JPS61214434A - 有機膜の除去方法 - Google Patents
有機膜の除去方法Info
- Publication number
- JPS61214434A JPS61214434A JP5737585A JP5737585A JPS61214434A JP S61214434 A JPS61214434 A JP S61214434A JP 5737585 A JP5737585 A JP 5737585A JP 5737585 A JP5737585 A JP 5737585A JP S61214434 A JPS61214434 A JP S61214434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- organic film
- substrate
- plasma
- trifluoromethane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基体上に形成した有機膜をプラズマ化した活性
ガスによって分解、気化せしめて除去する方法に関する
。
ガスによって分解、気化せしめて除去する方法に関する
。
（従来の技術）
基体表面に形成した有機膜を除去することは半導体集積
回路の製造工程など種々の分野で行われている。
回路の製造工程など種々の分野で行われている。
半導体素子の製造においては、半導体基体上の有機膜は
、ホトレジストや有機絶縁体膜として利用され、利用後
は除去されている。
、ホトレジストや有機絶縁体膜として利用され、利用後
は除去されている。
斯かる除去方法においては、従来にあっては、強酸或い
は有機溶剤によって溶解除去する方法が主であったが、
洗浄工程も含め多量の強酸、強塩基や有機溶剤などの化
学薬品を使用するため、作業環境及び処理排棄物の問題
等があって、現在ではプラズマを利用したドライ化が主
流を占めている。
は有機溶剤によって溶解除去する方法が主であったが、
洗浄工程も含め多量の強酸、強塩基や有機溶剤などの化
学薬品を使用するため、作業環境及び処理排棄物の問題
等があって、現在ではプラズマを利用したドライ化が主
流を占めている。
このプラズマを利用した方法は、表面に有機膜が形成さ
れた基体（シリコンウェハー）をチャンバー内に入れ、
このチャンバー内に減圧条件下（１６０〜２００Ｐａ）
で酸素ガスを導入し、このチャンバーに付設する電極に
高周波電圧を印加（５００〜ｅｏｏｗ）してプラズマ化
し、この活性種によって有機膜の主鎖を切断して気化（
Ｃｏｘ 、Ｃｏ、Ｈ２Ｏ）除去せしめるようにしたのも
のである。
れた基体（シリコンウェハー）をチャンバー内に入れ、
このチャンバー内に減圧条件下（１６０〜２００Ｐａ）
で酸素ガスを導入し、このチャンバーに付設する電極に
高周波電圧を印加（５００〜ｅｏｏｗ）してプラズマ化
し、この活性種によって有機膜の主鎖を切断して気化（
Ｃｏｘ 、Ｃｏ、Ｈ２Ｏ）除去せしめるようにしたのも
のである。
また酸素ガスのみによらず、酸素ガスにフレオン（ＣＦ
４）を混合したガスを用いて除去する方法も特開昭５
２−１１３１８４号として知られている。
４）を混合したガスを用いて除去する方法も特開昭５
２−１１３１８４号として知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のプラズマを利用して有機膜を除去
する場合、例えばＩｐｍ厚程度のホトレジスト膜を除去
するのに３０〜４０分も時間がかかり、且つシリコンウ
ェハー自体をエツチングしてダメージを与えるという問
題がある。
する場合、例えばＩｐｍ厚程度のホトレジスト膜を除去
するのに３０〜４０分も時間がかかり、且つシリコンウ
ェハー自体をエツチングしてダメージを与えるという問
題がある。
また酸素ガスとフレオンとの混合ガスを用いた方法にあ
っても、期待した程のアッシング速度は得られず、且つ
有機膜と基体との選択比が小さく、基体にダメージを与
えてしまう。
っても、期待した程のアッシング速度は得られず、且つ
有機膜と基体との選択比が小さく、基体にダメージを与
えてしまう。
（問題点を解決するための手段）
上記問題を解決すべく本発明は、１〜１０容量％のヘキ
サフルオロエタンガス又はトリフルオロメタンガスと酸
素ガスを混合し、この混合ガスをプラズマ化して活性ガ
スとし、この活性ガス中に基体表面に形成した有機膜を
晒すことで、短時間で且つ基体にダメージを与えること
なく有機膜を除去するようにした。
サフルオロエタンガス又はトリフルオロメタンガスと酸
素ガスを混合し、この混合ガスをプラズマ化して活性ガ
スとし、この活性ガス中に基体表面に形成した有機膜を
晒すことで、短時間で且つ基体にダメージを与えること
なく有機膜を除去するようにした。
ここでヘキサフルオロエタンとトリフルオロメタンとは
それぞれ単独で用いてもよく、また混合して用いてもよ
い。
それぞれ単独で用いてもよく、また混合して用いてもよ
い。
（実施例）
以下に本発明の実施例を具体的数値に基づいて説明する
。
。
〔実施例１〕
平行平板型プラズマ装置（ＯＡＰＭ−４００：東京応化
工業■製）を用い、１．２ＪＬｍ厚のポジ型ホロレジス
ト（ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業■製）を表面に形
成した５インチサイズのシリコンウェハーをプラズマ反
応室内にセットし、このプラズマ反応室内に、５容量％
のヘキサフルオロエタンガスを含有してなる酸素ガスと
の混合ガスを導入して１６０． ＯＰ ａ （１，２Ｔ
ｏｒｒ）まで減圧し、高周波出力を２５０Ｗ印加し１反
応室内にプラズマを発生させて活性ガス雰囲気とした。
工業■製）を用い、１．２ＪＬｍ厚のポジ型ホロレジス
ト（ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業■製）を表面に形
成した５インチサイズのシリコンウェハーをプラズマ反
応室内にセットし、このプラズマ反応室内に、５容量％
のヘキサフルオロエタンガスを含有してなる酸素ガスと
の混合ガスを導入して１６０． ＯＰ ａ （１，２Ｔ
ｏｒｒ）まで減圧し、高周波出力を２５０Ｗ印加し１反
応室内にプラズマを発生させて活性ガス雰囲気とした。
すると、ホトレジストはアッシングされ始め、１分後に
完全に除去された。この時のホトレジストのアッシング
速度は１．２μｓ／ｗｉｎであった。そしてポリシリコ
ンとホトレジストとの選択比と（エツチング速度比）は
１：４０であった。
完全に除去された。この時のホトレジストのアッシング
速度は１．２μｓ／ｗｉｎであった。そしてポリシリコ
ンとホトレジストとの選択比と（エツチング速度比）は
１：４０であった。
これに対して、酸素ガスのみを使用し、他は同じ条件で
ホトレジストのアッシングを行ったところ、ホトレジス
トのアッシング速度は０．２ＪＬｌｌ／■ｉｎで、ポリ
シリコンとホトレジストとの選択比はｌ：６であった。
ホトレジストのアッシングを行ったところ、ホトレジス
トのアッシング速度は０．２ＪＬｌｌ／■ｉｎで、ポリ
シリコンとホトレジストとの選択比はｌ：６であった。
〔実施例２〕
実施例１と同じ装置を用い、１．２１Ｌｍ厚のポジ型ホ
トレジス） （ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業■製）
を表面に形成した５インチサイズのシリコウェハーをプ
ラズマ反応室内にセットし、このプラズマ反応室内に、
５容量％のトリフルオロメタンガスを含有してなる酸素
ガスとの混合ガスを導入して１６０．０ Ｐ ａ （１
，２Ｔｏｒｒ）まで減圧し。
トレジス） （ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業■製）
を表面に形成した５インチサイズのシリコウェハーをプ
ラズマ反応室内にセットし、このプラズマ反応室内に、
５容量％のトリフルオロメタンガスを含有してなる酸素
ガスとの混合ガスを導入して１６０．０ Ｐ ａ （１
，２Ｔｏｒｒ）まで減圧し。
高周波２５０Ｗを印加し１反応室内にプラズマを発生さ
せて活性ガス雰囲気とした。
せて活性ガス雰囲気とした。
すると、ホトレジストが７フシングされ始め。
５７秒後（１，２４ｍ／ｗｉｎ）に完全に除去された。
そしてこのときポリシリコンとホトレジストとの選択比
はｌ：５０であった。
はｌ：５０であった。
トＩ Ｌ小飴優φ俵り屯久屏屯亦ル々ｓＡ−ｗ” に−
諷妊果を第１ｒｌ！Ｊ乃至第６図に示す。
諷妊果を第１ｒｌ！Ｊ乃至第６図に示す。
この結果からヘキサフルオロエタンガス及びトリフルオ
ロメタンガスのいずれも酸素ガスに混合することで、従
来に比ベアッシング時間の短縮が図れ、基体との選択比
が高くなることが分った。
ロメタンガスのいずれも酸素ガスに混合することで、従
来に比ベアッシング時間の短縮が図れ、基体との選択比
が高くなることが分った。
そして、上記ヘキサフルオロエタガス及びトリフルオロ
メタンガスの混合割合としては酸素ガスに対する容量割
合で１％未満であると７フシング時間は従来と殆ど変ら
ず、また１０％を越えると基体との選択比が悪くなり、
基体をエツチングしてしまう可能性が生じるため酸素に
対する容量割合としては１〜１０％、好ましくは３〜５
％とするのが最適といえる。
メタンガスの混合割合としては酸素ガスに対する容量割
合で１％未満であると７フシング時間は従来と殆ど変ら
ず、また１０％を越えると基体との選択比が悪くなり、
基体をエツチングしてしまう可能性が生じるため酸素に
対する容量割合としては１〜１０％、好ましくは３〜５
％とするのが最適といえる。
また、混合ガスの圧力としては０．１〜１００Ｔｏｒｒ
の範囲とするのが好ましく、最適範囲としては０．５〜
３．０ Ｔｏｒｒとする。
の範囲とするのが好ましく、最適範囲としては０．５〜
３．０ Ｔｏｒｒとする。
更に以上の実施例にあっては基体としてポリシリコンを
用いたが、この他に酸化シリコン、アルミニウム、窒化
シリコン、モリブデンシリサイド゛ タングステンシリ
サイド、タンタルなどについても同様の結果が得られた
。また、実施例にあってはアッシング処理についてのみ
説明したが、本発明方法、は、例えば基体表面の有機膜
を有機溶剤等を用いて除去した後の残液を除去する所謂
クリーニング処理としても応用し得ることは勿論である
。
用いたが、この他に酸化シリコン、アルミニウム、窒化
シリコン、モリブデンシリサイド゛ タングステンシリ
サイド、タンタルなどについても同様の結果が得られた
。また、実施例にあってはアッシング処理についてのみ
説明したが、本発明方法、は、例えば基体表面の有機膜
を有機溶剤等を用いて除去した後の残液を除去する所謂
クリーニング処理としても応用し得ることは勿論である
。
（発明の効果）
以上に説明した如く本発明方法によれば、シリ、コンウ
ェハーなどの無機物からなる基体表面に形成された有ａ
ｍを短時間で除去することができ、極めて量産性に優れ
、且つ基体に与えるダメージも少ないのでＬＳＩ、超Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路の製造プロセスに適用して極め
て有効である。
ェハーなどの無機物からなる基体表面に形成された有ａ
ｍを短時間で除去することができ、極めて量産性に優れ
、且つ基体に与えるダメージも少ないのでＬＳＩ、超Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路の製造プロセスに適用して極め
て有効である。
第１図はへ本すフルオロエタンガスの混合割合と７ツシ
ング速度との関係を示すグラフ、第２図はエキサフルオ
ロエタンガスの混合割合とエツチング比との関係を示す
グラフ、第３図はトリフルオロメタンガスの混合割合と
アッシング速度との関係を示すグラフ、第４図はトリフ
ルオロメタンガスの混合割合とエツチング比との関係を
示すグラフ、第５図は混合ガス圧力とアッシング速度と
の関係を示すグラフ、第６図は混合ガス圧力とエツチン
グ比との関係を示すグラフである。 特 許 出願 人 東京電子化学株式会社代理人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士
大 橋 邦 金回 弁理士
小 山 有量 弁理士 野 １
） 茂第１図 ｉ８制Ｇ（’／、） 第２図 混々ト制Ａシトｒ５−ノ 第３図 混４う・嘩「す、＠−（９２） 第４図 ｉＮＩ＆ （’／−）
ング速度との関係を示すグラフ、第２図はエキサフルオ
ロエタンガスの混合割合とエツチング比との関係を示す
グラフ、第３図はトリフルオロメタンガスの混合割合と
アッシング速度との関係を示すグラフ、第４図はトリフ
ルオロメタンガスの混合割合とエツチング比との関係を
示すグラフ、第５図は混合ガス圧力とアッシング速度と
の関係を示すグラフ、第６図は混合ガス圧力とエツチン
グ比との関係を示すグラフである。 特 許 出願 人 東京電子化学株式会社代理人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士
大 橋 邦 金回 弁理士
小 山 有量 弁理士 野 １
） 茂第１図 ｉ８制Ｇ（’／、） 第２図 混々ト制Ａシトｒ５−ノ 第３図 混４う・嘩「す、＠−（９２） 第４図 ｉＮＩ＆ （’／−）
Claims (1)
- １〜１０容量％のヘキサフルオロエタンガス又はトリフ
ルオロメタンガスと酸素ガスとの混合ガスをプラズマ化
した活性ガス中に、無機物からなる基体表面に形成され
た有機膜を晒し、有機膜を分解、気化せしめるようにし
た有機膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5737585A JPS61214434A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 有機膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5737585A JPS61214434A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 有機膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214434A true JPS61214434A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=13053845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5737585A Pending JPS61214434A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 有機膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256727A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Sony Corp | ドライエツチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112065A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Toshiba Corp | Removing method of high molecular compound |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5737585A patent/JPS61214434A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112065A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Toshiba Corp | Removing method of high molecular compound |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256727A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Sony Corp | ドライエツチング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2581268B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| US5925577A (en) | Method for forming via contact hole in a semiconductor device | |
| JP2015517691A (ja) | 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス | |
| JP2700316B2 (ja) | 有機物質表面の改質方法 | |
| JPH08339950A (ja) | フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置 | |
| JPH01309329A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPS61214434A (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| JP2983356B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6255694B2 (ja) | ||
| JP3250240B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01206624A (ja) | レジストのドライエッチング法 | |
| JPS62125627A (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| JPH0885887A (ja) | エッチング後処理方法 | |
| JPS61267325A (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| JP2624243B2 (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| JPH10261627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3263880B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP3407410B2 (ja) | ケミカルドライエッチング方法 | |
| JPS6222263B2 (ja) | ||
| JPS61263126A (ja) | 有機膜の除去方法 | |
| KR100528266B1 (ko) | 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법 | |
| JPH03276627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6019139B2 (ja) | エツチング方法およびプラズマエツチング用混合物ガス | |
| JPH0451520A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07321117A (ja) | 半導体基板の処理方法 |