TWI811253B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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TWI811253B TW107137311A TW107137311A TWI811253B TW I811253 B TWI811253 B TW I811253B TW 107137311 A TW107137311 A TW 107137311A TW 107137311 A TW107137311 A TW 107137311A TW I811253 B TWI811253 B TW I811253B
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Abstract

本發明抑制產生於高頻天線之放電。 電漿處理裝置10具備：腔室11、氣體供給源44、天線54、及複數個保持部55。腔室11於內部具有空間，藉由空間內產生之電漿對被搬入至空間內之半導體晶圓W進行處理。氣體供給源44向腔室11之空間內供給處理氣體。天線54具有捲繞2圈以上之線路540，藉由利用流動於線路540之電流於腔室11之空間內形成之感應電場而於空間內產生電漿。各個保持部55保持天線54之線路540。又，保持部55以於與鄰接之其他保持部55之間形成特定距離以上之間隙的方式，配置於天線54之線路540。

Description

電漿處理裝置
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種電漿處理裝置。
半導體基板等之製造步驟中，存在使用電漿對基板實施蝕刻或成膜等處理之步驟。此種電漿處理中，使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置等各種電漿處理裝置。此種電漿處理裝置中，為產生電漿而使用高頻。
作為使用高頻之電漿處理裝置，已知有感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置，該處理裝置藉由利用流動於線圈之高頻所產生之高頻磁場而於腔室內感應高頻電場，並藉由被感應之高頻電場使處理氣體電漿化。ICP處理裝置中，能夠產生高真空度且高密度之電漿。
此種ICP處理裝置中，於構成收容被處理體之腔室之頂壁之介電窗之上側設置有天線室，於該天線室中配置有高頻天線。構成高頻天線之線路捲繞數圈，利用由絕緣體構成之複數個保持器所保持。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第6685798號說明書
[發明所欲解決之問題]
然，天線室內之高頻天線由複數個保持器保持，但對高頻天線施加有高頻時，存在於鄰接之線路間沿著保持器之表面放電，即產生所謂的沿面放電之情形。若產生沿面放電，則可能導致保持器之劣化加劇、保持器之絕緣破壞等。因此，業界要求抑制產生於保持器之表面之沿面放電。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣係一種電漿處理裝置，其具備腔室、氣體供給部、高頻天線、及複數個保持部。腔室於內部具有空間，藉由空間內產生之電漿對被搬入至空間內之被處理體進行處理。氣體供給部向腔室之空間內供給處理氣體。高頻天線具有鄰接之複數條線路，藉由利用流動於各條線路之電流於腔室之空間內形成之感應電場而於空間內產生電漿。各個保持部保持高頻天線之線路。又，保持部以於與鄰接之其他保持部之間形成特定距離以上之間隙的方式，配置於高頻天線所具有之各條線路。 [發明之效果]
根據本發明之各種態樣及實施形態，能夠抑制產生於保持高頻天線之保持部之表面的沿面放電。
所揭示之電漿處理裝置於一實施形態中係電漿處理裝置，其具備腔室、氣體供給部、高頻天線、及複數個保持部。腔室於內部具有空間，藉由空間內產生之電漿對被搬入至空間內之被處理體進行處理。氣體供給部向腔室之空間內供給處理氣體。高頻天線具有鄰接之複數條線路，藉由利用流動於各條線路之電流形成於腔室之空間內之感應電場而於空間內產生電漿。各個保持部保持高頻天線之線路。又，保持部以於與鄰接之其他保持部之間形成特定距離以上之間隙的方式，配置於高頻天線所具有之各條線路。
又，於所揭示之電漿處理裝置之一實施形態中，各個保持部可於高頻天線中保持於遠離高頻天線之外形之中心之方向上鄰接之各條線路，分別保持於遠離高頻天線之外形之中心之方向上鄰接之2條線路的2個保持部可於在與遠離高頻天線之外形之中心之方向交叉之方向上不同之位置保持各條線路。
又，於所揭示之電漿處理裝置之一實施形態中，高頻天線之線路可為捲繞成大致圓形狀之螺旋狀的平面線圈。
又，於所揭示之電漿處理裝置之一實施形態中，各個保持部可於外形為大致圓形狀之高頻天線中將在高頻天線之徑向上鄰接之各條線路保持，將在高頻天線之徑向上鄰接之2條線路分別保持的2個上述保持部可於在大致圓形狀之高頻天線之圓周方向上不同之位置保持各條線路。
又，所揭示之電漿處理裝置於一實施形態中可具備：複數個支持部，其等支持各個保持部；介電板，其構成腔室之上部；屏蔽構件，其以覆蓋配置於介電板上方之高頻天線之方式設置。又，各個支持部針對各個保持部各設置有1個，對介電板或屏蔽構件之至少任一者而支持保持部。
又，所揭示之電漿處理裝置於一實施形態中可具備：複數個支持部，其等支持各個保持部；介電板，其構成腔室之上部；屏蔽構件，其以覆蓋配置於介電板上方之高頻天線之方式設置。各個支持部針對特定數量之保持部各設置有1個，對介電板或屏蔽構件之至少任一者而支持特定數量之保持部。
又，於所揭示之電漿處理裝置之一實施形態中，各個支持部可具有：第1支持部，其對介電板支持保持部；第2支持部，其從第1支持部向介電板之面方向延伸。又，第1支持部之下端可與上述介電板之上表面相接，且第2支持部可固定於屏蔽構件。
又，所揭示之電漿處理裝置於一實施形態中可具備：介電板，其構成腔室之上部；屏蔽構件，其以覆蓋配置於介電板上方之高頻天線之方式設置。又，各個保持部可具有：第1保持部，其固定於屏蔽構件，並從上方保持線路；第2保持部，其固定於介電板，並從下方保持線路。
又，於所揭示之電漿處理裝置之一實施形態中，鄰接之2個保持部之間的間隙可較於高頻天線中鄰接之線路間之距離更長。
以下，根據圖示對所揭示之電漿處理裝置之實施例進行詳細說明。再者，所揭示之電漿處理裝置並不由以下之各實施例所限定。又，各實施例可於不使內容矛盾之範圍內適當地進行組合。 [實施例1]
[電漿處理裝置10之構成] 圖1係表示電漿處理裝置10之概略之一例之剖視圖。電漿處理裝置10具備藉由鋁等導電體所形成之腔室11。於腔室11之側面，設置有用以供作為被處理體之一例之半導體晶圓W搬入及搬出之開口110，該開口110可藉由閘閥111開啟及關閉。腔室11接地。
於腔室11之底面側之大致中央，設置有大致圓板形狀之基座21，該基座21由鋁等導電體所構成，供載置處理對象之半導體晶圓W。基座21亦作為電漿中之離子之提取用(偏壓用)之電極發揮作用。基座21由包含絕緣體之大致圓筒形狀之基座支持部22予以支持。本實施例中，將由基座支持部22支持之基座21之中心軸定義為Z軸。
又，於基座21，經由饋電棒32及匹配電路31連接有偏壓用之高頻電源30。從高頻電源30向基座21供給例如13 MHz之頻率之高頻電力。從高頻電源30向基座21供給之高頻電力之頻率及功率由下述之控制裝置100控制。
於基座21之上表面，設置有用以藉由靜電吸附力保持半導體晶圓W之靜電吸盤23。於靜電吸盤23之外周側，以包圍半導體晶圓W之周圍的方式設置有聚焦環24。大致圓板狀之半導體晶圓W以中心軸與Z軸保持一致之方式載置於靜電吸盤23上。
於基座21之內部，形成有用於供例如冷卻水(C.W.)等冷媒流通而進行半導體晶圓W之溫度控制的流路212。流路212經由配管213與未圖示之冷卻單元連接，經由配管213將經溫度調節之冷媒從該冷卻單元供給至流路212內。冷卻單元中之冷媒之溫度由下述之控制裝置100控制。
又，於基座21之內部，於靜電吸盤23之上表面與晶圓W之下表面之間設置有用以供給例如He氣體等傳熱氣體之氣體供給路214。氣體供給路214貫通靜電吸盤23，且氣體供給路214之上端於靜電吸盤23之上表面開口。
又，於基座21設置有升降銷，該升降銷於上下方向貫通基座21，設置成可突出沒入於靜電吸盤23之上表面，用以於與未圖示之搬送臂之間進行晶圓W之交接。升降銷於上下方向之移動由下述之控制裝置100控制。
又，於基座支持部22之外側壁與腔室11之內側壁之間，設置有形成有多個貫通孔之環狀之隔板12。又，於腔室11之底面形成有排氣口13，排氣口13經由排氣管14連接於排氣裝置15。排氣裝置15由下述之控制裝置100控制。
於腔室11之側壁連接有配管41之一端。配管41之另一端經由閥42及MFC(Mass Flow Controller，質量流量控制器)43連接於氣體供給源44。氣體供給源44供給例如CF4 氣體或氯氣等處理氣體。從氣體供給源44供給之處理氣體由MFC43調節流量，經由閥42及配管41供給至腔室11內。藉由MFC43所進行之流量調整、與藉由閥42所進行之向腔室11之處理氣體之供給及供給停止分別由下述之控制裝置100控制。氣體供給源44係氣體供給部之一例。
於腔室11之上部設置有介電窗53，該介電窗53藉由例如石英等介電體形成為大致圓板狀，構成腔室11之上部。介電窗53係介電板之一例。介電窗53之上方側之空間由屏蔽盒51覆蓋，該屏蔽盒51藉由鋁等導電體形成為大致圓筒狀。屏蔽盒51經由腔室11接地。屏蔽盒51係屏蔽構件之一例。
於腔室11之上方且由介電窗53與屏蔽盒51所圍成之空間內，收容有天線54。天線54包含銅等導電體。於本實施例中，天線54為平面線圈，於與Z軸交叉之平面(例如水平面)內，1根導電體捲繞2圈以上成大致圓形狀之螺旋狀。天線54具有於遠離天線54之外形之中心(即，圖1所示之Z軸)的方向上鄰接之複數條線路540。天線54係高頻天線之一例。
天線54由複數個保持部55保持，各個保持部55經由支持部56固定於屏蔽盒51。於本實施例中，支持部56針對保持部55設置有1個。各個保持部55及支持部56藉由例如聚四氟乙烯等絕緣體所形成。
於天線54之一端連接有高頻電源61，另一端接地。高頻電源61向天線54供給電漿產生用之高頻電力，例如27 MHz之頻率之高頻電力。天線54藉由從高頻電源61所供給之高頻電力產生高頻磁場。並且，藉由利用天線54所產生之高頻磁場於腔室11內產生高頻之感應電場。藉由腔室11內產生之感應電場，而激發被供給至腔室11內之處理氣體，從而於腔室11內產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿所含之離子與活性種，對靜電吸盤23上之半導體晶圓W進行蝕刻等特定之處理。本實施例中之電漿處理裝置10係ICP電漿處理裝置。
又，電漿處理裝置10具有控制電漿處理裝置10之各部之控制裝置100。控制裝置100具有ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)或RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等記憶體、與CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等處理器。於控制裝置100內之記憶體中儲存有製程配方等資料及程式等。控制裝置100內之處理器讀出並執行控制裝置100內之記憶體中所儲存之程式，基於控制裝置100內之記憶體中所儲存之製程配方等資料，控制電漿處理裝置10之各部。
[保持部55之配置] 圖2係表示實施例1中之保持部55之配置之一例之圖。圖3及圖4係表示實施例1中之保持部55之配置之一例之放大圖。圖2及圖4係從沿Z軸之方向觀察天線54之情形時之圖，圖3係從與Z軸交叉之方向觀察天線54之情形時之圖。
於本實施例中，例如如圖2所示，天線54係捲繞成大致圓形狀之螺旋狀。於本實施例中，天線54之中心與Z軸一致。天線54由複數個保持部55(圖2之例中，13個保持部55)保持，各個保持部55藉由支持部56固定於屏蔽盒51。
於圖2中，將遠離具有大致圓形狀之外形之天線54之中心之方向(圖2之例中為徑向)定義為A方向，將與遠離天線54之中心之方向交叉之方向(圖2之例中為圓周方向)定義為B方向。於本實施例中，天線54以Z軸為中心，捲繞2圈以上成大致圓形狀之螺旋狀。因此，天線54具有於A方向上鄰接之複數條線路540。
例如如圖2所示，各個保持部55將於A方向上鄰接之各條線路540保持。又，例如如圖2至圖4所示，將於A方向上鄰接之2條線路540分別保持之2個保持部55於在B方向上不同之位置保持各條線路540。
又，例如如圖4所示，若將於A方向上鄰接之2條線路540之間隔設為d1，則將於A方向上鄰接之2條線路540分別保持的2個保持部55之距離d2較間隔d1更長。因此，在將於A方向上鄰接之2條線路540分別保持之2個保持部55之間，不易產生放電。再者，於複數個保持部55之對中，距離d2可相同，亦可不同。
又，例如如圖4所示，於在A方向上鄰接之2條線路540中，保持一線路540之保持部55與另一線路540之間隔d3較間隔d1之1/2更長。因此，保持一線路540之保持部55與另一線路540之間不易產生放電。
再者，將於A方向上鄰接之2條線路540分別保持之2個保持部55於在B方向上不同之位置保持各條線路540即可。因此，於3個以上之保持部55中，關於分別保持未於A方向上鄰接之線路540之2個保持部55，亦可例如如圖5所示，於在B方向上相同之位置保持各條線路540。圖5係表示實施例1中之保持部55之配置之其他例之放大圖。
又，於本實施例中，例如如圖2所示，各個保持部55配置於除從天線54之兩端起特定長度L1之範圍以外的部分。天線54之兩端及其附近存在產生於天線54之電壓升高之情形。因此，若於天線54之兩端之附近配置保持部55，則易經由保持部55產生放電。為避免此種情形，本實施例中，於除從天線54之兩端起特定長度L1之範圍以外的部分配置保持部55。藉此，能夠抑制經由保持部55之放電之產生。特定長度L1為天線54全長之例如5%之長度。
[耐壓試驗] 其次，對於本實施例之保持部55進行耐壓試驗。圖6係表示耐壓試驗中之試驗環境之圖。耐壓試驗中，例如如圖6所示，複數個保持部55分別保持模擬鄰接之2條線路540之2條線路542，各個保持部55經由支持部56固定於台座。2條線路542之間隔被設定為與天線54中鄰接之2條線路540之間隔相同之間隔。然後，加大施加於2條線路542之間之負直流電壓，測定於線路542間產生放電前之直流電壓之大小。
耐壓試驗中，對於例如如圖7所示之保持部55'，亦進行耐壓試驗作為比較例。圖7係表示比較例中之保持部55'之一例之圖。比較例之保持部55'中，1個保持部55'保持2條線路542。因此，於2條線路542之間介存有構成保持部55'之絕緣體。
圖8係表示耐壓試驗之結果之圖。例如如圖8所示，可見實施例1之保持部55相對於比較例之保持部55'而言耐受電壓提高為約1.7倍。
此處，比較例中，因經由保持部55'之表面之線路542間的距離係與線路542間之距離d1相同之距離，故於例如圖7之虛線箭頭所示之路徑產生沿面放電。另一方面，本實施例中，鄰接之2個保持部55例如如圖4及圖5所示相距間隔d2，保持一線路542之保持部55與另一線路542相距間隔d3。因此，耐壓試驗中之沿面放電之路徑成為例如圖6之虛線箭頭所示之路徑，且較2條線路542之間隔d1更長。因此，本實施例之保持部55成為較比較例更不易產生沿面放電之構造。
如此，根據本實施例之電漿處理裝置10，則能夠抑制保持部55中之放電之產生。因此，能夠抑制保持部55及天線54之劣化。 [實施例2]
上述之實施例1中，各個保持部55經由針對1個保持部55設置有1個之支持部56固定於屏蔽盒51。相對於此，本實施例2中，複數個保持部55經由1個支持部56固定於屏蔽盒51。
[支持部56之構造] 圖9係表示實施例2中之支持部56之一例之圖。例如如圖9所示，本實施例中之支持部56具有：固定部560、連結部561、及複數個個別支持部562。固定部560、連結部561、及各個別支持部562藉由例如聚四氟乙烯等絕緣體所形成。
個別支持部562針對1個保持部55設置有1個，並將保持部55固定於連結部561。於連結部561，固定有複數個個別支持部562。於本實施例中，固定於連結部561之個別支持部562為3個或4個。但，固定於連結部561之個別支持部562亦可為2個，或亦可為5個以上。固定部560針對1個連結部561設置有1個，並將連結部561固定於屏蔽盒51。
圖10係表示複數個保持部55與連結部561之位置關係之一例之圖。連結部561例如於從沿Z軸之方向觀察之情形時具有矩形之形狀。又，例如如圖10之虛線所示，連結部561配置成沿著保持部55之排列方向的朝向，該保持部55固定於被固定在連結部561之複數個個別支持部562。再者，於複數個保持部55錯開配置時，例如如圖11之虛線所示，連結部561可形成為沿保持部55之排列方向之形狀。圖11係表示複數個保持部55與連結部561之位置關係之其他例之圖。
如此，本實施例中，複數個保持部55經由1個支持部56固定於屏蔽盒51。藉此，能夠減少將保持部55固定於屏蔽盒51時之螺絲等固定構件，並且能夠減少將保持部55固定於屏蔽盒51之作業。 [實施例3]
圖12係表示實施例3中之支持部56之一例之圖。上述實施例2中，連結部561藉由固定部560固定於屏蔽盒51。相對於此，本實施例3中，例如如圖12所示，連結部561固定於屏蔽盒51。
藉此，因能夠加長天線54與連結部561之間之距離，故可進而抑制產生於個別支持部562及連結部561之表面之沿面放電。又，因連結部561固定於屏蔽盒51，故能夠增加將連結部561固定於屏蔽盒51時之螺絲等緊固構件的配置位置之自由度。 [實施例4]
圖13係表示實施例4中之支持部56之一例之圖。上述實施例1中，各個支持部56固定於屏蔽盒51。相對於此，本實施例4中，例如如圖13所示，各個支持部56固定於介電窗53。
本實施例中，各個支持部56因天線54及保持部55之重量而朝介電窗53之方向被按壓。因此，於將各個支持部56固定於介電窗53時，無需用以使其不脫離介電窗53之較大之緊固力。因此，亦可利用將支持部56插入至形成於介電窗53之上表面之定位用之凹部等簡易之固定方法，將各個支持部56固定於介電窗53。 [實施例5]
圖14係表示實施例5中之支持部56之一例之圖。上述實施例4中，各個支持部56固定於介電窗53。相對於此，本實施例5中，例如如圖14所示，複數個保持部55經由1個支持部56固定於介電窗53。
如此，本實施例中，複數個保持部55經由1個固定部560固定於介電窗53。藉此，能夠減少形成於介電窗53之上表面的用以將保持部55固定於介電窗53之凹處及螺絲孔等。藉此，能夠抑制介電窗53之強度之降低以及介電窗53之加工成本之上升。 [實施例6]
圖15係表示實施例6中之支持部56之一例之圖。上述實施例5中，連結部561藉由固定部560固定於介電窗53。相對於此，本實施例6中，例如如圖15所示，連結部561固定於介電窗53。
藉此，因能夠加長天線54與連結部561之間之距離，故能夠進而抑制產生於個別支持部562及連結部561之表面之沿面放電。又，能夠增加為將連結部561固定於介電窗53而形成凹處及螺絲穴等的位置之自由度。 [實施例7]
圖16係表示實施例7中之支持部56之一例之圖。上述實施例6中，連結部561固定於介電窗53。相對於此，本實施例7中，例如如圖16所示，將保持最外周之線路540之保持部55固定於連結部561之個別支持部562經由固定部560固定於屏蔽盒51之內側面。連結部561及個別支持部562對介電窗53支持各個保持部55。固定部560於介電窗53之面方向上延伸。連結部561及個別支持部562係第1支持部之一例，固定部560係第2支持部之一例。
又，於本實施例中，連結部561之下端與介電窗53之上表面相接，但連結部561並未固定於介電窗53。藉由連結部561之下表面與介電窗53之上表面相接，而規定各條線路540之上下方向之位置。又，藉由個別支持部562經由固定部560固定於屏蔽盒51之內側面，而規定各條線路540之橫向之位置。因此，無需於介電窗53之上表面設置用於連結部561之橫向之定位的凹處及突起等。因此，能夠抑制介電窗53之強度之降低及介電窗53之加工成本之上升。
再者，固定部560可將保持最外周之線路540之保持部55固定於屏蔽盒51之內側面，亦可將連結部561固定於屏蔽盒51之內側面。 [實施例8]
圖17係表示實施例8中之支持部56之一例之圖。上述實施例1至6中，天線54之線路540固定於上方之屏蔽盒51或下方之介電窗53。相對於此，本實施例8中，例如如圖17所示，於A方向、即於天線54之徑向上鄰接之線路540藉由連結部561連結。並且，最外周之保持部55藉由固定部560固定於屏蔽盒51之內側面。再者，各個保持部55之下端可與介電窗53之上表面相接。
於本實施例中，於A方向上鄰接之保持部55間之沿面距離L2較於A方向上鄰接之線路540間之距離d1更長。因此，與比較例(參照圖7)之保持部55'相比，能夠提高耐受電壓，而能夠抑制沿面放電。
再者，圖17之例中，於A方向上鄰接之保持部55配置於在B方向(垂直於圖17之紙面之方向)上相同之位置，但例如如圖4及圖5所示，若配置於在B方向上不同之位置，則能夠進而延長沿面距離L2，能夠進而抑制沿面放電。 [實施例9]
圖18係表示實施例9中之保持部55之一例之圖。圖18(a)表示藉由保持部55保持線路540之狀態，圖18(b)表示保持部55分離之狀態。
例如如圖18(b)所示，本實施例9中之保持部55具有上側保持部550及下側保持部551。於上側保持部550之下端，形成有具有沿線路540之外周之形狀的凹部552。上側保持部550之上端固定於屏蔽盒51。於下側保持部551之上端，形成有具有沿線路540之外周之形狀的凹部553。下側保持部551之下端固定於介電窗53。上側保持部550係第1保持部之一例，下側保持部551係第2保持部之一例。
例如如圖18(a)所示，上側保持部550及下側保持部551將線路540夾於凹部552與凹部553之間，藉此對屏蔽盒51及介電窗53保持線路540。即，上側保持部550從上方保持線路540，下側保持部551從下方保持線路540。
再者，於本實施例中，例如如圖4及圖5所示，各個保持部55較佳為配置於在B方向(垂直於圖18之紙面之方向)上不同之位置。又，圖18所示之保持部55以從上下夾持天線54之形態保持天線54，但作為其他例，亦可將天線54之線路540插入至形成有貫通孔之保持部55的貫通孔，將插入有線路540之保持部55之下端置於介電窗53，並將其上端固定於屏蔽盒51。於此情形時，保持部55之下端亦可固定於介電窗53。
[其他] 再者，本發明並不限定於上述實施例，可於其主旨之範圍內進行多種變化。
例如，上述各實施例中，以藉由向天線54施加之高頻電力而於腔室11內產生高頻磁場之ICP方式之電漿處理裝置10為例進行說明，但所揭示之技術並不限定於此。例如，於具有平面型螺旋諧振器之電漿處理裝置10中，作為保持平面型螺旋諧振器之技術，可應用上述各實施例之技術。
又，於具有平面型螺旋諧振器、及於平面型螺旋諧振器之附近具有與平面型螺旋諧振器感應耦合之吸收線圈之電漿處理裝置10中，作為保持平面型螺旋諧振器及吸收線圈之技術，可應用上述各實施例之技術。
又，上述實施例1及4中，將保持部55與支持部56作為分開之構件進行說明，但保持部55與支持部56亦可由成為一體之1個絕緣體構成。
又，上述各實施例之天線54係1根導電體捲繞2圈以上成大致圓形狀之螺旋狀之平面線圈，但所揭示之技術並不限定於此。例如如圖19所示，天線54亦可為包含沿半徑不同之複數個圓各自之圓周所配置之環狀之線路540的平面天線。
或，例如如圖20所示，天線54亦可為包含沿半徑不同之複數個圓各自之圓周之至少一部分所配置之複數條線路540的平面天線。例如圖20所示之天線54中，各條線路540較佳為由2個以上之保持部55保持。
又，上述各實施例之天線54係平面線圈，但所揭示之技術並不限定於此，例如其亦可為螺線管線圈等。又，於螺線管線圈之中，例如如圖21所示，天線54亦可為隨著朝X軸方向前進而外形變小之回轉型線圈。
於例如使用圖21所示之回轉型線圈作為天線54之情形時，保持部55例如如圖22所示配置於天線54之線路540。圖22(a)表示從沿A方向之方向觀察天線54之情形時之保持部55之配置的一例，圖22(b)表示從沿B方向之方向觀察天線54之情形時之保持部55之配置的一例。
又，於例如使用將圖21所示之回轉型線圈顛倒後之線圈作為天線54之情形時，保持部55例如如圖23所示配置於天線54之線路540。圖23(a)表示從沿A方向之方向觀察天線54之情形時之保持部55之配置的一例，圖23(b)表示從沿B方向之方向觀察天線54之情形時之保持部55之配置的一例。
又，於從沿Z軸之方向觀察之情形時，上述各實施例之天線54之外形為大致圓形狀，但所揭示之技術並不限定於此。例如，於從沿Z軸之方向觀察之情形時，天線54之外形可為矩形狀，亦可為多邊形狀。然而，為於腔室11內形成更均一之高頻之磁場，天線54之外形較佳為於從沿Z軸之方向觀察之情形時為以Z軸為中心之點對稱之形狀。
10‧‧‧電漿處理裝置 11‧‧‧腔室 12‧‧‧隔板 13‧‧‧排氣口 14‧‧‧排氣管 15‧‧‧排氣裝置 21‧‧‧基座 22‧‧‧基座支持部 23‧‧‧靜電吸盤 24‧‧‧聚焦環 30‧‧‧高頻電源 31‧‧‧匹配電路 32‧‧‧饋電棒 41‧‧‧配管 42‧‧‧閥 43‧‧‧MFC 44‧‧‧氣體供給源 51‧‧‧屏蔽盒 53‧‧‧介電窗 54‧‧‧天線 55‧‧‧保持部 55'‧‧‧保持部 56‧‧‧支持部 61‧‧‧高頻電源 100‧‧‧控制裝置 110‧‧‧開口 111‧‧‧閘閥 212‧‧‧流路 213‧‧‧配管 214‧‧‧氣體供給路 540‧‧‧線路 542‧‧‧線路 550‧‧‧上側保持部 551‧‧‧下側保持部 552‧‧‧凹部 553‧‧‧凹部 560‧‧‧固定部 561‧‧‧連結部 562‧‧‧個別支持部 A‧‧‧方向 B‧‧‧方向 d1‧‧‧間隔(距離) d2‧‧‧間隔(距離) d3‧‧‧間隔 L1‧‧‧特定長度 L2‧‧‧沿面距離 W‧‧‧半導體晶圓 X‧‧‧軸 Z‧‧‧軸
圖1係表示電漿處理裝置之概略之一例之剖視圖。 圖2係表示實施例1中之保持部之配置之一例之圖。 圖3係表示實施例1中之保持部之配置之一例之放大圖。 圖4係表示實施例1中之保持部之配置之一例之放大圖。 圖5係表示實施例1中之保持部之配置之其他例之放大圖。 圖6係表示耐壓試驗中之試驗環境之圖。 圖7係表示比較例中之保持部之一例之圖。 圖8係表示耐壓試驗之結果之圖。 圖9係表示實施例2中之支持部之一例之圖。 圖10係表示複數個保持部與連結部之位置關係之一例之圖。 圖11係表示複數個保持部與連結部之位置關係之其他例之圖。 圖12係表示實施例3中之支持部之一例之圖。 圖13係表示實施例4中之支持部之一例之圖。 圖14係表示實施例5中之支持部之一例之圖。 圖15係表示實施例6中之支持部之一例之圖。 圖16係表示實施例7中之支持部之一例之圖。 圖17係表示實施例8中之支持部之一例之圖。 圖18(a)、(b)係表示實施例9中之保持部之一例之圖。 圖19係表示天線之其他例之圖。 圖20係表示天線之其他例之圖。 圖21係表示天線之其他例之圖。 圖22(a)、(b)係表示保持部之配置之其他例之圖。 圖23(a)、(b)係表示保持部之配置之其他例之圖。
10‧‧‧電漿處理裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧隔板
13‧‧‧排氣口
14‧‧‧排氣管
15‧‧‧排氣裝置
21‧‧‧基座
22‧‧‧基座支持部
23‧‧‧靜電吸盤
24‧‧‧聚焦環
30‧‧‧高頻電源
31‧‧‧匹配電路
32‧‧‧饋電棒
41‧‧‧配管
42‧‧‧閥
43‧‧‧MFC
44‧‧‧氣體供給源
51‧‧‧屏蔽盒
53‧‧‧介電窗
54‧‧‧天線
55‧‧‧保持部
56‧‧‧支持部
61‧‧‧高頻電源
100‧‧‧控制裝置
110‧‧‧開口
111‧‧‧閘閥
212‧‧‧流路
213‧‧‧配管
214‧‧‧氣體供給路
540‧‧‧線路
W‧‧‧半導體晶圓
Z‧‧‧軸

Claims (11)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於具備：腔室，其於內部具有空間，藉由上述空間內產生之電漿對被搬入至上述空間內之被處理體進行處理；氣體供給源，其向上述腔室之上述空間內供給處理氣體；高頻天線，其具有鄰接之複數條線路，藉由利用流動於各條上述線路之電流於上述空間內形成之感應電場而於上述空間內產生上述電漿；複數個保持部，其等保持上述高頻天線之上述線路；複數個支持部，其等支持上述複數個保持部；介電板，其構成上述腔室之上部；屏蔽構件，其配置於上述介電板上方，並以覆蓋上述高頻天線之方式設置；且上述保持部係以於鄰接之保持部之間形成有特定距離以上之間隙的方式，配置於上述高頻天線所具有之各條上述線路，上述支持部係針對鄰接之線路的保持部各設置有1個，各個上述支持部係對上述介電板或上述屏蔽構件之至少任一者而支持鄰接之上述線路的上述保持部，並具有連結部，該連結部於從上方觀察之情形時，係沿著鄰接之上述線路的上述保持部之排列方向而延伸。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中鄰接之上述複數條線路包含與第2鄰接線路相鄰之第1鄰接線路，從而設置第1鄰接線路與第2鄰接線路，各個上述保持部僅保持1個上述線路，上述保持部係於遠離上述高頻天線之中心的方向上保持相對應之上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路；於遠離上述高頻天線之中心的方向上之不同位置保持相對應之上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路之2個上述保持部係於與遠離上述高頻天線之中心的方向交叉之方向上之不同位置保持上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路。
  3. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述高頻天線係上述線路捲繞成大致圓形狀之螺旋狀之平面線圈。
  4. 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述保持部係於外形為大致圓形狀之上述高頻天線中，於上述高頻天線之徑向上保持相對應之上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路；於上述徑向上保持相對應之上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路的2個上述保持部係於上述高頻天線之圓周方向上之不同位置保持上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路。
  5. 如請求項1之電漿處理裝置，其中各個上述支持部具有： 第1支持部，其具有上述連結部且對上述介電板支持鄰接之線路的上述保持部；第2支持部，其從上述第1支持部向上述介電板之面方向延伸；且上述第1支持部之下端與上述介電板之上表面相接，上述第2支持部固定於上述屏蔽構件。
  6. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中於上述高頻天線中，2個上述保持部之間的間隙較上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路間之距離更長。
  7. 如請求項2之電漿處理裝置，其中2個上述保持部包含：僅保持上述第1鄰接線路之第1保持部與僅保持上述第2鄰接線路之第2保持部，上述第1保持部與上述第2保持部係配置於上述第1鄰接線路與上述第2鄰接線路之延伸方向上之不同位置，上述第1保持部係位於上述高頻天線之中心與上述第2保持部之間。
  8. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述連結部係連結至鄰接之上述線路之至少3個保持部。
  9. 如請求項8之電漿處理裝置，其中於從上方觀察之情形時，鄰接之上述線路之上述保持部係配置於直線上，且於從上方觀察之情形時，上述連結部之延伸方向係平行於上述直線之延伸方向。
  10. 如請求項1之電漿處理裝置，其中各個上述支持部進而具備複數個個別支持部，各個上述個別支持部係配置於1個保持部上，並將相對應之保持部固定於上述連結部。
  11. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述連結部係以上述連結部與上述屏蔽構件接觸之方式而直接固定於上述屏蔽構件。
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