JP2003007689A - アッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
アッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法Info
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体上に残される異物を低減できるアッ
シング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
下地膜１上にＴｉＮ膜２を形成する工程と、このＴｉＮ
膜２上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程と、Ａｌ合金膜をエッチング
したエッチング装置を用いて、上記フォトレジスト膜４
ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をエッチングする工程と、
フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混
合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化することに
より、フォトレジスト膜をアッシングする工程と、Ｔｉ
Ｎ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスをプラズマ
化することにより、ＴｉＮ膜上の異物をアッシングする
工程と、を具備するものである。
シング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
下地膜１上にＴｉＮ膜２を形成する工程と、このＴｉＮ
膜２上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジス
ト膜を露光、現像する工程と、Ａｌ合金膜をエッチング
したエッチング装置を用いて、上記フォトレジスト膜４
ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をエッチングする工程と、
フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混
合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化することに
より、フォトレジスト膜をアッシングする工程と、Ｔｉ
Ｎ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスをプラズマ
化することにより、ＴｉＮ膜上の異物をアッシングする
工程と、を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体上に残さ
れる異物を低減できるアッシング装置、アッシング方法
及び半導体装置の製造方法に関する。
れる異物を低減できるアッシング装置、アッシング方法
及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の半導体装置の製造方法を
説明するための断面図である。まず、下地膜１０１の上
にＴｉＮ膜１０２をスパッタリングにより成膜する。こ
の下地膜１は、種々の膜を用いることが可能であるが、
例えば下層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層
構造を有する膜を用いることも可能である。次いで、こ
のＴｉＮ膜１０２の上に反射防止膜として作用するＢＡ
ＲＣ１０３を形成する。次いで、このＢＡＲＣ１０３の
上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜
を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ１０３上にはレ
ジストパターン１０４ａが形成される。
説明するための断面図である。まず、下地膜１０１の上
にＴｉＮ膜１０２をスパッタリングにより成膜する。こ
の下地膜１は、種々の膜を用いることが可能であるが、
例えば下層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層
構造を有する膜を用いることも可能である。次いで、こ
のＴｉＮ膜１０２の上に反射防止膜として作用するＢＡ
ＲＣ１０３を形成する。次いで、このＢＡＲＣ１０３の
上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜
を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ１０３上にはレ
ジストパターン１０４ａが形成される。
【０００３】この後、このレジストパターン１０４ａを
マスクとしてＢＡＲＣ１０３をドライエッチングにより
加工する。次いで、レジストパターン１０４ａをマスク
としてＴｉＮ膜１０２をドライエッチングにより加工す
る。
マスクとしてＢＡＲＣ１０３をドライエッチングにより
加工する。次いで、レジストパターン１０４ａをマスク
としてＴｉＮ膜１０２をドライエッチングにより加工す
る。
【０００４】次に、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜からなる下
地膜１０１を連続的にエッチングする（図示せず）。こ
の後、ウエハをエッチング装置から大気中に取り出し、
このウエハをアッシング装置のチャンバ内に投入し、レ
ジストパターン１０４ａ及びＢＡＲＣ１０３をアッシン
グにより除去する（図示せず）。
地膜１０１を連続的にエッチングする（図示せず）。こ
の後、ウエハをエッチング装置から大気中に取り出し、
このウエハをアッシング装置のチャンバ内に投入し、レ
ジストパターン１０４ａ及びＢＡＲＣ１０３をアッシン
グにより除去する（図示せず）。
【０００５】ところで、上記従来の半導体装置の製造方
法では、Ａｌ合金膜のエッチングとＴｉＮ膜のエッチン
グを同一のエッチング装置で行っている。このため、エ
ッチングチャンバ内にはＡｌ合金膜をＣｌ系ガスでエッ
チングした際に生成した生成物（Ａｌ−Ｃｌ）が残って
おり、この生成物１０５がＴｉＮ膜１０２をエッチング
した際に図７に示すようにウエハ（下地膜１０１）上に
残ることがある。この残された生成物１０５が大気中の
水分と反応して異物として成長する。この異物がパーテ
ィクルの原因となる。
法では、Ａｌ合金膜のエッチングとＴｉＮ膜のエッチン
グを同一のエッチング装置で行っている。このため、エ
ッチングチャンバ内にはＡｌ合金膜をＣｌ系ガスでエッ
チングした際に生成した生成物（Ａｌ−Ｃｌ）が残って
おり、この生成物１０５がＴｉＮ膜１０２をエッチング
した際に図７に示すようにウエハ（下地膜１０１）上に
残ることがある。この残された生成物１０５が大気中の
水分と反応して異物として成長する。この異物がパーテ
ィクルの原因となる。
【０００６】図８（ａ）〜（ｃ）は、他の従来の半導体
装置の製造方法を示す断面図である。まず、図８（ａ）
に示すように、下地膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をス
パッタリングにより成膜する。次いで、このＴｉＮ膜１
０２の上に反射防止膜として作用するＢＡＲＣ１０３を
形成する。次いで、このＢＡＲＣ１０３の上にフォトレ
ジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像
することにより、ＢＡＲＣ１０３上にはレジストパター
ン１０４ａが形成される。
装置の製造方法を示す断面図である。まず、図８（ａ）
に示すように、下地膜１０１の上にＴｉＮ膜１０２をス
パッタリングにより成膜する。次いで、このＴｉＮ膜１
０２の上に反射防止膜として作用するＢＡＲＣ１０３を
形成する。次いで、このＢＡＲＣ１０３の上にフォトレ
ジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像
することにより、ＢＡＲＣ１０３上にはレジストパター
ン１０４ａが形成される。
【０００７】この後、図８（ｂ）に示すように、このレ
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＢＡＲＣ１０３
をドライエッチングにより加工する。次いで、レジスト
パターン１０４ａをマスクとしてＴｉＮ膜１０２をドラ
イエッチングにより加工する。
ジストパターン１０４ａをマスクとしてＢＡＲＣ１０３
をドライエッチングにより加工する。次いで、レジスト
パターン１０４ａをマスクとしてＴｉＮ膜１０２をドラ
イエッチングにより加工する。
【０００８】次に、図８（ｃ）に示すように、ウエハを
エッチング装置からアッシング装置のチャンバ内に投入
し、レジストパターン１０４ａ及びＢＡＲＣ１０３をア
ッシングにより除去する。この際、アッシング装置にお
けるウエハを載置するステージの温度は２５０℃程度の
高温である。このアッシング工程では、この高温のステ
ージ上にウエハを載置した後、チャンバ内の圧力を調整
して安定化させるためにウエハをステージ上で１５秒〜
３０秒程度保持するように設定されている。
エッチング装置からアッシング装置のチャンバ内に投入
し、レジストパターン１０４ａ及びＢＡＲＣ１０３をア
ッシングにより除去する。この際、アッシング装置にお
けるウエハを載置するステージの温度は２５０℃程度の
高温である。このアッシング工程では、この高温のステ
ージ上にウエハを載置した後、チャンバ内の圧力を調整
して安定化させるためにウエハをステージ上で１５秒〜
３０秒程度保持するように設定されている。
【０００９】上記他の従来の半導体装置の製造方法で
は、このように圧力を調整して安定化させるための時間
が長いので、ＢＡＲＣ１０３が硬化してしまうことがあ
る。このため、アッシングによりレジストパターン１０
４ａ及びＢＡＲＣ１０３を剥離しても、図８（ｃ）に示
すように、ＴｉＮ膜１０２上にアッシング残渣としてＢ
ＡＲＣ残渣１０６が残ってしまうことがある。その結
果、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
は、このように圧力を調整して安定化させるための時間
が長いので、ＢＡＲＣ１０３が硬化してしまうことがあ
る。このため、アッシングによりレジストパターン１０
４ａ及びＢＡＲＣ１０３を剥離しても、図８（ｃ）に示
すように、ＴｉＮ膜１０２上にアッシング残渣としてＢ
ＡＲＣ残渣１０６が残ってしまうことがある。その結
果、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、図７
に示す半導体装置の製造方法では、エッチングチャンバ
内に残された生成物（Ａｌ−Ｃｌ）がＴｉＮ膜１０２を
エッチングした際にウエハ上に残り、この残された生成
物１０５が大気中の水分と反応して異物として成長し、
この異物がパーティクルの原因となるという問題があ
る。また、図８に示す半導体装置の製造方法では、Ｔｉ
Ｎ膜１０２上にアッシング残渣としてＢＡＲＣ残渣１０
６が残ってしまうことがあり、その結果、半導体装置の
信頼性が低下するという問題がある。
に示す半導体装置の製造方法では、エッチングチャンバ
内に残された生成物（Ａｌ−Ｃｌ）がＴｉＮ膜１０２を
エッチングした際にウエハ上に残り、この残された生成
物１０５が大気中の水分と反応して異物として成長し、
この異物がパーティクルの原因となるという問題があ
る。また、図８に示す半導体装置の製造方法では、Ｔｉ
Ｎ膜１０２上にアッシング残渣としてＢＡＲＣ残渣１０
６が残ってしまうことがあり、その結果、半導体装置の
信頼性が低下するという問題がある。
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、被処理体上に残される異
物を低減できるアッシング装置、アッシング方法及び半
導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣が残るこ
とを抑制できるアッシング装置、アッシング方法及び半
導体装置の製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、被処理体上に残される異
物を低減できるアッシング装置、アッシング方法及び半
導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣が残るこ
とを抑制できるアッシング装置、アッシング方法及び半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るアッシング装置は、Ａｌ合金膜をエッ
チングしたエッチング装置を用いて、フォトレジスト膜
をマスクとしてＴｉＮ膜をエッチングした被処理体にお
ける該フォトレジスト膜をアッシングする装置であっ
て、アッシングチャンバと、このアッシングチャンバ内
に配置された被処理体を載置するステージと、このステ
ージに載置された被処理体の近傍にアッシングガスを導
入するガス導入機構と、このガス導入機構により導入さ
れたアッシングガスをプラズマ化するプラズマ機構と、
を具備し、上記アッシングガスは、Ｏ 2ガス及びＮ2ガス
を含む混合ガス又はＨ2Ｏガスであることを特徴とす
る。
め、本発明に係るアッシング装置は、Ａｌ合金膜をエッ
チングしたエッチング装置を用いて、フォトレジスト膜
をマスクとしてＴｉＮ膜をエッチングした被処理体にお
ける該フォトレジスト膜をアッシングする装置であっ
て、アッシングチャンバと、このアッシングチャンバ内
に配置された被処理体を載置するステージと、このステ
ージに載置された被処理体の近傍にアッシングガスを導
入するガス導入機構と、このガス導入機構により導入さ
れたアッシングガスをプラズマ化するプラズマ機構と、
を具備し、上記アッシングガスは、Ｏ 2ガス及びＮ2ガス
を含む混合ガス又はＨ2Ｏガスであることを特徴とす
る。
【００１３】上記アッシング装置によれば、エッチング
装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が被処理
体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化してアッ
シングすることにより、この残された生成物を除去する
ことができる。
装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が被処理
体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化してアッ
シングすることにより、この残された生成物を除去する
ことができる。
【００１４】また、本発明に係るアッシング装置におい
ては、上記フォトレジスト膜をアッシングする際、Ｏ2
ガス及びＮ2ガスを含む混合ガスを被処理体の近傍に導
入してアッシングの第１ステップを行い、Ｈ2Ｏガスを
被処理体の近傍に導入してアッシングの第２ステップを
行うことが好ましい。
ては、上記フォトレジスト膜をアッシングする際、Ｏ2
ガス及びＮ2ガスを含む混合ガスを被処理体の近傍に導
入してアッシングの第１ステップを行い、Ｈ2Ｏガスを
被処理体の近傍に導入してアッシングの第２ステップを
行うことが好ましい。
【００１５】また、本発明に係るアッシング装置におい
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることも可能であ
る。
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることも可能であ
る。
【００１６】また、本発明に係るアッシング装置におい
ては、上記ステージを高温に制御する温度制御機構をさ
らに含み、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシング
する際、アッシングの第１ステップを行う前に、アッシ
ングチャンバ内の圧力を調整して安定化させるために被
処理体を高温に制御されたステージ上で５秒以上７秒以
下保持することが好ましい。このようにステージ上に被
処理体を保持する時間を５秒〜７秒と短くしているた
め、ＢＡＲＣが硬化することを抑制できる。従って、ア
ッシングによりフォトレジスト膜及びＢＡＲＣを剥離し
ても、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣としてＢＡＲＣ残渣
が残ることを抑制できる。その結果、半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
ては、上記ステージを高温に制御する温度制御機構をさ
らに含み、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシング
する際、アッシングの第１ステップを行う前に、アッシ
ングチャンバ内の圧力を調整して安定化させるために被
処理体を高温に制御されたステージ上で５秒以上７秒以
下保持することが好ましい。このようにステージ上に被
処理体を保持する時間を５秒〜７秒と短くしているた
め、ＢＡＲＣが硬化することを抑制できる。従って、ア
ッシングによりフォトレジスト膜及びＢＡＲＣを剥離し
ても、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣としてＢＡＲＣ残渣
が残ることを抑制できる。その結果、半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
【００１７】本発明に係るアッシング方法は、Ａｌ合金
膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、フォトレ
ジスト膜をマスクとしてＴｉＮ膜をエッチングした被処
理体における該フォトレジスト膜をアッシングする方法
であって、アッシングチャンバ内に被処理体を配置し、
この被処理体の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガ
スを導入し、この混合ガスをプラズマ化することによ
り、フォトレジスト膜をアッシングする第１ステップ
と、被処理体の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスを
プラズマ化することにより、被処理体上の異物をアッシ
ングする第２ステップと、を具備することを特徴とす
る。
膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、フォトレ
ジスト膜をマスクとしてＴｉＮ膜をエッチングした被処
理体における該フォトレジスト膜をアッシングする方法
であって、アッシングチャンバ内に被処理体を配置し、
この被処理体の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガ
スを導入し、この混合ガスをプラズマ化することによ
り、フォトレジスト膜をアッシングする第１ステップ
と、被処理体の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスを
プラズマ化することにより、被処理体上の異物をアッシ
ングする第２ステップと、を具備することを特徴とす
る。
【００１８】上記アッシング方法によれば、エッチング
装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が被処理
体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化して被処
理体上の異物をアッシングすることにより、この異物を
除去することができる。
装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が被処理
体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化して被処
理体上の異物をアッシングすることにより、この異物を
除去することができる。
【００１９】また、本発明に係るアッシング方法におい
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることも可能であ
る。
て、上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を形成し、こ
のＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡＲＣ上にフ
ォトレジスト膜を形成したものであることも可能であ
る。
【００２０】また、本発明に係るアッシング方法におい
ては、上記フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシング
する際、第１ステップを行う前に、アッシングチャンバ
内の圧力を調整して安定化させるために被処理体を高温
に制御されたステージ上で５秒以上７秒以下保持するこ
とが好ましい。このようにステージ上に被処理体を保持
する時間を５秒〜７秒と短くしているため、ＢＡＲＣが
硬化することを抑制でき、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣
としてＢＡＲＣ残渣が残ることを抑制できる。
ては、上記フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシング
する際、第１ステップを行う前に、アッシングチャンバ
内の圧力を調整して安定化させるために被処理体を高温
に制御されたステージ上で５秒以上７秒以下保持するこ
とが好ましい。このようにステージ上に被処理体を保持
する時間を５秒〜７秒と短くしているため、ＢＡＲＣが
硬化することを抑制でき、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣
としてＢＡＲＣ残渣が残ることを抑制できる。
【００２１】本発明に係る半導体装置の製造方法は、下
地膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、このＴｉＮ膜上に
フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露
光、現像する工程と、Ａｌ合金膜をエッチングしたエッ
チング装置を用いて、上記フォトレジスト膜をマスクと
してＴｉＮ膜をエッチングする工程と、フォトレジスト
膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガスを導入
し、この混合ガスをプラズマ化することにより、フォト
レジスト膜をアッシングする工程と、ＴｉＮ膜の近傍に
Ｈ2Ｏガスを導入し、このガスをプラズマ化することに
より、ＴｉＮ膜上の異物をアッシングする工程と、を具
備することを特徴とする。
地膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、このＴｉＮ膜上に
フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露
光、現像する工程と、Ａｌ合金膜をエッチングしたエッ
チング装置を用いて、上記フォトレジスト膜をマスクと
してＴｉＮ膜をエッチングする工程と、フォトレジスト
膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガスを導入
し、この混合ガスをプラズマ化することにより、フォト
レジスト膜をアッシングする工程と、ＴｉＮ膜の近傍に
Ｈ2Ｏガスを導入し、このガスをプラズマ化することに
より、ＴｉＮ膜上の異物をアッシングする工程と、を具
備することを特徴とする。
【００２２】上記半導体装置の製造方法によれば、エッ
チング装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が
被処理体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化し
てＴｉＮ膜上の異物をアッシングすることにより、この
異物を除去することができる。
チング装置のエッチングチャンバ内に残された生成物が
被処理体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化し
てＴｉＮ膜上の異物をアッシングすることにより、この
異物を除去することができる。
【００２３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記第４工程は、上記第３工程後にエッチン
グ装置から被処理体を真空搬送してアッシング装置に投
入することにより行われることが好ましい。このように
被処理体を大気中に晒すことなく、真空搬送してアッシ
ング装置に投入しているため、エッチングチャンバ内に
残された生成物が被処理体上に残っていても、この残さ
れた生成物が大気中の水分と反応することを抑制するこ
とができる。
において、上記第４工程は、上記第３工程後にエッチン
グ装置から被処理体を真空搬送してアッシング装置に投
入することにより行われることが好ましい。このように
被処理体を大気中に晒すことなく、真空搬送してアッシ
ング装置に投入しているため、エッチングチャンバ内に
残された生成物が被処理体上に残っていても、この残さ
れた生成物が大気中の水分と反応することを抑制するこ
とができる。
【００２４】本発明に係る半導体装置の製造方法は、下
地膜上にＴｉＮ膜を形成する第１工程と、このＴｉＮ膜
上にＢＡＲＣを形成する第２工程と、このＢＡＲＣ上に
フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露
光、現像する第３工程と、Ａｌ合金膜をエッチングした
エッチング装置を用いて、上記フォトレジスト膜をマス
クとしてＢＡＲＣ及びＴｉＮ膜をエッチングする第４工
程と、フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを
含む混合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化する
ことにより、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシン
グする第５工程と、ＴｉＮ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入
し、このガスをプラズマ化することにより、ＴｉＮ膜上
の異物をアッシングする第６工程と、を具備することを
特徴とする。
地膜上にＴｉＮ膜を形成する第１工程と、このＴｉＮ膜
上にＢＡＲＣを形成する第２工程と、このＢＡＲＣ上に
フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露
光、現像する第３工程と、Ａｌ合金膜をエッチングした
エッチング装置を用いて、上記フォトレジスト膜をマス
クとしてＢＡＲＣ及びＴｉＮ膜をエッチングする第４工
程と、フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを
含む混合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化する
ことにより、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシン
グする第５工程と、ＴｉＮ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入
し、このガスをプラズマ化することにより、ＴｉＮ膜上
の異物をアッシングする第６工程と、を具備することを
特徴とする。
【００２５】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、上記第４工程と上記第５工程との間に、ア
ッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させるため
に被アッシング体を高温に制御されたステージ上で５秒
以上７秒以下保持する工程をさらに含むことが好まし
い。このようにステージ上に被処理体を保持する時間を
５秒〜７秒と短くしているため、ＢＡＲＣが硬化するこ
とを抑制でき、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣としてＢＡ
ＲＣ残渣が残ることを抑制できる。
においては、上記第４工程と上記第５工程との間に、ア
ッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させるため
に被アッシング体を高温に制御されたステージ上で５秒
以上７秒以下保持する工程をさらに含むことが好まし
い。このようにステージ上に被処理体を保持する時間を
５秒〜７秒と短くしているため、ＢＡＲＣが硬化するこ
とを抑制でき、ＴｉＮ膜上にアッシング残渣としてＢＡ
ＲＣ残渣が残ることを抑制できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１〜図５は、本発明の実
施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。図６は、図４に示すレジストパターン及びＢＡＲＣ
（反射防止膜）を剥離する際に用いるアッシング装置を
示す構成図である。
施の形態について説明する。図１〜図５は、本発明の実
施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。図６は、図４に示すレジストパターン及びＢＡＲＣ
（反射防止膜）を剥離する際に用いるアッシング装置を
示す構成図である。
【００２７】まず、図１に示すように、シリコン基板
（図示せず）の上方に下地膜１を形成する。この下地膜
１は、種々の膜を用いることが可能であるが、例えば下
層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を有
する膜を用いることも可能である。次いで、この下地膜
１の上にＴｉＮ膜２をスパッタリングにより成膜する。
次いで、このＴｉＮ膜２の上に反射防止膜として作用す
るＢＡＲＣ３を形成する。次いで、このＢＡＲＣ３の上
にフォトレジスト膜４を塗布する。
（図示せず）の上方に下地膜１を形成する。この下地膜
１は、種々の膜を用いることが可能であるが、例えば下
層がＴｉＮ膜で上層がＡｌ合金膜からなる積層構造を有
する膜を用いることも可能である。次いで、この下地膜
１の上にＴｉＮ膜２をスパッタリングにより成膜する。
次いで、このＴｉＮ膜２の上に反射防止膜として作用す
るＢＡＲＣ３を形成する。次いで、このＢＡＲＣ３の上
にフォトレジスト膜４を塗布する。
【００２８】次に、図２に示すように、このフォトレジ
スト膜４を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ３上に
はレジストパターン４ａが形成される。
スト膜４を露光、現像することにより、ＢＡＲＣ３上に
はレジストパターン４ａが形成される。
【００２９】この後、図３に示すように、このレジスト
パターン４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をドライエッチ
ングにより加工する。この際のエッチング条件は、エッ
チングガスとしてＣｌ2／ＣＨＦ3／Ａｒの混合ガスを用
い、ガス流量をＣｌ2ガス４０〜８０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3
ガス０〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒガス０〜１００ｓｃｃｍと
する。また、エッチングガスの中にＡｒガスを用いてい
るが、Ａｒガスを用いることなくエッチングを行うこと
も可能である。
パターン４ａをマスクとしてＢＡＲＣ３をドライエッチ
ングにより加工する。この際のエッチング条件は、エッ
チングガスとしてＣｌ2／ＣＨＦ3／Ａｒの混合ガスを用
い、ガス流量をＣｌ2ガス４０〜８０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3
ガス０〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒガス０〜１００ｓｃｃｍと
する。また、エッチングガスの中にＡｒガスを用いてい
るが、Ａｒガスを用いることなくエッチングを行うこと
も可能である。
【００３０】次に、図４に示すように、レジストパター
ン４ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をドライエッチングに
より加工する。この際のエッチングは、ＢＡＲＣ３と連
続的にエッチングする。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ
膜からなる下地膜１を連続的にエッチングする。
ン４ａをマスクとしてＴｉＮ膜２をドライエッチングに
より加工する。この際のエッチングは、ＢＡＲＣ３と連
続的にエッチングする。次いで、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ
膜からなる下地膜１を連続的にエッチングする。
【００３１】この後、図５に示すように、レジストパタ
ーン４ａ及びＢＡＲＣ３を、アッシング装置を用いて剥
離する。
ーン４ａ及びＢＡＲＣ３を、アッシング装置を用いて剥
離する。
【００３２】つまり、エッチング装置から図４に示す断
面部を有するウエハを取り出し、このウエハを大気中に
晒すことなく、真空搬送してアッシング装置におけるア
ッシングチャンバに投入する。このアッシング装置につ
いては後述する。次いで、ウエハをステージ上に載置
し、アッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させ
るためにウエハをステージ上で５秒〜７秒程度保持す
る。そして、２段階のステップでアッシングを行う。第
１ステップのアッシング条件は、アッシングガスとして
Ｏ2／Ｎ2の混合ガスを用い、ガス流量をＯ2ガス１００
〜１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2ガス１００〜５００ｓｃｃ
ｍ、とし、アッシング時間を３０秒〜６０秒程度とす
る。第２ステップのアッシング条件は、アッシングガス
としてＨ2Ｏガスを用い、ガス流量を１００〜５００ｓ
ｃｃｍとし、アッシング時間を２０秒〜４０秒程度（特
に好ましくは３０秒程度）とする。この２段階のアッシ
ングステップは連続して行う。
面部を有するウエハを取り出し、このウエハを大気中に
晒すことなく、真空搬送してアッシング装置におけるア
ッシングチャンバに投入する。このアッシング装置につ
いては後述する。次いで、ウエハをステージ上に載置
し、アッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させ
るためにウエハをステージ上で５秒〜７秒程度保持す
る。そして、２段階のステップでアッシングを行う。第
１ステップのアッシング条件は、アッシングガスとして
Ｏ2／Ｎ2の混合ガスを用い、ガス流量をＯ2ガス１００
〜１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2ガス１００〜５００ｓｃｃ
ｍ、とし、アッシング時間を３０秒〜６０秒程度とす
る。第２ステップのアッシング条件は、アッシングガス
としてＨ2Ｏガスを用い、ガス流量を１００〜５００ｓ
ｃｃｍとし、アッシング時間を２０秒〜４０秒程度（特
に好ましくは３０秒程度）とする。この２段階のアッシ
ングステップは連続して行う。
【００３３】図６に示すように、アッシング装置はアッ
シングチャンバ１１を有しており、このアッシングチャ
ンバ１１には排気口が設けられており、この排気口は真
空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、アッシ
ングチャンバ１１にはガス導入口が設けられており、こ
のガス導入口にはガスライン１２の一端が接続されてい
る。
シングチャンバ１１を有しており、このアッシングチャ
ンバ１１には排気口が設けられており、この排気口は真
空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、アッシ
ングチャンバ１１にはガス導入口が設けられており、こ
のガス導入口にはガスライン１２の一端が接続されてい
る。
【００３４】ガスライン１２の他端には第１〜第３の流
量コントローラ１３〜１５が接続されている。第１の流
量コントローラ１３にはＯ2ガスボンベ１７が接続され
ており、第２の流量コントローラ１４にはＮ2ガスボン
ベ１８が接続されている。第３の流量コントローラ１５
にはＨ2Ｏガスボンベ１９が接続されている。
量コントローラ１３〜１５が接続されている。第１の流
量コントローラ１３にはＯ2ガスボンベ１７が接続され
ており、第２の流量コントローラ１４にはＮ2ガスボン
ベ１８が接続されている。第３の流量コントローラ１５
にはＨ2Ｏガスボンベ１９が接続されている。
【００３５】アッシングチャンバ１１の内部には被処理
体であるウエハ２３を載置するためのステージ２１が配
置されている。このステージ２１は２５０℃程度の高温
に温度制御されるように構成されている。ステージ２１
は接地電位に接続されている。また、アッシングチャン
バ１１の内部には、ステージ２１と対向する位置にマイ
クロ波（２．４５ＧＨｚ）を導入する導入口が配置され
ている。
体であるウエハ２３を載置するためのステージ２１が配
置されている。このステージ２１は２５０℃程度の高温
に温度制御されるように構成されている。ステージ２１
は接地電位に接続されている。また、アッシングチャン
バ１１の内部には、ステージ２１と対向する位置にマイ
クロ波（２．４５ＧＨｚ）を導入する導入口が配置され
ている。
【００３６】次に、図６に示すアッシング装置を用いた
アッシング方法について説明する。このアッシング装置
は、マイクロ波のダウンフロータイプのアッシャーであ
る。まず、図４に示すようなＴｉＮ膜２の上にＢＡＲＣ
３とレジストパターン４ａが形成されたウエハ２３をア
ッシングチャンバ１１に投入し、このウエハ２３をステ
ージ２１上に保持させる。そして、アッシングチャンバ
１１の内部の圧力を調整して安定化させるためにウエハ
２３をステージ２１上で５〜７秒程度保持する。この際
のステージ温度は２５０℃程度に制御されている。
アッシング方法について説明する。このアッシング装置
は、マイクロ波のダウンフロータイプのアッシャーであ
る。まず、図４に示すようなＴｉＮ膜２の上にＢＡＲＣ
３とレジストパターン４ａが形成されたウエハ２３をア
ッシングチャンバ１１に投入し、このウエハ２３をステ
ージ２１上に保持させる。そして、アッシングチャンバ
１１の内部の圧力を調整して安定化させるためにウエハ
２３をステージ２１上で５〜７秒程度保持する。この際
のステージ温度は２５０℃程度に制御されている。
【００３７】この後、アッシングの第１ステップを行
う。すなわち、Ｏ2ガスボンベ１７、Ｎ2ガスボンベ１８
からＯ2ガス、Ｎ2ガスを、ガスライン１２を通してアッ
シングチャンバ１１の内部に矢印のように導入する。こ
れにより、Ｏ2／Ｎ2の混合ガスがウエハ２３の上方に導
入される。この際のガス流量は、第１及び第２の流量コ
ントローラ１３，１４によって制御される。そして、ウ
エハ２３の上方から２．４５ＧＨｚのマイクロ波をアッ
シングチャンバに導入する。これにより、上記ガスをプ
ラズマ化してレジストパターン４ａ及びＢＡＲＣ３をア
ッシングする。
う。すなわち、Ｏ2ガスボンベ１７、Ｎ2ガスボンベ１８
からＯ2ガス、Ｎ2ガスを、ガスライン１２を通してアッ
シングチャンバ１１の内部に矢印のように導入する。こ
れにより、Ｏ2／Ｎ2の混合ガスがウエハ２３の上方に導
入される。この際のガス流量は、第１及び第２の流量コ
ントローラ１３，１４によって制御される。そして、ウ
エハ２３の上方から２．４５ＧＨｚのマイクロ波をアッ
シングチャンバに導入する。これにより、上記ガスをプ
ラズマ化してレジストパターン４ａ及びＢＡＲＣ３をア
ッシングする。
【００３８】次に、アッシングの第２ステップを行う。
すなわち、Ｏ2ガスボンベ１７及びＮ2ガスボンベ１８を
閉じ、Ｈ2Ｏガスボンベ１９を開いて、Ｏ2ガス、Ｎ2ガ
スからＨ2Ｏガスにアッシングガスを切り替える。これ
により、Ｈ2Ｏガスを、ガスライン１２を通してアッシ
ングチャンバ１１の内部に矢印のように導入する。これ
により、Ｈ2Ｏガスがウエハ２３の上方に導入される。
この際のガス流量は、第３の流量コントローラ１５によ
って制御される。そして、ウエハ２３の上方から２．４
５ＧＨｚのマイクロ波をアッシングチャンバに導入す
る。これにより、上記ガスをプラズマ化してＢＡＲＣ３
をアッシングする。これにより、Ａｌ合金膜のエッチン
グとＴｉＮ膜のエッチングを同一のエッチング装置で行
い、エッチングチャンバ内に残された生成物（Ａｌ−Ｃ
ｌ）がウエハ２３上に残っていても、この生成物を除去
することができる。
すなわち、Ｏ2ガスボンベ１７及びＮ2ガスボンベ１８を
閉じ、Ｈ2Ｏガスボンベ１９を開いて、Ｏ2ガス、Ｎ2ガ
スからＨ2Ｏガスにアッシングガスを切り替える。これ
により、Ｈ2Ｏガスを、ガスライン１２を通してアッシ
ングチャンバ１１の内部に矢印のように導入する。これ
により、Ｈ2Ｏガスがウエハ２３の上方に導入される。
この際のガス流量は、第３の流量コントローラ１５によ
って制御される。そして、ウエハ２３の上方から２．４
５ＧＨｚのマイクロ波をアッシングチャンバに導入す
る。これにより、上記ガスをプラズマ化してＢＡＲＣ３
をアッシングする。これにより、Ａｌ合金膜のエッチン
グとＴｉＮ膜のエッチングを同一のエッチング装置で行
い、エッチングチャンバ内に残された生成物（Ａｌ−Ｃ
ｌ）がウエハ２３上に残っていても、この生成物を除去
することができる。
【００３９】上記実施の形態によれば、エッチング装置
からウエハを取り出し、このウエハを大気中に晒すこと
なく、真空搬送してアッシング装置におけるアッシング
チャンバ１１に投入している。このため、エッチングチ
ャンバ内に残された生成物（Ａｌ−Ｃｌ）がウエハ上に
残っていても、この残された生成物が大気中の水分と反
応することを抑制することができる。また、上述したよ
うに、第２ステップのアッシングを行うことにより、ウ
エハ２３上に残された生成物を除去することができる。
からウエハを取り出し、このウエハを大気中に晒すこと
なく、真空搬送してアッシング装置におけるアッシング
チャンバ１１に投入している。このため、エッチングチ
ャンバ内に残された生成物（Ａｌ−Ｃｌ）がウエハ上に
残っていても、この残された生成物が大気中の水分と反
応することを抑制することができる。また、上述したよ
うに、第２ステップのアッシングを行うことにより、ウ
エハ２３上に残された生成物を除去することができる。
【００４０】また、上記実施の形態では、ウエハをステ
ージ上に載置し、アッシングチャンバ内の圧力を調整し
て安定化させるためにウエハをステージ上で保持する時
間を５秒〜７秒程度と短くしている。このため、ＢＡＲ
Ｃ３が硬化することを抑制できる。従って、アッシング
によりレジストパターン４ａ及びＢＡＲＣ３を剥離して
も、図５に示すように、ＴｉＮ膜２上にアッシング残渣
としてＢＡＲＣ残渣が残ることを抑制できる。その結
果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
ージ上に載置し、アッシングチャンバ内の圧力を調整し
て安定化させるためにウエハをステージ上で保持する時
間を５秒〜７秒程度と短くしている。このため、ＢＡＲ
Ｃ３が硬化することを抑制できる。従って、アッシング
によりレジストパターン４ａ及びＢＡＲＣ３を剥離して
も、図５に示すように、ＴｉＮ膜２上にアッシング残渣
としてＢＡＲＣ残渣が残ることを抑制できる。その結
果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４１】尚、上記実施の形態によるエッチング装置
はＡｌ合金膜をエッチングするエッチング装置としても
用いることができるものである。このため、Ａｌ合金膜
用のエッチング装置でもＢＡＲＣをエッチングすること
が可能となる。
はＡｌ合金膜をエッチングするエッチング装置としても
用いることができるものである。このため、Ａｌ合金膜
用のエッチング装置でもＢＡＲＣをエッチングすること
が可能となる。
【００４２】また、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
アッシングガスの流量などのアッシング条件は適宜変更
可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
アッシングガスの流量などのアッシング条件は適宜変更
可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ッチング装置のエッチングチャンバ内に残された生成物
が被処理体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化
してＴｉＮ膜上の異物をアッシングすることにより、こ
の異物を除去することができる。したがって、被処理体
上に残される異物を低減できるアッシング装置、アッシ
ング方法及び半導体装置の製造方法を提供することがで
きる。
ッチング装置のエッチングチャンバ内に残された生成物
が被処理体上に残っていても、Ｈ2Ｏガスをプラズマ化
してＴｉＮ膜上の異物をアッシングすることにより、こ
の異物を除去することができる。したがって、被処理体
上に残される異物を低減できるアッシング装置、アッシ
ング方法及び半導体装置の製造方法を提供することがで
きる。
【００４４】また、本発明によれば、ステージ上に被処
理体を保持する時間を５秒〜７秒と短くしている。した
がってＴｉＮ膜上にアッシング残渣が残ることを抑制で
きるアッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の
製造方法を提供することができる。
理体を保持する時間を５秒〜７秒と短くしている。した
がってＴｉＮ膜上にアッシング残渣が残ることを抑制で
きるアッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の
製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
【図５】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図であ
る。
【図６】図４に示すレジストパターン及びＢＡＲＣ（反
射防止膜）を剥離する際に用いるアッシング装置を示す
構成図である。
射防止膜）を剥離する際に用いるアッシング装置を示す
構成図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、他の従来の半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
１，１０１…下地膜
２，１０２…ＴｉＮ膜
３，１０３…ＢＡＲＣ
４…フォトレジスト膜
４ａ，１０４ａ…レジストパターン
１１…アッシングチャンバ
１２…ガスライン
１３〜１５…第１〜第３の流量コントローラ
１７…Ｏ2ガスボンベ
１８…Ｎ2ガスボンベ
１９…Ｈ2Ｏガスボンベ
２１…ステージ
２３…ウエハ
１０５…生成物（Ａｌ−Ｃｌ）
１０６…ＢＡＲＣ残渣
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA06 HA23 JA04 LA07
LA08
5F004 AA09 BB14 BD01 DA00 DA04
DA16 DA23 DA25 DA26 DB12
DB27 EA01 FA01
5F033 HH08 HH33 QQ04 QQ08 QQ11
QQ12 QQ15 WW00 XX21
5F046 MA12 PA01
Claims (11)
- 【請求項１】 Ａｌ合金膜をエッチングしたエッチング
装置を用いて、フォトレジスト膜をマスクとしてＴｉＮ
膜をエッチングした被処理体における該フォトレジスト
膜をアッシングする装置であって、 アッシングチャンバと、 このアッシングチャンバ内に配置された被処理体を載置
するステージと、 このステージに載置された被処理体の近傍にアッシング
ガスを導入するガス導入機構と、 このガス導入機構により導入されたアッシングガスをプ
ラズマ化するプラズマ機構と、 を具備し、 上記アッシングガスは、Ｏ2ガス及びＮ2ガスを含む混合
ガス又はＨ2Ｏガスであることを特徴とするアッシング
装置。 - 【請求項２】 上記フォトレジスト膜をアッシングする
際、Ｏ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガスを被処理体の近
傍に導入してアッシングの第１ステップを行い、Ｈ2Ｏ
ガスを被処理体の近傍に導入してアッシングの第２ステ
ップを行うことを特徴とする請求項１に記載のアッシン
グ装置。 - 【請求項３】 上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を
形成し、このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡ
ＲＣ上にフォトレジスト膜を形成したものであることを
特徴とする請求項１又は２に記載のアッシング装置。 - 【請求項４】 上記ステージを高温に制御する温度制御
機構をさらに含み、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをア
ッシングする際、アッシングの第１ステップを行う前
に、アッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させ
るために被処理体を高温に制御されたステージ上で５秒
以上７秒以下保持することを特徴とする請求項３に記載
のアッシング装置。 - 【請求項５】 Ａｌ合金膜をエッチングしたエッチング
装置を用いて、フォトレジスト膜をマスクとしてＴｉＮ
膜をエッチングした被処理体における該フォトレジスト
膜をアッシングする方法であって、 アッシングチャンバ内に被処理体を配置し、 この被処理体の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混合ガ
スを導入し、この混合ガスをプラズマ化することによ
り、フォトレジスト膜をアッシングする第１ステップ
と、 被処理体の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスをプラ
ズマ化することにより、被処理体上の異物をアッシング
する第２ステップと、 を具備することを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項６】 上記被処理体は、下地膜上にＴｉＮ膜を
形成し、このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成し、このＢＡ
ＲＣ上にフォトレジスト膜を形成したものであることを
特徴とする請求項５に記載のアッシング方法。 - 【請求項７】 上記フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをア
ッシングする際、第１ステップを行う前に、アッシング
チャンバ内の圧力を調整して安定化させるために被処理
体を高温に制御されたステージ上で５秒以上７秒以下保
持することを特徴とする請求項６に記載のアッシング方
法。 - 【請求項８】 下地膜上にＴｉＮ膜を形成する第１工程
と、 このＴｉＮ膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォ
トレジスト膜を露光、現像する第２工程と、 Ａｌ合金膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、
上記フォトレジスト膜をマスクとしてＴｉＮ膜をエッチ
ングする第３工程と、 フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混
合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化することに
より、フォトレジスト膜をアッシングする第４工程と、 ＴｉＮ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスをプラ
ズマ化することにより、ＴｉＮ膜上の異物をアッシング
する第５工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 上記第４工程は、上記第３工程後にエッ
チング装置から被処理体を真空搬送してアッシング装置
に投入することにより行われることを特徴とする請求項
８に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 下地膜上にＴｉＮ膜を形成する第１工
程と、 このＴｉＮ膜上にＢＡＲＣを形成する第２工程と、 このＢＡＲＣ上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォ
トレジスト膜を露光、現像する第３工程と、 Ａｌ合金膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、
上記フォトレジスト膜をマスクとしてＢＡＲＣ及びＴｉ
Ｎ膜をエッチングする第４工程と、 フォトレジスト膜の近傍にＯ2ガス及びＮ2ガスを含む混
合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化することに
より、フォトレジスト膜及びＢＡＲＣをアッシングする
第５工程と、 ＴｉＮ膜の近傍にＨ2Ｏガスを導入し、このガスをプラ
ズマ化することにより、ＴｉＮ膜上の異物をアッシング
する第６工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 上記第４工程と上記第５工程との間
に、アッシングチャンバ内の圧力を調整して安定化させ
るために被処理体を高温に制御されたステージ上で５秒
以上７秒以下保持する工程をさらに含むことを特徴とす
る請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
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