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Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung, die zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, insbesondere eines Siliziumwafers, eingerichtet ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung. Anwendungen der Erfindung sind bei der Bereitstellung von Geräten oder Werkzeugen zur Halterung von Bauteilen mit elektrostatischen Kräften, insbesondere für die Halterung von Halbleiter-Bauteilen, zum Beispiel von Siliziumwafern, gegeben.
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Haltevorrichtungen zur elektrostatischen Halterung von Bauteilen, die auch als elektrostatische Haltevorrichtungen, elektrostatische Klemmvorrichtungen, elektrostatische Clamps, ESC's oder elektrostatische Chucks bezeichnet werden, sind allgemein bekannt. Eine wichtige Anwendung elektrostatischer Haltevorrichtungen ist bei der Halterung von Siliziumwafern in der lithographischen Halbleiterprozessierung, zum Beispiel in der Chip-Produktion, gegeben, wobei die besonderen Vorteile der elektrostatischen Halterung, wie die einfache Schaltung von elektrostatischen Halte- oder Klemmkräften, eine hohe Positioniergenauigkeit und die zuverlässige Fixierung von Siliziumwafern, ausgenutzt werden.
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Typischerweise weist eine elektrostatische Haltevorrichtung eine Struktur mit mehreren platten- oder schichtförmigen Elementen auf, die verschiedene Funktionen erfüllen (siehe z. B.
US 4 502 094 oder
US 8 476 167 ). Mindestens ein plattenförmiges Element ist mit einer Elektrodeneinrichtung ausgestattet, mit der die elektrostatischen Haltekräfte erzeugt werden. Gemäß
US 8 476 167 umfasst die Elektrodeneinrichtung eine Vielzahl von Elektroden, die zwischen den plattenförmigen Elementen eingebettet sind. Des Weiteren weist eine elektrostatische Haltevorrichtung typischerweise mindestens an ihrer Oberseite eine Vielzahl von vorstehenden oberen Noppen auf, die eine Auflagefläche für den Siliziumwafer bilden.
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Eine herkömmliche elektrostatische Haltevorrichtung mit eingebetteten Elektroden, z. B. gemäß
US 8 476 167 , hat die folgenden Nachteile. Da die elektrostatische Haltekraft vom Abstand zwischen dem Siliziumwafer und den Elektroden abhängt, werden zur Erzeugung einer hohen Haltekraft Noppen mit einer möglichst geringen Höhe (z. B. < 10 μm) verwendet. Dadurch steigt jedoch die Empfindlichkeit gegenüber unerwünschten Partikeln, die zwischen den Noppen ggf. nicht genügend Platz finden und die Ebenheit der Siliziumwafer-Auflage beeinträchtigen können. Alternativ kann die Haltekraft vergrößert werden, indem die Elektrodenspannung erhöht wird, was jedoch mit Risiken in Bezug auf elektrische Durchschläge oder andere Fehlfunktionen verbunden ist. Des Weiteren kann, da die Elektroden in den Abständen zwischen den Noppen angeordnet sind, der gehaltene Siliziumwafer zwischen den Auflagepunkten unerwünscht stark verformt werden. Weitere Nachteile können in Bezug auf die thermische und mechanische Ankopplung des gehaltenen Siliziumwafers bestehen. Beispielsweise kann der Siliziumwafer dazu neigen, trotz hoher Haltekraft seitlich entlang der Ausdehnung der Auflagefläche zu rutschen.
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Die genannten Nachteile treten nicht nur bei elektrostatischen Haltevorrichtungen für Siliziumwafer, sondern auch bei Haltevorrichtungen mit eingebetteten Elektroden für andere Bauteile auf, wie z. B. für Glasplatten mit transparenter Elektrode (ITO), die AMLCD-Substrate bilden.
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Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte elektrostatische Haltevorrichtung bereitzustellen, mit der Nachteile herkömmlicher Techniken vermieden werden. Die Haltevorrichtung soll insbesondere eine Verringerung der Haltespannung ohne Beeinträchtigung der elektrostatischen Haltekräfte, eine verringerte Empfindlichkeit gegenüber unerwünschten Partikeln, geringere Deformationen des gehaltenen Bauteils, eine verbesserte mechanische Ankopplung des Bauteils und/oder eine verbesserte thermische Ankopplung des Bauteils ermöglichen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung der elektrostatischen Haltevorrichtung bereitzustellen, mit dem Nachteile herkömmlicher Techniken vermieden werden und das sich insbesondere durch eine vereinfachte Verfahrensführung auszeichnet.
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Diese Aufgaben werden jeweils durch eine Haltevorrichtung und durch ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Gemäß einem ersten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung wird eine Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, insbesondere eines Siliziumwafers, bereitgestellt, das einen Grundkörper umfasst, der aus einer ersten Platte und einer zweiten Platte zusammengesetzt ist, wobei die erste Platte an einer Oberseite des Grundkörpers angeordnet ist und die zweite Platte die erste Platte trägt und wobei die zweite Platte aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt ist. An der ersten Platte sind obere, an der Oberseite des Grundkörpers vorstehende Noppen vorgesehen, deren oberen Stirnseiten eine Auflagefläche für das Bauteil aufspannen. Des Weiteren umfasst die Haltevorrichtung eine erste Elektrodeneinrichtung mit einer Vielzahl von ersten Elektroden, die an der Oberseite des Grundkörpers zur Beaufschlagung mit einer elektrischen Haltespannung angeordnet sind. Gemäß der Erfindung ist die erste Platte aus einer elektrisch leitfähigen, Si-basierten Keramik hergestellt und mit einer oberen Platten-Isolationsschicht versehen, welche die Oberseite des Grundkörpers, einschließlich der oberen Noppen bedeckt. Des Weiteren umfassen die ersten Elektroden Elektrodenschichten, die auf den oberen Noppen, insbesondere auf deren Stirnseiten, angeordnet sind und jeweils eine obere Elektroden-Isolationsschicht tragen.
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Vorteilhafterweise wird erfindungsgemäß der Abstand der Elektroden vom zu halternden Bauteil minimiert, wodurch die Höhe der Noppen im Vergleich zu herkömmlichen Techniken vergrößert werden kann, ohne dass die Haltekraft beeinträchtigt wird. Gleichzeitig wird durch die Verwendung der oberen Platte des Grundkörpers, die Si-basierte Keramik umfasst, und die relativ dünne Elektroden-Isolationsschicht auf den Elektroden die thermische Ankopplung mit dem zu halternden Bauteil verbessert. Die genannten Merkmale ermöglichen in ihrer Kombination eine Halterung des Bauteils mit hoher thermischer und mechanischer Stabilität und Ebenheit. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht in der Möglichkeit, die Zeit zur Herstellung der Haltevorrichtung zu verringern, da die Haltevorrichtung aus einer relativ geringeren Anzahl von Teilen gefertigt werden kann.
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Gemäß einem zweiten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung wird die Haltevorrichtung gemäß dem obigen ersten allgemeinen Gesichtspunkt der Erfindung hergestellt, indem die erste Platte mit den oberen Noppen und die zweite Platte vorgefertigt werden, die obere Platten-Isolationsschicht auf der ersten Platte abgeschieden wird, die ersten Elektroden und die oberen Elektroden-Isolationsschichten auf den oberen Noppen der ersten Platte abgeschieden wird, und die ersten Platte mit der zweiten Platte zusammengefügt wird.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Haltevorrichtung zur elektrostatischen Fixierung auf einer Trägerplattform eingerichtet. Hierzu weist die Haltevorrichtung eine dritte Platte auf, die an einer Unterseite des Grundkörpers gegenüberliegend zur ersten Platte an der zweiten Platte angeordnet ist und ebenfalls aus einer elektrisch leitfähigen, Si-basierten Keramik hergestellt ist. Vorzugsweise ist die dritte Platte aus der gleichen Keramik hergestellt wie die erste Platte. Des Weiteren sind an der dritten Platte eine Vielzahl von vorstehenden, unteren Noppen vorgesehen, die an der Unterseite des Grundkörpers vorstehen und deren unteren Stirnseiten eine Stützfläche für die Haltevorrichtung auf der Trägerplattform aufspannen. Eine zweite Elektrodeneinrichtung mit einer Vielzahl von zweiten Elektroden ist an der Unterseite des Grundkörpers angeordnet, wobei die zweiten Elektroden Elektrodenschichten umfassen, die auf den unteren Noppen, insbesondere auf deren Stirnseiten, angeordnet sind, von der Unterseite des Grundkörpers und den unteren Noppen durch eine untere Platten-Isolationsschicht elektrisch isoliert sind und jeweils eine untere Elektroden-Isolationsschicht tragen. Zur Herstellung der Haltevorrichtung gemäß der Ausführungsform mit der dritten Platte wird die dritte Platte mit den unteren Noppen ebenfalls vorgefertigt, mit der unteren Platten-Isolationsschicht, den zweiten Elektroden und den unteren Elektroden-Isolationsschichten versehen, und mit der zweiten Platte zusammengefügt.
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Vorzugsweise sind die ersten und/oder zweiten Elektroden ausschließlich auf den oberen und/oder unteren Noppen, insbesondere deren abgeflachte Stirnseiten, angeordnet, während Abstände zwischen den oberen und/oder unteren Noppen frei von Elektroden zur Beaufschlagung mit der elektrischen Haltespannung sind. Vorteilhafterweise wird damit eine Deformation des zu halternden Bauteils zwischen den Noppen ausgeschlossen.
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Vorteilhafterweise bestehen verschiedene Möglichkeiten, die oberen und/oder unteren Noppen in Abhängigkeit von den Anforderungen einer konkreten Anwendung zu gestalten. Gemäß einer ersten, besonders bevorzugten Variante weisen die oberen und/oder unteren Noppen eine Oberflächenrauheit Ra > 200 nm, insbesondere Ra > 250 nm auf. Der Erfinder hat festgestellt, dass die unbeabsichtigte seitliche Verschiebung von Bauteilen entlang der Ausdehnung der Auflagefläche durch eine geringe Rauheit der bei herkömmlichen Techniken vorgesehenen Noppen (Ra < 40 nm) verursacht wird. Dazu im Gegensatz wird das Risiko einer seitlichen Verschiebung durch die erfindungsgemäß vorgesehene Rauheit vermindert. Die Rauheit wird zum Beispiel durch Ätzen der Noppen hergestellt und bleibt auch nach Abscheidung der Elektroden-Isolations-schicht, der Elektroden und der optional vorgesehenen Verschleißschutzschicht an der freien Oberfläche der Noppen wirksam.
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Gemäß einer weiteren Variante sind die oberen und/oder unteren Noppen mit der ersten und/oder dritten Platte elektrisch leitend verbunden. Vorteilhafterweise wird damit die thermische Ankopplung des zu halternden Bauteils verbessert. Besonders bevorzugt sind die oberen und/oder unteren Noppen aus derselben elektrisch leitfähigen, Si-basierten Keramik hergestellt wie die erste und/oder dritte Platte. Beispielsweise können die oberen und/oder unteren Noppen einstückig mit der ersten und/oder dritten Platte verbunden sein. Die Noppen können durch eine Strukturierung der zugehörigen Platte, z. B. mittels Ätzen hergestellt sein, so dass die Herstellung der Haltevorrichtung weiter vereinfacht wird.
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Gemäß weiteren bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung sind die oberen und/oder unteren Noppen jeweils mit oberen und/oder unteren Verschleißschutzschichten ausgestattet. Die Verschleißschutzschichten sind jeweils entsprechend auf den oberen und/oder unteren Elektroden-Isolationsschichten angeordnet. Vorteilhafterweise bieten die Verschleißschutzschichten, die vorzugsweise aus Siliziumnitrid oder elektrisch isolierendem, amorphen Kohlenstoff hergestellt sind, einen mechanischen Schutz der Elektroden-Isolationsschichten und der Elektroden und eine Verlängerung der Betriebsdauer der Haltevorrichtung.
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Zur Kontaktierung der Elektroden weisen die ersten und/oder zweiten Elektrodeneinrichtungen vorzugsweise jeweils erste und/oder zweite Leiterbahnen auf, die entsprechend auf der Oberseite und/oder der Unterseite des Grundkörpers, insbesondere auf der zugehörigen Platten-Isolationsschicht, angeordnet sind. Die Leiterbahnen sind für eine Verbindung der ersten und/oder zweiten Elektroden mit einer Spannungsquelle zur Erzeugung einer elektrostatischen Haltespannung konfiguriert.
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Die elektrostatische Haltespannung wird zwischen den Elektroden und dem zu halternden Bauteil erzeugt, wobei dieses mit einem separaten Spannungsanschluss oder, wenn die Noppen zusätzlich eine mit Massepotential verbundene Schicht aus einem elektrisch leitfähigen Material tragen, durch die Auflage auf den Noppen mit dem Massepotential verbunden wird. Vorteilhafterweise ist es daher ausreichend, wenn jede Elektrode mit genau einer Leiterbahn ausgestattet ist.
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Vorteilhafterweise bestehen verschiedene Möglichkeiten, die Elektroden über die Leiterbahnen mit der Spannungsquelle zu verbinden. Beispielsweise können alle Elektroden parallel geschaltet werden. Diese Variante der Erfindung bietet den Vorteil, dass die Anordnung der Leiterbahnen vereinfacht wird. Alternativ kann mindestens eine der Elektroden mit der Spannungsquelle über eine Leiterbahn verbunden sein, die von den übrigen Leiterbahnen elektrisch getrennt und zur Beaufschlagung der zugehörigen Elektrode mit einer spezifischen Haltespannung eingerichtet ist. Vorteilhafterweise ermöglicht dies, dass die Haltespannung entlang der Oberfläche der Haltevorrichtung variiert werden kann, beispielsweise um lokale Schwankungen der elektrostatischen Haltekraft zu kompensieren. Beispielsweise kann jede der Elektroden über eine zugehörige, von allen anderen Leiterbahnen getrennte Leiterbahn mit der Spannungsquelle verbunden und mit einer spezifischen Haltespannung beaufschlagt werden. Alternativ können Elektroden gruppenweise mit elektrisch verbundenen Leiterbahnen ausgestattet sein, so dass die Elektroden einer Gruppe von Elektroden mit einer gemeinsamen spezifischen Haltespannung beaufschlagt werden können. Dies ermöglicht vorteilhafterweise, dass die elektrostatische Haltekraft entlang der Oberfläche der Haltevorrichtung optimiert und die Ebenheit des gehalterten Bauteils, zum Beispiel am äußeren Rand der Haltevorrichtung, verbessert werden kann. Des Weiteren bietet die einzelne oder gruppenweise Beaufschlagung von Elektroden mit spezifischen Haltespannungen die Möglichkeit, den Klemmvorgang, zum Beispiel beim Ablegen eines gehalterten Bauteils, gezielt zu steuern.
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Gemäß weiteren Varianten der Erfindung können die erste und/oder die dritte Platte mindestens einen elektrischen Kontaktbereich zur Verbindung mit Massepotential aufweisen. Der Kontaktbereich erlaubt die Verbindung der Platten unmittelbar mit dem Massepotential, so dass die Robustheit der Haltevorrichtung weiter verbessert wird.
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Vorzugsweise besteht die erste Platte aus der elektrisch leitfähigen, Si-basierten Keramik, d. h. die erste Platte besteht aus einer Keramik, die Si enthält. Als besonders vorteilhaft haben sich SiC-enthaltende Keramiken erwiesen, wie z. B. SiSiC- oder SSiC-Keramik. Vorzugsweise besteht die zweite Platte aus einem elektrisch isolierenden Festkörper, besonders bevorzugt aus Si3N4- oder SiC-Keramik oder aus Borosilikatglas-Glas (z. B. Glas mit der Produktbezeichnung Borofloat 33). Die ersten und/oder zweiten Elektroden sind aus vorzugsweise aus Al, TiN, oder WC hergestellt.
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Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden im Folgenden unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
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1: eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen elektrostatischen Haltevorrichtung; und
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2: eine schematische Illustration einer oberen, vorstehenden Noppe mit einer Elektrode.
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Merkmale bevorzugter Ausführungsformen der erfindungsgemäßen elektrostatischen Haltevorrichtung und des Verfahrens zu deren Herstellung werden im Folgenden unter beispielhaftem Bezug auf Merkmale einer elektrostatischen Haltevorrichtung für Siliziumwafer beschrieben. Es wird betont, dass die Umsetzung der Erfindung nicht auf Haltevorrichtungen für Siliziumwafer beschränkt ist. Vielmehr sind auch andere Anwendungen der Haltevorrichtung denkbar, wie zum Beispiel zur Halterung von Glasplatten mit transparenten Elektroden für die Herstellung von Bildschirmen, wobei in diesen Fällen die Gestalt der Auflage- und/oder Stützflächen der ersten und/oder dritten Platten, deren Strukturierung, die Materialien und die Dimensionen an die konkreten Anforderungen angepasst sind. Des Weiteren wird betont, dass die Umsetzung der Erfindung nicht auf die beispielhaft gezeigten Varianten der Haltevorrichtung mit einer ersten, zweiten und dritten Platte beschränkt ist, die jeweils einstückig hergestellt sind. Alternativ kann mindestens eine der Platten mehrschichtig aus mehreren Teilplatten hergestellt sein. Schließlich zeigen die Figuren keine maßstäblichen Illustrationen von Haltevorrichtungen, sondern verdeutlichen insbesondere die Bereitstellung von Elektroden auf den oberen und unteren Noppen.
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Die Struktur des Grundkörpers der Haltevorrichtung kann gewählt werden, wie es an sich von herkömmlichen Haltevorrichtungen bekannt ist. Weitere Einzelheiten der konkreten Gestaltung der Haltevorrichtung, zum Beispiel als monopolare oder bipolare Haltevorrichtung, der Anordnung der Noppen und Elektroden, z. B. mit einem so genannten Manhattan-Muster, der Temperierung und der Beaufschlagung mit elektrischen Spannungen zur Erzeugung der elektrostatischen Haltekräfte werden nicht beschrieben, soweit diese von herkömmlichen Haltevorrichtungen bekannt sind.
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1 zeigt eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen elektrostatischen Haltevorrichtung 100 bei Anwendung in der Halbleiterprozessierung in schematischer Schnittansicht. Die Haltevorrichtung 100 umfasst einen Grundkörper 10 mit einem Stapelaufbau, umfassend eine erste Platte 11A, eine zweite Platte 12 und eine dritte Platte 11B. Die ersten und dritten Platten 11A, 11B sind zum Beispiel aus SiSiC hergestellt. Für eine monopolare Haltevorrichtung haben die ersten und dritten Platten 11A, 11B beispielsweise eine Kreisform mit einem Durchmesser von 30 cm und jeweils einer Dicke von 5 mm. Alternativ sind größere Dimensionen realisierbar, z. B. zur Halterung von Glasscheiben mit transparenten Elektroden ein Durchmesser bis zu 2 m.
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Die zweite Platte 12 ist beispielsweise aus Si3N4 hergestellt. Die ersten und dritten Platten 11A, 11B sind beidseitig mit der zweiten Platte 12 verbunden. Die zweite Platte 12 weist auf ihren Ober- und Unterseiten Ausnehmungen auf, in welche die ersten und dritten Platten 11A, 11B eingelassen sind. Die beidseitigen Ausnehmungen der zweiten Platte 12 haben den Vorteil, dass alle Außenflächen der Haltevorrichtung 100 elektrisch isoliert sind. Des Weiteren wird durch die Ränder der zweiten Platte 12 in lateraler Richtung eine Abschirmung der Umgebung gegenüber elektrostatischen Effekten erzielt.
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Die ersten und dritten Platten 11A, 11B weisen jeweils vorstehende obere oder untere Noppen 13A, 13B auf, die eine Auflagefläche für ein Bauteil 1, z. B. einen Siliziumwafer, beziehungsweise eine Stützfläche zum Aufsetzen der Haltevorrichtung 100 auf einer Trägerplattform 30 aufspannen. Die Noppen 13A, 13B haben beispielsweise die Form von Quadern, Zylindern, Pyramiden, Kegeln, Pyramidenstümpfen und/oder Kegelstümpfen, vorzugsweise mit einer Höhe im Bereich von 5 μm bis 25 μm, einem Durchmesser von 20 μm bis 100 μm und einem gegenseitigen Abstand von 1 mm.
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Auf den Oberflächen der ersten und dritten Platten 11A, 11B sind jeweils obere bzw. untere Platten-Isolationsschichten 14A, 14B angeordnet, welche die Ober- und Unterseiten des Grundkörpers 10 elektrisch isolierend bedecken. Die Platten-Isolationsschichten 14A, 14B sind beispielsweise aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid mit einer Dicke von 2 μm hergestellt. Des Weiteren trägt jede der oberen Noppen 13A eine Schichtfolge aus einer oberen Platten-Isolationsschicht 14A, einer ersten Elektrode 21A, einer oberen Elektroden-Isolationsschicht 15A und einer oberen Verschleißschutzschicht 16A, die im Einzelnen in 2 illustriert sind. Jede der unteren Noppen 13B trägt entsprechend eine Schichtfolge aus einer unteren Platten-Isolationsschicht 14B, einer zweiten Elektrode 21B, einer unteren Elektroden-Isolationsschicht 15B und einer unteren Verschleißschutzschicht 16B, die an der Unterseite des Grundkörpers 10 so angeordnet sind, wie in 2 unter Bezug auf die Oberseite illustriert ist.
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Die ersten und dritten Platten 11A, 11B sind elektrisch leitfähig. Zur Verbindung mit Massepotential sind die ersten und dritten Platten 11A, 11B jeweils mit einem Kontaktbereich ausgestattet. Beispielhaft ist an der ersten Platte 11A der Kontaktbereich 17 gezeigt, der für eine elektrische Verbindung mit einem Massekontakt einer Spannungsquelle 40 konfiguriert ist. Die Kontaktbereiche (z. B. 17) umfassen zum Beispiel jeweils eine Sackloch-Bohrung in der ersten bzw. dritten Platte 11A, 11B, die einen Durchmesser von zum Beispiel 0,5 mm aufweist und als Passung ausgeführt ist. In die Bohrung wird eine Metallhülse, zum Beispiel aus Gold, eingepresst, die eine elektrische Leitung zur Verbindung mit der Spannungsquelle (z. B. 40) aufnimmt.
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In die zweite Platte 12 sind Temperierungsmittelleitungen 18 eingelassen, die mit einer Temperierungseinrichtung (nicht dargestellt) gekoppelt sind. Mit der Temperierungseinrichtung wird ein Temperierungsmittel-Kreislauf gebildet, mit dem die Temperatur der Haltevorrichtung 100 einstellbar ist.
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2 illustriert in vergrößerter Schnittansicht einen Ausschnitt der ersten Platte 11A mit der oberen Noppe 13A. Auf der Oberfläche der ersten Platte 11A ist die Platten-Isolationsschicht 14A angeordnet. Auf die Oberfläche der oberen Noppe 13A beschränkt ist die schichtförmige Elektrode 21A angeordnet. Die Elektrode 21A kann wie gezeigt die gesamte Noppe 13A oder nur deren obere Stirnseite bedecken, und sie wird z. B. durch die Abscheidung einer TiN-Schicht mit einer Dicke von 50 nm hergestellt. Der Vorteil von TiN ist die gute Passivierung zum Schutz der darunterliegenden Isolationsschicht. Die Elektrode 21A ist über eine gesonderte Leiterbahn 22A (siehe 1), die auf der Oberfläche der Platten-Isolationsschicht 14A verläuft, mit einer Spannungsquelle 40 verbunden. Auf der Elektrode 21A sind die obere Elektroden-Isolationsschicht 15A, z. B. aus Aluminiumnitrid und/oder Siliziumnitrid und die obere Verschleißschutzschicht 16A, z. B. aus amorphem Kohlenstoff (DLN oder DLC, diamond-like nanocomposite/carbon) mit Dicken von bis zu 1 μm angeordnet.
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Mit dem Aufbau gemäß 2 wird begünstigt, dass die elektrostatische Haltekraft F an den Stirnseiten der vorstehenden Noppen 13A wirkt (siehe Doppelpfeil), während zwischen den Noppen 13A keine elektrostatische Haltekraft gebildet wird. Die Haltekraft F kann bei einer Haltespannung von 400 V z. B. einem Klemmdruck von 1 bar entsprechen.
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Die Haltevorrichtung 100 wird hergestellt, indem zuerst die Platten 11A, 12 und 11B einzeln vorgefertigt werden. Auf den Oberflächen der ersten und dritten Platten 11A, 11B werden die Platten-Isolationsschichten, die Elektroden und die Elektroden-Isolationsschichten abgeschieden, z. B. mittels Dampfabscheidung oder Sputtern. Anschließend werden die erste Platte 11A und die dritte Platte 11B jeweils mit der zweiten Platte 12 durch Hochtemperaturlöten verbunden. Danach werden die elektrischen und hydraulischen Anschlüsse mit den Kontaktbereichen 17 bzw. den Temperierungsmittelleitungen 18 gekoppelt.
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Die in der vorstehenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln oder in Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausgestaltungen von Bedeutung sein.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 4502094 [0003]
- US 8476167 [0003, 0003, 0004]
