貫通穴１６を介して上昇し半導体ウエハ２の裏面を支持し、搬送装置から半導体ウエハ２を持ち上げる。その後、搬送装置は開口部３よりロードロック室へ戻り、プッシャーピン１５が貫通穴１６を介して下降することで半導体ウエハ２が静電チャック９上に載置される。最後にゲートバルブ４が閉まることで半導体ウエハ２がチャンバー１内に受け渡される。半導体ウエハ２をチャンバー１内から取り出す際の搬出動作を説明する。ゲートバルブ４が開き、プッシャーピン１５が貫通穴１６を介して上昇することで半導体ウエハ２が静電チャック９上から持ち上げられる。開口部３から搬送装置がチャンバー１内に入り、プッシャーピン１５上に支持されている半導体ウエハ２の下側まで来る。次に、プッシャーピン１５が貫通穴１６を介して下降し半導体ウエハ２が搬送装置に載置される。その後、搬送装置は開口部３よりロードロック室へ戻り、半導体ウエハ２がチャンバー内から搬出される。

基台１０及び静電チャック９には、伝熱媒体を半導体ウエハ２の裏面に均一に供給するための貫通穴１３ａが複数設けられる。貫通穴１３ａは、貫通穴１３ａにかかるＨｅガスの圧力を均一にするためのガス溜め室１３に接続される。ガス溜め室１３は、伝熱媒体をチャンバー１の外部より導入するための供給管１４に接続される。伝熱媒体とは、例えば、不活性ガスとしてのＨｅガスである。ただし、これに限定されるものではなく、任意のガスを用いて良い。

また、図１に示すように、プラズマエッチング装置１００は、冷媒ジャケット６に冷却媒体を循環させるチラー７０を有する。具体的には、チラー７０は、冷却媒体を流路７１から冷媒ジャケット６に送り込み、冷媒ジャケット６から出てきた冷却媒体を流路７２から受け付ける。

また、プラズマエッチング装置１００の各構成部は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ９０に接続されて制御される。プロセスコントローラ９０には、工程管理者がプラズマエッチング装置１００を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザインタフェース９１が接続される。

また、プロセスコントローラ９０には、プラズマエッチング装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部９２が接続される。

また、ユーザインタフェース９１からの指示等にて任意のレシピを記憶部９２から呼び出され、プロセスコントローラ９０が実行することで、プロセスコントローラ９０の制御下で、プラズマエッチング装置１００での所望の処理が行われても良い。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。プロセスコントローラ９０は、「制御部」とも称する。なお、プロセスコントローラ９０の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されても良く、ハードウエアを用いて動作することにより実現されても良い。

（貫通穴１６）
プラズマエッチング装置１００は、弾性部材１１０と付勢部材１２０とを貫通穴１６に更に有する。なお、貫通穴１６は、上述したように、貫通穴１６内部をプッシャーピン１５が上限動作するためのものである。

図３は、第１の実施形態における弾性部材と付勢部材と貫通穴との位置関係について示す図である。なお、図３に示す例では、弾性部材１１０と付勢部材１２０と貫通穴１６との位置関係を示す上で不要な部分については、適宜省略した。

図３に示すように、弾性部材１１０は、静電チャック９と接合層２０と基台１０とを貫通して形成される貫通穴１６において、基台１０及び接合層２０の露出面を覆うように設けられる。また、弾性部材１１０は、静電チャック９の下部と接触する。

ここで、静電チャック９と接合層２０と弾性部材１１０との関係について補足する。図３に示す例では、弾性部材１１０は、静電チャック９の下面に押しつけられる。言い換えると、静電チャック９の下面のうち弾性部材１１０が押しつけられる箇所には、接合層２０は設けられていない。この結果、接合層２０は、貫通穴１３ａにおいて露出していない。弾性部材１１０は、例えば、フッ素ゴムから形成される。

付勢部材１２０は、基台１０側から静電チャック９側への押圧力を弾性部材１１０にかける。図３に示す例では、付勢部材１２０は、弾性部材１１０の下部に接触する板状部材１２１を有し、板状部材１２１と基台１０とを連結するネジ部材１２２を有する。板状部材１２１は、例えば、セラミックで形成される。ただし、これに限定されるものではない。例えば、板状部材１２１は、弾性部材１１０と同様の材料を用いて形成されても良い。

図３に示す例では、付勢部材１２０のネジ部材１２２が基台１０に設けられたねじ穴１２３に嵌められることで、板状部材１２１と基台１０とが連結される。ここで、板状部材１２１は、静電チャック９側への押圧力を弾性部材１１０に与えており、ネジ部材１２２により基台１０に連結されることで、静電チャック９側への押圧力が継続して弾性部材１１０に与えられるようになる。

なお、図３に示す例では、ネジ部材１２２をねじ穴１２３に嵌めた場合において、ねじ穴１２３の底に余っている空間１２３ａがある場合を例に示したが、これに限定されるものではない。

上述したように、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１００は、基台１０と、基台１０の載置面に配置されて被処理体が載置される静電チャック９と、基台１０と静電チャック９とを接合する接合層２０と、静電チャック９内に設けられたヒーター９ａとを有する。また、プラズマエッチング装置１００は、静電チャック９と接合層２０と基台１０とを貫通して形成される貫通穴１６を有する。また、プラズマエッチング装置１００は、貫通穴１６において基台１０及び接合層２０の露出面を覆うように設けられ、静電チャック９の下部と接触する弾性部材１１０と、基台１０側から静電チャック９側への押圧力を弾性部材１１０にかける付勢部材１２０とを有する。この結果、接合層２０の消耗を防止可能となる。

すなわち、例えば、基台と静電チャックとを貫通する貫通穴にセラミックの管を配置し、セラミックの管と静電チャックとの間に接合層を設けてセラミックの管と静電チャックとを固定するとともに、セラミックの管と静電チャックの壁面とを接着剤で接着する接着手法がある。接着手法を用いてプラズマエッチング装置では、セラミックの管の上端部からプラズマが侵入すると、侵入したプラズマによってセラミックの管と静電チャックとの間にある接合層が消耗することがある。すなわち、セラミックの管の上端部からプラズマが侵入し、静電チャックと基台との間の接合層が消耗し、消耗された部分が熱の特異点（ホットスポット）となることがある。この場合、熱の特異点においてプラズマエッチング特性が変動してしまう。また、接着手法を用いてプラズマエッチング装置では、接合層が消耗した場合、補修しようとしても、セラミックの管が基台に接着されている。この結果、セラミックの管を取り外すことは、静電チャックと基台を破壊するのと同じになってしまい、下部電極を再生することができない。

例えば、プラズマエッチング装置では、半導体ウエハを静電チャック上に載置しない状態でチャンバー内にプラズマを発生させることで、プラズマクリーニングを行うことがある。この結果、貫通穴からプラズマが侵入してセラミックの管と静電チャックの間の接合層が消耗する。また、使用時間などにより消耗が進行しある程度進んでしまうと、ホットスポットになる。この場合、上述したように、下部電極を交換することになる。

このような接着手法を用いるプラズマエッチング装置と比較して、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１００によれば、弾性部材１１０を静電チャック９に押しつけることで固定し、接合層２０が露出していない。この結果、接合層２０の消耗を防止可能となる。言い換えると、接合層２０が消耗する前に、弾性部材１１０が消耗することになり、接合層２０の消耗を防止することが可能となる。また、弾性部材１１０が接着剤により基台１０に固定されておらず、弾性部材１１０がプラズマにより消耗したとしても、接合層２０が消耗する前に容易に交換することが可能となる。また、弾性部材１１０は下側から付勢されているため、プラズマにより消耗した量だけその付勢力によりその消耗部分に弾性部材１１０が補われる。この結果、下部電極を交換することなく再生することができ、長期間使用することが可能となる。

また、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１００では、弾性部材１１０が、フッ素ゴムから形成される。また、付勢部材１２０は、弾性部材１１０の下部に接触する板状部材１２１を有し、板状部材１２１と基台１０とを連結するネジ部材１２２を有する。すなわち、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１００によれば、フッ素ゴム管を接着することなく、板状部材１２１のネジ止めにより下側から押圧し、接合層２０を保護する。この結果、フッ素ゴムがプラズマにより消耗しても、ネジ部材１２２をはずして弾性部材１１０を交換することが可能となる。これにより、下部電極を長時間使用することが可能となる。

また、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１００によれば、基台１０は、接合層２０及び静電チャック９が設けられた載置面の周囲に周辺凸部を有し、周辺凸部の側面と、静電チャック９の側面と、基台１０の底面とのうち、少なくとも２箇所と接触するシール部材を更に具備する。この結果、接合層２０がプラズマから適切に保護される。

（その他の実施形態）
以上、第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置及び制御方法について説明したが、これに限定されるものではない。以下では、他の実施形態について説明する。

（緩和部）
例えば、プラズマエッチング装置１００では、実施形態の一例において、弾性部材１１０が、押圧力を緩和するための緩和部を有する筒状に形成される。図４は、緩和部を有する弾性部材の実施形態の一例を示す図である。

図４に示すように、弾性部材１１０は、押圧力を緩和するための緩和部１１１を有しても良い。この結果、付勢部材１２０によって弾性部材１１０を確実に静電チャック９に押しつけつつ、弾性部材１１０が静電チャック９に押しつけられる力により静電チャック９が接合層２０から剥離することを防止することが可能となる。

また、例えば、プラズマエッチング装置１００では、実施形態の一例において、緩和部１１１は、筒状に形成された弾性部材１１０に設けられたくびれ、又は、筒状に形成された弾性部材１１０に設けられた穴である。この結果、弾性部材１１０に押圧力を緩和するための緩和部１１１を簡単に設けることが可能となる。

（弾性部材）
また、例えば、プラズマエッチング装置１００では、実施形態の一例において、弾性部材１１０のうち、付勢部材１２０と接触する第１の部分と、静電チャック９の下部と接触する第２の部分とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分と第２の部分以外の部分がセラミックで形成される。

図５及び図６は、第１の部分及び第２の部分とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分及び第２の部分以外の部分がセラミックで形成される実施形態の一例を示す図である。図５に示す例では、弾性部材１１０は、第１の部分１１２と、第２の部分１１４とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分１１２及び第２の部分１１４以外の部分１１３がセラミックで形成される。また、図６に示す例では、弾性部材１１０は、第１の部分１１５と、第２の部分１１７とがフッ素ゴムから形成され、第１の部分１１５及び第２の部分１１７以外の部分１１６がセラミックで形成される。

図６における第１の部分１１５及び第２の部分１１７の厚みが、図５における第１の部分１１２及び第２の部分１１４と比較して薄い場合を例に示した。図６に示す例では、第１の部分１１５及び第２の部分１１７のうち一方又は両方が、Ｏリングで形成されても良い。また、図５及び図６を用いて説明した場合には、第１の部分及び第２の部分以外の部分がセラミックで形成される場合を例に示したが、これに限定されるものではない。

（基台）
また、例えば、第１の実施形態では、基台１０がアルミニウムよりも熱膨張率の低い材料で形成される場合を用いて説明したが、これに限定されるものではない。基台１０は、例えば、下部電極としてアルミニウム等の導電性部材（Ａｌの線熱膨張率；略２３．５×１０−６（ｃｍ／ｃｍ／度））で形成されても良い。

（接合層）
また、例えば、第１の実施形態では、接合層２０が、メタライズ層である場合を用いて説明したが、これに限定されるものではない。接合層２０は、例えば、室温硬化性のシリコンゴムのＲＴＶゴムであっても良い。この場合、例えば、常温にて基台１０と接合層２０の接合面６１又は静電チャック９と接合層２０の接合面６２の少なくとも一方に室温硬化性のシリコンゴムを均一に塗布し、他方の接合面を接触させることで接合される。

（貫通穴）
また、例えば、第１の実施形態では、プッシャーピン１５が設けられる貫通穴１６を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、伝熱媒体を半導体ウエハ２の裏面に均一に供給するための貫通穴１３ａについて、貫通穴１６と同様の構成としても良い。すなわち、プラズマエッチング装置１００は、貫通穴１３ａにおいて基台１０及び接合層２０の露出面を覆うように設けられ、静電チャック９の下部と接触する弾性部材と、基台１０側から静電チャック９側への押圧力を弾性部材１１０にかける付勢部材１２０とを有しても良い。

１ チャンバー
５ 基台支持台
６ 冷媒ジャケット
９ 静電チャック
９ａ ヒーター
１０ 基台
１５ プッシャーピン
１６ 貫通穴
２０ 接合層
１００ プラズマエッチング装置
１１０ 弾性部材
１１１ 緩和部
１２０ 付勢部材
１２１ 板状部材
１２２ ネジ部材

Claims (6)

1. 基台と、
   前記基台の載置面に配置されて被処理体が載置される静電チャックと、
   前記基台と前記静電チャックとを接合する接合層と、
   前記静電チャック内に設けられたヒーターと、
   前記静電チャックと前記接合層と前記基台とを貫通して形成される貫通穴と、
   前記貫通穴において前記基台及び前記接合層の露出面を覆うように設けられ、前記静電チャックの下部と接触する弾性部材と、
   基台側から静電チャック側への押圧力を前記弾性部材にかける付勢部材と
   を具備し、
   前記付勢部材は、前記弾性部材の下部に接触する板状部材を有し、
   前記板状部材と前記基台とを連結するネジ部材をさらに具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
2. 前記弾性部材は、フッ素ゴムから形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
3. 前記弾性部材は、前記押圧力を緩和するための緩和部を有する筒状に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマエッチング装置。
4. 前記緩和部は、前記筒状に形成された前記弾性部材に設けられたくびれ、又は、前記筒状に形成された前記弾性部材に設けられた穴であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
5. 前記弾性部材のうち、前記付勢部材と接触する第１の部分と、前記静電チャックの下部と接触する第２の部分とがフッ素ゴムから形成され、前記第１の部分と第２の部分以外の部分がセラミックで形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
6. 前記基台は、前記接合層及び前記静電チャックが設けられた前記載置面の周囲に周辺凸部を有し、
   前記周辺凸部の側面と、前記静電チャックの側面と、前記基台の底面とのうち、少なくとも２箇所と接触するシール部材を更に具備することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。

Images