JP3348804B2 - エッチング後処理方法 - Google Patents

エッチング後処理方法

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剛 斉藤
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング後処理方法に
係り、特に被エッチング材がＷを用いた単層膜あるいは
積層膜のエッチング処理後の後処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、被エッチング材がＷを用
いた単層膜あるいは積層膜のエッチング処理後、他の後
処理装置により酸素プラズマによりレジストを除去し、
付着物等を湿式洗浄装置により除去するというものであ
った。なお、この種の装置として関連するものには例え
ば、特公昭６２−３０２６８号公報が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、エ
ッチング処理後試料を大気に暴露する為付着物が酸化
し、付着物除去が困難であった。また、他の後処理装
置、湿式洗浄処理装置を使用するため、工程数も多かっ
た。
【０００４】本発明の目的は、インラインアッシングに
より被エッチング材としてＷを用いた単層膜あるいは積
層膜のエッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡
略化し、他の後処理装置、湿式洗浄工程を省略、又は簡
略化するエッチング後処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本装置内の
後処理室でレジストと付着物等の除去を同時に行うこと
により、達成される。
【０００６】
【作用】Ｗ膜のエッチング処理後は、側壁に反応生成物
（Ｗ系物質）が付着する。又、大気に暴露すると生成物
が酸化し、ドライプラズマアッシングによる除去が困難
となる。そこで、エッチング処理後、真空搬送装置にて
試料を後処理室に搬送した後、Ｗ系物質と反応しやすい
フッ素系ガスを酸素ガスに添加し、ドライプラズマアッ
シングを実施する。それによりレジストと付着物とを同
時に除去することができ、しかもフッ素ガスが少量のた
め、Ｗ膜や下地膜に対しほとんど反応することなく除去
できる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１により説明する。図
１において、エッチング処理されたウエハは図示を省略
した真空搬送装置によって図１の後処理装置に搬送され
る。後処理装置では、ガス導入口１からガス流量制御弁
２によって制御された後処理用ガスを後処理室３に導入
し、排気孔４を介して真空ポンプ及び圧力調整弁５によ
って処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波
発生器６により発信されたマイクロ波がマイクロ波導波
管７を介し、石英窓８を通して後処理室３に導入され、
後処理用ガスがプラズマ化される。
【０００８】本発明では後処理用ガスとしてＣＨＦ3を
６％のガス比となるように添加し、圧力を０．７Ｔｏｒ
ｒに制御し、マイクロ波Ｈ．Ｖ．電流を４００ｍＡ流し
た状態で６０秒試料台９に置かれた試料１０の処理を行
うことにより、レジストと付着物を同時に除去すること
ができた。
【０００９】以上、本一実施例によれば、試料を大気に
暴露することなく同装置内でレジストと付着物を同時に
除去することができ、他の後処理装置と湿式洗浄処理装
置を省略又は簡略化することができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、同装置内においてレジ
スト除去と付着物除去を同時に行うことにより、他装置
によるレジスト除去と湿式洗浄処理を省略又は簡略でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である後処理装置を示す構成
図である。
【符号の説明】
２…ガス流量制御弁、３…後処理室、５…圧力調整弁、
６…マイクロ波発生器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立 テクノエンジニアリング株式会社笠戸事 業所内 (56)参考文献 特開 平３−154336（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/3065

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に設けた酸化膜上の被エッチ
    ング材料であるタングステン（Ｗ）膜のエッチング処理
    後、真空搬送装置により後処理室に搬送されたウエハに
    対し、レジストと付着物とを同時にドライプラズマプロ
    セスにより除去するエッチング後処理方法において、後
    処理用プロセスガスは、酸素ガス９４％と、ＣＨＦ ３ ガ
    ス６％の混合ガスであり、前記処理室の圧力０．７Ｔｏ
    ｒｒ、マイクロ波Ｈ．Ｖ．電流４００ｍＡの状態で６０
    秒間処理することを特徴とするエッチング後処理方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載において、被エッチング材
    は、ＷとＴｉＮまたはＷとＴｉＮとＴｉの積層膜である
    ことを特徴とするエッチング後処理方法。
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JP2002217156A (ja) 2001-01-16 2002-08-02 Hitachi Ltd ドライ洗浄装置
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