JP6645856B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Description
Claims (4)
- 真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波電力をインピーダンス整合器を介して出力する高周波電源を備えて真空チャンバ内の被処理基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
インピーダンス整合器は、静電容量が可変のコンデンサを有し、高周波電力の出力時にこのコンデンサの静電容量を起点とし、プラズマのインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンスとが整合するようにこの起点から静電容量を減少または増加させると共に、この整合時の静電容量を次に高周波電力が出力されるときの調整点とし、調整点から静電容量を減少または増加させる制御手段を設け、
前記制御手段は、高周波電力の出力が一旦停止された後、再開されるまでの時間を計測し、この計測した時間が所定値を超えると、起点から調整点までの静電容量の減少分または増加分に応じて、コンデンサの静電容量を補正し、この補正後の静電容量を起点とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波電力をインピーダンス整合器を介して出力する高周波電源を備えて真空チャンバ内の被処理基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
インピーダンス整合器は、静電容量が可変のコンデンサを有し、高周波電力の出力時にこのコンデンサの静電容量を起点とし、プラズマのインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンスとが整合するようにこの起点から静電容量を減少または増加させると共に、この整合時の静電容量を次に高周波電力が出力されるときの調整点とし、調整点から静電容量を減少または増加させる制御手段を設け、
プラズマからの反射波電力を測定する測定手段を更に備え、
前記制御手段は、一の被処理基板に対するプラズマ処理時に前記測定手段により測定される反射波電力と時間の積分値が、他の被処理基板に対するプラズマ処理時に予め測定された反射波電力と時間の積分値と一致するように、起点から静電容量を減少または増加させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波電力をインピーダンス整合器を介して出力する高周波電源を備えて真空チャンバ内の被処理基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
インピーダンス整合器は、静電容量が可変のコンデンサを有し、高周波電力の出力時にこのコンデンサの静電容量を起点とし、プラズマのインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンスとが整合するようにこの起点から静電容量を減少または増加させると共に、この整合時の静電容量を次に高周波電力が出力されるときの調整点とし、調整点から静電容量を減少または増加させる制御手段を設け、プラズマからの反射波電力を測定する測定手段を更に備え、
前記制御手段は、一の被処理基板に対するプラズマ処理時に前記測定手段により測定される反射波電力が、他の被処理基板に対するプラズマ処理時に予め測定された反射波電力の変化に追従するように、起点から静電容量を減少または増加させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波電力をインピーダンス整合器を介して出力する高周波電源を備えて真空チャンバ内の被処理基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
インピーダンス整合器は、静電容量が可変のコンデンサを有し、高周波電力の出力時にこのコンデンサの静電容量を起点とし、プラズマのインピーダンスと高周波電源の出力インピーダンスとが整合するようにこの起点から静電容量を減少または増加させると共に、この整合時の静電容量を次に高周波電力が出力されるときの調整点とし、調整点から静電容量を減少または増加させる制御手段を設け、
プラズマからの反射波電力を測定する測定手段を更に備え、
前記制御手段は、被処理基板に対するプラズマ処理時に前記測定手段により測定される反射波電力が、予め設定された反射波電力の変化の設定値に追従するように、起点から静電容量を減少または増加させることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016020114A JP6645856B2 (ja) | 2016-02-04 | 2016-02-04 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016020114A JP6645856B2 (ja) | 2016-02-04 | 2016-02-04 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017139164A JP2017139164A (ja) | 2017-08-10 |
JP6645856B2 true JP6645856B2 (ja) | 2020-02-14 |
Family
ID=59566866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016020114A Active JP6645856B2 (ja) | 2016-02-04 | 2016-02-04 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6645856B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114008749A (zh) * | 2019-06-20 | 2022-02-01 | 朗姆研究公司 | 用于补偿射频功率损耗的系统和方法 |
JP7257918B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムおよびプラズマ着火支援方法 |
-
2016
- 2016-02-04 JP JP2016020114A patent/JP6645856B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017139164A (ja) | 2017-08-10 |
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