JP5539436B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5539436B2 JP5539436B2 JP2012100708A JP2012100708A JP5539436B2 JP 5539436 B2 JP5539436 B2 JP 5539436B2 JP 2012100708 A JP2012100708 A JP 2012100708A JP 2012100708 A JP2012100708 A JP 2012100708A JP 5539436 B2 JP5539436 B2 JP 5539436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- substrate
- electrostatic
- chamber
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
図1及び図2は、本発明の第1実施形態に係るICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1を示す。
図9及び図10に示す本発明の第2実施形態では、単一の静電吸着用電極204と単一の直流電圧印加機構205を備える。この静電吸着用電極204は、第1実施形態における基板吸着電極40とトレイ吸着電極202を一体化して単一の電極としたものである。図10に最も明瞭に示すように、静電吸着用電極204は基板載置面31及びトレイ支持面28の付近に配置されるように凹凸を持たせ、静電吸着用電極204から基板載置面31までの距離と、静電吸着用電極204からトレイ支持面28までの距離が実質的に等しくなるように(例えば0.4mm)、基板載置面31とトレイ支持面28の近傍に静電吸着用電極204を配置している。直流電圧印加機構205から静電吸着電極204に直流電圧が印加されると、基板2とトレイ15が基板載置面31とトレイ支持面28にそれぞれ静電吸着される。直流電圧印加機構205から静電吸着用電極204への直流電圧の印加を停止すると、基板2とトレイ15の静電吸着が共に解除される。前述のように、静電吸着用電極204から基板載置面31及びトレイ支持面28までの距離を実質的に等しく設定したことにより、より安定してトレイ15をトレイ支持面28に静電吸着保持できる。
図11から図12Bに示す本発明の第3実施形態では、誘電体板23に高周波印加用電極206を内蔵し、この高周波印加用電極206に高周波印加機構56からバイアス電圧を印加している。
2 基板
2a 下面
3 チャンバ
3a ゲート
3b エッチングガス供給口
3c 排気口
4 天板
5 ICPコイル
6 マッチング回路
7 高周波電源
9 基板サセプタ
10 ロードドック室
12 エッチングガス供給源
13 真空排気装置
15 トレイ
15a トレイ本体
15b 上面
15c 下面
15d 孔壁
15e 位置決め切欠
16 搬送アーム
16a 位置決め突起
17 駆動装置
18 昇降ピン
19A〜19D 基板収容孔
21 基板支持部
21a 上面
21b 先端面
22A,22B センサ
23 誘電体板
24 金属板
25 スペーサ板
26 ガイド筒体
27 アースシールド
28 トレイ支持面
29A〜29D 基板載置部
31 基板載置面
32 円環状突出部
33 円柱状突起
34 直線状溝
35 円環状溝
36 円形開口
40 基板吸着電極
41 直流電源
42 抵抗
43 直流電圧印加機構
44 供給孔
45 伝熱ガス供給機構
46 伝熱ガス源
47 供給流路
48 流量計
49 流量制御バルブ
50 圧力計
51 排出流路
52 カットオフバルブ
53 バイパス流路
54 排気口
56 高周波印加機構
57 高周波電源
58 可変容量コンデンサ
59 冷却機構
60 冷媒流路
61 冷媒循環装置
63 コントローラ
201 導電層
202 トレイ吸着電極
203 直流電圧印加機構
204 静電吸着用電極
205 直流電圧印加機構
206 高周波印加用電極
211A〜211D 着脱部材
Claims (5)
- 減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
それぞれ基板を収容する厚み方向に貫通する複数の基板収容孔と、それぞれ前記基板収容孔内に収容された前記基板の下面の外周縁部分を支持する複数の基板支持部とを備える、前記チャンバ内へ搬入搬出可能なトレイと、
前記チャンバ内に設けられ、前記チャンバ内に搬入される複数の前記基板を収容した前記トレイの下面を支持するトレイ支持部と、それぞれ前記基板の下面が前記トレイを介さずに載置される複数の基板載置部とを備える、誘電体部材と、
前記誘電体部材に内蔵され、複数の前記基板を前記トレイを介さずに前記基板載置部にそれぞれ静電吸着すると共に、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着するための静電吸着用電極と、
前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構と、
前記トレイ支持部及び前記基板載置部を含む前記誘電体部材を冷却する機構と
を備え、
前記静電吸着用電極は、
それぞれ前記基板を前記基板載置部に静電吸着するための複数の第1の静電吸着用電極と、
前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着するための、互いに隣接する前記第1の静電吸着用電極間に拡がる第2の静電吸着用電極と
を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 前記基板と前記基板載置部との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記トレイは誘電体からなり、かつ下面に導電層を備えることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記トレイの下面を研磨処理していることを特徴とする、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- トレイの複数の基板収容孔に複数の基板を収容し、
複数の前記基板を収容した前記トレイをチャンバ内に配置された誘電体部材へ搬送し、
前記トレイを前記誘電体部材が備えるトレイ支持部に載置すると共に、複数の前記基板を前記トレイを介さずに前記誘電体部材が備える複数の基板載置部にそれぞれ載置し、
前記誘電体部材に内蔵された静電吸着用電極に直流電圧を印加することで、複数の前記基板を前記トレイを介さずに前記基板載置部にそれぞれ静電吸着すると共に、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着し、前記静電吸着用電極は、それぞれ前記基板を前記基板載置部に静電吸着するための複数の第1の静電吸着用電極と、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着するための、互いに隣接する前記第1の静電吸着用電極間に拡がる第2の静電吸着用電極とを備え、
前記誘電体部材の前記トレイ支持部及び前記基板載置部を冷却しつつ、チャンバ内にプラズマを発生させて前記基板にプラズマ処理を施した後に、複数の前記基板を収容した前記トレイを前記チャンバから搬出する、プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012100708A JP5539436B2 (ja) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012100708A JP5539436B2 (ja) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009075691A Division JP2010232250A (ja) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012191217A JP2012191217A (ja) | 2012-10-04 |
JP5539436B2 true JP5539436B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=47083962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012100708A Active JP5539436B2 (ja) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5539436B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103072939B (zh) * | 2013-01-10 | 2016-08-03 | 北京金盛微纳科技有限公司 | 一种控温深硅刻蚀方法 |
JP6778882B2 (ja) * | 2016-06-08 | 2020-11-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用トレイ |
CN106191808B (zh) * | 2016-09-05 | 2019-01-01 | 江苏协鑫特种材料科技有限公司 | 一种化学气相沉积反应器 |
JP6969182B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2767282B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1998-06-18 | 日本真空技術株式会社 | 基板保持装置 |
JP4361045B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2009-11-11 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-04-26 JP JP2012100708A patent/JP5539436B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012191217A (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4361045B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR102383357B1 (ko) | 배치대 및 기판 처리 장치 | |
JP2007109771A (ja) | プラズマ処理装置用のトレイ | |
US7736528B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
WO2010109848A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4841686B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5595549B2 (ja) | プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 | |
US10217617B2 (en) | Plasma processing apparatus and method therefor | |
JP5243465B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20170301578A1 (en) | Focus ring assembly and a method of processing a substrate using the same | |
JP2010225775A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010232250A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5539436B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP7110020B2 (ja) | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 | |
JP5324975B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4781445B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4969595B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2020017700A (ja) | 基板処理装置及び基板処理制御方法 | |
JP4783440B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6778882B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用トレイ | |
JP6981652B2 (ja) | プラズマ処理用基板トレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130620 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5539436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140430 |