JPH11297806A - ホットプレート - Google Patents
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- JPH11297806A JPH11297806A JP10322298A JP10322298A JPH11297806A JP H11297806 A JPH11297806 A JP H11297806A JP 10322298 A JP10322298 A JP 10322298A JP 10322298 A JP10322298 A JP 10322298A JP H11297806 A JPH11297806 A JP H11297806A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板を均一な温度に昇温させられるホットプレ
ートを提供する。 【解決手段】ホットプレート１１の装置本体２０内に設
けるヒータ２２を、吸着面２８の外周部分の温度と、そ
れよりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように
構成する。例えば、ヒータ２２を分割し、外周部分をリ
ング状の第１のヒータパターン２２1によって構成し、
その内部を第２のヒータパターン２２2によって構成す
る。吸着面２８上に基板１５を静電吸着して加熱する場
合、基板１５の周辺部分の温度は他の部分よりも低下し
やすいが、第１のヒータパターン２２1の発熱量を大き
くしておくと、基板１５は均一に昇温する。
ートを提供する。 【解決手段】ホットプレート１１の装置本体２０内に設
けるヒータ２２を、吸着面２８の外周部分の温度と、そ
れよりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように
構成する。例えば、ヒータ２２を分割し、外周部分をリ
ング状の第１のヒータパターン２２1によって構成し、
その内部を第２のヒータパターン２２2によって構成す
る。吸着面２８上に基板１５を静電吸着して加熱する場
合、基板１５の周辺部分の温度は他の部分よりも低下し
やすいが、第１のヒータパターン２２1の発熱量を大き
くしておくと、基板１５は均一に昇温する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空雰囲気中で基板
を加熱する技術分野にかかり、特に、大面積基板を均一
に加熱できるホットプレートに関する。
を加熱する技術分野にかかり、特に、大面積基板を均一
に加熱できるホットプレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】真空雰囲気中で基板を吸着・保持し、所
定温度に昇温させる装置として、従来より、図５に示す
ようなホットプレート１１１が用いられている。そのホ
ットプレート１１１を説明すると、一般に、ホットプレ
ート１１１は、スパッタリング装置等の真空処理装置１
０１の真空槽１１０内に配置されており、その底壁１１
６上に固定されている。ホットプレート１１１内部表面
近傍には、静電吸着パターン１２５が設けられており、
その下方には、ヒータ１２２が設けられている。
定温度に昇温させる装置として、従来より、図５に示す
ようなホットプレート１１１が用いられている。そのホ
ットプレート１１１を説明すると、一般に、ホットプレ
ート１１１は、スパッタリング装置等の真空処理装置１
０１の真空槽１１０内に配置されており、その底壁１１
６上に固定されている。ホットプレート１１１内部表面
近傍には、静電吸着パターン１２５が設けられており、
その下方には、ヒータ１２２が設けられている。
【０００３】この真空処理装置１０１によって基板表面
に薄膜を形成する場合には、先ず、真空槽１１０内を真
空排気し、予め高真空状態にしておき、その状態でヒー
タ１２２に通電し、ホットプレート１１１全体を所定に
昇温させておく。
に薄膜を形成する場合には、先ず、真空槽１１０内を真
空排気し、予め高真空状態にしておき、その状態でヒー
タ１２２に通電し、ホットプレート１１１全体を所定に
昇温させておく。
【０００４】次いで、真空状態を維持しながら、真空槽
１１０内に基板を搬入し、ホットプレート１１１上に載
置する。図５の符号１１５は、その状態の基板を示して
おり、載置後、静電吸着パターン１２５に電圧を印加す
ると、基板１１５は静電吸着パターン１２５に静電吸着
され、ホットプレート１１１表面に密着される。
１１０内に基板を搬入し、ホットプレート１１１上に載
置する。図５の符号１１５は、その状態の基板を示して
おり、載置後、静電吸着パターン１２５に電圧を印加す
ると、基板１１５は静電吸着パターン１２５に静電吸着
され、ホットプレート１１１表面に密着される。
【０００５】真空雰囲気内では熱は伝わりずらいが、基
板１１５はホットプレート１１１表面に密着されている
ため、基板１１５とホットプレート１１１との間の熱伝
達性は高くなっており、ヒータ１２２の発熱により、基
板１１５は短時間で加熱される。
板１１５はホットプレート１１１表面に密着されている
ため、基板１１５とホットプレート１１１との間の熱伝
達性は高くなっており、ヒータ１２２の発熱により、基
板１１５は短時間で加熱される。
【０００６】このようなホットプレート１１１は、図６
の平面図に示すように、絶縁性のセラミックス基体１２
０を有しており、ヒータ１１２は、基体１２０表面に形
成された抵抗発熱体のパターンによって構成されている
(図６では、静電吸着パターン１２５及び、ヒータ１１
２と静電吸着パターン１２５周囲に形成されている絶縁
物は省略する)。
の平面図に示すように、絶縁性のセラミックス基体１２
０を有しており、ヒータ１１２は、基体１２０表面に形
成された抵抗発熱体のパターンによって構成されている
(図６では、静電吸着パターン１２５及び、ヒータ１１
２と静電吸着パターン１２５周囲に形成されている絶縁
物は省略する)。
【０００７】ヒータ１１２には、端子１２７a、１２７b
が設けられており、該端子１２７a、１２７bは、導線１
２９によって、真空槽１１０外部に配置された加熱用電
源(図示せず。)に接続されている。その電源により、ヒ
ータ１１２に通電するとヒーター１１２が発熱し、ホッ
トプレート１１１を所定温度に加熱できるようになって
いる。
が設けられており、該端子１２７a、１２７bは、導線１
２９によって、真空槽１１０外部に配置された加熱用電
源(図示せず。)に接続されている。その電源により、ヒ
ータ１１２に通電するとヒーター１１２が発熱し、ホッ
トプレート１１１を所定温度に加熱できるようになって
いる。
【０００８】基板１１５が所定温度まで加熱された後、
真空槽１１０内にアルゴンガスを導入し、真空槽１１０
の天井に設けられたターゲット１１３をスパッタリング
すると、基板１１５表面に薄膜が形成される。
真空槽１１０内にアルゴンガスを導入し、真空槽１１０
の天井に設けられたターゲット１１３をスパッタリング
すると、基板１１５表面に薄膜が形成される。
【０００９】このようなホットプレート１１１を用いた
真空処理装置１０１では、スパッタリングが行われる際
に、基板１１５は所定温度まで昇温されているので、低
温のまま成膜するのに比べると、基板１１５表面には、
緻密で高品質な薄膜を形成できるようになっている。
真空処理装置１０１では、スパッタリングが行われる際
に、基板１１５は所定温度まで昇温されているので、低
温のまま成膜するのに比べると、基板１１５表面には、
緻密で高品質な薄膜を形成できるようになっている。
【００１０】上記のようなホットプレート１１１では、
機械的押圧力によってホットプレート表面に基板を密着
させるのとは異なり、ホットプレート１１１内部の静電
吸着パターン１２５によって、基板をホットプレート１
１１表面に密着させるので、押圧部材に薄膜が付着する
ことはなく、従って、付着した薄膜が剥離してダストに
なるということがない。
機械的押圧力によってホットプレート表面に基板を密着
させるのとは異なり、ホットプレート１１１内部の静電
吸着パターン１２５によって、基板をホットプレート１
１１表面に密着させるので、押圧部材に薄膜が付着する
ことはなく、従って、付着した薄膜が剥離してダストに
なるということがない。
【００１１】また、押圧部材がエッチングされ、ダスト
が発生することがないため、ホットプレート１１１は、
スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の薄膜製造装置ばか
りではなく、エッチング装置等の真空雰囲気内で基板を
処理する真空処理装置に広く用いられている。
が発生することがないため、ホットプレート１１１は、
スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の薄膜製造装置ばか
りではなく、エッチング装置等の真空雰囲気内で基板を
処理する真空処理装置に広く用いられている。
【００１２】但し、ホットプレート１１１表面に薄膜が
形成された場合や、ホットプレート１１１表面がエッチ
ングされた場合には、その部分からダストが発生した
り、また、ホットプレート１１１が劣化することから、
上記ホットプレート１１１は処理対象となる基板１１５
の直径よりも小径にされ、基板を吸着保持した状態で
は、ホットプレート１１１表面が真空雰囲気中に露出し
ないようにされている。
形成された場合や、ホットプレート１１１表面がエッチ
ングされた場合には、その部分からダストが発生した
り、また、ホットプレート１１１が劣化することから、
上記ホットプレート１１１は処理対象となる基板１１５
の直径よりも小径にされ、基板を吸着保持した状態で
は、ホットプレート１１１表面が真空雰囲気中に露出し
ないようにされている。
【００１３】しかしながら、そのような小径のホットプ
レート１１１を使用する場合、図７に示すように、基板
１１５の周縁部分１３１がホットプレート１１１上から
はみ出すため、その部分の温度が周囲よりも低くなって
しまう。また、ホットプレート１１１上に位置する部分
１３２でも、ヒータ１２２によって加熱されるものの、
周縁部分１３２が低温になる影響を受け、中心付近より
も温度が低下してしまう。従って、基板１１５表面の温
度が周辺部分は低く、中心部分は高くなるため、膜厚や
品質、あるいはエッチング量が不均一になるという問題
がある。
レート１１１を使用する場合、図７に示すように、基板
１１５の周縁部分１３１がホットプレート１１１上から
はみ出すため、その部分の温度が周囲よりも低くなって
しまう。また、ホットプレート１１１上に位置する部分
１３２でも、ヒータ１２２によって加熱されるものの、
周縁部分１３２が低温になる影響を受け、中心付近より
も温度が低下してしまう。従って、基板１１５表面の温
度が周辺部分は低く、中心部分は高くなるため、膜厚や
品質、あるいはエッチング量が不均一になるという問題
がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、基板を均一に加熱できるホットプレートを提供
することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、基板を均一に加熱できるホットプレートを提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、静電吸着パターンと、ヒー
タとが設けられた装置本体を有し、処理対象物の基板を
前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パター
ンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パター
ンに吸着され、前記吸着面に密着するように構成された
ホットプレートであって、前記ヒータは、前記吸着面の
外周部分の温度と、前記外周部分よりも内側の部分の温
度とを別個に設定できるように構成されたことを特徴と
する。
に、請求項１記載の発明は、静電吸着パターンと、ヒー
タとが設けられた装置本体を有し、処理対象物の基板を
前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パター
ンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パター
ンに吸着され、前記吸着面に密着するように構成された
ホットプレートであって、前記ヒータは、前記吸着面の
外周部分の温度と、前記外周部分よりも内側の部分の温
度とを別個に設定できるように構成されたことを特徴と
する。
【００１６】請求項２記載の発明は、請求項１記載のホ
ットプレートであって、前記ヒータは、少なくとも前記
外周部分を加熱する第１のヒータパターンと、前記外周
部部よりも内側を加熱する第２のヒータパターンとを有
することを特徴とする。
ットプレートであって、前記ヒータは、少なくとも前記
外周部分を加熱する第１のヒータパターンと、前記外周
部部よりも内側を加熱する第２のヒータパターンとを有
することを特徴とする。
【００１７】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２のいずれか１項記載のホットプレートであって、前
記基板を前記吸着面に密着させたときに、前記吸着面が
前記基板からはみ出ないように構成されたことを特徴と
する。
項２のいずれか１項記載のホットプレートであって、前
記基板を前記吸着面に密着させたときに、前記吸着面が
前記基板からはみ出ないように構成されたことを特徴と
する。
【００１８】請求項４記載の発明は、請求項３記載のホ
ットプレートであって、前記第１のヒータパターンが配
置された前記装置本体部分は、前記載置面よりも膨出さ
れ、前記第１のヒータパターンの少なくとも一部分は、
前記膨出された部分に配置されていることを特徴とす
る。
ットプレートであって、前記第１のヒータパターンが配
置された前記装置本体部分は、前記載置面よりも膨出さ
れ、前記第１のヒータパターンの少なくとも一部分は、
前記膨出された部分に配置されていることを特徴とす
る。
【００１９】請求項５記載の発明は、真空処理装置であ
って、真空排気可能な真空槽と、請求項１乃至請求項４
のいずれか１項記載のホットプレートを有する真空処理
装置であって、前記ホットプレートが、前記真空槽内に
配置されたことを特徴とする。
って、真空排気可能な真空槽と、請求項１乃至請求項４
のいずれか１項記載のホットプレートを有する真空処理
装置であって、前記ホットプレートが、前記真空槽内に
配置されたことを特徴とする。
【００２０】本発明は上記のように構成されており、装
置本体内に、静電吸着パターンとヒータとが配置されて
いる。装置本体自体は絶縁物で構成されており、静電吸
着パターン間や、ヒータ間は短絡しないようになってお
り、また、装置本体の表面は平坦に成形され、吸着面に
されている。このような吸着面に基板を載置した後、静
電吸着パターンに電圧を印加すると、基板が静電吸着さ
れ、吸着面に密着し、ヒータによって加熱されるように
なっている。
置本体内に、静電吸着パターンとヒータとが配置されて
いる。装置本体自体は絶縁物で構成されており、静電吸
着パターン間や、ヒータ間は短絡しないようになってお
り、また、装置本体の表面は平坦に成形され、吸着面に
されている。このような吸着面に基板を載置した後、静
電吸着パターンに電圧を印加すると、基板が静電吸着さ
れ、吸着面に密着し、ヒータによって加熱されるように
なっている。
【００２１】そして、本発明のホットプレートでは、ヒ
ータは、吸着面の外周部分の温度と、外周部分よりも内
側の部分の温度とを別個に設定できるように構成されて
おり、外周部分の温度を高めに設定すると、低温になり
易い基板の周辺部分が加熱され、その結果、基板全体に
亘って温度を均一にできるようになっている。
ータは、吸着面の外周部分の温度と、外周部分よりも内
側の部分の温度とを別個に設定できるように構成されて
おり、外周部分の温度を高めに設定すると、低温になり
易い基板の周辺部分が加熱され、その結果、基板全体に
亘って温度を均一にできるようになっている。
【００２２】このように、吸着面の外周部分の温度と、
それよりも内側の部分の温度とを別個に設定する場合、
ヒータを第１のヒータパターンと第２のヒータパターン
とに分け、主として第１のヒータパターンで外周部分を
加熱し、第２のヒータパターンによってそれよりも内側
部分を加熱するようにすると、吸着面の温度設定が容易
になる。
それよりも内側の部分の温度とを別個に設定する場合、
ヒータを第１のヒータパターンと第２のヒータパターン
とに分け、主として第１のヒータパターンで外周部分を
加熱し、第２のヒータパターンによってそれよりも内側
部分を加熱するようにすると、吸着面の温度設定が容易
になる。
【００２３】その場合、第１、第２のヒータパターンを
独立に通電できるように構成すると、発熱量を別個に制
御できる。他方、第１、第２のヒータパターンを直列に
接続する場合には、第１のヒータパターンの発熱量が第
２のヒータパターンの発熱量よりも大きくなるように抵
抗値を設定しておくとよい。
独立に通電できるように構成すると、発熱量を別個に制
御できる。他方、第１、第２のヒータパターンを直列に
接続する場合には、第１のヒータパターンの発熱量が第
２のヒータパターンの発熱量よりも大きくなるように抵
抗値を設定しておくとよい。
【００２４】ホットプレートの吸着面が基板よりも小径
な場合には、基板の周辺部分の温度が特に低下しやすい
ので、本発明のホットプレートにより、載置面の周辺部
分の温度を高めに設定しておくと、基板温度を均一にす
るために適している。
な場合には、基板の周辺部分の温度が特に低下しやすい
ので、本発明のホットプレートにより、載置面の周辺部
分の温度を高めに設定しておくと、基板温度を均一にす
るために適している。
【００２５】吸着面が基板よりも小径な場合、ホットプ
レート周辺部分を膨出させておき、膨出部分に第１のヒ
ータパターンの少なくとも一部を配置しておくと、基板
周辺部分が、膨出部分からも加熱されるので、基板温度
が一層均一になる。
レート周辺部分を膨出させておき、膨出部分に第１のヒ
ータパターンの少なくとも一部を配置しておくと、基板
周辺部分が、膨出部分からも加熱されるので、基板温度
が一層均一になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１を参照し、符号１は本発明の
第１例の真空処理装置であり、真空槽１０を有してい
る。真空槽１０の天井側には、カソード電極１９が設け
られており、底壁側には、ホットプレート１１が固定さ
れている。ホットプレート１１は、絶縁物から成る装置
本体２０と、抵抗発熱体から成るヒータ２２と、導電性
材料から成る静電吸着パターン２５とを有している。
第１例の真空処理装置であり、真空槽１０を有してい
る。真空槽１０の天井側には、カソード電極１９が設け
られており、底壁側には、ホットプレート１１が固定さ
れている。ホットプレート１１は、絶縁物から成る装置
本体２０と、抵抗発熱体から成るヒータ２２と、導電性
材料から成る静電吸着パターン２５とを有している。
【００２７】装置本体２０は、内部正面図である図２に
示すように、絶縁物が円盤状に成形された基体２１を有
しており、ヒータ２２は、その基体２１上に形成された
２本の抵抗発熱体のヒータパターン(第１、第２のヒー
タパターン)によって構成されている。
示すように、絶縁物が円盤状に成形された基体２１を有
しており、ヒータ２２は、その基体２１上に形成された
２本の抵抗発熱体のヒータパターン(第１、第２のヒー
タパターン)によって構成されている。
【００２８】第１のヒータパターン２２1は、リング形
状にパターニングされており、第２のヒータパターン２
２2は、円形の平面内を埋め尽くすようにパターニング
されており、第１のヒータパターン２２1は基体２１の
外周部分に配置され、第１のヒータパターン２２1は第
２のヒータパターン２２2よりも大径にされており、第
１のヒータパターン２２1の内側に、第２のヒータパタ
ーン２２2が配置されている。
状にパターニングされており、第２のヒータパターン２
２2は、円形の平面内を埋め尽くすようにパターニング
されており、第１のヒータパターン２２1は基体２１の
外周部分に配置され、第１のヒータパターン２２1は第
２のヒータパターン２２2よりも大径にされており、第
１のヒータパターン２２1の内側に、第２のヒータパタ
ーン２２2が配置されている。
【００２９】第１、第２のヒータパターン２２1、２２2
には、それぞれ２個の端子２６a、２６b、２７a、２７b
が設けられており、各端子２６a、２６b、２７a、２７b
は、真空槽１０外に配置された２台の加熱用電源１
９1、１９2にそれぞれ接続されている。
には、それぞれ２個の端子２６a、２６b、２７a、２７b
が設けられており、各端子２６a、２６b、２７a、２７b
は、真空槽１０外に配置された２台の加熱用電源１
９1、１９2にそれぞれ接続されている。
【００３０】加熱用電源１９1、１９2は、独立して制御
できるように構成されており、従って、第１、第２のヒ
ータパターン２２1、２２2は、それぞれ独立して通電で
きるように構成されている。
できるように構成されており、従って、第１、第２のヒ
ータパターン２２1、２２2は、それぞれ独立して通電で
きるように構成されている。
【００３１】また、第１、第２のヒータパターン２
２1、２２2の上方には、絶縁物を介して静電吸着パター
ン２５が配置されており、更に、静電吸着パターン２５
表面には、絶縁物が配置されている(それらの絶縁物は
図２では示さない。)。装置本体２０の表面を形成する
絶縁物は平坦に成形されており、基板配置が可能な吸着
面２８にされている。
２1、２２2の上方には、絶縁物を介して静電吸着パター
ン２５が配置されており、更に、静電吸着パターン２５
表面には、絶縁物が配置されている(それらの絶縁物は
図２では示さない。)。装置本体２０の表面を形成する
絶縁物は平坦に成形されており、基板配置が可能な吸着
面２８にされている。
【００３２】上記のような真空処理装置１を用いる場
合、先ず、真空槽１０内を真空排気し、予め真空状態に
しておくと共に、電源１９1、１９2を起動し、第１、第
２のヒータパターン２２1、２２2に通電し、ホットプレ
ート１１全体を昇温させておく。
合、先ず、真空槽１０内を真空排気し、予め真空状態に
しておくと共に、電源１９1、１９2を起動し、第１、第
２のヒータパターン２２1、２２2に通電し、ホットプレ
ート１１全体を昇温させておく。
【００３３】このとき、第１、第２のヒータパターン２
２1、２２2への通電量を制御し、第１のヒータパターン
２２1の発熱量を大きくし、吸着面２８の外周部分の温
度を、その内側の部分の温度よりも高くしておく。
２1、２２2への通電量を制御し、第１のヒータパターン
２２1の発熱量を大きくし、吸着面２８の外周部分の温
度を、その内側の部分の温度よりも高くしておく。
【００３４】次に、真空槽１０内の真空状態を維持した
まま、処理対象物である基板(シリコンウェハ)を搬入
し、吸着面２８上に載置し、静電吸着パターン２５に電
圧を印加して静電吸着し、基板１５裏面を吸着面２８表
面に密着させると、基板１５はホットプレート１からの
熱伝導によって加熱される。
まま、処理対象物である基板(シリコンウェハ)を搬入
し、吸着面２８上に載置し、静電吸着パターン２５に電
圧を印加して静電吸着し、基板１５裏面を吸着面２８表
面に密着させると、基板１５はホットプレート１からの
熱伝導によって加熱される。
【００３５】図１の符号１５はその状態の基板を示して
おり、ホットプレート１１の外周は、基板１５よりも小
径に形成されているため、基板１５の外周部分は、ホッ
トプレート１１からはみ出ている(一例として、基板１
５が直径２００ｍｍのとき、吸着面２８の直径は１９０
ｍｍ)。
おり、ホットプレート１１の外周は、基板１５よりも小
径に形成されているため、基板１５の外周部分は、ホッ
トプレート１１からはみ出ている(一例として、基板１
５が直径２００ｍｍのとき、吸着面２８の直径は１９０
ｍｍ)。
【００３６】基板１５の外周付近の拡大図を図３に示
す。ホットプレート１１の周囲には、金属製のプラテン
リング１７が配置されており、基板１５のホットプレー
ト１１上からはみ出た部分は、プラテンリング１７上に
非接触の状態で位置している。
す。ホットプレート１１の周囲には、金属製のプラテン
リング１７が配置されており、基板１５のホットプレー
ト１１上からはみ出た部分は、プラテンリング１７上に
非接触の状態で位置している。
【００３７】実験的に、上記基板１５表面に予め熱電対
を設けておき、静電吸着から所定時間が経過し、基板１
５が加熱された後、基板１５の温度分布を測定したとこ
ろ、基板１５の中心部分の温度が３９０℃のときに、周
辺部分(縁から３ｍｍ内側の部分)の温度を３７５℃まで
昇温させることができた。
を設けておき、静電吸着から所定時間が経過し、基板１
５が加熱された後、基板１５の温度分布を測定したとこ
ろ、基板１５の中心部分の温度が３９０℃のときに、周
辺部分(縁から３ｍｍ内側の部分)の温度を３７５℃まで
昇温させることができた。
【００３８】図６に示したような従来技術のホットプレ
ート１１１でも、同様に基板の温度分布を測定したとこ
ろ、中心部分が３９０℃のときに、周辺部分が３６０℃
まで低下しており、本発明のホットプレート１１は、従
来技術のホットプレート１１１に比べて基板１５が均一
に昇温されていることが分かる。
ート１１１でも、同様に基板の温度分布を測定したとこ
ろ、中心部分が３９０℃のときに、周辺部分が３６０℃
まで低下しており、本発明のホットプレート１１は、従
来技術のホットプレート１１１に比べて基板１５が均一
に昇温されていることが分かる。
【００３９】基板１５に熱電対が設けられておらず、通
常通り真空処理する場合には、基板１５が所定温度に加
熱された後、真空槽１０内にアルゴンガスを導入し、カ
ソード電極１９に電圧を印加すると、カソード電極１９
上に設けられたターゲット１３がスパッタリングされ、
基板１５表面に薄膜が形成される。このとき基板１５表
面は均一に加熱されているので、周辺部分とその内側部
分での薄膜の膜厚や品質は均一になっている。
常通り真空処理する場合には、基板１５が所定温度に加
熱された後、真空槽１０内にアルゴンガスを導入し、カ
ソード電極１９に電圧を印加すると、カソード電極１９
上に設けられたターゲット１３がスパッタリングされ、
基板１５表面に薄膜が形成される。このとき基板１５表
面は均一に加熱されているので、周辺部分とその内側部
分での薄膜の膜厚や品質は均一になっている。
【００４０】上記のように、薄膜を形成した後、真空槽
１０外に搬出すると、この真空処理装置１を用いた基板
１５の薄膜形成作業は終了する。
１０外に搬出すると、この真空処理装置１を用いた基板
１５の薄膜形成作業は終了する。
【００４１】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。図４を参照し、符号１２は、本発明の第２例のホ
ットプレートであり、上記第１例のホットプレート１１
と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
する。図４を参照し、符号１２は、本発明の第２例のホ
ットプレートであり、上記第１例のホットプレート１１
と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
【００４２】この第２例のホットプレート１２の装置本
体５０は、中央部分５１と膨出部分５２によって構成さ
れている。中央部分５１は、第１例のホットプレート１
１の装置本体２０と同径にされているが、第２例のホッ
トプレート１２の基体は、上記第１例のホットプレート
１よりも大径にされており、中央部分５１の側面周囲に
膨出部分５２が形成されている。膨出部分５２上には、
金属製のプラテンリング１７が配置され、基板１５を吸
着面２８に載置・吸着したときに、基板１５がプラテン
リング１７とは非接触の状態になるように構成されてい
る。
体５０は、中央部分５１と膨出部分５２によって構成さ
れている。中央部分５１は、第１例のホットプレート１
１の装置本体２０と同径にされているが、第２例のホッ
トプレート１２の基体は、上記第１例のホットプレート
１よりも大径にされており、中央部分５１の側面周囲に
膨出部分５２が形成されている。膨出部分５２上には、
金属製のプラテンリング１７が配置され、基板１５を吸
着面２８に載置・吸着したときに、基板１５がプラテン
リング１７とは非接触の状態になるように構成されてい
る。
【００４３】このホットプレート１２では、第１のヒー
タパターン２２1は、少なくともその外周部分が膨出部
分５２内に位置するように配置されており、第１、第２
のヒータパターン２２1、２２2に通電すると、吸着面２
８の周辺部分は、膨出部分５２と、中央部分５１の膨出
部分５２に隣接する部分とから加熱されるように構成さ
れている。
タパターン２２1は、少なくともその外周部分が膨出部
分５２内に位置するように配置されており、第１、第２
のヒータパターン２２1、２２2に通電すると、吸着面２
８の周辺部分は、膨出部分５２と、中央部分５１の膨出
部分５２に隣接する部分とから加熱されるように構成さ
れている。
【００４４】このホットプレート１２では、真空雰囲気
内で基板を静電吸着し、吸着面２８の外周部分の温度が
高くなるように、第１、第２のヒータパターン２２1、
２２2に通電した場合、基板１５の中心部分の温度が３
９０℃のとき、周辺部分(縁から３ｍｍの部分)の温度は
３８０℃に達しており、第１例のホットプレート１より
も、基板温度を均一にできた。
内で基板を静電吸着し、吸着面２８の外周部分の温度が
高くなるように、第１、第２のヒータパターン２２1、
２２2に通電した場合、基板１５の中心部分の温度が３
９０℃のとき、周辺部分(縁から３ｍｍの部分)の温度は
３８０℃に達しており、第１例のホットプレート１より
も、基板温度を均一にできた。
【００４５】なお、以上はシリコンウェハを加熱するホ
ットプレート１１、１２であり、そのためホットプレー
ト１１、１２の形状は円盤状であったが、液晶表示装置
に用いる矩形のガラス基板を加熱するホットプレートの
場合、その形状は、ガラス基板と相似な矩形形状にする
ことができる。要するに、本発明のホットプレート及び
そのホットプレートを用いた真空処理装置の場合、ホッ
トプレートの形状は、処理対象の基板の形状に応じて定
められるものであり、円盤状や矩形形状のものに限定さ
れるものではない。
ットプレート１１、１２であり、そのためホットプレー
ト１１、１２の形状は円盤状であったが、液晶表示装置
に用いる矩形のガラス基板を加熱するホットプレートの
場合、その形状は、ガラス基板と相似な矩形形状にする
ことができる。要するに、本発明のホットプレート及び
そのホットプレートを用いた真空処理装置の場合、ホッ
トプレートの形状は、処理対象の基板の形状に応じて定
められるものであり、円盤状や矩形形状のものに限定さ
れるものではない。
【００４６】
【発明の効果】基板温度を均一化できるので、成膜処理
やエッチング処理等の真空雰囲気内での処理の面内均一
性が向上する。
やエッチング処理等の真空雰囲気内での処理の面内均一
性が向上する。
【図１】本発明の一例の真空処理装置を説明するための
図
図
【図２】本発明の第１例のホットプレートのヒータパタ
ーンを説明するための図
ーンを説明するための図
【図３】そのホットプレートの周辺部分の拡大図
【図４】本発明の第２例のホットプレートを説明するた
めの図
めの図
【図５】従来技術の真空処理装置を説明するための図
【図６】その真空処理装置に用いられているホットプレ
ートのヒータパターンを説明するための図
ートのヒータパターンを説明するための図
【図７】そのホットプレートの周辺部分の拡大図
１……真空処理装置 １０……真空槽 １１、１２
……ホットプレート ２０……装置本体 ２２……ヒータ ２２1……第
１のヒータパターン ２２2……第２のヒータパターン ２８……吸着面
５１……膨出部分
……ホットプレート ２０……装置本体 ２２……ヒータ ２２1……第
１のヒータパターン ２２2……第２のヒータパターン ２８……吸着面
５１……膨出部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 孝一 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内
Claims (5)
- 【請求項１】静電吸着パターンと、ヒータとが設けられ
た装置本体を有し、 処理対象物の基板を前記装置本体の吸着面上に配置し、
前記静電吸着パターンに電圧を印加すると、前記基板が
前記静電吸着パターンに吸着され、前記吸着面に密着さ
れるように構成されたホットプレートであって、 前記ヒータは、前記吸着面の外周部分の温度と、前記外
周部分よりも内側の部分の温度とを別個に設定できるよ
うに構成されたことを特徴とするホットプレート。 - 【請求項２】前記ヒータは、少なくとも前記外周部分を
加熱する第１のヒータパターンと、前記外周部部よりも
内側を加熱する第２のヒータパターンとを有することを
特徴とする請求項１記載のホットプレート。 - 【請求項３】前記基板を前記吸着面に密着させたとき
に、前記吸着面が前記基板からはみ出ないように構成さ
れたことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
１項記載のホットプレート。 - 【請求項４】前記第１のヒータパターンが配置された前
記装置本体部分は、前記載置面よりも膨出され、前記第
１のヒータパターンの少なくとも一部分は、前記膨出さ
れた部分に配置されていることを特徴とする請求項３記
載のホットプレート。 - 【請求項５】真空排気可能な真空槽と、請求項１乃至請
求項４のいずれか１項記載のホットプレートを有する真
空処理装置であって、前記ホットプレートが、前記真空
槽内に配置されたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322298A JP4009006B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ホットプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322298A JP4009006B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ホットプレート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297806A true JPH11297806A (ja) | 1999-10-29 |
| JP4009006B2 JP4009006B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=14348475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10322298A Expired - Lifetime JP4009006B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | ホットプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4009006B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001084888A1 (en) * | 2000-04-29 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater and method of controlling temperature of the ceramic heater |
| WO2001084887A1 (fr) * | 2000-04-29 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
| EP1175127A1 (en) * | 1999-12-29 | 2002-01-23 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| JP2006060117A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2007306014A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| JP2007306015A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| JP2008028354A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Applied Materials Inc | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 |
| JP2009033204A (ja) * | 2008-10-29 | 2009-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハのプラズマエッチング方法 |
| US9209061B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| JP2019125663A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6489195B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-03-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10322298A patent/JP4009006B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1175127A1 (en) * | 1999-12-29 | 2002-01-23 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| EP1175127A4 (en) * | 1999-12-29 | 2004-08-18 | Ibiden Co Ltd | CERAMIC HEAT GENERATOR |
| WO2001084887A1 (fr) * | 2000-04-29 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
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| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| US10257887B2 (en) | 2006-07-20 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly |
| JP2008028354A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Applied Materials Inc | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 |
| US9883549B2 (en) | 2006-07-20 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having rapid temperature control |
| JP2007306015A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| JP2007306014A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| JP2009033204A (ja) * | 2008-10-29 | 2009-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハのプラズマエッチング方法 |
| US9209061B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-12-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| JP2019125663A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
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|---|---|
| JP4009006B2 (ja) | 2007-11-14 |
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