JP2015517691A - 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス - Google Patents

Abstract

マイクロ電子デバイスからバルクおよび／または硬化レジストを除去するための方法および低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含む。低ｐＨ組成物は、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去しながら、その下層の１以上のシリコン含有層または金属ゲート材料にダメージを与えることがない。【選択図】 図１

Description

[0001] 本発明は、全体として、レジスト、詳細には、高ドーズ注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスから該レジストを除去する組成物およびプロセスに関する。開示される組成物および方法は、該レジストを窒化チタンに対して選択的に除去する。

[0002] フォトレジストを含むレジストは、半導体デバイス製造の過程で基板（例えば、半導体ウェーハ）上にパターニングされた層を形成するために使用される放射感応性（例えば、光放射感応性）材料である。レジストコートされた基板の一部分を放射で露光した後、（ポジ型レジストにおいては）レジストの露光部分、または（ネガ型レジストにおいては）レジストの非露光部分を除去することにより、その下の基板表面を露出させつつ、基板表面の残りの部分はレジストでコートおよび保護されたままとする。レジストは、より一般的にマスキング材料と呼ばれることもある。イオン注入、エッチング、または成膜といった他の製造プロセスは、基板の被覆されていない表面および残留するレジストに対して行い得る。これらの他の製造プロセスを行った後、残留するレジストは剥離処理において除去される。

[0003] イオン注入において、ドーパントイオン（例えば、ホウ素イオン、二フッ化ホウ素イオン、ヒ素イオン、インジウムイオン、ガリウムイオン、リンイオン、ゲルマニウムイオン、アンチモンイオン、キセノンイオン、またはビスマスイオン）は基板に向けて加速されて注入される。これらイオンは、基板の露光領域とともに残留するレジストにも注入される。イオン注入は、例えば、トランジスタのチャネル領域ならびにソースおよびドレイン領域などの、基板内の注入領域を形成するために使用し得る。また、イオン注入は、低濃度にドープされたドレイン領域および二重拡散されたドレイン領域を形成するためにも使用し得る。しかし、レジストに高ドーズイオンが注入されると、レジスト表面から水素が奪われてレジストが外層またはクラストを形成することとなる場合があり、これが、レジスト層の下層部分（すなわち、レジスト層のバルク部分）より硬度の高い炭化層となる場合がある。外層とバルク部分とは異なる熱膨張率を有し、かつ異なる速度で剥離プロセスに反応する。

[0004] トランジスタの一種は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）として知られている。ＦＥＴは金属酸化物半導体ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）としても知られる場合があるが、ＭＯＳＦＥＴは金属ゲートの代わりにシリコンゲートを有するＦＥＴについての誤った呼称である。ＦＥＴトランジスタは、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域と、チャネル領域の上方のゲート絶縁体と、ゲート絶縁体の上方のゲート電極とを備える。極めて初期の技術による初期のＦＥＴでは、ゲート電極は一般的に金属を含んでいた。その後の技術では、ゲート電極は一般的に（例えば、ポリシリコンの形態の）半導体シリコンを含んでいた。シリコンは、ゲート絶縁体として用いられる二酸化シリコンと親和性があること、およびＦＥＴやＦＥＴを含む集積回路の製造に有用な高温に耐え得ることから使用されていた。しかしながら、ごく最近の技術の中には再び金属ゲート電極を使用しているものがある。金属には、ポリシリコンより電気抵抗が低く、そのため信号伝搬時間が低減されるという利点がある。さらに、これまでの技術における寸法より小型のトランジスタ寸法を有するごく最近の技術では、ゲート誘電体層を非常に薄く（例えば、１ナノメートル）する必要がある。非常に薄いゲート誘電体層は、ポリシリコンゲート電極において、トランジスタのチャネル領域が反転状態にある場合にゲート誘電体に隣接するゲートポリシリコン電極に空乏層が形成される、ポリ・デプリーション（poly depletion）と呼ばれる問題を引き起こす場合がある。ポリ・デプリーションを回避するためには金属ゲートが望ましい。通常、高誘電率（high-k）誘電体として知られる比較的高い誘電率のゲート絶縁体材料とともに様々な金属ゲート材料を使用し得る。金属ゲート材料としては、例えば、タンタル、タングステン、窒化タンタル、および窒化チタン（ＴｉＮ）が挙げられる。

[0005] レジスト剥離の重要な一側面は、レジスト剥離によって生じ得る基板へのダメージ、または基板の一部分の望ましくない除去に関係する。そのようなダメージは、基板内または基板上に形成される構造およびデバイス（例えば、半導体ウェーハまたはシリコンウェーハ内、またはその上に形成されるトランジスタまたはその他の電子デバイス）が機能しなくなる、あるいは機能が低下することがあるため、望ましくない。基板材料へのダメージまたはその除去の例としては、シリコンまたは窒化チタン（ＴｉＮ）、例えば、ＦＥＴの金属ゲートに含まれるＴｉＮや半導体と金属との間のバリアに含まれるＴｉＮへのダメージまたはその除去が挙げられるがこれらに限定されない。ダメージは、溶解（エッチング）、酸化物などの異なる固相への転換、または両者の組み合わせを伴い得る。例えば、硫酸は高ドーズ注入されたレジストを除去するのに効果的であることが知られているが、硫酸はＴｉＮに対して強い攻撃性を持ち得る。残念ながら、通常の界面活性試薬は、溶解度が非常に低いこと、および／または、非常に強い酸によるプロトン化のため、硫酸においては阻害剤としてうまく機能しない。

[0006] したがって、高ドーズ注入されたレジストを剥離しながら基板上のその他の材料に実質的なダメージを与えることのない組成物が引き続き望まれている。高ドーズ注入されたレジストを剥離する組成物は、効果的かつ効率的にレジストを除去しつつ、ＴｉＮといった金属ゲート材料に実質的なダメージを与えないことがもっとも好ましい。

[0008] 本発明は、全体として、レジスト、詳細には、高ドーズ注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスから該レジストを除去する組成物および方法に関する。開示される組成物および方法は、デバイス表面上に存在する他の材料、例えば、窒化チタンに実質的なダメージを与えることなく、上記レジストを効果的に除去する。

[0009] 一態様において、レジストを剥離するための組成物が記載され、この組成物は、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含むが、リン含有酸がリン酸それ自体を含むことはできない。

[0010] 別の態様において、レジストを剥離するための組成物が記載され、この組成物は、硫酸と、少なくとも１種のホスホン酸またはホスホン酸誘導体とを含む。

[0011] さらに別の態様において、高ドーズイオン注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスの表面から該レジストを除去する方法は、レジストの少なくとも部分的な除去を達成するために必要な時間および温度でマイクロ電子デバイスを組成物と接触させることを含み、この組成物は、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含むが、リン含有酸がリン酸それ自体を含むことはできない。

[0012] さらに別の態様において、高ドーズイオン注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスの表面から該レジストを除去する方法は、レジストの少なくとも部分的な除去を達成するために必要な時間および温度でマイクロ電子デバイスを組成物と接触させることを含み、この組成物は、硫酸と、少なくとも１種のホスホン酸またはホスホン酸誘導体とを含む。

[0013] 別の態様において、高ドーズイオン注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスの表面から該レジストを除去する方法が記載され、この方法は、
レジストの少なくとも部分的な除去を達成するために必要な時間および温度で、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含むが、リン含有酸がリン酸それ自体を含むことはできない第１の組成物にマイクロ電子デバイスを接触させることと、
レジストの追加的除去を達成するためにマイクロ電子デバイスをセリウム含有組成物に接触させることと、
任意選択で、デバイスからのレジストの実質的な除去を完了するためにマイクロ電子デバイスを第１の組成物に接触させることと、を含む。

[0014] 本発明のその他の態様、特徴および利点は、以下に続く開示および添付の請求の範囲からさらに十分に明らかになるであろう。

[0007] 図1は、表面上の異なる位置からフォトレジストを除去する場合の組成物Ａ、Ｄ、Ｅ、ＧおよびＨの除去有効性を１〜１０の段階に等級付けして示す。

[0015] 本発明は、全体として、レジスト、詳細には、高ドーズ注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスから該レジストを除去する組成物および方法に関する。開示される組成物および方法は、デバイス表面上に存在する他の材料、例えば、金属ゲート材料に実質的なダメージを与えることなく、上記レジストを効果的に除去する。

[0016] 参照を容易にするため、「マイクロ電子デバイス」は、マイクロエレクトロニクス、集積回路、エネルギー回収、またはコンピュータチップ用途での使用のために製造される、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、ソーラーパネル、ならびにソーラーセルデバイス、太陽電池、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を含むその他の製品に相当する。「マイクロ電子デバイス」、「マイクロ電子基板」および「マイクロ電子材料」との用語はいかなる意味においても制限的であることを意図しておらず、最終的にマイクロ電子デバイスまたはマイクロ電子アセンブリとなるあらゆる基板または構造を含む。

[0017] 「イオン注入」とは、通常固体であるターゲット材料内にドーパント材料のイオンを注入することができるプロセスである。イオン注入は、半導体デバイス製造、例えば、集積回路やシリコン半導体デバイスの製造において使用される。注入されたイオンは、このイオンがターゲットと異なる元素であることからターゲット内に化学的変化を導入する、または引き起こすことができ、かつ／または、イオン注入によってターゲットが変性され、ダメージを受け、あるいはさらに破壊され得るという点で構造的変化を導入する、または引き起こすことができる。単なる例示として、半導体製造において注入される種として通常使用される元素には、ホウ素、二フッ化ホウ素、ヒ素、インジウム、ガリウム、ゲルマニウム、ビスマス、キセノン、リンおよびアンチモンが含まれる。ホウ素は、シリコン内に「正孔」（すなわち電子の空孔）を提供する、または引き起こすため、シリコンにおけるｐ型ドーパントである。ヒ素は、シリコン内に余分な電子を提供する、または引き起こすため、シリコンにおけるｎ型ドーパントである。真性シリコンに注入されたホウ素やヒ素などのドーパントは、この真性シリコンが半導体として導電性を有するようにすることができる。１以上のドーパント材料がターゲット材料内に注入されてもよい。

[0018] イオン注入は、通常、ドーズ量とエネルギーとによって特徴付けられる。ドーズ量とは、ターゲット材料の単位面積あたりに注入されるイオンの数である。エネルギーとは、注入されているイオンのエネルギーである。より進歩した半導体処理または製造技術では、通常、従前の技術よりも高いドーズ量および／または高いエネルギーを使用する。「高ドーズイオン注入」（ＨＤＩＩ）では、イオンドーズ量が約５×１０^１４イオン／ｃｍ^２より高く、かつ／または、ターゲットまたは基板に衝突する前のイオンの平均エネルギーが５ＫｅＶから１００ＫｅＶより大きい場合がある。

[0019] 「フォトレジスト」を含む「レジスト」とは、表面上、例えば、基板またはターゲットの表面上にパターニングされた被膜を形成するために使用される放射感応性材料である。レジストは、例えば、集積回路やシリコン半導体デバイスなどの半導体デバイスの製造において使用される。半導体デバイス製造におけるレジストの使用として、半導体基板内にドーパントを選択的にイオン注入するためのマスクとしての使用がある。レジスト層は、半導体基板の表面に、あるいは、例えば、半導体層上部の絶縁体層のような、基板上または基板内のある層の表面に塗布される。レジストの一部分が放射で露光されるが、そのようなレジストの一部分は、半導体のうちの注入されるべきエリア（ポジ型レジスト）か、半導体のうちの注入されるべきでないエリア（ネガ型レジスト）のいずれかに相当する。次いで、レジストは、レジストの所望部分だけが残るようにレジストの一部分を除去することを助ける現像液にさらされる。「ポジ型レジスト」とは、放射で露光されたレジスト部分がレジスト現像液に対して可溶性となり、レジスト現像液によって除去されるタイプのレジストである。レジストの非露光部分はレジスト現像液に対して不溶性のままであり、レジスト現像液によって除去されない。「ネガ型レジスト」とは、放射で露光されたレジスト部分がフォトレジスト現像液に対して不溶性となり、フォトレジスト現像液によって除去されないタイプのレジストである。レジストの放射で露光されない部分はレジスト現像液に対して可溶性のままとなり、レジスト現像液によって除去される。レジストの可溶性部分はレジスト現像液によって溶解される。イオン注入は、放射による露光によってレジストがパターニングされ、現像液によって現像処理された後に生じる。レジストの残留部分は、注入されたイオンがレジストの下部の半導体またはその他の材料まで到達しないようブロックする。レジストによってブロックされたイオンは、下層基板の代わりにレジスト内に注入される。半導体のうちのレジストによって覆われていない部分はイオン注入を受ける。

[0020] 様々なレジストが感応性を有する放射には、比較的広範囲のものが包含される。単なる例示として、放射は、紫外線（例えば、約３００〜４００ｎｍ（ナノメートル））、遠紫外線（ＤＵＶ、例えば、約１０〜３００ｎｍ）、水銀灯のＧ、ＨおよびＩ線（それぞれ、およそ４３６ｎｍ、４０４．７ｎｍ、３６５．４ｎｍ）、およびｘ線（例えば、およそ０．０１〜１０ｎｍ）の範囲であってよい。放射は、代替的に、電子ビーム（ｅビーム）放射を含んでもよい。およそ１９３ｎｍの波長を有するＤＵＶ光、およびおよそ２４８ｎｍの波長を有する光が放射としてしばしば使用される。およそ１９３ｎｍおよび２４８ｎｍの放射を含むフォトリソグラフィ技術は、それぞれ、１９３ｎｍリソグラフィおよび２４８ｎｍリソグラフィと呼ばれる。

[0021] レジストによってブロックされる注入イオンが比較的高いドーズ量および／または高いエネルギーを有するため、レジストは、イオンが衝突し、かつ吸収されるレジストの外側部分または外側側面にクラストまたは硬いシェルを形成する。レジスト硬化は、炭化、重合またはポリマー架橋から生じ得るか、またはそのように呼ばれ得る。すなわち、レジストの外側領域に浸透したイオンは、レジストの外側領域（例えば、レジストの上部および側面）をクラスト化し、レジストの内側領域であって外側領域に近い部分における化学結合を架橋させる原因となり得る。このようなクラストは、レジスト剥離プロセス中に除去することが難しい（例えば、クラストは剥離に使用されるいくつかの公知の溶媒に対して不溶性である）ことが知られている。イオンはレジスト材料内のわずかな距離を浸透するだけであるため、クラストは、大部分がレジストの外側部分に形成される。レジストの底部は注入された材料または基板によって覆われるため、クラストはレジストの上面および側面に形成され得るが、レジストの底部部分上または内部部分中には形成され得ない。通常、イオンは主に下向きの入射方向で注入されるため、一般のレジストにおいては上部のクラストが側面のクラストより厚い。レジストクラストの厚さは注入イオンの投入量およびイオン注入エネルギーに依存する。クラスト内部またはクラスト下部のレジスト材料、つまり、全般的にイオンによる影響を受けないレジスト部分をバルクレジストまたはバルクレジスト材料と呼ぶ。レジストの硬化またはクラスト化は、例えば、レジストの外側部分を水またはその他のいくつかの水溶液（ただし、必ずしも他の全ての水溶液または全ての有機溶媒に対してではない）に対して不溶性とするか、または溶解性を低くする。

[0022] 「高ドーズイオン注入剥離」（ＨＤＩＳ）とは、ＨＤＩＩを受けた露光レジストを剥離するプロセスである。ＨＤＩＳプロセスのいくつかは、プラズマプロセスや真空プロセスなどのドライプロセス、またはウェット化学プロセスを含み得る。

[0023] 本明細書において使用される「金属ゲート」または「金属ゲート電極」との用語の意味には、金属を含むトランジスタ（例えば、ＦＥＴ）のゲート電極が含まれる。金属は他の材料と組み合わせられてもよい。金属ゲートの金属としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｌａ、窒化チタン、窒化タンタル、炭化タンタル、炭化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン、酸化ルテニウム（ＩＶ）、窒化タンタルケイ素（tantalum silicon nitride）、窒化チタンケイ素（titanium silicon nitride）、窒化タンタル炭素（tantalum carbon nitride）、窒化チタン炭素（titanium carbon nitride）、チタンアルミナイド、タンタルアルミナイド、窒化チタンアルミニウム、窒化タンタルアルミニウム、酸化ランタン、またはこれらの組み合わせが含まれるがこれらに限定されない。金属ゲートの具体的な一例は窒化チタン（ＴｉＮ）を含む。ＴｉＮは、電子デバイスにおいて他の用途を有する、例えば、シリコンと金属接点との間のバリア金属として、および導電体としての用途を有することに留意する。金属ゲート材料として開示される化合物は異なる化学量論を有し得ることが理解されるべきである。したがって、窒化チタンは本明細書においてＴｉＮ_ｘと表され、窒化タンタルは本明細書においてＴａＮ_ｘと表され、その他も同様である。

[0024] 「シリコン」は、Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、単結晶ＳｉおよびＳｉＧｅ、ならびに、酸化シリコン、熱酸化物、ＳｉＯＨおよびＳｉＣＯＨなどの他のシリコン含有材料を含むものとして定義してよい。シリコンは、例えば、ＦＥＴや集積回路といった電子デバイスの基板としてまたは基板の一部として使用され得るシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハ内に含まれる。その他のタイプのウェーハがシリコンを含んでいてもよい。

[0025] 本明細書において使用される「下層シリコン含有」層とは、シリコン、ゲート酸化物（例えば、熱成長または化学成長ＳｉＯ_２）およびＴＥＯＳを含む酸化シリコン、窒化シリコン、および低誘電率（low-k）誘電体材料を含む、バルクおよび／または硬化フォトレジストの直下にある１以上の層に相当する。本明細書において定義される「低誘電率（low-k）誘電体材料」とは、積層マイクロ電子デバイスにおいて誘電体材料として使用される材料であって、約３．５未満の誘電率を有するあらゆる材料に相当する。低誘電率（low-k）誘電体材料は、シリコン含有有機ポリマー、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、二酸化シリコン、および炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料を含むことが好ましい。低誘電率（low-k）誘電体材料は異なる密度および異なる空隙率を有してよいことが理解されるべきである。

[0026] 本明細書において定義される「実質的に含まない（substantially devoid）」とは、組成物の全重量に対して、組成物の約２重量％未満、より好ましくは１重量％未満、もっとも好ましくは０．１重量％未満であることに相当する。

[0027] 本明細書において使用される「フッ化物」種とは、イオン化したフッ化物（Ｆ）または共有結合フッ素を含む種に相当する。このようなフッ化物種は、１つのフッ化物種として含まれていてもよいし、その場で生成されてもよいことが理解されるべきである。

[0028] レジスト剥離の４つの重要な側面は、（ｉ）比較的低温での剥離、（ｉｉ）許容されるウェーハスループットを可能にするための比較的短時間でのレジスト剥離、（ｉｉｉ）マイクロ電子デバイス表面からの実質的に完全なレジスト除去、（ｉｖ）レジスト剥離から生じ得る、他の材料（例えば、シリコン、金属ゲート、またはその両方）に対するダメージ、またはマイクロ電子デバイス表面からのそれら他の材料の望ましくない除去を最小限に抑える、あるいは実質的に排除すること、である。材料へのダメージまたはその除去の例としては、シリコン、あるいは窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ）、例えば、ＦＥＴの金属ゲートに含まれるＴｉＮ_ｘまたは半導体と金属との間のバリアに含まれるＴｉＮ_ｘへのダメージまたはそれらの除去が含まれるが、これらに限定されない。ダメージは、例えば、溶解（エッチング）、酸化物などの異なる固相への転換、または両者の組み合わせを伴い得る。

[0029] 第１の態様において、レジスト、詳細には、高ドーズ注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスから該レジストを剥離するための組成物が記載される。このレジストを剥離するための組成物は、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含むか、これらからなるか、または基本的にこれらからなる。ただし、リン含有酸はリン酸それ自体を含むことができない。別の実施形態において、レジストを剥離するための組成物は、硫酸と、少なくとも１種のホスホン酸またはホスホン酸誘導体とを含むか、これらからなるか、または基本的にこれらからなる。さらに別の実施形態において、レジストを剥離するための組成物は、硫酸と、少なくとも１種のホスホン酸またはホスホン酸誘導体と、少なくとも１種の酸化剤とを含むか、これらからなるか、または基本的にこれらからなる。ただし、少なくとも１種の酸化剤は過酸化水素それ自体を含むことができない。一般に、当該分野の技術知識の範囲内で過度の負担を必要とせず容易に決定することができるように、各成分同士の具体的割合および量は、レジストおよび／または処理設備にとって望ましい組成物の除去作用が提供されるように適宜変更してよい。

[0030] 硫酸は、濃硫酸であることが好ましく、市販品としては９５％〜９８％Ｈ_２ＳＯ_４である。硫酸は、組成物の全重量に対して約５０重量％から約９９重量％の範囲、より好ましくは約８０重量％から約９９重量％の範囲で組成物中に存在し得る。

[0031] リン含有酸は、ホスホン酸、ホスホン酸誘導体およびリン酸誘導体を含むことができる。ホスホン酸およびその誘導体としては、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＲＰ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ'''−テトラキス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＰ）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸（すなわち、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、ビス（ヘキサメチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸））（すなわち、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０９０）、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＯＴＰ）、Ｎ−（ホスホノメチル）−イミノ二酢酸、２−アミノ−２−プロピルホスホン酸、イミノビス（メチレンホスホン酸）、５−（リン酸二水素）−ピリドキサール、アミノ（フェニル）メチレン−ジホスホン酸、エチレンビス（イミノ−（２−ヒドロキシフェニル）メチレン（メチル）−ホスホン酸））、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ）、これらの塩およびこれらの組み合わせが含まれるが、上記に限定されない。リン酸誘導体としては、リン酸トリブチルエステル；リン酸トリエチルエステル；リン酸トリス（２−エチルヘキシル）エステル；リン酸モノメチルエステル；リン酸イソトリデシルエステル；リン酸２−エチルヘキシルジフェニルエステル；およびリン酸トリフェニルエステルなどのリン酸エステルが含まれるがこれらに限定されない。もっとも好ましくは、リン含有酸は、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０９０またはＥＤＴＭＰＡを含む。リン含有酸は、組成物の全重量に対して約１重量％から約５０重量％の範囲、好ましくは約１重量％から約２０重量％の範囲で組成物中に存在してよい。

[0032] 少なくとも１種の酸化剤は、フォトレジストの除去を助けるために加えることができる。考えられる酸化剤としては、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩（例えば、過ヨウ素酸アンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム）、過硫酸アンモニウム、過塩素酸、過塩素酸塩（例えば、過塩素酸アンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム）、オキソン（２ＫＨＳＯ_５・ＫＨＳＯ_４・Ｋ_２ＳＯ_４）、オゾン、セリウム（ＩＶ）塩または配位錯体、およびこれらの組み合わせが含まれるがこれらに限定されない。セリウム（ＩＶ）塩は、例えば、硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）であってよい。硝酸セリウムアンモニウムの化学式は、Ｃｅ（ＮＨ_４）_２（ＮＯ_３）_６または（ＮＨ_４）_２Ｃｅ（ＮＯ_３）_６と表し得る。使用し得る他のセリウム（ＩＶ）塩としては、硝酸セリウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸セリウム、重硫酸セリウム、過塩素酸セリウム、メタンスルホン酸セリウム、トリフルオロメタンスルホン酸セリウム、塩化セリウム、水酸化セリウム、カルボン酸セリウム、セリウムβ−ジケトン、トリフルオロ酢酸セリウムおよび酢酸セリウムが含まれるがこれらに限定されない。１種以上の酸化剤が存在する場合、組成物中のそれらの量は、組成物の全重量に対して約０．１重量％から約２５重量％である。少なくとも１種の酸化剤はＣＡＮを含むことが好ましい。

[0033] 第１の態様の組成物は、付加水および有機溶媒を実質的に含まない。濃縮Ｈ_２ＳＯ_４は少量の水を含むが、本明細書に記載される組成物には追加の水が付加されないことが好ましいことが理解されるだろう。したがって、第１の態様の組成物は、組成物の全重量に対して、約５重量％未満の付加水を含み、より好ましくは３重量％未満の付加水を含み、もっとも好ましくは２重量％未満の付加水を含む。本明細書において定義される「付加水」とは、製造者または第１の態様の組成物の使用者が希釈やその他の目的のために意図的に当該組成物の成分に対して加える水に相当する。購入された市販の成分（例えば、濃縮Ｈ_２ＳＯ_４）に存在する水は、「付加水」とはみなされない。さらに、第１の態様の組成物は、研磨材料、過酸化水素、湿潤剤（例えば、酢酸、クエン酸またはカルボン酸基を含む他の化合物）、タングステン、フッ化物イオン、銅イオンまたは銅含有残基、および硫酸カリウムを実質的に含まないことが好ましい。

[0034] 第１の態様の組成物のｐＨは約２未満であり、より好ましくは約１未満である。第１の態様の組成物のｐＨは、使用される成分およびその量によってはゼロ未満であってもよいことが理解されるべきである。

[0035] 別の実施形態において、第１の態様の組成物は、バルクおよび硬化レジスト材料をさらに含み、このバルクおよび硬化レジスト材料はホウ素、ヒ素、二フッ化ホウ素、インジウム、アンチモン、ゲルマニウム、炭素および／またはリンイオンを含み得る。例えば、第１の態様の組成物は、硫酸と、ホスホン酸またはホスホン酸誘導体と、バルクおよび硬化レジスト材料とを含んでよい。別の実施形態において、第２の態様の組成物は、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸と、バルクおよび硬化レジスト材料とを含んでよい。ただし、リン含有酸はリン酸それ自体を含むことはできない。さらに別の実施形態において、第１の態様の組成物は、硫酸と、ホスホン酸またはホスホン酸誘導体と、少なくとも１種の酸化剤と、バルクおよび硬化レジスト材料とを含んでよい。ただし、少なくとも１種の酸化剤は過酸化水素そのものを含むことはできない。レジスト材料および注入イオンは第１の態様の組成物中に溶解および／または懸濁されてよい。

[0036] 第１の態様の組成物は、マイクロ電子デバイス上の下層シリコン含有材料および金属ゲート材料と親和性を有する。

[0037] 第１の態様の組成物は、単一パッケージの調合物として、または、使用時および／または使用前に混ぜ合わされる複部構成の調合物として容易に調合され得る。例えば、複部構成の調合物の個々の部分は、ツールにおいて、ツールより上流の貯蔵槽内において、あるいは混ぜ合わされた調合物をツールに直接供給する輸送容器内において混ぜ合わされてよい。例えば、１つの輸送パッケージが少なくとも２つの別個の容器または内袋（bladder）を含み、これらが製造工場において使用者によって混ぜ合わされ、混ぜ合わされた調合物が直接ツールに供給されてもよい。輸送パッケージおよびパッケージ内部の容器または内袋は、当該組成物成分の貯蔵および輸送に適したものでなければならず、例えば、アドバンスド・テクノロジー・マテリアルズ，インコーポレイテッド（米国コネティカット州ダンブリー）が提供するパッケージングがある。

[0038] あるいは、第１の態様の組成物の濃縮物を調合し、この濃縮物を、輸送のため、ならびに使用前および／または使用中におけるオンサイトでの成分混合のために１つの容器に詰めてもよく、かかる使用方法が本明細書中に記載される。例えば、使用前および／または使用中に硫酸を添加するように濃縮物を調合することができる。組成物が硫酸と、ホスホン酸またはホスホン酸誘導体と、少なくとも１種の酸化剤とを含み、ただし、少なくとも１種の酸化剤は過酸化水素それ自体を含むことはできない場合、ホスホン酸（またはホスホン酸誘導体）および少なくとも１種の酸化剤は、調合物の貯蔵寿命および浴寿命を延ばすようにツールにおいて混合されることが考えられる。

[0039] 別の態様は、本明細書中に記載されるように、第１の態様の組成物を形成するように適合された１種以上の成分を１以上の容器内に含むキットに関する。このキットの容器は、当該組成物の貯蔵および輸送に適したものでなければならず、例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器（アドバンスド・テクノロジー・マテリアルズ，インコーポレイテッド、米国コネティカット州ダンブリー）がある。本明細書中に記載される組成物の成分を収容する１以上の容器は、当該１以上の容器内の成分を混合および分配のために流体連通させる手段を含むことが好ましい。例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器を参照すると、上記１以上の容器内のライナの外側にガス圧を加えることで、ライナの中身の少なくとも一部分が排出され、それにより混合および分配のための流体連通が可能となるようにすることができる。あるいは、従来の加圧可能容器の先端スペースにガス圧を加える、またはポンプを使用することで流体連通を可能にしてもよい。また、このシステムは、混合した組成物をプロセスツールに分配するための分配ポートを含むことが好ましい。

[0040] 上記１以上の容器のライナを製造するために、実質的に化学的に不活性であり、不純物を含まず、柔軟性かつ弾性であるポリマー膜材料、例えば、ＰＴＦＥまたはＰＴＦＡが好ましく使用される。望ましいライナ材料は、共押出しまたはバリア層を必要とすることなく、かつ、ライナ内に配置されるべき成分の純度要件に悪影響を及ぼし得るあらゆる顔料、紫外線抑制剤、または処理剤を使用することなく処理される。望ましいライナ材料の一覧には、再生品でないポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＰＦＡ、Ｈａｌａｒ（登録商標）などを含む膜類が含まれる。このようなライナ材料の好ましい厚さは、約５ミル（０．００５インチ）から約３０ミル（０．０３０インチ）の範囲であり、例えば、２０ミル（０．０２０インチ）の厚さである。

[0041] 上記キットのための容器に関し、以下の特許および特許出願、米国特許第７，１８８，６４４号（発明の名称：「超高純度液体中の粒子の生成を最小限にするための装置および方法」）、米国特許第６，６９８，６１９号（発明の名称：「返却可能かつ再使用可能なバッグインドラム流体貯蔵および分配容器システム」）、２００８年５月９日にジョン イー． キュー． ヒューズの名前で出願された国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ０８／６３２７６号（発明の名称：「材料混合および分配システムおよび方法」）および２００８年１２月８日にジョン イー． キュー． ヒューズらの名前で出願された国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ０８／８５８２６号（発明の名称：「流体を含む加工材料混合物を搬送するシステムおよび方法」）の開示が、参照により、それぞれその全体が本明細書に組み込まれる。

[0042] 第３の態様において、本明細書中に記載される組成物は、マイクロ電子デバイスの表面からバルクおよび硬化レジストを取り除くために有用に採用される。第３の態様のマイクロ電子デバイスは、その上またはその内部に電子デバイスが形成されるウェーハ、例えば、半導体ウェーハであってよい。マイクロ電子デバイスは、トランジスタ、例えば、金属ゲート（例えば、ＴｉＮ_ｘを含む金属ゲート）を備えるＦＥＴなどのＦＥＴを備え得る。マイクロ電子デバイスによっては、ウェーハが提供される際に部分的に形成されてもよく、例えば、ウェーハが提供される前にソース／ドレイン領域またはチャネル領域のイオン注入が行われていてもよい。レジストはウェーハの上面に付着されてよい。レジストによって覆われていないウェーハ部分のイオン注入がなされる間に、レジストがイオン注入（例えば、ＨＤＩＩ）されてもよい。このレジストに対するイオン注入は、硬化し、クラスト化し、重合化し、かつ／または炭化した外層の形成をレジスト内に引き起してしまう場合がある。組成物は、デバイス表面の低誘電率（low-k）誘電体材料または金属ゲート材料、例えば、ＴｉＮ_ｘに対して選択的にダメージを与えないように調合される。本明細書に記載される組成物は、レジスト除去前にデバイス上に存在したバルクおよび硬化レジストの少なくとも８５％を除去することが好ましく、より好ましくは少なくとも９０％、さらに好ましくは少なくとも９５％、もっとも好ましくは少なくとも９９％を除去する。

[0043] 除去用途において、第１の態様の組成物は、その上にレジスト材料を有するマイクロ電子デバイスに対してあらゆる好適な方法で塗布することができ、例えば、デバイス表面に組成物を噴霧する、レジスト材料を含むデバイスを（一定量の組成物中に）浸漬する、組成物を含浸させた別の材料、例えば、パッドまたは繊維状吸着剤アプリケータ要素にデバイスを接触させる、レジスト材料を含むデバイスを循環する組成物に接触させる、あるいは組成物をマイクロ電子デバイス上のレジスト材料に接触させるその他の好適な手段、方法または技術により塗布することができる。動的または静的クリーニングのため、塗布はバッチまたは単一ウェーハ装置において行い得る。

[0044] その上にバルクおよび硬化レジストを有するマイクロ電子デバイスから該レジストを除去するための第１の態様の組成物の使用において、通常、約１０秒から約６０分の時間、約２０℃から約２００℃の範囲、好ましくは約４０℃から約１００℃の範囲の温度で組成物をデバイスに接触させる。このような接触時間および温度は例示であり、デバイスからバルクおよび硬化レジストを少なくとも部分的に取り除くために効果的なその他の好適な時間および温度条件を採用してよい。「少なくとも部分的に取り除く」および「実質的な除去」との表現はどちらも、レジスト除去前にデバイス上に存在した硬化したレジストの少なくとも８５％を除去することに相当し、より好ましくは少なくとも９０％、さらに好ましくは少なくとも９５％、もっとも好ましくは少なくとも９９％を除去することに相当する。

[0045] 第３の態様の一実施形態において、第１の態様の組成物は、マイクロ電子デバイス表面からバルクおよび硬化レジストを除去するために該表面に塗布され、続いて、デバイス表面をセリウム含有組成物に接触させる。その後、デバイス表面を再び第１の態様の組成物に接触させることにより、デバイス表面からのバルクおよび硬化レジストの実質的な除去を達成することができる。デバイス表面を（ａ）第１の態様の組成物、（ｂ）セリウム含有組成物、および（ｃ）第１の態様の組成物に対しこの順序で暴露するプロセスは、デバイス表面の低誘電率（low-k）誘電体材料または金属ゲート材料、例えば、ＴｉＮ_ｘにダメージを与えることなくバルクおよび硬化レジストを実質的に除去するという利点を有する。セリウム含有組成物は、セリウム元素の少なくとも１種の塩または配位錯体を含んでよい。セリウムの塩は、例えば、硝酸セリウムアンモニウムであってよい。硝酸セリウムアンモニウムの化学式は、Ｃｅ（ＮＨ_４）_２（ＮＯ_３）_６または（ＮＨ_４）_２Ｃｅ（ＮＯ_３）_６と表し得る。硝酸セリウムアンモニウムは、ＣＡＮ、硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウム、硝酸セリウムアンモニウム（ceric ammonium nitrate）および硝酸アンモニウムセリウムとしても知られている。本明細書において使用されるＣＡＮは、硝酸セリウムアンモニウムを意味する。ＣＡＮは、酸化剤として使用し得るオレンジ色の水溶性の塩である。使用し得る他のセリウム塩としては、硝酸セリウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸セリウム、重硫酸セリウム、過塩素酸セリウム、メタンスルホン酸セリウム、トリフルオロメタンスルホン酸セリウム、塩化セリウム、水酸化セリウム、カルボン酸セリウム、セリウムβ−ジケトン、トリフルオロ酢酸セリウムおよび酢酸セリウムが含まれるがこれらに限定されない。本発明のいくつかの実施形態においては、溶液が、上記のセリウム塩のうちの２種以上を含んでいてもよい。好ましくは、セリウム塩は硝酸セリウムアンモニウムを含む。セリウム塩の濃度の有効な範囲は、溶液の全重量に対して、約０．０１重量％から約７０重量％であり、好ましくは約０．０１重量％から約３０重量％である。

[0046] 第３の態様の他の実施形態が考えられることを理解すべきであり、例えば、（ｉ）濃硫酸への暴露、セリウム含有組成物への暴露、第１の態様の組成物への暴露、（ｉｉ）第１の態様の組成物への暴露、セリウム含有組成物への暴露、濃硫酸への暴露、（ｉｉｉ）セリウム含有組成物への暴露、第１の態様の組成物への暴露、（ｉｖ）第１の態様の組成物への暴露、セリウム含有組成物への暴露、（ｖ）第１の態様の組成物への暴露、セリウム含有組成物への暴露、第１の態様の組成物への暴露、または（ｖｉ）第１の態様の組成物への暴露のみ、が含まれるがこれらに限定されない。また、当業者によって容易に決定されるように、剥離プロセスを完了するために組成物を様々な温度で使用してよいことが理解されるべきである。

[0047] 所望の除去作用が達成されると、本明細書に記載される組成物の任意の最終用途において望ましく、かつ有効であり得るように、第１の態様の組成物は、それまで塗布されていたデバイスから直ちに除去されてよい。洗浄液は脱イオン水を含むことが好ましい。あるいは、洗浄プロセスが水洗浄を含み、これに続いてＳＣ−１（Ｈ_２Ｏ_２−ＮＨ_４ＯＨ−Ｈ_２Ｏ）洗浄と、さらに続いてＤＩ水による第２洗浄が行われる。洗浄プロセスの間、ＳＣ−１組成物を本明細書に記載される少なくとも１種のリン含有酸を含むように変性することでＴｉＮ_ｘの損失をさらに制限することができる。当業者によって容易に決定されるように、洗浄プロセスを完了するために洗浄液を様々な温度で使用してよいことが理解されるべきである。その後、窒素、イソプロパノール（ＩＰＡ）、またはスピン乾燥サイクルを使ってデバイスは乾燥され得る。

[0048] さらに別の態様は、本明細書に記載される方法に従って作られた改良されたマイクロ電子デバイス、およびそのようなマイクロ電子デバイスを含む製品に関する。

[0049] 別の態様は、再利用される組成物であって、当業者によって容易に決定されるような、この組成物が許容し得る最大量にフォトレジストの成分の投入が達するまで再利用することが可能な組成物に関する。当業者は、この再利用プロセスにはろ過および／または圧送システムが必要となり得ることを理解すべきである。

[0050] さらに別の態様は、マイクロ電子デバイスを備える物品を製造する方法に関し、この方法は、その上にバルクおよび硬化レジストを有するマイクロ電子デバイスから該レジストを取り除くために十分な時間、マイクロ電子デバイスを第１の態様の組成物に接触させることと、本明細書に記載される組成物を使用して、マイクロ電子デバイスを物品に組み込むことと、を含む。

[0051] さらに別の態様は、高ドーズイオン注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスの表面から該レジストを除去することに関し、この方法は、
レジストの少なくとも部分的な除去を達成するために必要な時間および温度で、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含む第１組成物であって、ただし、リン含有酸はリン酸それ自体を含むことはできない第１組成物にマイクロ電子デバイスを接触させることと、
レジストの追加的な除去を達成するためにマイクロ電子デバイスをセリウム含有組成物に接触させることと、
デバイスからのレジストの実質的な除去を完了するためにマイクロ電子デバイスを第１組成物に接触させることと、
を含む。

[0052] 本発明の特徴および利点は、以下に説明される例示的な実施例によってより十分に示される。
実施例１

[0053] 以下の調合物を調整し、試験片からバルクおよび硬化レジストを除去するため、本明細書に記載されるプロセスにおいてこれらの調合物を使用した。
調合物Ａ：１００％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｂ：１０％Ｈ_３ＰＯ_４（８６％）、９０％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｃ：２０％Ｈ_３ＰＯ_４（８６％）、８０％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｄ：５０％Ｈ_３ＰＯ_４（８６％）、５０％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｅ：３％Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００ｅｇ（５０％）、９７％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｆ：１０％Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００ｅｇ（５０％）、９０％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｇ：４．６％Ｄｅｑｕｅｓｔ２０９０（４５％）、９５．４％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）
調合物Ｈ：１．６４％ＥＤＴＭＰＡ、９８．３６％Ｈ_２ＳＯ_４（９６％）

[0054] 上記プロセスでは、ＴｉＮ_ｘを含む試験片を調合物Ａ〜Ｆそれぞれに５４℃で２９分間浸し、続いて、この試験片をセリウム含有組成物に７０℃で６０分間浸し、続いて、各調合物Ａ〜Ｆに５４℃で２０分間再度浸した。各試験片のＴｉＮ_ｘ損失ならびにＴｉＯ_２損失について、エリプソメータ分析を使用して分析した。なお負の値はその種が成長していることを表す。結果を表１に示す。

[0055] Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００ｅｇを含む調合物（ＥおよびＦ）は、ＴｉＮ_ｘのエッチレートを調合物Ａの半分に下げることができた一方、溶解したＴｉＮ_ｘの約半分が酸化物に置き換えられたことが分かる。特に、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００ｅｇの量は、ＴｉＮ_ｘ損失にも酸化物の増加にも影響を及ぼさないものと見られた。さらに、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０９０およびＥＤＴＭＰＡを含む調合物はＴｉＮ_ｘ損失の減少がもっとも大きく、ＴｉＮ_ｘ＋ＴｉＯ_２損失全体での減少ももっとも大きかった。

[0056] また、溶液を使用してフォトレジストを除去し、除去の有効性に基づいて１から１０の段階で等級付けした。使用した方法は本明細書に記載されるものであって、レジストを含む試験片を調合物に浸し、続いてセリウム含有溶液に浸し、続いて調合物に再度浸した。図１を参照すると、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０００ｅｇを含む調合物（すなわち、調合物ＥおよびＦ）、Ｄｅｑｕｅｓｔ２０９０を含む調合物（調合物Ｇ）およびＥＤＴＭＰＡを含む調合物（調合物Ｈ）はすべて、調合物Ａを使用した場合に比べてより効果的にフォトレジストを除去したことが分かる。

[0057] 本明細書において例示的実施形態および特徴を参照しながら様々な方法で本発明を開示してきたが、本明細書において上述された実施形態および特徴は本発明を限定することを意図しておらず、本明細書中の開示から、当業者には他の変形、改変および他の実施形態が示唆されることが理解されるだろう。したがって、本発明は、以下に記載される請求の範囲の趣旨および範囲において、そのような変形、改変および代替的実施形態の全てを包含すると広く解釈されるべきである。

Claims (21)

1. レジストを剥離するための組成物であって、硫酸と、少なくとも１種のリン含有酸とを含むが、前記リン含有酸がリン酸それ自体を含むことはできない、組成物。
2. 前記硫酸は濃縮されている、請求項１に記載の組成物。
3. 硫酸の量は、前記組成物の全重量に対して約５０重量％から約９９重量％の範囲である、請求項１または２に記載の組成物。
4. 少なくとも1種のリン含有酸は、ホスホン酸、ホスホン酸誘導体、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＲＰ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ'''−テトラキス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＰ）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、ビス（ヘキサメチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸））、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＯＴＰ）、Ｎ−（ホスホノメチル）−イミノ二酢酸、２−アミノ−２−プロピルホスホン酸、イミノビス（メチレンホスホン酸）、５−（リン酸二水素）−ピリドキサール、アミノ（フェニル）メチレン−ジホスホン酸、エチレンビス（イミノ−（２−ヒドロキシフェニル）メチレン（メチル）−ホスホン酸））、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ）、これらの塩およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
5. ホスホン酸、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＲＰ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ'''−テトラキス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＰ）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、ビス（ヘキサメチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸））、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ'，Ｎ''−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＯＴＰ）、Ｎ−（ホスホノメチル）−イミノ二酢酸、２−アミノ−２−プロピルホスホン酸、イミノビス（メチレンホスホン酸）、５−（リン酸二水素）−ピリドキサール、アミノ（フェニル）メチレン−ジホスホン酸、エチレンビス（イミノ−（２−ヒドロキシフェニル）メチレン（メチル）−ホスホン酸））、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ）、これらの塩およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるホスホン酸誘導体を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
6. リン含有酸の量は、前記組成物の全重量に対して約１重量％から約５０重量％の範囲の量である、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
7. 少なくとも１種の酸化剤をさらに含むが、該少なくとも1種の酸化剤は過酸化水素それ自体を含むことはできない、請求項５に記載の組成物。
8. 前記少なくとも１種の酸化剤は、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、過硫酸アンモニウム、過塩素酸、過塩素酸塩、オキソン（２ＫＨＳＯ_５・ＫＨＳＯ_４・Ｋ_２ＳＯ_４）、オゾン、セリウム（ＩＶ）塩、セリウム（ＩＶ）配位錯体、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項７に記載の組成物。
9. 前記セリウム（ＩＶ）塩は、硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）、硝酸セリウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸セリウム、重硫酸セリウム、過塩素酸セリウム、メタンスルホン酸セリウム、トリフルオロメタンスルホン酸セリウム、塩化セリウム、水酸化セリウム、カルボン酸セリウム、セリウムβ−ジケトン、トリフルオロ酢酸セリウム、酢酸セリウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項８に記載の組成物。
10. 前記少なくとも１種の酸化剤は、硝酸セリウムアンモニウムを含む、請求項７に記載の組成物。
11. 前記組成物は、付加水、研磨材料、過酸化水素、湿潤剤、タングステン、フッ化物イオン、銅イオンまたは銅含有残基、および硫酸カリウムのうちの少なくとも１つを実質的に含まない、請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
12. 前記組成物は、約２未満のｐＨを有する、請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物。
13. 高ドーズイオン注入されたレジストを含むマイクロ電子デバイスの表面から該レジストを除去する方法であって、前記レジストの少なくとも部分的な除去を達成するために必要な時間および温度で、請求項１〜１２に記載の組成物に前記マイクロ電子デバイスを接触させることを含む、方法。
14. 前記レジストの追加的除去を達成するために前記マイクロ電子デバイスをセリウム含有組成物に接触させることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記デバイスからの前記レジストの実質的な除去を完了するために請求項１〜１２に記載の組成物に前記マイクロ電子デバイスを接触させることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
16. 前記デバイスを洗浄することをさらに含む、請求項１３〜１５のいずれかに記載の方法。
17. 前記洗浄は、水洗浄と、これに続くＳＣ−１洗浄と、これに続くＤＩ水による第２洗浄を含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記ＳＣ−１洗浄は、過酸化水素、水酸化アンモニウムおよび水を含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記組成物は、前記デバイス表面の低誘電率（low-k）誘電体材料または金属ゲート材料に実質的なダメージを与えない、請求項１３〜１８のいずれかに記載の方法。
20. 前記レジストは、ホウ素、二フッ化ホウ素、ヒ素、インジウム、ガリウム、ゲルマニウム、ビスマス、キセノン、リンおよびアンチモンからなる群から選択されるドーパント種による注入を受ける、請求項１３〜１９のいずれかに記載の方法。
21. 前記組成物は、前記マイクロ電子デバイスの表面に接触する直前に混合される、請求項１３〜２０のいずれかに記載の方法。

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