JPH04147612A - 基板加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、基板加熱装置に関する。

（従来の技術） 例えば、半導体デバイスの製造工程等においては、例え
ば表面にフォトレジストあるいは樹脂をコーティングし
た半導体ウェハ等の基板の乾燥等に、基板加熱装置が用
いられている。

第２図にこのような従来の基板加熱装置の構成を示す。

基板加熱装置には、上面に被処理基板、例えば半導体ウ
ェハ１を載置可能に構成された形状例えば円板状の熱板
２が設けられている。この熱板２は、図示しない加熱手
段例えば抵抗加熱ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータに供
給する電力を調節して熱板２の温度を制御する温度制御
手段を備えており、半導体ウェハ１を所定温度に加熱す
ることができるよう構成されている。

また、この熱板２は、筐体３内に収容されており、この
筐体３の天井部４のほぼ中央には、半導体ウェハ１の表
面にコーティングされたフォトレジストあるいは樹脂等
から生じた溶媒蒸気等を排出するための排気配管５が接
続された排気口６が設けられている。

（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の基板加熱装置では、筐体３の天
井部４のほぼ中央に設けられた排気口６から排気を行う
ことにより、半導体ウェハ１の表面にコーティングされ
たフォトレジストあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等
を排出す°るよう構成されている。

しかしながら、本発明者等が詳査したところ、上記説明
の従来の基板加熱装置では、排気１口６から排気を行う
にもかかわらず、フォトレジストあるいは樹脂等から生
じた溶媒蒸気等が、液滴となって天井部４に付着し、こ
の液滴が半導体ウェハ１上に落下する等の問題があった
。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、筐体の天井部
等に液滴となって付着することを防止することのできる
基板加熱装置を提供しようとするものである。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板を加熱する熱板と、この
熱板を収容する容器とを具備した基板加熱装置において
、前記容器゛の前記被処理基板と対向する天井部を、傾
斜を持たせた形状とし、この傾斜の頂部から排気を行う
ように構成したことを特徴とする。

（作　用） 本発明の基板加熱装置では、熱板を収容する容器の天井
部が、凹面形状とされており、この天井部の頂部から排
気を行うように構成されている。

したがって、凹陥された天井部によって、フォトレジス
トあるいは樹脂等から生じた溶媒蒸気等を排気配管に導
き、効率良く筐体外に排出することができ、この溶媒蒸
気等が、筐体の天井部等に液滴となって付着することを
防止することができる。

（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図に示すように、基板加熱装置１０には、上面に被
処理基板、例えば半導体ウェハ１１を載置可能に構成さ
れ、形状例えば円板状であって、処理を行う半導体ウェ
ハ１１のサイズに合わせてその直径を設定された（本実
施例では、６インチの半導体ウェハに対して直径例えば
２０ｃｍとされた）熱板１２が設けられている。

この熱板１２は、図示しない加熱手段、例えば抵抗加熱
ヒータおよびこの抵抗加熱ヒータに供給する電力を調節
して熱板１２の温度を制御する温度制御手段を備えてお
り、レジスト液塗布後の半導体ウェハ１１を所定温度に
加熱し、溶剤を乾燥させることができるよう構成されて
いる。

上記熱板１２は、容器１３内に収容されている。

この容器１３は、例えば断熱材等から構成されており、
容器状に形成された熱板収容部１４と、熱板１２の上部
を覆う如く設けられた蓋部１５とからなる。そして、図
示しない駆動機構により、これらの熱板収容部１４と蓋
部１５とを相対的に上下動させ、両者の間に間隔を設け
、熱板１２上に半導体ウェハ１１をロード・アンロード
するよう構成されている。また、熱板１２を貫通する如
く図示しないウェハ支持ビンが複数例えば３本設けられ
ており、上記熱板収容部１４または蓋部１５の上下動に
伴なって、ウエノ１支持ピンが熱板１２上に突出し、半
導体ウェハ１１を熱板１２上に支持するよう構成されて
いる。

また、上記蓋部１５内側の半導体ウェハ１１との対向面
、すなわち、天井部１５ａは、材質例えばステンレスで
円錐状凹陥面形状とされており、その頂部（中央部）に
は、排気配管１６に接続された排気口１７（直径例えば
ｌ０ｍｍ〜５０ｍｍ）が設けられている。この円錐状の
天井部１５ａの傾斜角θは、望ましくは例えば２〜２０
度（本実施例では、４度）とされている。

さらに、熱板収容部１４と蓋部１５との間には、例えば
０，２〜０．６ｍｍ程度（本実施例では、ＯＪ■霞）の
空気取入れ用の間隙１８が設けられており、排気口１７
から排気を行うと、この間隙１８から外部の空気が取り
入れられ、間隙１８と排気口１７との間に、円錐状の天
井部１５ａに沿って、空気流が形成されるよう構成され
ている。

なお、図中符号ｄで示す間隔、すなわち、熱板１２の上
面と、蓋部１５の縁部下面との間隔は、３〜１０ｍｍ　
（本実施例では５ｍｍ　）とされている。これは、上記
間隔ｄを拡げ、例えば１５ｍｍ以上とすると、排気口１
７からの排気圧を高めても（例えば１０ｓｓＨ２０とし
ても）、天井部１５ａに溶媒蒸気等が液滴となって付着
してしまうためである。

上記構成のこの実施例の基板加熱装置では、図示しない
駆動装置により、熱板収容部１４と蓋部１５とを相対的
に上下動させ両者の間に間隔を設けるとともに、図示し
ないウェハ支持ピンを熱板１２上に突出させ、この状態
でウェハ支持ピン上に、表面にフォトレジスト液あるい
は樹脂液等をコーティングされた半導体ウェハ１１をロ
ードする。また、図示しない加熱手段および温度制御手
段により、予め熱板１２を所定温度に加熱しておく。

そして、上記熱板収容部１４と蓋部１５との間隔を閉じ
るとともに、ウェハ支持ピン上の半導体ウェハ１１を熱
板１２上に受は渡し、熱板１２と接触させることにより
、半導体ウェハ１１を加熱する。また、排気配管１６に
より、排気口１７から所定排気圧例えばｌｉｍＨ２０で
排気を行い、空気取入れ用の間隙１８と排気口１７との
間に空気流を形成し、半導体ウェハ１１の表面にコーテ
ィングされたフォトレジストあるいは樹脂等から生した
溶媒蒸気等を排出する。

このようにして、半導体ウェハ１１を所定時間所定温度
で加熱し、表面にコーティングされたフォトレジストあ
るいは樹脂等の乾燥が終了すると、上記したロードの手
順と逆の手順で、熱板１２上の半導体ウェハ１１をアン
ロードして、処理を終了する。

上記実施例の基板加熱装置により、表面にポリイミドを
コーティングした６インチの半導体ウェハ１１の乾燥を
行ったところ、排気配管１６の排気圧１ｔａｍＨ２０（
排気量約１００リツトル／分）、排気時間３０秒で、天
井部１５ａの付着物は全く見られなかった。

なお、第２図に示した従来の基板加熱装置で同様な半導
体ウェハ１１の乾燥を行ったところ、排気圧４［１ｇ１
Ｈ２０％排気時間６０秒としても、天井部に大量の付着
物（溶媒蒸気の液滴）が見られた。

上記実施例ではレジスト液の塗布された半導体ウェハの
加熱について説明したが、基板の加熱例えば現像液の塗
布された半導体ウエノ＼、磁性体の塗布された磁気媒体
等いずれに適用しても良い。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の基板加熱装置によれば、
被処理基板から発生した溶媒蒸気等が、液滴となって筐
体の天井部等に付着することを防止することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の基板加熱装置の構成を示す
図、第２図は従来の基板加熱装置の構成を示す図である
。 １０・・・・・・基板加熱装置、１１・・・・：・半導
体ウニｌ＼、１２・・・・・・熱板、１３・・・・・容
器、１４・・・・熱板収容部、１５・・・・・・蓋部、
１５ａ・・・・・・天井部、１６・・・・・・排気配管
、１７・・・・・・排気口、１８・・・・・空気取入れ
用の間隙。 第　１　図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板を加熱する熱板と、この熱板を収容す
   る容器とを具備した基板加熱装置において、前記容器の
   前記被処理基板と対向する天井部を、傾斜を持たせた形
   状とし、この傾斜の頂部から排気を行うように構成した
   ことを特徴とする基板加熱装置。
2. （２）前記天井部の形状が円錐状であることを特徴とす
   る請求項１記載の基板加熱装置。