JPH06224116A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
- Publication number
- JPH06224116A JPH06224116A JP1218493A JP1218493A JPH06224116A JP H06224116 A JPH06224116 A JP H06224116A JP 1218493 A JP1218493 A JP 1218493A JP 1218493 A JP1218493 A JP 1218493A JP H06224116 A JPH06224116 A JP H06224116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist pattern
- wafer
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウェハ１の表面に塗布したレジスト２に対し
て所定のパターンを転写するリソグラフィ工程に於い
て、レジスト２の所定の領域２’を感光させた後、その
表面に現像液３を滴下して、該レジストの感光領域若し
くは非感光領域のいずれかを溶解除去して所望のレジス
トパターン４を現出させ、リンス液５でウェハ表面をリ
ンスする。その後、該レジストパターンの表面が濡れた
状態でリンス液を凍結させ（５’）、減圧下で昇華させ
ることによってレジストパターンの表面を乾燥させ、所
望のレジストパターンを得ることを特徴とするレジスト
現像方法である。 【効果】 一般にＳＲリソグラフィ技術等がめざす高ア
スペクト比の超微細パターンの現像工程において、パタ
ーンにリンス液の表面張力が作用するのを回避し、パタ
ーンの倒壊を防止する。
て所定のパターンを転写するリソグラフィ工程に於い
て、レジスト２の所定の領域２’を感光させた後、その
表面に現像液３を滴下して、該レジストの感光領域若し
くは非感光領域のいずれかを溶解除去して所望のレジス
トパターン４を現出させ、リンス液５でウェハ表面をリ
ンスする。その後、該レジストパターンの表面が濡れた
状態でリンス液を凍結させ（５’）、減圧下で昇華させ
ることによってレジストパターンの表面を乾燥させ、所
望のレジストパターンを得ることを特徴とするレジスト
現像方法である。 【効果】 一般にＳＲリソグラフィ技術等がめざす高ア
スペクト比の超微細パターンの現像工程において、パタ
ーンにリンス液の表面張力が作用するのを回避し、パタ
ーンの倒壊を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主に半導体デバイスの製
造プロセス等に用いる超微細レジストパターンの現像方
法に関する。
造プロセス等に用いる超微細レジストパターンの現像方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造プロセス
において用いるリソグラフィ工程では、半導体基板表面
に塗布したレジストに所望のパターンを転写又は描画
し、現像液で感光領域あるいは非感光領域を除去してレ
ジストパターンを現出させた後、リンス液でレジスト表
面を洗浄し、常圧下で液体状態のリンス液を乾燥させて
所望のレジストパターンを得ていた。例えば生産工場に
おいては通常スピナーを用いたパドル現像方法が用いら
れており、スピナー上に吸着したウェハ上に現像液を滴
下して一定時間保持した後スピナーを低速で回転させて
現像液を飛散させ、ウェハ表面が濡れた状態で続けてリ
ンス液をこの上に十分に滴下し、高速で回転させてリン
ス液を完全に飛散、乾燥させ所望のレジストパターンを
得ていた。
において用いるリソグラフィ工程では、半導体基板表面
に塗布したレジストに所望のパターンを転写又は描画
し、現像液で感光領域あるいは非感光領域を除去してレ
ジストパターンを現出させた後、リンス液でレジスト表
面を洗浄し、常圧下で液体状態のリンス液を乾燥させて
所望のレジストパターンを得ていた。例えば生産工場に
おいては通常スピナーを用いたパドル現像方法が用いら
れており、スピナー上に吸着したウェハ上に現像液を滴
下して一定時間保持した後スピナーを低速で回転させて
現像液を飛散させ、ウェハ表面が濡れた状態で続けてリ
ンス液をこの上に十分に滴下し、高速で回転させてリン
ス液を完全に飛散、乾燥させ所望のレジストパターンを
得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳＲリソグラフィのよ
うな解像性に優れ且つ焦点深度の大きいリソグラフィ方
法を用いると、アスペクト比の高い微細なパターンを形
成することが可能である。しかしながら露光後従来の方
法で現像を行うと、リンス液の乾燥過程でリンス液の表
面張力がレジストパターンに作用し、特に微細なパター
ンに於いてはパターンの倒壊を引き起こしてしまう。
うな解像性に優れ且つ焦点深度の大きいリソグラフィ方
法を用いると、アスペクト比の高い微細なパターンを形
成することが可能である。しかしながら露光後従来の方
法で現像を行うと、リンス液の乾燥過程でリンス液の表
面張力がレジストパターンに作用し、特に微細なパター
ンに於いてはパターンの倒壊を引き起こしてしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の現像装置ではリ
ンス液でレジスト表面を洗浄後、ウェハを冷却してリン
ス液を凍結させ、減圧下で昇華させることによってリン
ス液の表面張力がレジストパターンに作用するのを回避
し、パターンの倒壊を防止する。特にこの方法は表面張
力が大きい純水をリンス液として使う場合に有効であ
る。
ンス液でレジスト表面を洗浄後、ウェハを冷却してリン
ス液を凍結させ、減圧下で昇華させることによってリン
ス液の表面張力がレジストパターンに作用するのを回避
し、パターンの倒壊を防止する。特にこの方法は表面張
力が大きい純水をリンス液として使う場合に有効であ
る。
【０００５】
【実施例】図１は本発明によるレジスト現像方法を簡単
に表した図である。ウェハ１の表面に塗布したレジスト
２の所定の領域２’を感光させた後、その表面に現像液
３を滴下してポジ型レジストにおいては感光領域を、ネ
ガ型レジストにおいては非感光領域を溶解除去し、所望
のレジストパターン４を現出させる。その後リンス液５
でウェハ表面を洗浄し、レジストパターンの表面が濡れ
た状態でリンス液を凍結させ（５’）、減圧下で昇華さ
せてレジストパターンの表面を乾燥させる。
に表した図である。ウェハ１の表面に塗布したレジスト
２の所定の領域２’を感光させた後、その表面に現像液
３を滴下してポジ型レジストにおいては感光領域を、ネ
ガ型レジストにおいては非感光領域を溶解除去し、所望
のレジストパターン４を現出させる。その後リンス液５
でウェハ表面を洗浄し、レジストパターンの表面が濡れ
た状態でリンス液を凍結させ（５’）、減圧下で昇華さ
せてレジストパターンの表面を乾燥させる。
【０００６】図２は本発明によるレジスト現像装置を表
したものである。現像すべきレジストが塗布されたウェ
ハ６はホルダー７に真空吸着で固定される。この基板表
面に現像液８を供給してレジストパターンを現出させた
後、純水等のリンス液９を基板表面に供給しながら基板
を回転させ、現像液及び反応生成物を除去する。その後
ウェハの表面がリンス液で濡れた状態のままウェハ６を
チャンバー１０の内部に移し、加熱・冷却機構のついた
ステージ１１上に固定する。ステージに冷媒１２を循環
させてウェハをリンス液の凝固点以下に冷却し、リンス
液を凍結させる。その後チャンバー内を真空ポンプ１４
でリンス液の三重点以下の圧力まで減圧し、減圧状態の
ままウェハを常温までヒーター１３で加熱して凍結した
リンス液を昇華させ、所望のレジストパターンを得る。
又、リンス液を凍結させた後チャンバー内部を十分に減
圧にすると、温度を上げなくても凍結したリンス液は昇
華し所望のレジストパターンを得ることができる。
したものである。現像すべきレジストが塗布されたウェ
ハ６はホルダー７に真空吸着で固定される。この基板表
面に現像液８を供給してレジストパターンを現出させた
後、純水等のリンス液９を基板表面に供給しながら基板
を回転させ、現像液及び反応生成物を除去する。その後
ウェハの表面がリンス液で濡れた状態のままウェハ６を
チャンバー１０の内部に移し、加熱・冷却機構のついた
ステージ１１上に固定する。ステージに冷媒１２を循環
させてウェハをリンス液の凝固点以下に冷却し、リンス
液を凍結させる。その後チャンバー内を真空ポンプ１４
でリンス液の三重点以下の圧力まで減圧し、減圧状態の
ままウェハを常温までヒーター１３で加熱して凍結した
リンス液を昇華させ、所望のレジストパターンを得る。
又、リンス液を凍結させた後チャンバー内部を十分に減
圧にすると、温度を上げなくても凍結したリンス液は昇
華し所望のレジストパターンを得ることができる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の現像方法で
はリンス液の表面張力がレジストパターンに作用しない
ので、現像工程での微細なパターンの倒壊を防止でき
る。
はリンス液の表面張力がレジストパターンに作用しない
ので、現像工程での微細なパターンの倒壊を防止でき
る。
【図１】本発明の現像・リンス方法の一例を工程順に示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】本発明による現像装置の一例を示す装置の概略
図である。
図である。
１ ウェハ ２ レジスト ２’感光したレジスト ３ 現像液 ４ レジストパターン ５ リンス液 ５’凍結したリンス液 ６ ウェハ ７ ホルダー ８ 現像液 ９ リンス液 １０ チャンバー １１ ステージ １２ 冷媒 １３ ヒーター １４ 真空ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 所定のパターンを転写したレジスト膜の
現像において、現像液で現出させたレジストパターンの
表面をリンス液で洗浄後、リンス液を凍結させ減圧下で
昇華させて表面を乾燥させることを特徴とするレジスト
現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012184A JPH0754795B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012184A JPH0754795B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | レジスト現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224116A true JPH06224116A (ja) | 1994-08-12 |
| JPH0754795B2 JPH0754795B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=11798333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5012184A Expired - Lifetime JPH0754795B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754795B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142349A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法 |
| JPH07254554A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Soltec:Kk | リンス液乾燥方法及びその装置 |
| US5678116A (en) * | 1994-04-06 | 1997-10-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for drying a substrate having a resist film with a miniaturized pattern |
| US5688333A (en) * | 1994-12-27 | 1997-11-18 | U.S. Philips Corporation | Method of bulk washing and drying of discrete components |
| KR101156076B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2012-06-21 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 이중 패터닝 리소그래피 프로세스에서 레지스트 정렬 마크들을 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20140101964A1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | Lam Research Corporation | Delamination drying apparatus and method |
| JP2014523636A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板凍結乾燥装置及び方法 |
| US20220181171A1 (en) * | 2011-07-05 | 2022-06-09 | Kioxia Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100847094B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2008-07-18 | 황선숙 | 반도체 웨이퍼 급속 동결 진공 건조 방법 및 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279858A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | ネガレジスト現像装置 |
| JPH0243730A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH05242930A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-21 | Sony Corp | ピンジャック |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP5012184A patent/JPH0754795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279858A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | ネガレジスト現像装置 |
| JPH0243730A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH05242930A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-21 | Sony Corp | ピンジャック |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142349A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法 |
| JPH07254554A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Soltec:Kk | リンス液乾燥方法及びその装置 |
| US5678116A (en) * | 1994-04-06 | 1997-10-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for drying a substrate having a resist film with a miniaturized pattern |
| US5688333A (en) * | 1994-12-27 | 1997-11-18 | U.S. Philips Corporation | Method of bulk washing and drying of discrete components |
| KR101156076B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2012-06-21 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 이중 패터닝 리소그래피 프로세스에서 레지스트 정렬 마크들을 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2014523636A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板凍結乾燥装置及び方法 |
| US9673037B2 (en) | 2011-05-31 | 2017-06-06 | Law Research Corporation | Substrate freeze dry apparatus and method |
| US20220181171A1 (en) * | 2011-07-05 | 2022-06-09 | Kioxia Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US11921428B2 (en) * | 2011-07-05 | 2024-03-05 | Kioxia Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20140101964A1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | Lam Research Corporation | Delamination drying apparatus and method |
| US8898928B2 (en) * | 2012-10-11 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Delamination drying apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754795B2 (ja) | 1995-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4886728A (en) | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates | |
| JP2947694B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH10321493A (ja) | レジスト膜形成方法及び基板処理装置 | |
| JP2007019161A (ja) | パターン形成方法及び被膜形成装置 | |
| JPH088163A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH06224116A (ja) | レジスト現像方法 | |
| US5151219A (en) | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates | |
| US5843627A (en) | Method for forming fine patterns of semiconductor device | |
| JPH06196397A (ja) | レジスト現像方法及びその装置 | |
| JPH08339950A (ja) | フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置 | |
| JPH09246156A (ja) | レジスト現像方法及びその装置 | |
| US6513996B1 (en) | Integrated equipment to drain water-hexane developer for pattern collapse | |
| JPH05181286A (ja) | レジストパタ−ンの形状改善方法 | |
| JPH02177420A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| EP4095605B1 (en) | Photoresist removal method and photoresist removal system | |
| JP2591360B2 (ja) | フォトレジストの塗布方法 | |
| JPH08241853A (ja) | リンス液乾燥方法及びその装置 | |
| JPH11274046A (ja) | 基板処理方法および基板現像装置 | |
| JP2762226B2 (ja) | リンス液乾燥方法及びその装置 | |
| JP3625707B2 (ja) | 基板現像装置および基板現像方法 | |
| JPH0474434B2 (ja) | ||
| JPH02148830A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| KR20000017439A (ko) | 습식 처리에 따른 레지스트막 현상 공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH04239720A (ja) | 露光装置 | |
| JPH02291109A (ja) | 現像方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970924 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607 Year of fee payment: 18 |