JPH08339950A - フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置 - Google Patents

フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置

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JPH08339950A
JPH08339950A JP14338195A JP14338195A JPH08339950A JP H08339950 A JPH08339950 A JP H08339950A JP 14338195 A JP14338195 A JP 14338195A JP 14338195 A JP14338195 A JP 14338195A JP H08339950 A JPH08339950 A JP H08339950A
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JP
Japan
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photoresist
pattern
forming
unit
acid
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JP14338195A
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English (en)
Inventor
Koji Komoritani
浩司 籠谷
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 所望のフォトレジストパターンを良好な形状
で得ることができるフォトレジストパターン形成方法及
びフォトレジスト処理装置を提供する。 【構成】 パターン形成材１上にフォトレジストを形成
して露光現像することによりフォトレジストパターンを
形成する際、フォトレジスト形成前にパターン形成材の
少なくともフォトレジスト形成面を酸処理または酸素プ
ラズマ処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成材上にフ
ォトレジストを形成して露光現像することによりフォト
レジストパターンを形成するフォトレジストパターン形
成方法、及びこれを利用して、パターン形成材上にフォ
トレジストを形成して露光現像することによりフォトレ
ジストパターンを形成するフォトレジスト処理装置に関
する。本発明は各種分野におけるフォトレジスト利用技
術に適用でき、例えば、電子材料特に半導体装置製造の
際に半導体基板等のパターン形成材の加工に用いるフォ
トレジストパターンの形成について利用することができ
る。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】各種分野における微細化
の進行は著しく、このような微細化加工に用いるフォト
レジストパターンの形成技術に対しては、更に種々の要
請がなされている。
【０００３】例えば、化学増幅型レジストを含む各種フ
ォトレジストについて見られる現象として、現像後に所
望のレジストパターンのほかにスカムなどと称されるレ
ジスト残渣を主体とすると考えられる残存物が残る場合
があり、かかる不要な残存物が生じない技術の開発が望
まれている。
【０００４】一方、半導体デバイス等のデザインルール
の微細化に伴い、例えば０．３５μｍルール以降のデバ
イス対応の露光技術として、例えばＫｒＦエキシマレー
ザーと化学増幅型レジストを用いたプロセスは有望であ
るとされている。しかし化学増幅型レジストの場合は、
次のような問題を有している。即ち化学増幅型レジスト
は、露光により生成した酸を触媒とする反応機構により
パターン形成を行うため、雰囲気中のアンモニアや、ア
ミン系化合物等の汚染分子によって酸が失活すると、解
像度が劣化するという問題がある。
【０００５】特に、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＮ、ＢＰＳＧなど
の膜上でのパターニングにおいては、基板界面上の塩基
性吸着物などの影響で露光によりレジスト中に生成した
酸が失活し、ポジレジストの場合は図８に示すような裾
引き、ネガレジストの場合は図９に示すようなアンダー
カット（ボトムのくびれ）といったパターニング異常が
発生しやすいことが指摘されている。この傾向は、下地
基板成膜後の放置期間、放置雰囲気によって増長される
ことも知られている。また、従来のネガレジストのパタ
ーン欠陥として、図１０に示すように、パターン間にブ
リッジ状の糸状欠陥が生じたり、あるいは図１１に示す
ように、パターン上に粒状の残渣が残るという問題点が
ある。（なお図８〜図１１は、実写した写真をもとに起
こした図面である。）
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、所望のフォトレジストパターンを良好な形状で得る
ことができるフォトレジストパターン形成方法及びフォ
トレジスト処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【目的を達成するための手段】本発明のフォトレジスト
パターン形成方法には、パターン形成材上にフォトレジ
ストを形成して露光現像することによりフォトレジスト
パターンを形成するフォトレジストパターン形成方法に
おいて、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少な
くともフォトレジスト形成面を酸処理することを特徴と
するフォトレジストパターン形成方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
【０００８】また、パターン形成材上にフォトレジスト
を形成して露光現像することによりフォトレジストパタ
ーンを形成するフォトレジスパターン形成方法におい
て、フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくと
もフォトレジスト形成面を酸素プラズマ処理することを
特徴とするフォトレジストパターン形成方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。
【０００９】この場合、パターン形成材の少なくともフ
ォトレジスト形成面を酸処理または酸素プラズマ処理し
た後、少なくとも該面を疎水化処理し、フォトレジスト
を該面に塗布して形成する構成とすることができる。
【００１０】この場合、現像後のパターン形成材を更に
酸処理または酸素プラズマ処理する構成とすることがで
きる。
【００１１】本発明のフォトレジスト処理装置は、パタ
ーン形成材上にフォトレジストを形成して露光現像する
ことによりフォトレジストパターンを形成するフォトレ
ジス処理装置において、フォトレジスト形成前にパター
ン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理す
る酸処理ユニットを備えることを特徴とするフォトレジ
スト処理装置であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１２】また、パターン形成材上にフォトレジスト
を形成して、露光現像することによりフォトレジストパ
ターンを形成するフォトレジスト処理装置において、フ
ォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォ
トレジスト形成面を酸素プラズマ処理する酸素プラズマ
処理ユニットを備えることを特徴とするフォトレジスト
処理装置であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
【００１３】この場合、該酸処理または酸素プラズマ処
理ユニットと、現像ユニットと、加熱ユニットとを搬送
系により接続して構成することができる。
【００１４】また、フォトレジスト形成前にパターン形
成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理または
酸素プラズマ処理する酸処理または酸素プラズマ処理ユ
ニットと、少なくとも該面を疎水化処理する疎水化処理
ユニットと、フォトレジストを該面に塗布して形成する
フォトレジスト塗布ユニットと、該塗布形成したフォト
レジストを加熱処理する加熱ユニットとを備え、各ユニ
ットを搬送系により接続して構成することができる。
【００１５】また、現像後のパターン形成材を酸処理ま
たは酸素プラズマ処理し得る装置構成とすることができ
る。
【００１６】本発明の実施においては、次のような構成
の態様をとることができる。
【００１７】フォトレジスト処理装置において、ウエハ
表面を酸処理した後、純水により洗浄し、さらに回転さ
せて乾燥させるという一連の処理を行う酸処理ユニット
を有する半導体製造装置の構成をとることができる。
【００１８】また、酸処理ユニットと、ウエハ表面疎水
化（例えばＨＭＤＳによる疎水化）処理ユニット、フォ
トレジスト塗布ユニットならびに加熱ユニットを、搬送
系によって接続する半導体製造装置の構成をとることが
できる。
【００１９】また、ウエハ表面を酸処理した後、ＨＭＤ
Ｓにより該ウエハ表面を疎水化し、フォトレジストを塗
布後加熱するようにしたフォトレジスト成膜方法の構成
をとることができる。
【００２０】前記酸として発煙硝酸あるいは硫酸−過酸
化水素水混合液を用いるレジストパターン形成方法の構
成をとることができる。
【００２１】前記フォトレジスト処理装置を用いて、前
記酸処理ユニットと、現像ユニットならびに加熱ユニッ
トを搬送系によって接続した半導体製造装置の構成をと
ることができる。
【００２２】前記フォトレジスト処理装置を用いて、現
像処理後あるいは現像処理後加熱処理されたウエハを酸
処理することにより、所望のレジストパターン以外のレ
ジスト残渣を除去するようにしたレジストパターン形成
方法の構成をとることができる。
【００２３】その場合の酸として発煙硝酸あるいは硫酸
−過酸化水素水混合液を用いるレジストパターン形成方
法の構成をとることができる。
【００２４】また、フォトレジスト処理装置において、
ウエハ表面をＯ2 プラズマ処理するユニットを有する半
導体製造装置の構成をとることができる。
【００２５】また、Ｏ2 プラズマ処理ユニットとウエハ
表面疎水化（ＨＭＤＳ）処理ユニット、フォトレジスト
塗布ユニットならびに加熱ユニットを、搬送系によって
接続した半導体製造装置の構成をとることができる。
【００２６】ウエハ表面をＯ2 プラズマ処理した後、Ｈ
ＭＤＳにより該ウエハ表面を疎水化し、フォトレジスト
を塗布後加熱するフォトレジスト成膜方法の構成をとる
ことができる。
【００２７】前記Ｏ2 プラズマ処理ユニットと現像ユニ
ットならびに加熱ユニットを搬送系によって接続した半
導体製造装置の構成をとることができる。
【００２８】また、フォトレジスト処理装置において、
現像処理後あるいは現像処理後加熱処理されたウエハを
Ｏ2 プラズマ処理することにより、所望のレジストパタ
ーン以外のレジスト残渣を除去するようにしたレジスト
パターン形成方法の構成をとることができる。
【００２９】
【作用】本発明のフォトレジストパターン形成方法及び
フォトレジストレジスト処理装置によれば、必ずしもそ
の作用機構は定かではないが、半導体ウエハ等のパター
ン形成材のフォトレジスト形成面を酸処理、または酸素
プラズマ処理することにより下地が改善され、パターン
形成が良好に行われるとともに、残渣が残りにくくなっ
て、形成されるパターン形状が改善される。
【００３０】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但し
当然のことではあるが、本発明は以下の実施例により限
定を受けるものではない。
【００３１】実施例１ この実施例は、本発明を、微細化・集積化した半導体集
積回路装置の製造のためのフォトレジストパターン形成
の際に具体化したものである。本実施例の工程を示す図
１を参照する。
【００３２】本実施例においては、パターン形成材１
（ここでは半導体ウエハ）上にフォトレジストを形成し
て露光現像することによりフォトレジストパターンを形
成するフォトレジストパターン形成方法において、フォ
トレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォト
レジスト形成面を酸処理するフォトレジストパターン形
成方法を行う。
【００３３】また、本実施例のフォトレジストパターン
形成方法は、パターン形成材の少なくともフォトレジス
ト形成面を酸処理した後、少なくとも該面を疎水化処理
し（例えばＨＭＤＳヘキサメチルジシラザンで疎水化処
理し）、フォトレジストを該面に塗布して形成する。
【００３４】次に、図１及び装置構成の詳細を示す図２
及び図３を参照して、本実施例のフォトレジスト処理装
置を説明する。
【００３５】このフォトレジスト処理装置は、パターン
形成材１上にフォトレジストを形成して露光現像するこ
とによりフォトレジストパターンを形成するフォトレジ
スト処理装置において、フォトレジスト形成前にパター
ン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸処理す
る酸処理ユニット９（具体的には図２に示す酸処理カッ
プ２等）を備えるものである。
【００３６】本実施例においては図３に示すように、該
酸処理ユニット９と、現像ユニット１１と、加熱ユニッ
ト１２（または冷却ユニット）とを搬送系１３により接
続して構成した。
【００３７】即ち図３に示すように、フォトレジスト形
成前にパターン形成材１（図１及び図２）の少なくとも
フォトレジスト形成面を酸処理する酸処理ユニット９
と、少なくとも該面を疎水化処理する疎水化処理ユニッ
ト（ＨＭＤＳチャンバー１０）と、フォトレジストを該
面に塗布して形成するフォトレジスト塗布ユニット１４
と、該塗布形成したフォトレジストを加熱処理する加熱
ユニット１２とを備え、各ユニット９，１０，１４，１
２を搬送系１３により接続して構成したものである。
【００３８】なおここで、酸処理ユニットは、現像後の
パターン形成材１を更に酸処理するために用いることも
できる（実施例２参照）。
【００３９】以下本実施例の酸処理ユニットを備えるレ
ジスト塗布・現像装置及びこれを用いたレジスト成膜方
法ならびにレジストパターン形成方法について、更に詳
しく説明する。
【００４０】図２及び図３は、本実施例の構成図、図１
は本実施例の工程を示す動作説明図である。
【００４１】酸処理ユニットの構成は図１（ａ）及び図
２に示すように、基本的に酸処理カップ２、酸供給ノズ
ル３、純水供給ノズル４、ウエハ保持機構５より構成さ
れる。ウエハ保持機構５にはモーター６が接続され、ウ
エハ１を回転させることが可能になっている。
【００４２】また、この酸処理ユニット９を搭載したレ
ジスト塗布・現像装置の構成は図３に示すように、酸処
理ユニット９とウエハカセット８、ＨＭＤＳチャンバー
１０、レジスト塗布ユニット１４、現像ユニット１１、
加熱ユニット・冷却ユニット１２の各ユニットを搬送系
１３により接続し、さらにインターフェイス１５を介し
て露光装置１６と接続することによって、一連のレジス
トプロセスをインラインで連続処理することを可能とし
たものとなっている。
【００４３】次に、実施例１のプロセスフローについ
て、図１を用いて説明する。本実施例では、次の（ａ）
〜（ｄ）の工程を行う。 （ａ）レジスト（本実施例では化学増幅型レジスト）塗
布前のパターン形成材であるウエハ１は、搬送系１３に
よって酸処理ユニット９（図３）内に運ばれ、その酸処
理カップ２内のウエハ保持機構５上に保持され、モータ
ー６によって３０ｒｐｍ程度で回転させられる。それと
ともに酸供給ノズル３から発煙硝酸１７がウエハ１上に
供給される。 （ｂ）ウエハ１が静止した後、該ウエハ１上に発煙硝酸
１７が１０秒間静置される。 （ｃ）純水供給ノズル４より純水１８がウエハ１上に供
給されると同時にウエハ１を１０００ｒｐｍで回転させ
る。 （ｄ）純水１８の供給が停止し、ウエハ１の回転数は４
０００ｒｐｍまで上げられ、ウエハ１上の水分は振りき
られる。その後、ウエハ１は搬送系１３によりＨＭＤＳ
チャンバー１０に搬送され疎水化処理を受けた後、レジ
スト塗布ユニット１４に搬送され、ここで化学増幅型レ
ジストが塗布される（図３参照）。
【００４４】このように本実施例によって化学増幅型レ
ジストを塗布することにより、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＮ、Ｂ
ＰＳＧなどの膜上でも、図８〜図１１で示されるような
裾引きやアンダーカット、レジスト残渣などの形状異常
が現れることなく、パターン形成を行うことが可能とな
った。
【００４５】本実施例により、下記具体的な効果が得ら
れた。 化学増幅型レジストの下地基板依存性が低減され、線
幅均一性・安定性及び解像度が向上することにより高精
度のパターン形成が可能となり、ＬＳＩ等の半導体デバ
イスの集積度が向上する。 下地膜の成膜後の放置期間・雰囲気によらず、下地膜
種に依存したポジレジストの裾引き、ネガレジストのア
ンダーカットなどのパターン異常が制御されることによ
り、安定したエッチング形状が得られるとともに、線幅
制御性も向上する。 所望のレジストパターン以外の現像後のレジスト残渣
が除去されることにより、歩留まりが向上する。
【００４６】実施例２ 図４（ｂ）に示すのは、本発明の第２の実施例により形
成されたフォトレジストパターン断面図である。
【００４７】本実施例においては、現像後のパターン形
成材（ウエハ）を酸処理するようにした。
【００４８】レジスト成膜、プリベーク、露光、ＰＥＢ
（露光後ベーク）、現像、ポストベークの一連の処理を
受け、基板２０上にレジストパターンが形成された被処
理ウエハ１が、搬送系１３により実施例１と同様の酸処
理ユニット９に搬送される。該ウエハ１は酸処理ユニッ
ト９において、図１に示すような実施例１と同様のシー
ケンスにより酸処理を施す。
【００４９】本実施例によって、図４（ｂ）に示すよう
に、現像あるいはポストベーク後酸処理を施されたウエ
ハ２０表面においては、図４（ａ）に示した如き従来生
じていたブリッジ２１や、スカムなどのレジスト残渣２
２が除去される。これにより、図４（ｂ）のような良好
なレジストパターン１９′が得られ、エッチング後の配
線ショートなどの欠陥が低減される。これにより、製造
する半導体装置の歩留まりが向上する。
【００５０】実施例３ 次に第３の実施例を説明する。この実施例は、実施例１
と同様の微細化・集積化した半導体集積回路装置の製造
のためのフォトレジストパターン形成の際に本発明を適
用したものである。本実施例を示す図５を参照する。
【００５１】本実施例においては、パターン形成材１
（ここでは半導体ウエハ）上にフォトレジストを形成し
て露光現像することによりフォトレジストパターンを形
成するフォトレジストパターン形成方法において、フォ
トレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフォト
レジスト形成面を酸素プラズマ処理するフォトレジスト
パターン形成方法を行う。
【００５２】また、本実施例においては、パターン形成
材の少なくともフォトレジスト形成面を酸素プラズマ処
理した後、少なくとも該面を疎水化処理し（例えばＨＭ
ＤＳヘキサメチルジジラザンで疎水化処理し）、フォト
レジストを該面に塗布して形成する。
【００５３】次に、図５及び図６を参照して、本実施例
のフォトレジスト処理装置を説明する。
【００５４】本実施例のフォトレジスト処理装置は、パ
ターン形成材１上にフォトレジストを形成して露光現像
することによりフォトレジストパターンを形成するフォ
トレジスト処理装置において、フォトレジスト形成前に
パターン形成材の少なくともフォトレジスト形成面を酸
素プラズマ処理する図５に示す酸素プラズマ処理ユニッ
ト９ａ（図６参照）を備えるものである。
【００５５】本実施例のレジスト処理装置は、図６に示
すように、該酸素プラズマ処理ユニット９ａと、現像ユ
ニット１１と、加熱ユニット（または冷却ユニット）１
２とを搬送系により接続して構成したフォトレジスト処
理装置である。
【００５６】即ち図６に示すように、フォトレジスト形
成前にパターン形成材１（図５）の少なくともフォトレ
ジスト形成面を処理する酸素プラズマ処理ユニット９ａ
と、少なくとも該面を疎水化処理する疎水化処理ユニッ
ト（ＨＭＤＳチャンバー１０）と、フォトレジストを該
面に塗布して形成するフォトレジスト塗布ユニット１４
と、該塗布形成したフォトレジストを加熱処理する加熱
ユニット１２（または冷却処理する冷却ユニット）とを
備え、各ユニット９ａ，１０，１４，１２を搬送系によ
り接続して構成したものである。
【００５７】なおここで、酸素プラズマ処理ユニット
は、現像後のパターン形成材１を更に酸素プラズマ処理
するために用いることもできる（実施例４参照）。
【００５８】以下本実施例のＯ2 プラズマ処理ユニット
を備えるレジスト塗布・現像装置及びこれを用いたレジ
スト成膜方法ならびにレジストパターン形成方法につい
て、更に詳しく説明する。
【００５９】図５及び図６は、本発明例の一実施例の構
成図である。図５にＯ2 プラズマ処理ユニットを示し、
図６に該Ｏ2 プラズマ処理ユニット９ａを含むユニット
全体を示す。
【００６０】Ｏ2 プラズマ処理ユニット９ａは図５に示
すように、基本的にチャンバー２ａ、処理ステージ３
ａ、高周波印加電極４ａ、接地電極５ａ、電源（ＲＦ発
振器）６ａ、ガス供給系７ａ、真空ポンプ７ｂより構成
される。処理ステージ３ａはヒーターにより加熱処理を
可能とした。
【００６１】また、このＯ2 プラズマ処理ユニット９ａ
を搭載したレジスト塗布・現像装置の構成は、図６に示
すように、Ｏ2 プラズマ処理ユニット９ａとウエハカセ
ット８、ＨＭＤＳチャンバー１０、レジスト塗布ユニッ
ト１５、現像ユニット１１、加熱ユニット・冷却ユニッ
ト１２の各ユニットを搬送系１３により接続し、さらに
インターフェイス１５を介して露光装置１６と接続する
ことによって、一連のレジストプロセスをインラインで
連続処理することを可能としたものとなっている。
【００６２】次に本実施例のプロセスフローについて図
５及び図６を参照して説明する。 （ａ）レジスト（本実施例では化学増幅型レジスト）塗
布前のパターン形成材であるウエハ１は、搬送系１３に
よってＯ2 プラズマ処理ユニット９ａのチャンバー２ａ
内に搬送され、処理ステージ３ａ上に保持される。 （ｂ）ステージ温度を２００℃まで上昇させ、ガス供給
系７ａよりＯ2 ガスを流量４０００ｓｃｃｍで供給し、
圧力１．２Ｔｏｒｒの条件において、ＲＦ電力１４００
Ｗで放電を開始する。 （ｃ）１分間で放電を停止し、Ｏ2 プラズマ処理を終了
させる。 （ｄ）その後、ウエハ１は搬送系１３によりＨＭＤＳチ
ャンバー１０に搬送され疎水化処理を施した後、レジス
ト塗布ユニット１４に搬送され化学増幅型レジストが塗
布される。
【００６３】このように本実施例によって化学増幅型レ
ジストを塗布することにより、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＮ、Ｂ
ＰＳＧなどの膜上でも、図８〜図１１で示されるような
裾引きやアンダーカット、レジスト残渣などの形状異常
が現れることなく、パターン形成することが可能となっ
た。
【００６４】本実施例により、下記具体的な効果が得ら
れた。 化学増幅型レジストの下地基板依存性が低減され、線
幅均一性・安定性及び解像度が向上することにより高精
度のパターン形成が可能となり、ＬＳＩ等の半導体デバ
イスの集積度が向上する。 下地膜の成膜後の放置期間・雰囲気によらず、下地膜
種に依存したポジレジストの裾引き、ネガレジストのア
ンダーカットなどのパターン異常が抑制されることによ
り、安定したエッチング形状が得られるとともに、線幅
制御性も向上する。 所望のレジストパターン以外の現像後のレジスト残渣
が除去されることにより、歩留まりが向上する。
【００６５】実施例４ 図７には本発明の第４の実施例の断面図である。
【００６６】本実施例においては、現像後のパターン形
成材（ウエハ）を酸素プラズマ処理する。
【００６７】本実施例においては、レジスト成膜、プリ
ベーク、露光、ＰＥＢ（露光後ベーク）、現像、ポスト
ベークの一連の処理を受け、基板２０上にレジストパタ
ーン１９が形成された被処理ウエハ１が、搬送系１３に
より実施例１と同様のＯ2 プラズマ処理ユニット９ａに
搬送される。該ウエハ１にはＯ2 プラズマ処理ユニット
９ａにおいて、実施例３と同様のシーケンスによりＯ2
プラズマ処理を施す。
【００６８】本実施例によって、現像あるいはポストベ
ーク後酸素プラズマ処理を施されたウエハ２０表面にお
いては、図７（ａ）に示した如き従来生じていたブリッ
ジ２１や、スカムなどのレジスト残渣２２が除去され
る。これにより、図７（ｂ）に示すような良好なレジス
トパターン１９′が得られ、エッチング後の配線ショー
トなどの欠陥が低減されることにより、製造する半導体
装置の歩留まりが向上する。
【００６９】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、化学増
幅型レジスト、その他任意のフォトレジストを用いて、
所望のフォトレジストパターンを良好な形状で得ること
ができるフォトレジストパターン形成方法及びフォトレ
ジスト処理装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１の工程を示す図である。
【図２】 実施例１を示す構成図である（１）。
【図３】 実施例１を示す構成図である（２）。
【図４】 実施例２を示す構成図である。
【図５】 実施例３を示す構成図である（１）。
【図６】 実施例３を示す構成図である（２）。
【図７】 実施例４を示す構成図である。
【図８】 従来技術の問題点を示す図であり、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜上でのポジ型化学増幅レジストの裾引きを示す図で
ある。
【図９】 従来技術の問題点を示す図であり、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜上でのネガ型化学増幅レジストのアンダーカットを
示す図である。
【図１０】 従来技術の問題点を示す図であり、ネガレ
ジストのパターン欠陥を示す図である（１）。
【図１１】 従来技術の問題点を示す図であり、ネガレ
ジストのパターン欠陥を示す図である（２）。
【符号の説明】
１ パターン形成材 ２ 酸処理カップ（酸処理ユニット） ９ 酸処理ユニット １０ 疎水化処理ユニット（ＨＭＤＳチャンバー） １１ 現像ユニット １２ 加熱（または冷却）ユニット １３ 搬送系 １４ レジスト塗布ユニット １５ インターフェイスユニット １６ 露光装置 ２ａ プラズマ処理チャンバー（酸素プラズマ処理ユ
ニット） ９ａ 酸素プラズマ処理ユニット

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】パターン形成材上にフォトレジストを形成
    して露光現像することによりフォトレジストパターンを
    形成するフォトレジストパターン形成方法において、 フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフ
    ォトレジスト形成面を酸処理することを特徴とするフォ
    トレジストパターン形成方法。
  2. 【請求項２】パターン形成材の少なくともフォトレジス
    ト形成面を酸処理した後、 少なくとも該面を疎水化処理し、 フォトレジストを該面に塗布して形成することを特徴と
    する請求項１に記載のフォトレジストパターン形成方
    法。
  3. 【請求項３】現像後のパターン形成材を酸処理すること
    を特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターン
    形成方法。
  4. 【請求項４】パターン形成材上にフォトレジストを形成
    して露光現像することによりフォトレジストパターンを
    形成するフォトレジスト処理装置において、 フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフ
    ォトレジスト形成面を酸処理する酸処理ユニットを備え
    ることを特徴とするフォトレジスト処理装置。
  5. 【請求項５】該酸処理ユニットと、現像ユニットと、加
    熱ユニットとを搬送系により接続して構成したことを特
    徴とする請求項４に記載のフォトレジスト処理装置。
  6. 【請求項６】フォトレジスト形成前にパターン形成材の
    少なくともフォトレジスト形成面を酸処理する酸処理ユ
    ニットと、少なくとも該面を疎水化処理する疎水化処理
    ユニットと、フォトレジストを該面に塗布して形成する
    フォトレジスト塗布ユニットと、該塗布形成したフォト
    レジストを加熱処理する加熱ユニットとを備え、 各ユニットを搬送系により接続して構成したことを特徴
    とする請求項５に記載のフォトレジスト処理装置。
  7. 【請求項７】現像後のパターン形成材を酸処理する酸処
    理ユニットを備えたことを特徴とする請求項４に記載の
    フォトレジスト処理装置。
  8. 【請求項８】パターン形成材上にフォトレジストを形成
    して露光現像することによりフォトレジストパターンを
    形成するフォトレジストパターン形成方法において、 フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフ
    ォトレジスト形成面を酸素プラズマ処理することを特徴
    とするフォトレジストパターン形成方法。
  9. 【請求項９】パターン形成材の少なくともフォトレジス
    ト形成面を酸素プラズマ処理した後、 少なくとも該面を疎水化処理し、 フォトレジストを該面に塗布して形成することを特徴と
    する請求項８に記載のフォトレジストパターン形成方
    法。
  10. 【請求項１０】現像後のパターン形成材を酸素プラズマ
    処理することを特徴とする請求項８に記載のフォトレジ
    ストパターン形成方法。
  11. 【請求項１１】パターン形成材上にフォトレジストを形
    成して、露光現像することによりフォトレジストパター
    ンを形成するフォトレジスト処理装置において、 フォトレジスト形成前にパターン形成材の少なくともフ
    ォトレジスト形成面を酸素プラズマ処理する酸素プラズ
    マ処理ユニットを備えることを特徴とするフォトレジス
    ト処理装置。
  12. 【請求項１２】該酸素プラズマ処理ユニットと、現像ユ
    ニットと、加熱ユニットとを搬送系により接続して構成
    したことを特徴とする請求項１１に記載のフォトレジス
    ト処理装置。
  13. 【請求項１３】フォトレジスト形成前にパターン形成材
    の少なくともフォトレジスト形成面を酸素プラズマ処理
    する酸素プラズマ処理ユニットと、少なくとも該面を疎
    水化処理する疎水化処理ユニットと、フォトレジストを
    該面に塗布して形成するフォトレジスト塗布ユニット
    と、該塗布形成したフォトレジストを加熱処理する加熱
    ユニットとを備え、 各ユニットを搬送系により接続して構成したことを特徴
    とする請求項１１に記載のフォトレジストパターン形成
    方法。
  14. 【請求項１４】現像後のパターン形成材を酸素プラズマ
    処理する酸素プラズマ処理ユニットを備えたことを特徴
    とする請求項１１に記載のフォトレジスト処理装置。
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