JPH0969488A - 乾燥方法および装置 - Google Patents

乾燥方法および装置

Info

Publication number
JPH0969488A
JPH0969488A JP24539095A JP24539095A JPH0969488A JP H0969488 A JPH0969488 A JP H0969488A JP 24539095 A JP24539095 A JP 24539095A JP 24539095 A JP24539095 A JP 24539095A JP H0969488 A JPH0969488 A JP H0969488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
photoresist
processing chamber
drying
switching valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24539095A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yamagami
孝 山上
Masayoshi Kanematsu
雅義 兼松
Masashige Harashima
正成 原島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP24539095A priority Critical patent/JPH0969488A/ja
Publication of JPH0969488A publication Critical patent/JPH0969488A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 遠心脱水によらずにフォトレジストを安全に
乾燥する。 【構成】 ウエハ41にフォトレジスト42を塗布され
たワーク40は乾燥機能付き現像装置1の処理容器4に
搬入されて吸着チャック10に保持される。切換弁30
が現像液供給ユニット32側に切り換えられ、現像液が
ワークと現像液保持面部22との隙間に吐出されて現像
される。所定時間経過後、純水供給ユニット34側に切
り換えられ、純水33が吐出されてリンスされる。切換
弁25が窒素ガス供給ユニット28側に切り換えられて
窒素ガス27の吐出で純水33を外部に吹き飛ばす。そ
の後、切換弁25が真空ポンプ26側に切り換えられて
処理室4は減圧され、ワークおよび処理室4の水分は減
圧蒸発されて乾燥される。 【効果】 減圧蒸発乾燥のため、ワークを回転させずに
乾燥でき、微細で高アスペクト比のフォトレジストパタ
ーンであっても安全に乾燥できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、乾燥技術、特に、物品
に塗布されて湿潤されたフォトレジストを乾燥する技術
に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、半導
体ウエハ(以下、ウエハという。)の主面に塗布されて
感光された後に現像によって湿潤されたフォトレジスト
を乾燥するのに利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ウエハ
の主面に半導体素子を含む集積回路をパターニングする
のにリソグラフィー処理が使用される。このリソグラフ
ィー処理においては、ウエハの主面にスピンナ塗布され
たフォトレジストに所望のパターンが露光処理によって
転写された後に、フォトレジストが現像処理によって現
像される。
【0003】従来のこの種の現像装置として、処理容器
の内部に設けた回転可能なスピンチャック上に一主面に
フォトレジストが塗布されたウエハ(以下、ワークとい
う。)をフォトレジスト側を上向きにした状態で載せて
保持せしめ、ワークを回転させながら現像液をワークの
フォトレジストの上に供給してフォトレジストを現像す
るとともに、続いて、リンス液を供給してリンス(洗
浄)するように構成されているものがある。この現像装
置においては、現像およびリンス後にワークをスピンチ
ャックによって高速回転させることにより、遠心脱水に
よってウエハおよびフォトレジストを乾燥することが実
施されている。
【0004】なお、この種の現像装置を述べてある例と
しては、特開平2−237017号公報がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たワークを高速回転させて遠心脱水によってフォトレジ
ストを乾燥する技術においては、次のような問題点があ
る。
【0006】(1) ワークが高速回転されるため、微
細で高アスペクト比のフォトレジストパターンではパタ
ーンが回転時の遠心力によって倒されてしまう危険性が
ある。今後さらに進展するウエハの大口径化、パターン
の微細化に伴って、この傾向はより一層顕著になると推
測される。 (2) ワークを高速回転させるためのモータが処理容
器の下部に付帯設備されるため、現像装置全体が大形に
なるばかりでなく、回転制御等について複雑な制御シス
テムが必要になる。 (3) 遠心脱水による乾燥を省略すると、常温では乾
燥時間がきわめて長期化してしまう。 (4) 加熱乾燥方法が実施された場合には、フォトレ
ジストに水分が付着していると、フォトレジストの溶解
が発生して溶解したフォトレジストによる滲みが発生す
る。 (5) なお、従来の現像装置においては、現像、リン
ス、乾燥後にベーキングおよびクーリング(冷却)等の
処理が実施され、これらの処理部にワークが順次搬送さ
れるため、搬送中にワークに異物が付着する蓋然性が高
いという問題点がある。
【0007】本発明の目的は、遠心脱水によらずにフォ
トレジストを安全に乾燥することができる乾燥技術を提
供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0010】すなわち、この乾燥方法は、湿潤したフォ
トレジストが晒された雰囲気を減圧してフォトレジスト
を乾燥させることを特徴とする。
【0011】
【作用】前記した手段によれば、フォトレジストを湿潤
した水分がフォトレジストから減圧された雰囲気に強制
的に放出されるため、フォトレジストは乾燥される。つ
まり、フォトレジストが塗布されたワークを回転させず
にフォトレジストを乾燥することができる。したがっ
て、ワークの回転に伴うフォトレジストの損傷等の弊害
の発生を未然に防止することができる。
【0012】
【実施例】図1(a)は本発明の一実施例である現像装
置を示す正面断面図、同図(b)はそのワークを示す拡
大正面断面図である。図2以降は各処理を示す各正面断
面図である。
【0013】本実施例において、本発明に係る乾燥装置
は、ウエハに塗布されたフォトレジストに対して現像処
理、リンス(洗浄)処理および乾燥処理を一貫して実施
する乾燥機能付き現像装置(以下、現像装置という。)
として構成されている。この現像装置1は水平に配置さ
れた処理容器2を備えており、処理容器2は処理室を形
成するカップと、処理室を密閉するキャップとから構成
されている。カップ3は略円形の浅い皿形状に形成され
ており、その窪み部によって処理室4を形成するように
なっている。カップ3の処理室4の底面には吸着口5が
その中心線上に開設されており、この吸着口5には負圧
供給路6が接続されている。負圧供給路6は負圧供給手
段としての真空ポンプ7に電磁切換弁8を介して接続さ
れている。また、処理室4の底面には円形リング形状の
支持部9が吸着口5と同心円に配されて、一定幅一定高
さをもって垂直方向上向きに突設されている。つまり、
この支持部9および吸着口5によって、処理室4の底部
にはウエハを処理室4の底面から浮かせた状態で真空吸
着保持する吸着チャック10が構成されている。
【0014】カップ3の処理室4の外側にはチャック1
0に保持されたワークの周りを排気する排出室11が環
状に形成されており、排出室11には排出口12が開設
されている。排出口12には排出路13が接続されてお
り、排出路13は排出物を処理する廃棄処理ユニットに
電磁切換弁15を介して接続されている。排出室11の
内周面における上部には跳ね返り防止面16が上に行く
に従って窄まるように傾斜されて円形リング形状に形成
されており、この跳ね返り防止面16はワークから飛散
して来た現像液やリンス液のミストがワークの方向に戻
らないようにミストを下向きに反射させるように傾斜さ
れている。そして、跳ね返り防止面16の内側には処理
室4へワークを出し入れするための開口17が形成され
ており、カップ3の上面にはシール面18が形成されて
いる。
【0015】キャップ20はカップ3の外径と等しい外
径を有する円盤形状に形成されており、その下面の外周
部にはカップ3のシール面18と協働して処理室4を密
封するシール面21が形成されている。キャップ20の
下面における中央部にはウエハの外径よりも若干大きめ
の円板形状の現像液保持面部22が同心円に一定厚さに
突設されており、この現像液保持面部22は後述するよ
うに毛細管現象によって現像液を保持するために、吸着
チャック10に保持されたワークの上面との間に狭い隙
間を形成するように設定されている。
【0016】キャップ20の中心には開口23が垂直方
向下向きに開設されており、この開口23には通気路お
よび通液路がそれぞれ接続されている。通気路24には
方向制御弁の一例である電磁切換弁25を介して負圧供
給手段としての真空ポンプ26と、不活性ガスとしての
窒素ガス27を供給するための窒素ガス供給ユニット2
8とが接続されており、真空ポンプ26と窒素ガスユニ
ット28とは電磁切換弁25によって開閉および切り換
えを制御されるようになっている。また、通液路29に
は電磁切換弁30を介して現像液31を供給するための
現像液供給ユニット32と、リンス液としての純水33
を供給するための純水供給ユニット34とが接続されて
おり、現像液供給ユニット32と純水供給ユニット34
とは電磁切換弁30によって開閉および切り換えを制御
されるようになっている。
【0017】なお、各電磁切換弁8、15、25、30
はコンピュータ等によって構築されたコントローラ(図
示せず)によって後述するようなシーケンス制御を実行
されるようになっている。
【0018】次に作用を説明する。現像装置1のワーク
40はウエハ41に塗布されたフォトレジスト42が露
光処理された状態で供給され、カップ3の開口17から
処理室4内に搬入されて、図1(a)の想像線で示され
ているように、吸着チャック10によって底面から浮か
された状態で底部に水平に保持される。ワーク40が保
持されると、キャップ20によってカップ3の開口17
が閉じられるとともに、シール面18、21によって処
理室4が密封される。処理室4が密封されると、図2に
示されているように、キャップ20の現像液保持面部2
2の下面はワーク40の上面から所定の狭い隙間43だ
け離間した状態になる。
【0019】続いて、図2に示されているように、通液
路29の電磁切換弁30が現像液供給ユニット32側に
切り換えられ、現像液31が通液路29を通じて開口2
3から隙間43に吐出される。隙間43に吐出された現
像液31は毛細管現象によって隙間43に全体にわたっ
て均一に拡散し、その表面張力によって隙間43に保持
された状態になる。現像液31が隙間43に保持された
状態になると、通液路29の電磁切換弁30が中立位置
に切り換えられ、所定の時間そのまま放置される。この
放置期間に、フォトレジスト42は隙間43に保持され
た現像液31によって現像される。
【0020】所定の現像処理時間経過後に、図3に示さ
れているように、通液路29の電磁切換弁30が純水供
給ユニット34側に切り換えられ、純水33が通液路2
9を通じて開口23から隙間43に吐出される。隙間4
3に保持された現像液31が隙間43に吐出される純水
33によって隙間43から周囲の排出室11に排出され
ることにより、隙間43は現像液31と純水33とが置
換した状態になるため、現像反応は停止する。この際、
排出路13の電磁切換弁15が開放側に切り換えられる
ため、隙間43から排出室11に排出された現像液31
および純水33は排出口12から廃棄処理ユニット14
に排出される。
【0021】次いで、図4に示されているように、通液
路29の電磁切換弁30が中立位置に切り換えられて純
水33の吐出が停止されるとともに、通気路24の電磁
切換弁25が窒素ガス供給ユニット28側に切り換えら
れて窒素ガス27が隙間43に吐出される。隙間43に
吐出された窒素ガス27は隙間43に滞留している純水
33を外部に吹き飛ばす。
【0022】その後、図5に示されているように、排出
路13の電磁切換弁15が閉止の位置に切り換えられる
とともに、通気路24の電磁切換弁25が真空ポンプ2
6側に切り換えられる。これにより、処理室4は減圧さ
れるため、ワーク40を湿潤している水分や処理室4に
残った水分は常温以下で減圧蒸発される。したがって、
ワーク40のフォトレジスト42やウエハ41および処
理室4は乾燥されることになる。
【0023】ワーク40や処理室4が充分に乾燥される
と、図1に示されているように、通気路24の電磁切換
弁25が中立位置に切り換えられて減圧乾燥作業が停止
されるととともに、キャップ20がカップ3から上昇さ
れて処理室4が開放される。続いて、吸着チャック10
の電磁切換弁8が閉止位置に切り換えられるとともに、
処理室4から乾燥済みのワーク40が搬出され、次のワ
ーク40が処理室4に搬入される。以降、前記作動が繰
り返されることにより、各ワーク40が順次に現像およ
びリンスされるとともに、乾燥されて行く。
【0024】前記実施例によれば、次の効果が得られ
る。 (1) 減圧蒸発によって乾燥させることにより、ワー
クを回転させずに乾燥することができるため、微細で高
アスペクト比のフォトレジストパターンであっても回転
時の遠心力によって倒されてしまう危険性なしに安全に
乾燥させることができる。
【0025】(2) また、ワークを回転させずに乾燥
することにより、ワークを高速回転させるためのモータ
を処理容器の下部に付帯設備しなくて済むため、乾燥機
能付きの現像装置全体を小形化することができるととも
に、回転制御等についての複雑な制御システムを省略す
ることができ、設備費用およびランニングコストを低減
することができる。
【0026】(3) 減圧蒸発によって強制的に乾燥す
ることにより、遠心脱水による乾燥を省略するにもかか
わらず、常温下であっても乾燥時間は短期間で済ますこ
とができる。
【0027】(4) 減圧蒸発によって強制的に乾燥す
ることにより、加熱乾燥方法を実施しなくて済むため、
フォトレジストの加熱による溶解の発生を防止すること
ができ、溶解したフォトレジストによる滲みが発生する
のを未然に回避することができる。
【0028】(5) 現像、リンス、乾燥を同一の処理
室で一貫して実施することにより、現像工程全体として
の作業時間を短縮することができるとともに、現像処理
部、リンス処理部および乾燥処理部間へのワークの搬送
中における異物付着の蓋然性を低減することができる。
【0029】図6は本発明の実施例2である現像装置を
示す減圧乾燥中の正面断面図である。
【0030】本実施例2が前記実施例1と異なる点は、
処理容器2に減圧乾燥作業中に温度を常温に維持する温
度調整機能を付与した点にある。すなわち、カップ3お
よびキャップ20の壁体内には常温水が流通する通水路
35が敷設されている。
【0031】本実施例2によれば、カップ3およびキャ
ップ20の通水路35に常温の水が流通されることによ
り、処理室4は常温に一定に維持されているため、乾燥
に際して処理室4が減圧されても温度低下が発生するこ
とは防止される。したがって、減圧による乾燥に際し
て、温度が低下することによる乾燥時間の長期化や、過
度の温度低下による水分の凍結等を未然に防止すること
ができる。
【0032】なお、処理室4の温度低下を防止する手段
としては、常温水の通水路を使用するに限らず、ヒータ
ーや電子冷熱素子をカップおよびキャップに埋め込んで
温度調整制御する構成等を使用することができる。
【0033】図7は本発明の実施例3である現像装置を
示す減圧乾燥中の正面断面図である。
【0034】本実施例3が前記実施例1と異なる点は、
キャップ20が石英ガラスや耐熱ガラス等の赤外線透過
可能な材料によって形成されているとともに、キャップ
20の上方に赤外線ランプ36が処理室4内のワーク4
0を加熱し得るように設備されている点にある。
【0035】本実施例3によれば、赤外線ランプ36の
赤外線の照射によってワーク40を常温に一定に維持す
ることができるため、乾燥作業に際して処理室4が減圧
されてもワーク40の温度低下が発生するのは防止する
ことができる。したがって、減圧による乾燥に際して、
温度が低下することによる乾燥時間の長期化や、過度の
温度低下による水分の凍結等を未然に防止することがで
きる。また、温度調整手段を全体的に小形で単純に構成
することができる。
【0036】図8は本発明の実施例4である現像装置を
示すベーパー乾燥中の正面断面図である。
【0037】本実施例4が前記実施例1と異なる点は、
ベーパー乾燥機能を付与した点にある。すなわち、通液
路29に高揮発性で低表面張力のベーパー乾燥液として
のアルコール37を供給するためのアルコール供給ユニ
ット38が電磁切換弁30Aを介して追加して接続され
ている。
【0038】本実施例4においては、純水によるリンス
作業の終了後に、電磁切換弁30Aがアルコール供給ユ
ニット38側に切り換えられ、アルコール37が通液路
29を通じて開口23から処理室4の隙間43に吐出さ
れる。アルコール37が隙間43に吐出されると、隙間
43に滞留した純水は隙間43から周囲の排出室11に
排出されるとともに、ワーク40に付着した純水はアル
コール37と次第に置換して行く。その後、通液路29
の電磁切換弁30Aが中立位置に切り換えられてアルコ
ール37の吐出が停止されるとともに、通気路24の電
磁切換弁25が窒素ガス供給ユニット28側に切り換え
られて窒素ガス27が隙間43に吐出される。隙間43
に吐出された窒素ガス27は隙間43に滞留しているア
ルコール37を外部に吹き飛ばす。
【0039】次いで、排出路13の電磁切換弁15が閉
止の位置に切り換えられるとともに、通気路24の電磁
切換弁25が真空ポンプ26側に切り換えられる。これ
により、処理室4は減圧されるため、ワーク40を湿潤
しているアルコール37や処理室4に残ったアルコール
37は常温以下で減圧蒸発される。したがって、ワーク
40のフォトレジスト42やウエハ41および処理室4
は乾燥されることになる。この際、アルコール37は高
揮発性で低表面張力の液体であるため、きわめて効果的
に蒸発する。その結果、ワーク40および処理室4はき
わめて短時間に効果的かつ完全に乾燥されることにな
る。
【0040】図9は本発明の実施例5である現像装置を
示すベーキング処理中の正面断面図である。
【0041】本実施例5が前記実施例1と異なる点は、
乾燥の後にワークを加熱するとともに、その加熱によっ
て温度上昇したワークを冷却する加熱冷却機能を付与し
た点にある。すなわち、処理容器2のカップ3には電子
冷熱素子を使用した加熱冷却装置39が埋設されてい
る。
【0042】本実施例5においては、減圧乾燥が終了し
た後に、ワーク40が加熱冷却装置39によって加熱さ
れる。この加熱によって、ワーク40のフォトレジスト
42はベーキングされる。次いで、ワーク40は加熱冷
却装置39によって冷却される。この冷却によって、先
の加熱によって温度上昇したワーク40は冷却される。
このように、本実施例5によれば、減圧乾燥後にベーキ
ング処理およびそのベーキング処理後の冷却処理を同一
の処理室4において実施することができるため、各処理
毎の搬送作業を省略することができ、その結果、現像工
程全体としての作業時間を短縮化することができるとと
もに、各処理毎の搬送作業による異物付着の蓋然性を低
減することができる。
【0043】なお、加熱冷却装置は電子冷熱素子を使用
するに限らず、赤外線ランプや冷水通水路等を使用する
ことができる。また、ベーキング処理は、減圧乾燥の終
了後だけに実施するに限らず、現像前にも実施してもよ
い。
【0044】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0045】例えば、減圧乾燥処理は現像処理およびリ
ンス処理と同一の処理室で一貫して実施するに限らず、
現像処理およびリンス処理とは別の処理室で断続的に実
施してもよい。
【0046】通気路および通液路は専用的に構成するに
限らず、兼用するように構成してもよい。また、処理室
への開口は各通気路および各通液路毎にそれぞれ開設し
てもよい。さらに、制御弁としては、電磁切換弁を使用
するに限らず、エア等の作動流体を用いたパイロット式
制御弁や機械式制御弁等を使用してもよい。
【0047】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるワーク
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、フォトマスクや液晶パネル等のフォトレ
ジストが塗布された物品全般に適用することができる。
【0048】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0049】減圧蒸発によって乾燥させることにより、
ワークを回転させずにかつ加熱させずに乾燥することが
できるため、微細で高アスペクト比のフォトレジストパ
ターンであっても回転時の遠心力によって倒されてしま
う危険性なしに、また、加熱によるフォトレジストの溶
解の危険性なしに安全かつ短時間に乾燥させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例である現像装置を示
す正面断面図、(b)はそのワークを示す正面断面図で
ある。
【図2】現像処理を示す正面断面図である。
【図3】リンス処理を示す正面断面図である。
【図4】吹き付け乾燥を示す正面断面図である。
【図5】減圧乾燥を示す正面断面図である。
【図6】本発明の実施例2である現像装置を示す減圧乾
燥中の正面断面図である。
【図7】本発明の実施例3である現像装置を示す減圧乾
燥中の正面断面図である。
【図8】本発明の実施例4である現像装置を示すベーパ
ー乾燥中の正面断面図である。
【図9】本発明の実施例5である現像装置を示すベーキ
ング処理中の正面断面図である。
【符号の説明】
1…乾燥機能付き現像装置、2…処理容器、3…カッ
プ、4…処理室、5…吸着口、6…負圧供給路、7…真
空ポンプ、8…電磁切換弁(制御弁)、9…支持部、1
0…吸着チャック、11…排出室、12…排出口、13
…排出路、14…廃棄処理ユニット、15…電磁切換弁
(制御弁)、16…跳ね返り防止面、17…開口、18
…シール面、20…キャップ、21…シール面、22…
現像液保持面部、23…開口、24…通気路、25…電
磁切換弁(制御弁)、26…真空ポンプ、27…窒素ガ
ス(不活性ガス)、28…窒素ガス供給ユニット、29
…通液路、30…電磁切換弁(制御弁)、31…現像
液、32…現像液供給ユニット、33…純水(リンス
液)、34…純水供給ユニット、35…通水路、36…
赤外線ランプ、37…アルコール(高揮発性で低表面張
力のベーパー乾燥液)、38…アルコール供給ユニッ
ト、39…加熱冷却装置、40…ワーク、41…ウエ
ハ、42…フォトレジスト、43…隙間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原島 正成 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 物品に塗布されて湿潤されたフォトレジ
    ストを乾燥する乾燥方法において、 前記湿潤したフォトレジストが晒された雰囲気を減圧し
    てフォトレジストを乾燥させることを特徴とする乾燥方
    法。
  2. 【請求項2】 前記湿潤したフォトレジストが晒された
    雰囲気を加熱しながら減圧することによって、減圧時の
    温度低下を防止することを特徴とする乾燥方法。
  3. 【請求項3】 物品に塗布されて湿潤されたフォトレジ
    ストを乾燥する乾燥装置において、 前記湿潤したフォトレジストが晒された雰囲気を減圧し
    てフォトレジストを乾燥させることを特徴とする乾燥装
    置。
JP24539095A 1995-08-30 1995-08-30 乾燥方法および装置 Pending JPH0969488A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24539095A JPH0969488A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 乾燥方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24539095A JPH0969488A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 乾燥方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0969488A true JPH0969488A (ja) 1997-03-11

Family

ID=17132950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24539095A Pending JPH0969488A (ja) 1995-08-30 1995-08-30 乾燥方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0969488A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001239202A (ja) * 1999-12-20 2001-09-04 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
US6355397B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
JP2003515949A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド 単一ウエハアニーリングオーブン
WO2006041077A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Tokyo Electron Limited 基板処理方法および基板処理装置
US7712475B2 (en) 2005-02-03 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus, coating and developing apparatus, and cleaning method
US7806989B2 (en) 2005-06-23 2010-10-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8043469B2 (en) 2006-10-06 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6355397B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
US6537734B2 (en) * 1997-04-11 2003-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
US6575645B2 (en) * 1997-04-11 2003-06-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
JP2003515949A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド 単一ウエハアニーリングオーブン
JP2001239202A (ja) * 1999-12-20 2001-09-04 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
JPWO2006041077A1 (ja) * 2004-10-12 2008-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
WO2006041077A1 (ja) * 2004-10-12 2006-04-20 Tokyo Electron Limited 基板処理方法および基板処理装置
US8337659B2 (en) 2004-10-12 2012-12-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8794250B2 (en) 2004-10-12 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US7712475B2 (en) 2005-02-03 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus, coating and developing apparatus, and cleaning method
US8001983B2 (en) 2005-02-03 2011-08-23 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus, coating and developing apparatus, and cleaning method
US7806989B2 (en) 2005-06-23 2010-10-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8137478B2 (en) 2005-06-23 2012-03-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8043469B2 (en) 2006-10-06 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6287390B2 (en) Apparatus and method of cleaning nozzle and apparatus of processing substrate
JP4410119B2 (ja) 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
US6027602A (en) Wet processing apparatus
TW438628B (en) Coating film forming method and coating apparatus
KR101601341B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JPH07132262A (ja) 浸漬式の液処理装置
JP2007150071A (ja) 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
JPH0969488A (ja) 乾燥方法および装置
JP2010123884A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003178946A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP3958993B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2006332185A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP3088118B2 (ja) 板状物処理装置および板状物処理方法ならびに半導体装置の製造方法
US11154913B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP2004319990A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JPH09205062A (ja) レジスト塗布装置
WO2017029900A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3703281B2 (ja) 基板処理装置
JP2002263554A (ja) 液供給装置
US20160293401A1 (en) Wet processing apparatus
JP3177732B2 (ja) 塗布膜形成方法及びその装置
JPH0246465A (ja) 現像機
JP2001102298A (ja) 現像装置、液処理装置及び現像方法
KR20240029459A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JPH07263336A (ja) 現像方法