JP7113733B2 - 基板処理装置用構造物及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 96
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 81
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 41
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 37
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3343—Problems associated with etching
- H01J2237/3344—Problems associated with etching isotropy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
本開示は、基板処理装置用構造物及び基板処理装置に関する。
チャンバ内に処理ガスが導入され、チャンバ内の電極に高周波電力を印加することにより、基板にエッチング処理等の所望の処理を施す基板処理装置が知られている。
特許文献１には、処理空間に露出する面を有する円板状の天井電極板を有する基板処理装置が開示されている。
一の側面では、本開示は、プロセスの変動を抑制する基板処理装置用構造物及び基板処理装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板を支持する支持体と対向する側に設けられる基板処理装置用構造物であって、チャンバの内部空間に露出している表面が第１の粗さに調整された電極板と、前記電極板の外側にて、前記内部空間に露出している表面が第２の粗さに調整された環状部材と、を有し、前記第１の粗さと前記第２の粗さとが異なる、基板処理装置用構造物が提供される。
一の側面によれば、プロセスの変動を抑制する基板処理装置用構造物及び基板処理装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
＜基板処理装置＞
一実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。
一実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。
基板処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有する。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成される。チャンバ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであってよい。
チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１２ｐを通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられるゲートバルブ１２ｇにより開閉される。
チャンバ本体１２の底部上には、支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓの中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、上部に支持台１４を有する。支持台１４は、内部空間１０ｓの中において、基板Ｗを支持するように構成されている。
支持台１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。支持台１４は、電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形成され、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されて、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。
静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。静電チャック２０の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。その静電引力により、基板Ｗが静電チャック２０に保持される。
下部電極１８の周縁部上には、基板Ｗのエッジを囲むように、エッジリング２５が配置される。エッジリング２５は、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成され得る。
下部電極１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット（図示しない）から配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。
基板処理装置１には、ガス供給ライン２４が設けられている。ガス供給ライン２４は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。
基板処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する材料から形成される。上部電極３０と部材３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。
上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１０ｓの側の下面であり、内部空間１０ｓを画成する。天板３４は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４は、天板３４をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａを有する。
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６は、アルミニウムなどの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
ガス供給管３８には、バルブ群４２、流量制御器群４４、及びガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４２、及び流量制御器群４４、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含む。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群４４は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４４の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４２の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。
基板処理装置１では、チャンバ本体１２の内壁面及び支持部１３の外周に沿って、シールド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２に反応副生物が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
支持部１３とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することにより構成される。バッフルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。
基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を備えている。第１の高周波電源６２は、第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。第１の高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。第１の高周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。
第２の高周波電源６４は、第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力は、第１の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第１の高周波電力と共に第２の高周波電力が用いられる場合には、第２の高周波電力は基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第２の高周波電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。第２の高周波電源６４は、整合器６８及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。
なお、第１の高周波電力を用いずに、第２の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第２の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも大きな周波数、例えば４０ＭＨｚであってもよい。基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び整合器６６を備えなくてもよい。第２の高周波電源６４は一例のプラズマ生成部を構成する。
基板処理装置１においてガスが、ガス供給部から内部空間１０ｓに供給されて、プラズマを生成する。また、第１の高周波電力及び／又は第２の高周波電力が供給されることにより、上部電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界がプラズマを生成する。
基板処理装置１は、電源７０を備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は内部空間１０ｓ内に存在する正イオンを天板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。
基板処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置１の各部を制御する。
＜基板処理装置用構造物＞
次に、天板３４の構造について、図２を用いて説明する。図２は、一実施形態に係る基板処理装置１の天板３４の一例を示す断面模式図である。
次に、天板３４の構造について、図２を用いて説明する。図２は、一実施形態に係る基板処理装置１の天板３４の一例を示す断面模式図である。
天板３４は、天井電極板１００と、プロテクションリング２００と、冷却板３００と、を有し、基板Ｗを支持する支持台１４と対向する側に設けられている。なお、石英等の珪素含有化合物により形成され、内部空間１０ｓに露出するインナーセル１１０、アウターセル１２０及び第１プロテクションリング２１０を基板処理装置用構造物とも称する。
天井電極板１００は、インナーセル１１０と、アウターセル１２０と、を有している。インナーセル１１０は、石英等の珪素含有化合物により形成される円板状の部材であり、支持台１４（図１参照）上方に配置される。インナーセル１１０は、電源７０（図１参照）によって電圧が印加され、第１の上部電極部として機能する。インナーセル１１０は、内部空間１０ｓに露出するフラット面１１０ｆを有する。アウターセル１２０は、石英等の珪素含有化合物により形成されるリング状の部材であり、インナーセル１１０の外周側に配置される。アウターセル１２０は、電源７０（図１参照）によって電圧が印加され、第２の上部電極部として機能する。アウターセル１２０は、内部空間１０ｓに露出するフラット面１２０ｆ及びテーパ面１２０ｔを有する。なお、電源７０（図１参照）は、インナーセル１１０及びアウターセル１２０に個別に電圧を印加することができるようになっている。これにより、天井電極板１００（天板３４）の電圧分布を調整することができる。また、天井電極板１００は、内部空間１０ｓに露出している表面（フラット面１１０ｆ，１２０ｆ、テーパ面１２０ｔ）が所定の第１の粗さに調整されている。
プロテクションリング２００は、石英等の珪素含有化合物により形成されるリング状の部材であり、アウターセル１２０の外周側に配置される。換言すれば、プロテクションリング２００は、絶縁性の材料からなる部材３２を支持台１４から遠ざけるように設けられている。これにより、部材３２から発生したパーティクルが支持台１４に載置された基板Ｗのプロセスに影響を与えることを防止する。プロテクションリング２００は、第１プロテクションリング２１０と、第２プロテクションリング２２０と、を有している。第１プロテクションリング２１０は、内部空間１０ｓに露出している部品であり、例えば、メンテナンスの際に交換される部品である。第２プロテクションリング２２０は、内部空間１０ｓに露出していない部品であり、例えば、第１プロテクションリング２１０よりも肉厚に形成され、メンテナンスの際に再利用される部品である。第１プロテクションリング２１０は、内部空間１０ｓに露出するフラット面２１０ｆ及びテーパ面２１０ｔを有する。また、プロテクションリング２００は、内部空間１０ｓに露出している表面（フラット面２１０ｆ、テーパ面２１０ｔ）が所定の第２の粗さに調整されている。
冷却板３００は、支持体３６（図１参照）と天井電極板１００（インナーセル１１０、アウターセル１２０）との間に介在し、プラズマ処理中において天井電極板１００を所定の温度に冷却する。
冷却板３００は、インナーセル１１０と接する第１部材３１０と、アウターセル１２０と接する第２部材３２０と、第１部材３１０と第２部材３２０とを隔てる第３部材３３０と、を有している。
ここで、天井電極板１００の内部空間１０ｓに露出している表面の状態と、基板Ｗのエッチングレートとの関係について、図３を用いて説明する。図３は、天井電極板１００の表面の状態と消費される処理ガスとの関係を説明する模式図である。なお、図３（ａ）では、天井電極板１００の表面の粗さが小さい状態（例えば、算術平均粗さＲａ＝０．０２）を示す。図３（ｂ）では、天井電極板１００の表面の粗さが大きい状態（例えば、算術平均粗さＲａ＝７．０）を示す。また、処理ガスとして、ＣＦ系ガス（図３では、ＣｘＦｙとして表記する。）を用い、基板Ｗをエッチングする場合を例に説明する。
図３（ａ）に示す状態において、天井電極板１００の表面積は、後述する図３（ｂ）の状態よりも小さくなる。このため、天井電極板１００の表面で消費される処理ガスは、後述する図３（ｂ）の状態よりも少なくなる。結果、基板Ｗで消費される処理ガスが後述する図３（ｂ）の状態よりも多くなる。よって、基板Ｗのエッチングレートは、後述する図３（ｂ）の状態よりも高くなる。
一方、図３（ｂ）に示す状態において、天井電極板１００の表面積は、図３（ａ）の状態よりも大きくなる。このため、天井電極板１００の表面で消費される処理ガスは、図３（ａ）の状態よりも多くなる。結果、基板Ｗで消費される処理ガスが図３（ａ）の状態よりも少なくなる。よって、基板Ｗのエッチングレートは、図３（ａ）の状態よりも低くなる。
図４は、基板処理装置１の第１の高周波電力の印加時間（ＲＦ印加時間）と基板Ｗのエッチングレートとの関係の一例を示すグラフである。ここでは、表面の粗さが小さい（例えば、算術平均粗さＲａ＝０．０２）天井電極板を用いて、基板処理装置１による基板Ｗのエッチングを行う。
図３で示したように、天井電極板の表面の粗さが小さい状態では、基板Ｗのエッチングレートは高くなる。また、基板処理装置１のＲＦ印加時間が経過するにつれ、天井電極板１００の表面が処理ガスによってエッチングされ、天井電極板１００の表面の粗さが変化する。このため、図４に示すように、基板処理装置１のＲＦ印加時間が時間Ｔ１未満の領域では、エッチングレートが大きく変動する。一方、基板処理装置１のＲＦ印加時間が時間Ｔ１以上の領域では、処理ガスによって天井電極板１００の表面がエッチングされていくものの、天井電極板１００の表面の粗さの変動が小さくなり、エッチングレートが安定する。
実験結果を図５に示す。図５は、一実施形態に係る天井電極板１００を用いた際のエッチングレートの変動と、参考例に係る天井電極板を用いた際のエッチングレートの変動と、を対比するグラフである。また、図５のグラフにおいて、横軸はＲＦ印加時間を示し、縦軸はエッチングレートを示す。なお、縦軸の数値は、初期状態のエッチングレートを１として正規化した。また、実線は、一実施形態に係る天井電極板１００を用いた際のエッチングレートを示し、破線は、参考例に係る天井電極板を用いた際のエッチングレートを示す。また、図５（ａ）は基板Ｗの酸化シリコン膜をエッチングした場合であり、図５（ｂ）は基板Ｗの窒化シリコン膜をエッチングした場合である。
参考例では、表面の粗さが小さい（Ｒａ＝０．０２）天井電極板１００を用いた。これに対し、一実施形態では、表面の粗さが予め規定の粗さの範囲内（Ｒａ＝４．５～８．０）となるように粗した天井電極板１００を用いた。
図５（ａ）に示すように、酸化シリコン膜のエッチングにおいて、参考例ではエッチングレートが４．５％変動した。これに対し、一実施形態ではエッチングレートが１．１％変動した。
図５（ｂ）に示すように、窒化シリコン膜のエッチングにおいて、参考例ではエッチングレートが３．５％変動した。これに対し、一実施形態ではエッチングレートが０．７％変動した。
このように、一実施形態に係る天井電極板１００では、参考例に係る天井電極板と比較して、酸化シリコン膜のエッチング及び窒化シリコン膜のエッチングのいずれにおいてもエッチングレートの変動を抑制できることが確認できた。
以上、一実施形態に係る基板処理装置１に用いられる基板処理装置用構造物は、天井電極板１００（インナーセル１１０、アウターセル１２０）における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さと、第１プロテクションリング２１０における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さとが、異なっている。
また、天井電極板１００における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さを、第１プロテクションリング２１０における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さよりも大きくすることが好ましい。これにより、天井電極板１００の表面の粗さを大きくすることにより、エッチングレートの変動を抑制することができる。また、第１プロテクションリング２１０の表面の粗さを小さくすることにより、第１プロテクションリング２１０で消費される処理ガスを低減して、基板Ｗのエッチングレートの低下を抑制することができる。
なお、天井電極板１００における内部空間１０ｓに露出している表面において、算術平均粗さＲａは４．５以上８．０以下とすることが好ましい。または、最大高さＲｚは２５．０以上５０．０以下とすることが好ましい。算術平均粗さＲａが４．５未満、または、最大高さＲｚが２５．０未満の場合、天井電極板１００がエッチングされた際、天井電極板１００の表面の粗さが変化し、エッチングレートが変動する。また、算術平均粗さＲａが８．０より大きく、または、最大高さＲｚが５０．０より大きい場合、天井電極板１００の表面積が増えるため、基板Ｗで消費される処理ガスが減少し、基板Ｗのエッチングレートが低下する。よって、天井電極板１００の表面の算術平均粗さＲａが４．５以上８．０以下、または、最大高さＲｚが２５．０以上５０．０以下とすることにより、基板Ｗのエッチングレートを確保しつつ、エッチングレートの変動を抑制することができる。なお、天井電極板１００は、研磨材による表面加工（例えば、サンドブラスト加工）によって、所望の粗さとすることができる。
同様に、第１プロテクションリング２１０における内部空間１０ｓに露出している表面において、算術平均粗さＲａは１．０以上２．５以下とすることが好ましい。または、最大高さＲｚは１０．０以上１５．０以下とすることが好ましい。算術平均粗さＲａが１．０未満、または、最大高さＲｚが１０．０未満の場合、加工コストが上昇する。また、算術平均粗さＲａが２．５より大きく、または、最大高さＲｚが１５．０より大きい場合、第１プロテクションリング２１０の表面積が増えるため、基板Ｗで消費される処理ガスが減少し、基板Ｗのエッチングレートが低下する。よって、第１プロテクションリング２１０の表面の算術平均粗さＲａが１．０以上２．５以下、または、最大高さＲｚが１０．０以上１５．０以下とすることにより、基板Ｗのエッチングレートを確保することができる。なお、第１プロテクションリング２１０は、砥粒による表面加工（例えば、砂ずり加工）によって、所望の粗さとすることができる。
また、天井電極板１００のテーパ面１２０ｔの粗さを、天井電極板１００のフラット面１１０ｆ，１２０ｆの粗さよりも大きくすることが好ましい。これにより、天井電極板１００の加工コストを低減することができる。
以上、基板処理装置１の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
天井電極板１００は、インナーセル１１０及びアウターセル１２０の２部材で構成される場合を例に説明したが、これに限られるものではない。天井電極板１００は、１部材であってもよく、３部材以上あってもよい。また、インナーセル１１０とアウターセル１２０で、表面の粗さが異なっていてもよい。例えば、インナーセル１１０とアウターセル１２０で表面の粗さを異ならせることにより、基板Ｗの径方向におけるエッチングレートを調整することができる。
処理ガスは、ＣＦ系ガスに限られるものではなく、その他の処理ガスを用いてもよい。
また、処理ガスは、アルゴン、ヘリウム、クリプトン、キセノン等の希ガスが含まれていてもよい。内部空間１０ｓに供給された希ガスは、主に第１の高周波電力により解離及び電離してプラズマとなる。プラズマ中には、希ガスイオンが含まれる。希ガスイオンは、電源７０の印加電圧により、天井電極板１００へ向かって移動し、天井電極板１００に衝突することで、天井電極板１００のシリコンがスパッタされる。このように、天井電極板１００の表面は、エッチング及びスパッタにより粗さが変化し、第１プロテクションリング２１０の表面は、エッチングにより粗さが変化する。このため、天井電極板１００の表面をエッチング及びスパッタによる粗さの変動に応じて予め第１の粗さへと粗し、第１プロテクションリング２１０の表面をエッチングによる粗さの変動に応じて予め第１の粗さとは異なる第２の粗さへと粗すことにより、基板Ｗのエッチングレートの変動を抑制することができる。
また、天井電極板１００における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さを、第１プロテクションリング２１０における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さよりも大きくするものとして説明したが、これに限られるものではない。天井電極板１００における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さを、第１プロテクションリング２１０における内部空間１０ｓに露出している表面の粗さよりも小さくしてもよい。第１プロテクションリング２１０の表面の粗さを変更することにより、基板Ｗの外周部のエッチングレートを変更することができる。
Ｗ 基板
１ 基板処理装置
１０ｓ 内部空間
１４ 支持台（支持体）
３０ 上部電極
３２ 部材
３４ 天板
３６ 支持体
３８ ガス供給管
４０ ガスソース群
４２ バルブ群
４４ 流量制御器群
４６ シールド
４８ バッフルプレート
７０ 電源
８０ 制御部
１００ 天井電極板（電極板）
１１０ インナーセル（電極板、第１の電極板）
１２０ アウターセル（電極板、第１の電極板）
２００ プロテクションリング（環状部材）
２１０ 第１プロテクションリング（環状部材）
２２０ 第２プロテクションリング
３００ 冷却板
３１０ 第１部材
３２０ 第２部材
３３０ 第３部材
１１０ｆ フラット面
１２０ｆ フラット面
１２０ｔ テーパ面
２１０ｆ フラット面
２１０ｔ テーパ面
１ 基板処理装置
１０ｓ 内部空間
１４ 支持台（支持体）
３０ 上部電極
３２ 部材
３４ 天板
３６ 支持体
３８ ガス供給管
４０ ガスソース群
４２ バルブ群
４４ 流量制御器群
４６ シールド
４８ バッフルプレート
７０ 電源
８０ 制御部
１００ 天井電極板（電極板）
１１０ インナーセル（電極板、第１の電極板）
１２０ アウターセル（電極板、第１の電極板）
２００ プロテクションリング（環状部材）
２１０ 第１プロテクションリング（環状部材）
２２０ 第２プロテクションリング
３００ 冷却板
３１０ 第１部材
３２０ 第２部材
３３０ 第３部材
１１０ｆ フラット面
１２０ｆ フラット面
１２０ｔ テーパ面
２１０ｆ フラット面
２１０ｔ テーパ面
Claims (11)
- 基板を支持する支持体と対向する側に設けられる基板処理装置用構造物であって、
チャンバの内部空間に露出している表面が第１の粗さに調整された電極板と、
前記電極板の外側にて、前記内部空間に露出している表面が第２の粗さに調整された環状部材と、を有し、
前記第１の粗さと前記第２の粗さとが異なる、
基板処理装置用構造物。 - 前記第１の粗さは、前記第２の粗さよりも大きい、
請求項１に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記電極板における前記内部空間に露出している表面は、フラット面及びテーパ面を有し、
前記第１の粗さのうち、前記テーパ面の粗さは、前記フラット面の粗さよりも大きい、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記電極板は、
前記内部空間に露出している表面が前記フラット面を有する第１の電極板と、
前記第１の電極板の外側にて、前記内部空間に露出している表面が前記テーパ面を有する第２の電極板と、に分割されている、
請求項３に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記第１の粗さは、算術平均粗さＲａが４．５以上８．０以下である、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記第１の粗さは、最大高さＲｚが２５．０以上５０．０以下である、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記第２の粗さは、算術平均粗さＲａが１．０以上２．５以下である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記第２の粗さは、最大高さＲｚが１０．０以上１５．０以下である、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記電極板及び前記環状部材は、珪素含有化合物により形成される、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物。 - 前記電極板及び前記環状部材は、石英により形成される、
請求項９に記載の基板処理装置用構造物。 - 請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置用構造物を備える基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018236528A JP7113733B2 (ja) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 基板処理装置用構造物及び基板処理装置 |
| US16/708,740 US20200194238A1 (en) | 2018-12-18 | 2019-12-10 | Structure for substrate processing apparatus |
| KR1020190164613A KR20200075750A (ko) | 2018-12-18 | 2019-12-11 | 기판 처리 장치용 구조물 및 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018236528A JP7113733B2 (ja) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 基板処理装置用構造物及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020098869A JP2020098869A (ja) | 2020-06-25 |
| JP7113733B2 true JP7113733B2 (ja) | 2022-08-05 |
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ID=71072821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018236528A Active JP7113733B2 (ja) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 基板処理装置用構造物及び基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200194238A1 (ja) |
| JP (1) | JP7113733B2 (ja) |
| KR (1) | KR20200075750A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102663316B1 (ko) * | 2023-07-18 | 2024-05-03 | 솔믹스 주식회사 | 상부 전극, 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142329A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | 処理装置 |
| JP2016207788A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極の表面処理方法、プラズマ処理装置及び上部電極 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4628900B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP4777790B2 (ja) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理室用構造物、プラズマ処理室、及びプラズマ処理装置 |
| JP5674280B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2011146571A2 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Applied Materials, Inc. | Tightly-fitted ceramic insulator on large-area electrode |
-
2018
- 2018-12-18 JP JP2018236528A patent/JP7113733B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-10 US US16/708,740 patent/US20200194238A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012142329A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | 処理装置 |
| JP2016207788A (ja) | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極の表面処理方法、プラズマ処理装置及び上部電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200075750A (ko) | 2020-06-26 |
| US20200194238A1 (en) | 2020-06-18 |
| JP2020098869A (ja) | 2020-06-25 |
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