JP5329796B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5329796B2 JP5329796B2 JP2007296118A JP2007296118A JP5329796B2 JP 5329796 B2 JP5329796 B2 JP 5329796B2 JP 2007296118 A JP2007296118 A JP 2007296118A JP 2007296118 A JP2007296118 A JP 2007296118A JP 5329796 B2 JP5329796 B2 JP 5329796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- antenna
- vacuum vessel
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/153—Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd
Description
本発明は、プラズマを生成し、そのプラズマを用いて平面状被処理基体に堆積処理やエッチング処理等を行うプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置は半導体基板、太陽電池用基板、ディスプレイ用基板等を製造するために幅広く用いられている。例えば、ガラス基板の表面にシリコンを含有するプラズマを生成し、ガラス基板上にシリコン薄膜を堆積させることにより太陽電池用基板が得られる。以後、プラズマ処理が施される基体（上述の例ではガラス基板）を被処理基体と呼ぶ。
近年、上記各種基板の大型化が進んでいるが、これらの基板では、１枚の基板の全面に亘って均等な処理を施す必要がある。例えば、太陽電池用基板の場合、１枚の基板は多数のセルに区分されるが、各セルにおけるシリコン薄膜の膜厚等の品質は限られた所定の範囲内に収めなければならない。そのため、プラズマ処理装置内に生成されるプラズマの密度分布は、被処理基体の大型化、すなわちプラズマ生成領域の大型化に拘わらず、一定の範囲内に収めることが要求されている。
プラズマ処理装置には、ECR(電子サイクロトン共鳴)プラズマ方式のもの、マイクロ波プラズマ方式のもの、誘導結合型プラズマ方式のもの、容量結合型プラズマ方式のもの等がある。例えば、特許文献１には、真空容器の外側である天井上面に渦巻き状の誘導コイルが１個載置された誘導結合型プラズマ処理装置が記載されている。誘導結合型プラズマ処理装置では、真空容器の内部にガスを導入し、高周波アンテナ（誘導コイル）に高周波電流を流すことにより真空容器の内部に誘導電界を生成する。この誘導電界により電子を加速し、その電子とガス分子を衝突させることにより、ガス分子を電離させてプラズマを生成する。特許文献１に記載のプラズマ処理装置においては、基板の大型化に合わせて渦巻き状コイルを大きくする必要がある。しかし、単に大きくするだけでは、中心部と周辺部のプラズマ密度の差も単純に拡大するだけであるため、前記のような全面に亘る均一性の基準を満たさなくなってしまう。更に、アンテナを大型化すると、アンテナの導体が長くなり、それによりアンテナに定在波が形成されて高周波電流の強度分布が不均一になり、結果的にプラズマ密度分布が不均一になるおそれがある（非特許文献１参照）。
特許文献２及び非特許文献１には、複数個の高周波アンテナが真空容器の内壁に取り付けられたマルチアンテナ方式の誘導結合型プラズマ処理装置が記載されている。この装置によれば、複数のアンテナの配置を適切に設定することにより、真空容器内のプラズマの分布を制御することができる。また、個々のアンテナの導体の長さを短くすることができるため、定在波による悪影響を防ぐことができる。これらの理由により、特許文献２及び非特許文献１に記載のプラズマ処理装置は従来のものよりも均一性が高いプラズマを生成することができる。
特許文献２及び非特許文献１に記載のプラズマ処理装置により、真空容器内のプラズマの密度の均一性は高まるが、生成されたプラズマの約半分は真空容器の中心側ではなくそのアンテナを取り付けた内壁に向かって拡散するためプラズマ処理に利用されない。更に、被処理基体に対して成膜を行うプラズマCVD装置においては、プラズマにより生成されたラジカル（膜前駆体）の約半分が真空容器内壁に付着してパーティクルとなり、それが落下して膜の品質を低下させる原因となる。そのため、定期的に真空容器内のクリーニングを行う必要が生じ、それにより装置の稼働率が低下する。また、高価なクリーニング用のガスを大量に用いる必要があることによりランニングコストが上昇する。
また、処理すべき基体がますます大面積化する一方、被処理基体の全面に亘る処理品質（堆積厚さ、密度等）の均一性に対する基準が厳しくなると、より一層、プラズマの均一性を高める必要が生じる。
本発明が解決しようとする課題は、平面状被処理基体に対してプラズマ処理を行う装置であって、プラズマの利用効率及び均一性がよく、コストを抑えることができ、且つ生産性が高いプラズマ処理装置を提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明に係るプラズマ処理装置は、
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の内部空間内に突出するように設けられたプラズマ生成手段支持部と、
c) 前記真空容器内に前記プラズマ生成手段支持部を挟んで設けられた、平面状被処理基体を保持するための２個の基体保持部と、
d) 前記２個の基体保持部のそれぞれと等距離にある面内に配置され、前記プラズマ生成手段支持部に取り付けられた複数の平面状の誘導結合型高周波アンテナからなるプラズマ生成手段と、
を備えることを特徴とする。
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の内部空間内に突出するように設けられたプラズマ生成手段支持部と、
c) 前記真空容器内に前記プラズマ生成手段支持部を挟んで設けられた、平面状被処理基体を保持するための２個の基体保持部と、
d) 前記２個の基体保持部のそれぞれと等距離にある面内に配置され、前記プラズマ生成手段支持部に取り付けられた複数の平面状の誘導結合型高周波アンテナからなるプラズマ生成手段と、
を備えることを特徴とする。
プラズマ生成手段は真空容器内のガス分子を電離させることによりプラズマを生成するものである。プラズマ生成手段には種々のものを用いることができるが、その代表例として高周波アンテナを挙げることができる。また、マイクロ波導波管にスリットを設けたものや高周波電極等もプラズマ生成手段として用いることができる。
本発明において、「内部空間内に突出するように設けられたプラズマ生成手段支持部」には、内部空間を縦（横）断するプラズマ生成手段支持部も含まれる。
本発明に係るプラズマ処理装置では、真空容器の内部空間に突出するように設けられたプラズマ生成手段支持部にプラズマ生成手段が取り付けられるため、特許文献２及び非特許文献１に記載のプラズマ処理装置のように真空容器の内壁にプラズマ生成手段（高周波アンテナ）が取り付けられる場合よりも、プラズマ生成手段が取り付けられる部分の総面積を小さくすることができる。そのため、プラズマの利用効率が向上すと共に、プラズマCVD装置では真空容器の内壁に付着する堆積物を少なくすることができる。その結果、内壁のクリーニングの頻度を少なくすることができ、装置の稼働率を向上させることができると共にランニングコストを抑えることができる。
また本発明では、プラズマ生成手段支持部を用いることにより、プラズマ生成手段を内部空間の任意の位置に取り付けることができる。そのため、特許文献２及び非特許文献１に記載の装置のように内部空間の周辺に限られることなく、内部空間の中心付近にまでプラズマ生成手段を配置することができる。これにより、大面積の半導体装置用基板、太陽電池用基板、ディスプレイ用基板等の平面状被処理基体の全面に亘ってプラズマ生成手段をより均等に配置することができるため、より均一性の高いプラズマをより広い空間に形成することが可能になる。そのため、大面積の被処理基体の全面に亘って均一性の高いエッチングや堆積処理などのプラズマ処理を行うことができる。
更に本発明では、それぞれ平面状被処理基体を保持する１対の基体保持部を用いるため、平面状被処理基体を２枚同時に処理することができ、従来よりも生産性を高めることができる。また、プラズマ生成手段支持部の両側に平面状被処理基体を配置するため、従来のように平面状被処理基体を１枚のみ配置する場合よりも真空容器内壁で消費されるプラズマが少なくなるため、プラズマの無駄を一層抑制することができ、エネルギーや資源の利用効率を高めることができる。
本発明のプラズマ処理装置は、太陽電池用ガラス基板（被処理基体）上にシリコンの薄膜を製造するために好適に用いることができる。
現在、太陽電池用のシリコン薄膜は１辺が1m以上のガラス基板上に作製することが求められている。マルチアンテナ方式以外の従来型プラズマ処理装置では、この基板の大きさと同程度の長さを持つアンテナを用いる必要がある。その場合、一般的に用いられている周波数13.56MHzの高周波を用いると、アンテナ導体に定在波が形成され、それにより真空容器内にプラズマ密度のばらつきが生じるおそれがある。それに対して、マルチアンテナ方式では、個々のアンテナの導体が従来のものよりも短いため、定在波の形成を確実に防ぐことができる。
このように、本発明により、マルチアンテナ方式において、より均一性の高いプラズマをより広い空間内に形成することができるため、膜厚の均一性などの点で品質がより高く且つより大面積の太陽電池用シリコン薄膜を製造することができる。
現在、太陽電池用のシリコン薄膜は１辺が1m以上のガラス基板上に作製することが求められている。マルチアンテナ方式以外の従来型プラズマ処理装置では、この基板の大きさと同程度の長さを持つアンテナを用いる必要がある。その場合、一般的に用いられている周波数13.56MHzの高周波を用いると、アンテナ導体に定在波が形成され、それにより真空容器内にプラズマ密度のばらつきが生じるおそれがある。それに対して、マルチアンテナ方式では、個々のアンテナの導体が従来のものよりも短いため、定在波の形成を確実に防ぐことができる。
このように、本発明により、マルチアンテナ方式において、より均一性の高いプラズマをより広い空間内に形成することができるため、膜厚の均一性などの点で品質がより高く且つより大面積の太陽電池用シリコン薄膜を製造することができる。
図１及び図２を用いて、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を説明する。本実施例に係るプラズマ処理装置は大面積の平面状被処理物を処理するためのものであり、そのため、平面状被処理物のたわみを防止すべく、平面状被処理物を垂直に立てた状態で処理する。
本実施例のプラズマ処理装置１０は従来と同様の真空容器１１を有し、図１に示すように、この真空容器１１の上下からその内部空間１１１内に突出するように、アンテナ支持部（プラズマ生成手段支持部）１２が４個設けられている。各アンテナ支持部１２には高周波アンテナ（プラズマ生成手段）１３が４個、合計１６個の高周波アンテナ１３が真空容器１１内に設けられている。これにより、図１の面（これを「アンテナ設置面」と呼ぶ）内では１６個の高周波アンテナ１３が縦・横共にほぼ等間隔に配置される。各高周波アンテナ１３は線状の導体を「コ」の字状に曲げた平面状のものであり、その平面がアンテナ設置面に一致するように配置する。
各アンテナ支持部１２は薄い直方体形状をなしており、内部は空洞となっている。本実施例では、各アンテナ支持部１２毎に電源１４が１個設けられ、各アンテナ支持部１２に取り付けられた高周波アンテナ１３は、その電源１４に並列に接続される。また、各電源１４毎に、高周波アンテナ１３との間にインピーダンス整合器１５が１個設けられる。インピーダンス整合器１５と各高周波アンテナ１３を接続する配線は、アンテナ支持部１２の空洞内に設けられている。アンテナ支持部１２の空洞内は、真空容器１１と連通していてもよいし、逆に外部（大気）と連通していてもよい。
図２に示すように、高周波アンテナ１３及びアンテナ支持部１２を挟んで、２個の基体保持部１６が設けられる。各基体保持部１６には１枚の平面状被処理基体２１が垂直に保持される。これにより、両平面状被処理基体２１はアンテナ設置面及び高周波アンテナ１３の平面に平行になり、本プラズマ処理装置１０の厚さを薄くすることができる。
その他、本プラズマ処理装置１０には、内部空間１１１を排気するための真空ポンプや、プラズマ原料ガスを導入するためのガス導入口などが設けられる。
本実施例のプラズマ処理装置１０の動作を、ガラス基板上に太陽電池用のシリコン薄膜を製造する場合を例に説明する。まず、ガラス基板（平面状被処理基体）２１を両基体保持部１６に１枚ずつ取り付ける。次に、真空ポンプにより内部空間１１１を排気したうえで、ガス導入口からプラズマ原料ガスとしてシランと水素の混合ガスを導入する。そして、電源１４から高周波アンテナ１３に周波数13.56MHzの高周波電力を供給し、真空容器１１内にプラズマを生成する。これにより、プラズマ原料ガスの分子が電離したプラズマ分子がガラス基板に堆積し、シリコン薄膜が生成される。
本実施例のプラズマ処理装置１０では、アンテナ支持部１２に高周波アンテナ１３を取り付けているため、高周波アンテナ１３をその中央付近にまで配置することができる。これにより、従来のように高周波アンテナを真空容器の内壁のみに設けた場合と比較して、より一層均一性の高いプラズマを形成することができる。また、アンテナを取り付ける部分の面積を比較的小さくすることができるため、真空容器１１の壁面に高周波アンテナ１３を取り付ける場合よりも、取り付け面側に向かうプラズマのロスを抑えることができる。
アンテナ支持部１２を挟んで２枚の平面状被処理基体２１を配置することにより、同時に２枚の平面状被処理基体２１に対してプラズマ処理を行うことができ、生産効率が高くなる。また、これら２枚の平面状被処理基体２１のプラズマ処理条件はほぼ同一であるため、両平面状処理基体２１の品質の差も小さい。更に、平面状の高周波アンテナ１３の両側に生成されるプラズマが、それぞれ平面状処理基体２１の処理に用いられるため、プラズマ利用効率及びエネルギー効率を一層高めることができる。それと共に、平面状被処理基体２１が１枚のみである場合よりも真空容器１１の内壁に到達するプラズマが少なくなるため、プラズマの無駄を一層抑制することができ、エネルギーや資源の利用効率を高めることができる。
本発明に係るプラズマ処理装置は上記実施例のものには限られない。
例えば、アンテナ支持部１２の個数は本実施例では２個としたが、被処理基体の形状や大きさ等に応じて１個のみとしてもよいし、３個以上としてもよい。また、１個の電源１４に取り付ける高周波アンテナ１３の個数及び装置全体で使用する電源１４の個数は、高周波アンテナ１３の消費電力などを考慮して適宜定めることができる。高周波アンテナ１３は上記コの字形のものの他に、線状の導体をＵ字形や半円形に曲げた平面状のものなどを用いることができる。
例えば、アンテナ支持部１２の個数は本実施例では２個としたが、被処理基体の形状や大きさ等に応じて１個のみとしてもよいし、３個以上としてもよい。また、１個の電源１４に取り付ける高周波アンテナ１３の個数及び装置全体で使用する電源１４の個数は、高周波アンテナ１３の消費電力などを考慮して適宜定めることができる。高周波アンテナ１３は上記コの字形のものの他に、線状の導体をＵ字形や半円形に曲げた平面状のものなどを用いることができる。
上記実施例では平面状の高周波アンテナ１３を平面状被処理基体２１に平行に配置したが、平面状高周波アンテナを平面状被処理基体２１に対して傾斜するように配置してもよい。
また、上記実施例では基体保持部１６には平面状被処理基体２１を垂直に保持するものを用いたが、平面状被処理基体２１が垂直から多少傾いていてもよいし、垂直以外の向き（例えば水平）に保持するものであってもよい。
１０…プラズマ処理装置
１１…真空容器
１１１…内部空間
１２…アンテナ支持部（プラズマ生成手段支持部）
１３…高周波アンテナ（プラズマ生成手段）
１４…電源
１５…インピーダンス整合器
１６…基体保持部
２１…平面状被処理基体
１１…真空容器
１１１…内部空間
１２…アンテナ支持部（プラズマ生成手段支持部）
１３…高周波アンテナ（プラズマ生成手段）
１４…電源
１５…インピーダンス整合器
１６…基体保持部
２１…平面状被処理基体
Claims (3)
- a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の内部空間内に突出するように設けられたプラズマ生成手段支持部と、
c) 前記真空容器内に前記プラズマ生成手段支持部を挟んで設けられた、平面状被処理基体を保持するための２個の基体保持部と、
d) 前記２個の基体保持部のそれぞれと等距離にある面内に配置され、前記プラズマ生成手段支持部に取り付けられた複数の平面状の誘導結合型高周波アンテナからなるプラズマ生成手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記基体保持部が、前記平面状被処理基体を立てた状態で保持するものであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基体保持部が太陽電池用ガラス基板を保持するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007296118A JP5329796B2 (ja) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | プラズマ処理装置 |
| PCT/JP2008/003288 WO2009063629A1 (ja) | 2007-11-14 | 2008-11-12 | プラズマ処理装置 |
| CN2008801153933A CN101855707B (zh) | 2007-11-14 | 2008-11-12 | 等离子处理装置 |
| US12/742,604 US8931433B2 (en) | 2007-11-14 | 2008-11-12 | Plasma processing apparatus |
| EP08848700.4A EP2216804A4 (en) | 2007-11-14 | 2008-11-12 | PLASMA PROCESSING DEVICE |
| TW097143834A TWI463923B (zh) | 2007-11-14 | 2008-11-13 | Plasma processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007296118A JP5329796B2 (ja) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009123906A JP2009123906A (ja) | 2009-06-04 |
| JP5329796B2 true JP5329796B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=40638485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007296118A Active JP5329796B2 (ja) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8931433B2 (ja) |
| EP (1) | EP2216804A4 (ja) |
| JP (1) | JP5329796B2 (ja) |
| CN (1) | CN101855707B (ja) |
| TW (1) | TWI463923B (ja) |
| WO (1) | WO2009063629A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI521088B (zh) * | 2009-10-28 | 2016-02-11 | 應用材料股份有限公司 | 用於處理多個基材的製程腔室與用於在基材上沉積膜的製程 |
| JP6147177B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-06-14 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | アンテナカバー及びそれを用いたプラズマ発生装置 |
| CN103702504B (zh) * | 2014-01-15 | 2016-08-24 | 北京吉兆源科技有限公司 | 一种平面等离子发生器 |
| JP6999368B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0160528U (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | ||
| JPH0239422A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ反応容器における膜脱落防止装置 |
| US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| JP3049932B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2000-06-05 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0633246A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-08 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
| JP2641390B2 (ja) * | 1994-05-12 | 1997-08-13 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6155199A (en) * | 1998-03-31 | 2000-12-05 | Lam Research Corporation | Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system |
| JP3836636B2 (ja) | 1999-07-27 | 2006-10-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | プラズマ発生装置 |
| JP4029615B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2008-01-09 | 株式会社Ｉｈｉ | 内部電極方式のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2001297899A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
| WO2003079740A1 (fr) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Tokyo Electron Limited | Dispositif mettant en application le plasma |
| JP2004006537A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
| JP3970815B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-05 | シャープ株式会社 | 半導体素子製造装置 |
| JP5309426B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-10-09 | 株式会社Ｉｈｉ | 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池 |
-
2007
- 2007-11-14 JP JP2007296118A patent/JP5329796B2/ja active Active
-
2008
- 2008-11-12 CN CN2008801153933A patent/CN101855707B/zh active Active
- 2008-11-12 EP EP08848700.4A patent/EP2216804A4/en not_active Withdrawn
- 2008-11-12 WO PCT/JP2008/003288 patent/WO2009063629A1/ja active Application Filing
- 2008-11-12 US US12/742,604 patent/US8931433B2/en active Active
- 2008-11-13 TW TW097143834A patent/TWI463923B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI463923B (zh) | 2014-12-01 |
| EP2216804A1 (en) | 2010-08-11 |
| US20100263797A1 (en) | 2010-10-21 |
| CN101855707A (zh) | 2010-10-06 |
| CN101855707B (zh) | 2013-09-25 |
| TW200939903A (en) | 2009-09-16 |
| JP2009123906A (ja) | 2009-06-04 |
| US8931433B2 (en) | 2015-01-13 |
| EP2216804A4 (en) | 2016-01-20 |
| WO2009063629A1 (ja) | 2009-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007149638A (ja) | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 | |
| KR20110104847A (ko) | 용량 결합 플라즈마 반응기 | |
| KR101496841B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| KR101542270B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| JP5377749B2 (ja) | プラズマ生成装置 | |
| JP5329796B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006120926A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3117366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101167952B1 (ko) | 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기 | |
| JP2012049176A (ja) | プラズマ装置 | |
| KR101112745B1 (ko) | 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기 | |
| KR20100008052A (ko) | 화학기상증착 장치 | |
| KR101139829B1 (ko) | 다중 가스공급장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치 | |
| JP2012507133A (ja) | 基板上にプロセシングされる材料の均一性を改善する堆積装置及びこれを使用する方法 | |
| KR20100120602A (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| JP2004200390A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003077849A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20110096463A (ko) | 다중 유도결합 플라즈마 처리장치 및 방법 | |
| KR101161169B1 (ko) | 다중 용량 결합 전극 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치 | |
| KR101093601B1 (ko) | 다중 용량 플라즈마 처리장치 및 방법 | |
| KR101139824B1 (ko) | 대면적의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 반응기 | |
| KR101002260B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| KR101161200B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| JP4594770B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR20090067378A (ko) | 멀티 레이저 스캐닝 라인을 갖는 용량 결합 플라즈마반응기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101115 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101115 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120309 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120309 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130409 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130606 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130625 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130725 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5329796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |