JP6832130B2 - 成膜装置 - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、成膜装置に関するものである。
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、成膜処理が行われて基板上に膜が形成されることがある。成膜処理には、スパッタリングによって膜を形成する成膜装置が用いられることがある。
スパッタリングによって膜を形成する成膜装置は、一般的に、チャンバ本体、及び、ターゲットホルダを備えている。ターゲットホルダは、ターゲットを保持する。成膜装置では、基板がチャンバ本体内に収容され、チャンバ本体内にガスが供給される。そして、ターゲットに電圧が印加されることにより、解離したガスからのイオンがターゲットに衝突する。ターゲットにイオンが衝突することにより、ターゲットの構成物質が当該ターゲットから放出される。ターゲットから放出された物質は基板上に堆積する。これにより、基板上に膜が形成される。
成膜装置の一種として、基板の中心を水平面内において直線的に移動させつつスパッタリングにより膜を形成する成膜装置が開発されている。このような成膜装置は、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された成膜装置は、遮蔽部材を更に備えている。遮蔽部材は、基板が移動する領域の上方に設けられている。遮蔽部材には、基板の移動方向に直交する方向において長く延びたスリットが形成されている。ターゲットホルダは、移動する基板にスリットを介してターゲットが対面するように、遮蔽部材の上方においてターゲットを保持する。
成膜においては、基板上に形成される膜の厚み、即ち膜厚のバラツキが小さいことが要求される。この要求に応えるために、特許文献１に記載された成膜装置では、ターゲットは、基板の移動方向に対して直交する方向において、当該基板のサイズの２倍以上のサイズを有している。
特開２０１５−６７８５６号公報
上述したように、成膜装置による成膜によって形成される膜の厚みのバラツキを小さくするためには、ターゲットのサイズが基板のサイズより相当に大きいことが求められる。しかしながら、大きいサイズを有するターゲットのコストは高いので、成膜のコストが高くなる。したがって、膜厚のバラツキを抑制し、且つ、成膜のコストを抑制することが要求される。
一態様においては、スパッタリングによって基板上に膜を形成する成膜装置が提供される。この成膜装置は、チャンバ本体、支持体、移動装置、遮蔽部材、第１のホルダ、及び、第２のホルダを備える。支持体は、チャンバ本体内において基板を支持するよう構成されている。移動装置は、支持体を移動させるように構成されている。移動装置によって支持体が移動されると、支持体によって支持された基板の中心は、水平面内の直線経路上で移動する。遮蔽部材は、移動装置によって基板が移動される領域の上方に設けられている。遮蔽部材にはスリットが形成されている。スリットは、移動装置による基板の移動方向に直交する方向に延在し、且つ、上記直線経路を含む垂直面に対して対称に延在している。第１のターゲットホルダは、第１のターゲットの表面の法線方向である第１の法線方向が下方に傾斜し、且つ、第１のターゲットの表面が移動装置によって移動される基板にスリットを介して対面するよう、遮蔽部材の上方において第１のターゲットを保持する。第２のホルダは、第２のターゲットの表面の法線方向である第２の法線方向が下方に傾斜し、且つ、第２のターゲットの表面が移動装置によって移動される基板にスリットを介して対面するよう、遮蔽部材の上方において第２のターゲットを保持する。第１のホルダ及び第２のホルダは、第１のターゲット及び第２のターゲットを上記直線経路を含む垂直面に対して対称に配置するように、設けられている。
一態様に係る成膜装置では、第１のターゲット及び第２のターゲットを含む二以上のターゲットが、基板の中心がその上で移動する直線経路を含む垂直面に対して対称に配置される。したがって、当該垂直面に対して直交する方向における膜厚のバラツキが抑制される。また、基板が当該直線経路上で直線的に移動されるので、移動方向における基板の膜厚のバラツキも抑制される。故に、基板の面内における膜厚のバラツキが抑制される。さらに、この成膜装置は、基板のサイズより大きなターゲットを用いることなく、二つ以上のターゲットを用いて成膜を行うことができる。したがって、この成膜装置によれば、ターゲットのコストが抑制され、ひいては、成膜のコストが抑制される。
一実施形態では、成膜装置は、一以上の電源及び制御部を更に備える。一以上の電源は、第１のターゲット及び第２のターゲットに電圧を印加する。制御部は、一以上の電源による第１のターゲット及び第２のターゲットに対する電圧の印加を制御する。制御部は、第１のターゲット及び第２のターゲットから同時にターゲット物質を放出させるよう、一以上の電源を制御する。
一実施形態では、第１のホルダ及び第２のホルダはそれぞれ、第１の法線方向の水平成分及び第２の法線方向の水平成分が基板の移動方向に対して平行であるように、第１のターゲット及び第２のターゲットを保持する。一実施形態では、第１のホルダ及び第２のホルダはそれぞれ、第１のターゲットの表面の中心と第２のターゲットの表面の中心との間の距離が、上記移動方向に直交する方向における基板の幅の１倍以上、２．６６倍以下であるように、第１のターゲット及び第２のターゲットを保持する。この実施形態によれば、基板の面内における膜厚のバラツキが更に抑制される。
一実施形態では、第１のホルダ及び第２のホルダはそれぞれ、第１の法線方向及び第２の法線方向が上記直線経路を含む垂直面に交差するように、第１のターゲット及び第２のターゲットを保持する。一実施形態では、第１のホルダ及び第２のホルダはそれぞれ、第１の法線方向の水平成分及び第２の法線方向の水平成分が当該垂直面に対して２０°以上、５０°以下の角度をなすように、第１のターゲット及び第２のターゲットを保持する。この実施形態によれば、第１のターゲットと第２のターゲットとが互いに大きく離れていなくても、基板の面内における膜厚のバラツキが更に抑制される。
以上説明したように、膜厚のバラツキを抑制し、且つ、成膜のコストを抑制することが可能となる。
一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。 図１に示す成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び、遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す斜視図である。 図１に示す成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。 第１のシミュレーションの結果を示すグラフである。 別の実施形態に係る成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び、遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す斜視図である。 別の実施形態に係る成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。 第２のシミュレーションの結果を示すグラフである。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図１においては、一実施形態に係る成膜装置１０が部分的に破断された状態で示されている。図２は、図１に示す成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び、遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す斜視図である。図３は、図１に示す成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。成膜装置１０は、スパッタリングによって成膜を行う装置である。成膜装置１０は、チャンバ本体１２、支持体１４、移動装置１６、遮蔽部材１８、第１のホルダ２０、及び、第２のホルダ２２を備えている。
チャンバ本体１２は、その内部空間をチャンバ１２ｃとして提供している。一実施形態において、チャンバ本体１２は、本体部１２ａ及び蓋部１２ｂを有している。本体部１２ａは、略円筒形状を有し得る。本体部１２ａの上端は開口されている。蓋部１２ｂは、本体部１２ａの上端の開口を閉じるように、本体部１２ａの上端の上に設けられている。
チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが形成されている。この排気口１２ｅには、排気装置２４が接続されている。排気装置２４は、圧力制御装置、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった減圧ポンプを含み得る。また、チャンバ本体１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。この開口１２ｐは、チャンバ１２ｃ内への基板Ｗの搬入、及び、チャンバ１２ｃからの基板Ｗの搬出のために設けられている。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能になっている。また、チャンバ本体１２には、チャンバ１２ｃにガスを導入するためのポート１２ｉが設けられている。チャンバ１２ｃには、ガス供給部からのガス、例えば、不活性ガスがポート１２ｉを介して導入される。
支持体１４は、チャンバ本体１２内、即ちチャンバ１２ｃ内に設けられている。支持体１４は、その上に搭載される基板Ｗを支持するよう構成されている。基板Ｗは、例えば円盤形状を有している。なお、基板Ｗは、矩形の平面形状を有していてもよい。基板Ｗは、その表面が略水平に維持されるように、支持体１４上に搭載される。
移動装置１６は、基板Ｗの表面を水平に維持しつつ、支持体１４を移動させる。移動装置１６は、支持体１４によって支持された基板Ｗの中心が直線経路ＬＰ上で移動するように、支持体１４を移動させる。直線経路ＬＰは仮想の水平面内にある直線状の経路である。直線経路ＬＰは、水平面内において、一方向、即ち移動方向ＭＤに延びる経路である。移動方向ＭＤは、図１〜図３においては、Ｘ方向に一致している。
一実施形態において、移動装置１６は、駆動装置１６ａ及び多関節アーム１６ｂを含み得る。駆動装置１６ａは、多関節アーム１６ｂの一端をＸ方向に移動させるための駆動力を発生する。駆動装置１６ａは、例えばモータである。多関節アーム１６ｂの一端には、支持体１４が取り付けられている。多関節アーム１６ｂの他端は、駆動装置１６ａの駆動軸に軸支されている。
遮蔽部材１８は、チャンバ１２ｃ内に設けられている。遮蔽部材１８は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域の上方に設けられている。遮蔽部材１８は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域の上方において略水平に延在する板状をなしている。この遮蔽部材１８によって、チャンバ１２ｃは、上方空間と下方空間とに区画される。チャンバ１２ｃ内の下方空間は、移動装置１６によって基板Ｗが移動される領域を含む。
遮蔽部材１８には、スリット１８ｓが形成されている。スリット１８ｓは、鉛直方向（即ち、Ｚ方向）において、遮蔽部材１８を貫通している。このスリット１８ｓは、Ｙ方向に延在している。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、移動方向ＭＤ（即ち、Ｘ方向）に直交する方向である。スリット１８ｓは、Ｙ方向において長く延びており、例えば略矩形形状を有している。即ち、スリット１８ｓのＹ方向における幅はスリット１８ｓのＸ方向における幅よりも長い。スリット１８ｓのＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも大きい。一方、スリット１８ｓのＸ方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。スリット１８ｓは、仮想の垂直面ＶＰに対して対称に延在している。この垂直面ＶＰは、Ｘ方向及びＺ方向に延びる仮想の平面であり、直線経路ＬＰを含む平面である。
第１のホルダ２０は、第１のターゲット２６を保持する。第１のターゲット２６は、例えば略矩形の平面形状を有する。一実施形態において、第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のサイズは、基板Ｗのサイズよりも小さい。例えば、第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも小さい。また、第１のターゲット２６の表面（露出している表面）のＹ方向に直交する方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。
第１のホルダ２０は、導電性を有する材料から形成されている。第１のホルダ２０は、遮蔽部材１８の上方に設けられている。第１のホルダ２０は、絶縁性の部材を介してチャンバ本体１２に取り付けられている。一実施形態では、第１のホルダ２０は、絶縁性の部材を介して蓋部１２ｂに取り付けられている。
第１のホルダ２０は、第１のターゲット２６の表面の法線方向である第１の法線方向ＮＤ１が下方に傾斜し、且つ、第１のターゲット２６の表面が、移動される基板Ｗにスリット１８ｓを介して対面するように、第１のターゲット２６を保持する。
第２のホルダ２２は、第２のターゲット２８を保持する。第２のターゲット２８は、例えば略矩形の平面形状を有する。一実施形態において、第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のサイズは、基板Ｗのサイズよりも小さい。例えば、第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のＹ方向における幅は、基板ＷのＹ方向における幅よりも小さい。また、第２のターゲット２８の表面（露出している表面）のＹ方向に直交する方向における幅は、基板ＷのＸ方向における幅よりも小さい。
第２のホルダ２２は、導電性を有する材料から形成されている。第２のホルダ２２は、遮蔽部材１８の上方に設けられている。第２のホルダ２２は、絶縁性の部材を介してチャンバ本体１２に取り付けられている。一実施形態では、第２のホルダ２２は、絶縁性の部材を介して蓋部１２ｂに取り付けられている。
第２のホルダ２２は、第２のターゲット２８の表面の法線方向である第２の法線方向ＮＤ２が下方に傾斜し、且つ、第２のターゲット２８の表面が、移動される基板Ｗにスリット１８ｓを介して対面するように、第２のターゲット２８を保持する。
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を、直線経路ＬＰを含む垂直面ＶＰに対して対称に配置するように、設けられている。一実施形態では、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２は、垂直面ＶＰに対して対称に配置されている。
一実施形態において、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１の水平成分及び第２の法線方向ＮＤ２の水平成分が移動方向ＭＤに対して平行であるように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。
一実施形態において、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１のターゲット２６の表面の中心と第２のターゲット２８の表面の中心との間の距離Ｌｔが、移動方向ＭＤに直交する方向（即ち、Ｙ方向）における基板Ｗの最大幅の１倍以上、２．６６倍以下であるように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。
第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２には、一以上の電源３０が電気的に接続されている。一以上の電源３０は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８が金属材料である場合には、直流電源であり得る。一以上の電源３０は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８が誘電体又は絶縁体である場合には、高周波電源であり、対応の整合器を介して第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に接続される。
第１のホルダ２０に電源３０からの電圧が印加されると、当該電圧は第１のターゲット２６にも印加される。第２のホルダ２２に電源３０からの電圧が印加されると、当該電圧は第２のターゲット２８にも印加される。一実施形態では、成膜装置１０は、二つの電源３０を備え、二つの電源３０のうち一方が第１のホルダ２０に電気的に接続され、二つの電源３０のうち他方が第２のホルダ２２に電気的に接続される。別の実施形態では、一つの電源３０が、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２の双方に電気的に接続される。
成膜装置１０は、制御部３２を備え得る。制御部３２は、成膜装置１０の各部を制御する。制御部３２は、例えばコンピュータ装置であり、ＣＰＵといったプロセッサ、及び、メモリといった記憶装置を有する。制御部３２の記憶装置には、成膜装置１０の各部の制御のためにプロセッサによって実行されるプログラム、及び、レシピデータが記憶されている。
一実施形態において、制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に対する一以上の電源３０からの電圧の印加を制御する。制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８から同時にそれぞれのターゲット物質が放出されるように、一以上の電源３０を制御する。例えば、制御部３２は、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に同時に電圧が印加されるように、一以上の電源３０を制御する。
成膜装置１０による成膜処理時には、基板Ｗがチャンバ１２ｃ内に搬入されて、当該基板Ｗが支持体１４上に搭載される。そして、ガス供給部からのガスがチャンバ１２ｃに導入される。また、排気装置２４によってチャンバ１２ｃが減圧される。さらに、移動装置１６によって基板Ｗが移動方向ＭＤに沿って移動されている間、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８に対して一以上の電源３０から電圧が印加される。これにより、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８それぞれの構成物質が基板Ｗ上に堆積する。その結果、基板Ｗ上に膜が形成される。なお、基板Ｗに対する成膜中に、基板Ｗは、直線経路ＬＰ上で移動方向ＭＤ及びその反対方向の双方に繰り返し移動されてもよい。
成膜装置１０では、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８が、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２によって保持されることにより、垂直面ＶＰに対して対称に配置される。したがって、垂直面ＶＰに対して直交する方向（Ｙ方向）における膜厚のバラツキが抑制される。また、基板Ｗが直線経路ＬＰ上で直線的に移動されるので、移動方向ＭＤにおける基板Ｗの膜厚のバラツキも抑制される。故に、基板Ｗの面内における膜厚のバラツキが抑制される。さらに、成膜装置１０は、基板Ｗのサイズより大きなターゲットを用いることなく、二つのターゲットを用いて成膜を行うことができる。したがって、成膜装置１０によれば、ターゲットのコストが抑制され、ひいては、成膜のコストが抑制される。
また、第１のターゲット２６の表面（露出されている表面）の中心と第２のターゲット２８の表面（露出されている表面）の中心との間の距離が、移動方向ＭＤに直交する方向（Ｙ方向）における基板の最大幅の１倍以上、２．６６倍以下の範囲内の距離に設定される場合には、基板Ｗの面内における膜厚のバラツキが更に抑制される。
以下、成膜装置１０の評価のために行った第１のシミュレーションについて説明する。第１のシミュレーションでは、成膜装置１０において形成される膜の厚み、即ち膜厚のＹ方向におけるバラツキを評価した。第１のシミュレーションでは、第１のターゲット２６の表面の中心と第２のターゲット２８の表面の中心との間の距離Ｌｔを可変のパラメータとして採用した。なお、第１のシミュレーションにおける設定を以下に示す。
＜第１のシミュレーションの設定＞
・第１のターゲット２６の表面のＹ方向における幅：２４０ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面のＹ方向に直交する方向における幅：１８０ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＸ方向における距離：２４５ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＺ方向における距離：２９５ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と基板Ｗの表面との間のＺ方向における距離：３００ｍｍ
・第１の法線方向ＮＤ１と水平面とがなす角度：５２度
・第２のターゲット２８の表面のＹ方向における幅：２４０ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面のＹ方向に直交する方向における幅：１８０ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＸ方向における距離：２４５ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＺ方向における距離：２９５ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と基板Ｗの表面との間のＺ方向における距離：３００ｍｍ
・第２の法線方向ＮＤ２と水平面とがなす角度：５２度
・基板Ｗの直径：３００ｍｍ
第１のシミュレーションでは、形成された膜の厚み（膜厚）を、基板ＷのＹ方向における直径上の複数の位置で求め、当該複数の位置における膜厚を基板Ｗの中心の膜厚で規格化し、当該複数の位置それぞれにおける膜厚の１σ（％）を求めた。なお、σは標準偏差である。図４に、第１のシミュレーションの結果を示す。図４のグラフにおいて横軸は、Ｌｔ／Ｗｄ、即ち、（第１のターゲット２６の表面の中心と第２のターゲット２８の表面の中心との間の距離）／（基板ＷのＹ方向における幅の最大値）を示している。なお、基板ＷのＹ方向における幅は、このシミュレーションでは基板Ｗの直径と同一である。図４のグラフにおいて縦軸は、１σ（％）を示している。図４に示すように、第１のシミュレーションの結果、Ｌｔ／Ｗｄが１倍以上、２．６６倍以下であれば、膜厚のバラツキが比較的小さくなることが確認された。
以下、別の実施形態に係る成膜装置について説明する。図５は、別の実施形態に係る成膜装置の第１のホルダ、第２のホルダ、及び、遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す斜視図である。図６は、別の実施形態に係る成膜装置の遮蔽部材を、第１のターゲット、第２のターゲット、及び、基板と共に示す平面図である。図５及び図６に示すように、別の実施形態に係る成膜装置１０Ａでは、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２が下方に傾斜し、且つ、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２が直線経路ＬＰを含む垂直面ＶＰに交差するように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。換言すると、第１のホルダ２０及び第２のホルダ２２はそれぞれ、第１の法線方向ＮＤ１及び第２の法線方向ＮＤ２が下方に傾斜し、且つ、垂直面ＶＰと鋭角をなすように、第１のターゲット２６及び第２のターゲット２８を保持する。その他の点においては、成膜装置１０Ａは、図１〜図３を参照して説明した成膜装置１０の構成と同様の構成を有する。成膜装置１０Ａによれば、第１のターゲット２６と第２のターゲット２８とがＹ方向において互いに大きく離れていなくても、基板Ｗの面内における膜厚のバラツキが抑制される。
図６に示すように、第１のホルダ２０によって第１のターゲット２６が保持され、第２のホルダ２２によって第２のターゲット２８が保持されると、第１のターゲット２６の表面の第１の法線方向ＮＤ１の水平成分、及び、第２のターゲット２８の表面の第２の法線方向ＮＤ２の水平成分は、垂直面ＶＰに対して角度θをなす。一実施形態において、角度θは、２０°以上、５０°以下の角度である。角度θが２０°以上、５０°以下の範囲内にある場合には、基板Ｗの面内における膜厚のバラツキが更に抑制される。
以下、成膜装置１０Ａの評価のために行った第２のシミュレーションについて説明する。第２のシミュレーションでは、成膜装置１０Ａにおいて形成される膜の厚み、即ち膜厚のＹ方向におけるバラツキを評価した。第２のシミュレーションでは、角度θを可変のパラメータとして採用した。なお、第２のシミュレーションにおける設定を以下に示す。
＜第２のシミュレーションの設定＞
・第１のターゲット２６の表面のサイズ：２４０ｍｍ×１８０ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＸ方向における距離：２６５ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＺ方向における距離：２７５ｍｍ
・第１のターゲット２６の表面の中心と基板Ｗの表面との間のＺ方向における距離：２８０ｍｍ
・垂直面に投影された第１の法線方向ＮＤ１が水平面とがなす角度：５２度
・第２のターゲット２８の表面のサイズ：２４０ｍｍ×１８０ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＸ方向における距離：２６５ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と遮蔽部材１８の上面におけるスリット１８ｓの中心との間のＺ方向における距離：２７５ｍｍ
・第２のターゲット２８の表面の中心と基板Ｗの表面との間のＺ方向における距離：２８０ｍｍ
・垂直面に投影された第２の法線方向ＮＤ２が水平面とがなす角度：５２度
・第１のターゲット２６の表面の中心と第２のターゲット２８の表面の中心との間の距離：２８０ｍｍ
・基板Ｗの直径：３００ｍｍ
第２のシミュレーションでは、形成された膜の厚み（膜厚）を、基板ＷのＹ方向における直径上の複数の位置で求め、当該複数の位置における膜厚を基板Ｗの中心の膜厚で規格化し、当該複数の位置における膜厚の１σ（％）を求めた。なお、σは標準偏差である。図７に、第２のシミュレーションの結果を示す。図７のグラフにおいて横軸は、角度θを示している。図７のグラフにおいて縦軸は、１σ（％）を示している。図７に示すように、第２のシミュレーションの結果、角度θが２０°以上、５０°以下の角度であれば、形成された膜の厚みのバラツキは、相当に小さくなることが確認された。
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。上述した成膜装置は第１のホルダ及び第２のホルダ、即ち二つのホルダを備えている。しかしながら、成膜装置は、二つ以上のホルダを備え得る。即ち、複数のターゲットの各々の表面の法線方向が下方に傾斜し、当該複数のターゲットの各々の表面が基板が移動する領域に遮蔽部材のスリットを介して対面し、当該複数のターゲットが基板Ｗの直線経路ＬＰを含む垂直面ＶＰに対して対称に配置される限り、成膜装置は、当該複数のターゲットと同数の複数のホルダを備え得る。また、複数のホルダによって保持される複数のターゲットのうち一部は、垂直面ＶＰと交差するように配置されてもよい。
１０，１０Ａ…成膜装置、１２…チャンバ本体、１４…支持体、１６…移動装置、１８…遮蔽部材、１８ｓ…スリット、２０…第１のホルダ、２２…第２のホルダ、２６…第１のターゲット、２８…第２のターゲット、３０…電源、３２…制御部、ＬＰ…直線経路、Ｌｔ…距離、ＭＤ…移動方向、ＮＤ１…第１の法線方向、ＮＤ２…第２の法線方向、ＶＰ…垂直面、Ｗ…基板。

Claims (2)

  1. スパッタリングによって基板上に膜を形成する成膜装置であって、
    チャンバ本体と、
    前記チャンバ本体内において基板を支持する支持体と、
    前記支持体によって支持された前記基板の中心が水平面内の直線経路上で移動するように前記支持体を移動させる移動装置と、
    前記移動装置によって基板が移動される領域の上方に設けられた遮蔽部材であり、前記移動装置による前記基板の移動方向に直交する方向に延在し、且つ、前記直線経路を含む垂直面に対して対称に延在するスリットが形成された、該遮蔽部材と、
    第１のターゲットの表面の法線方向である第１の法線方向が下方に傾斜し、且つ、該第１のターゲットの該表面が前記移動装置によって移動される前記基板に前記スリットを介して対面するよう、前記遮蔽部材の上方において該第１のターゲットを保持する第１のホルダと、
    第２のターゲットの表面の法線方向である第２の法線方向が下方に傾斜し、且つ、該第２のターゲットの該表面が前記移動装置によって移動される前記基板に前記スリットを介して対面するよう、前記遮蔽部材の上方において該第２のターゲットを保持する第２のホルダと、
    を備え、
    前記第１のホルダ及び前記第２のホルダは、前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットを前記直線経路を含む垂直面に対して対称に配置するように設けられており、前記第１の法線方向の水平成分及び前記第２の法線方向の水平成分が前記移動方向に対して平行であり、且つ、前記第１のターゲットの前記表面の中心と前記第２のターゲットの前記表面の中心との間の距離が、前記移動方向に直交する方向における前記基板の幅の１倍以上、２．６６倍以下であるように、前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットを保持する、
    成膜装置。
  2. 前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットに電圧を印加するための一以上の電源と、
    前記一以上の電源による前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットに対する電圧の印加を制御する制御部と、
    を更に備え、
    前記制御部は、前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットから同時にターゲット物質を放出させるよう、前記一以上の電源を制御する、
    請求項１に記載の成膜装置。
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