JPH0239422A - Ｃｖｄ反応容器における膜脱落防止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明はＣＶＤ反応容器の壁に付着した膜の脱落を防止
するＣＶＤ反応容器における膜脱落防止装置に関する。

（従来の技術） 例えば、プラズマＣＶＤは、ＣＶＤ反応容器としての真
空チャンバ内に反応ガスを供給するとともに電極部に高
周波を印加して真空チャンバ内をプラズマ状態として被
処理体に薄膜を形成するものであるが、この薄膜形成中
には真空チャンバ内上方の電極部に近接したところ例え
ば真空チャンバの天井や電極部を支えるステーに薄膜が
付着する。これを防ぐために電極部を真空チャンバの天
井から離すことが行なわれている。

ところが、電極部を真空チャンバから離しても真空チャ
ンバの天井には膜が付着する。さらに、この付着した位
置は電極部から離れているために被処理体の温度と比較
して低くなっている。このため、真空チャンバの天井や
ステーへの薄膜の付着力は弱く、脱落して真空チャンバ
内のごみとなってしまう。又、最悪の場合、脱落した膜
が被処理体に落下することもある。

（発明が解決しようとする課題） 以上のように真空チャンバに付着した膜が脱落して真空
チャンバ内のごみとなってしまう。

そこで本発明は、付着した膜の脱落を防止してごみを全
く出さない信頼性の高いＣＶＤ反応容器における膜脱落
防止装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、ＣＶＤ反応容器内に被処理体を配置するとと
もに反応ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するＣＶ
Ｄ反応容器における膜脱落防止装置において、ＣＶＤ反
応容器内の上方でかつ電極部に近接するとともに被処理
体の上方となる位置に配置された防着板と、この防着板
を被処理体への薄膜形成に影響を与えない高温に加熱す
る加熱手段とを備えて上記目的を達成しようとするＣＶ
Ｄ反応容器における膜脱落防止装置である。

（作用） このような手段を備えたことにより、ＣＶＤ’反応容器
内の上方でかつ電極部に近接するとともに被処理体の上
方となる位置に配置された防着板は、加熱手段により被
処理体への薄膜形成に影響を与えない高温に加熱される
。しかるに、防着板に付着した膜はその付着力が強くな
る。

（実施例） 以下、本発明の一実施例をプラズマＣＶＤに適用した場
合について第１図を参照して説明する。

同図において１は真空チャンバであって、この真空チャ
ンバ１内には反応ガスが流量設定されて供給されるよう
になっている。又、この真空チャンバ１の内部には電極
部ステー２によって電極部３が上部から吊着される如く
支持されている。

方、真空チャンバ１の内部には基板カート４か設けられ
、この基板カート４上に基板ホルダ５か電極部３を囲む
如く立設されている。そして、これら基板ホルダ５には
それぞれ被処理体である基板６が電極部３と対向する面
側に配置されている。

又、基板ホルダ５の基板６を支持する面とは反対の面と
対向する真空チャンバ１の面には、それぞれ基板加熱用
ヒータ７が配設されている。

ところで、真空チャンバ１の上方における電極部３に近
接した位置、例えば電極部３と基板６との間の距離と同
一距離おいた電極部３からの位置でかつ基板６の上方に
はステンレスから成る防着板８が着脱可能に取り付けら
れている。そして、この防着板８の電極部３側とは反対
の面側にはこの防着板８を加熱するシーズヒータ９が設
けられている。又、防着板８には熱電対から構成される
温度センサ１０が取り付けられている。そして、シーズ
ヒータ９はフランジ１１を介してヒータ電力コントロー
ラ１２に接続されるとともに温度センサ１０は同フラン
ジ１１を介してＰＩＤコントローラ１３に接続されてい
る。このＰＩＤコントローラ１３は温度センサ１０から
の温度検出信号を受けて加熱設定温度信号と比較してそ
の温度差を求め、この温度差が零となるようなヒータ電
力制御信号を求めてヒータ電力コントローラ１２に送出
する機能を有するものである。なお、加熱設定温度は３
００〜３５０℃となっている。このヒータ電力コントロ
ーラ１２はヒータ電力制御信号を受けてシーズヒータ９
に供給する電力を制御する機能を有するものである。

次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
。

真空チャンバ１内に反応ガスが供給されるとともに電極
部３に高周波が供給されると、電極部３によって真空チ
ャンバ１内はプラズマ状態となる。

又、これと同時に基板加熱用ヒータ７が通電されて各基
板６が温度３００〜３５０℃に加熱される。これにより
、真空チャンバ１内の反応が促進して基板６の表面に薄
膜が形成される。

このように基板６に薄膜が形成されている間にシーズヒ
ータ９にはヒータ電力コントローラ１２によって電力が
供給され、これによりシーズヒータ９は防着板８を加熱
する。この防着板８の温度は温度センサ１０によって検
出されてその温度検出信号がＰＩＤコントローラ１３に
送られる。このＰＩＤコントローラ１３は温度検出信号
を受けて検出温度と加熱設定温度とを比較してその温度
差を求め、この温度差を零とするようなヒータ電力制御
信号を求めてヒータ電力コントローラ１２に送出する。

かくして、ヒータ電力コントローラ１２によってシーズ
ヒータ９へ供給する電力量が制御され、もって防着板８
は加熱設定温度３００〜３５０℃に保たれる。この結果
、防着板８の温度は基板６の温度と同一となり、防着板
８に付着する膜の付着力は増大する。従って、この防着
板８に付着した膜は脱落することが無くなる。

このように上記一実施例においては、真空チャンバ１内
の上方でかつ電極部３に近接するとともに基板６の上方
となる位置に配置された防着板８を薄膜形成中の基板６
の温度とほぼ同一温度に加熱するように構成したので、
防着板８への膜の付着力か強くなって膜が脱落すること
がなくなる。

従って、真空チャンバ１内に脱落した膜によりごみが生
じることがなくなる。又、防着板８への付着量が多くな
れば、真空チャンバ１から防着板８を取り外して真空チ
ャンバ１の外部で酸処理等を行って膜を除去すればよい
。このようにすることにより防着板８を長期に亙って使
用できる。

なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、防
着板８の温度は基板６とほぼ同一温度としたが、防着板
８の温度は基板６に影響を与えなければできる限り高温
の方が良く、高温にすればするほど付着力が大きくなる
。

又、第２図に示すように横型のＣＶＤ装置にも適用でき
る。この場合、真空チャンバ２０の内部には基板２１が
配置されるとともにこの基板２１の対向位置に放電部２
２が設けられている。なお、２３はヒータである。そし
て、真空チャンバ２０の上方で放電部２２に近接した位
置に防着板２４か配置されるとともにこの防着板２４を
加熱するシーズヒータ２５が設けられている。しかるに
、かかる構成でも上記一実施例と同様の効果を奏するこ
とができる。

さらに本発明はプラズマＣＶＤに限らず常圧ＣＶＤや低
圧ＣＶＤにも適用できる。

［発明の効果］ 以上詳記したように本発明によれば、付着した膜の脱落
を防止してごみを全く出さない信頼性の高いＣＶＤ反応
容器における膜脱落防止装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるＣＶＤ反応容器における膜脱落
防止装置をプラズマＣＶＤに適用した場合の一実施例を
示す断面構成図、第２図は変形例を示す断面構成図であ
る。 １・・・真空チャンバ、２・・・電極部ステー　３・・
・電極部、４・・・基板カート、５・・・基板ホルダ、
６・・・基板、７・・・基板加熱用ヒータ、８・・・防
着板、９・・・シーズヒータ、１０・・・温度センサ、
１１・・・フランジ、１２・・・ヒータ電力コントロー
ラ、１３・・・ＰＩＤコントローラ。 出願人代理人　　弁理士　鈴江武彦 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＣＶＤ反応容器内に被処理体を配置するとともに反応ガ
   スを供給して前記被処理体に薄膜を形成するＣＶＤ反応
   容器における膜脱落防止装置において、前記ＣＶＤ反応
   容器内の上方でかつ電極部に近接するとともに前記被処
   理体の上方となる位置に配置された防着板と、この防着
   板を前記被処理体への薄膜形成に影響を与えない高温に
   加熱する加熱手段とを具備したことを特徴とするＣＶＤ
   反応容器における膜脱落防止装置。