JP5349326B2 - 窒化ケイ素の選択的除去のための組成物および方法 - Google Patents
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Description
本発明は、酸化ケイ素、ポリシリコンおよび/または金属シリサイドの存在下で窒化ケイ素を選択的にエッチングするための組成物および方法に関し、より詳しくは、特に多層半導体ウェハ構造において、酸化ケイ素、ポリシリコンおよび/または金属シリサイドの露出層または下側層に関して、高エッチング速度および高選択性で窒化ケイ素層を有効にそして効率的にエッチングするための組成物および方法に関する。
改善されたデバイス性能に対する継続的な要求により、デバイス寸法を低下することに継続して重点が置かれており、これは、デバイス密度の著しい増大およびデバイス性能の改善という二重の利点を提供する。デバイス寸法の低下は、電荷キャリア、例えば電子が移動する必要のある経路をより短くするので、デバイス性能が改善される。
本発明は、酸化ケイ素、ポリシリコンおよび/または金属シリサイドの存在下で窒化ケイ素を選択的にエッチングするための除去組成物および方法に関し、より詳しくは、特に多層半導体ウェハ構造において、酸化ケイ素、ポリシリコンおよび/または金属シリサイドの露出層または下側層に関して、高エッチング速度および高選択性で窒化ケイ素層を有効にそして効率的にエッチングするための組成物および方法に関する。
(a)フッ化水素、水、および少なくとも1種の有機溶媒を混ぜ合わせて半水性溶液を形成することと、
(b)攪拌しながら半水性溶液にテトラエトキシシランを添加し、冷却して、濃縮物を形成することと
を含む。方法はさらに、水および/または少なくとも1種の有機溶媒を含む希釈剤を添加して、所望の濃度のフルオロケイ酸を得ることを含んでもよい。
本発明の1つの態様は、ポリシリコン(poly−Si)と、酸化ケイ素前駆体源から付着された酸化ケイ素材料とに対して窒化ケイ素を選択的に除去し、従って、窒化ケイ素材料をマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するためのエッチャントとして有用である除去組成物に関する。存在し得る金属シリサイド材料は、前記除去組成物によって実質的に腐食されてはならない。
6HF+SiO2(xcs) → H2SiF6+2H2O
3SiF4+2H2O → 2H2SiF6+SiO2
である。従って、市販のフルオロケイ酸は工程の詳細に応じて若干のSiO2を含むことが多く、従って、与えられた比率のケイ酸は、意図的に添加されるケイ酸に加えて、商業的に調製されたフルオロケイ酸中に見られるSiO2も含む。言い換えると、組成物の製造中、より多量のケイ酸源は、より多量のSiO2を有する市販のフルオロケイ酸よりも、少量のSiO2を含有する市販のフルオロケイ酸と混ぜ合わせられなければならず、市販のフルオロケイ酸中のSiO2の量はロットによって変わる。本発明の組成物中のフルオロケイ酸の量は、組成物の全重量を基準として約0.001重量%〜約50重量%の範囲である。比率にかかわらず、組成物は、好ましくは、除去工程の温度で実質的にケイ酸が飽和されている。
配合物A: 7重量%のジエチレングリコールメチルエーテル、3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、0.0875重量%のSiO2、89.91重量%の水
配合物B: 7重量%のジプロピレングリコールメチルエーテル、3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、0.192重量%のTEOS、89.81重量%の水
配合物C: 7重量%のジプロピレングリコールメチルエーテル、3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、0.192重量%のTEOS、1重量%のKorantin(登録商標)PP、0.1重量%のジメチルグリオキシム、88.71重量%の水
配合物D: 7重量%のジプロピレングリコールメチルエーテル、3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、0.192重量%のTEOS、0.3重量%のKorantin(登録商標)PP、0.03重量%のジメチルグリオキシム、89.48重量%の水
配合物E: 7重量%のジプロピレングリコールメチルエーテル、3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、0.192重量%のTEOS、0.1重量%のKorantin(登録商標)PP、0.03重量%のジメチルグリオキシム、89.68重量%の水
配合物F: 70gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS
配合物G: 170gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS
配合物H: 70gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS、930gのDI水、1gのKorantin(登録商標)PP、0.1gのジメチルグリオキシム
配合物I: 70gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS、930gのDI水、2gのKorantin(登録商標)PP、0.05gのジメチルグリオキシム、12gのDequest 2000EG
配合物J: 70gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS、930gのDI水、5gのKorantin(登録商標)PP、0.25gのジメチルグリオキシム、24gのDequest 2000EG
配合物K: 170gのジプロピレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(35%)、0.46gのTEOS、830gのDI水、1gのKorantin(登録商標)PP、0.1gのジメチルグリオキシム
配合物L: 70gのジプロピレングリコールメチルエーテル、17.86gのHF(49%)、18.24gのTEOS、892.86gのDI水、1gのKorantin PP、0.1gのジメチルグリオキシム
配合物M: 7.1重量%のDPGME、3.0重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、0.382重量%のTEOS、0.2重量%のKorantin PP、0.00625重量%のジメチルグリオキシム、88.1重量%の水
配合物N: 7.31重量%のDPGME、3.1重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、0.404重量%のTEOS、0.006重量%のジメチルグリオキシム、87.98重量%の水
配合物O: 7.31重量%のDPGME、3.1重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、0.404重量%のTEOS、0.006重量%のジメチルグリオキシム、0.2重量%のKorantin PP、87.78重量%の水
配合物P: 7重量%のDPGME、3.0重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、1.4重量%のDL−メチオニン、0.28重量%のTEOS、0.06重量%のジメチルグリオキシム、87.06重量%の水
配合物Q: 7重量%のDPGME、3.0重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、1.4重量%のDL−メチオニン、0.34重量%のTEOS、0.06重量%のジメチルグリオキシム、87重量%の水
配合物AA: 70gのジエチレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(水中35%)、0.875gのSiO2
配合物AB: 70gのジエチレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(水中35%)、2.19gのSiO2
配合物AC: 70gのジエチレングリコールメチルエーテル、30gのフルオロケイ酸(水中35%)、1.92gのTEOS
配合物AD: 70gのDPGME、0.60gのジメチルグリオキシム(混合して)、30gのフルオロケイ酸(水中35%)、50gの水、3.40gのTEOS
15gのフルオロケイ酸、35gのDPGMEまたはジエチレングリコールメチルエーテルおよび1.52〜1.92gのTEOSまたは同等量の1ミクロンのシリカガラス粉末を混ぜ合わせることによって濃縮配合物を製造した。ケイ酸源としてTEOSを含む濃縮物は、20〜23℃で少なくとも1時間撹拌することによってエージングされ、次に、本発明の除去組成物として使用するために希釈される。シリカ粉末を含む濃縮物は、室温で1〜3日間撹拌され、次に、本発明の除去組成物として使用するために希釈される。例えば、濃縮物は10:1のDI水対濃縮物比で脱イオン水により希釈することができる。
ブランケット化RTCVD蒸着Si3N4(約850Åの厚さ)を配合物AおよびB中に80℃で100分まで浸漬した。まず、光学干渉計(Nanospec)を用いてウェハを測定して浸漬前の厚さを決定した後、各ウェハをきれいな除去組成物中に個々に浸漬し、25分間隔をおいてウェハを引き出し、脱イオン水ですすぎ、窒素で送風乾燥させ、光学干渉計を用いて浸漬後の測定を行い、厚さの変化を決定して、窒化ケイ素のエッチング速度を導出した。結果は表1に示される。
ブランケット化RTCVD蒸着Si3N4(約600Åの厚さ)を配合物B、C、およびE中に80℃で30分間浸漬した。まず、光学干渉計(Nanospec)を用いてウェハを測定して浸漬前の厚さを決定した後、各ウェハをきれいな除去組成物中に個々に浸漬し、ウェハを引き出し、脱イオン水ですすぎ、窒素で送風乾燥させ、光学干渉計を用いて浸漬後の測定を行い、厚さの変化を決定して、窒化ケイ素のエッチング速度を導出した。結果は表3に示される。
35gのDPGME、5.56gの脱イオン水および8.93gのHF(49%)を混ぜ合わせて溶液を形成し、次に、激しく撹拌しながら9.12gのTEOSを前記溶液に一滴ずつ添加し、冷却して濃縮物を形成することによって、SiO2が飽和したフルオロケイ酸溶液をその場で調製した。室温で3日間撹拌した後、濃縮物中のゼラチン状の沈殿物は溶解した。その後、2.2gの透明濃縮物、17.74gのDI水、0.02gのKorantin(登録商標)PPおよび0.04gの5%のDPGME中のジメチルグリオキシムを混ぜ合わせて、市販のフルオロケイ酸から出発して調製したものと同様の特性を有する除去組成物を形成した。
ブランケット化poly−Siを配合物H中に80℃で浸漬し、エッチング速度を決定した。30分および60分後に、poly−Siのエッチング速度は、それぞれ約0.0048Å分−1および0.073Å分−1であった。
別の実験において、過酸化物源およびホウ酸の有無にかかわらず希フルオロホウ酸を含む溶液はSiO2に対してSi3N4の比較的高い選択性を示すが、Si3N4のエッチング速度は低いことが決定された。例えば、0.39%のフルオロホウ酸溶液は、50℃で約10:1のSi3N4:SiO2(熱)の選択性を有したが、Si3N4のエッチング速度はわずか2.5Å分−1であった。希釈すると、Si3N4のエッチング速度は増大するが選択性を犠牲にし、選択性は低下する。
85℃で6〜24時間、2つの異なる有機溶媒濃度で様々なTEOS濃度を有する配合物中に浸漬した後、ブランケット化熱酸化物のエッチング速度を決定した。エッチング配合物は、組成物の全重量を基準として3重量%のフルオロケイ酸(水中35%)、1.2重量%のDequest 2000EG、0.2重量%のKorantin PP、0.00625重量%のジメチルグリオキシム、7重量%のDPGMEまたは28重量%のDPGMEのいずれか、0.168〜0.614重量%のTEOS(図1を参照)、および残りの量の水を含有した。まず光学干渉計(Nanospec)を用いてウェハを測定して浸漬前の厚さを決定した後、各ウェハをきれいな除去組成物中に個々に浸漬し、引き出して脱イオン水ですすぎ、窒素で送風乾燥させ、光学干渉計を用いて浸漬後の測定を行い、厚さの変化を決定して、熱酸化物および窒化ケイ素のエッチング速度を導出した。熱酸化物のエッチング速度は図1に示される。
フルオロケイ酸の正確または実質的に正確なF/Siモル比は、シリカの沈殿がごくわずかで窒化ケイ素エッチングの高い選択性を達成するために、どのくらいのケイ酸、例えばTEOSを配合物に添加しなければならないかを決定するために必要であった。市販のフルオロケイ酸は、多くの場合、6.0以外のF/Siモル比を有する。任意の市販のフルオロケイ酸のF/Siモル比を決定するために較正曲線を容易に作成することができる。フッ化水素酸およびTEOSを水溶液中で混ぜ合わせて、5.5、5.75、6.0および6.25のF/Siモル比を生じた。ここで、エッチング較正溶液は、化学量論的にHF源から0.85gのフッ素を含有した。TEOSを可溶化するために、各溶液は、8重量%のエタノールを含有した。ブランケット化RTCVD蒸着窒化ケイ素および熱酸化ケイ素を各溶液中に30分間浸漬し、実施例7において概略的に記載されるように、エッチング速度を決定した。前記較正溶液中のSi3N4および酸化ケイ素のエッチング速度は、線形回帰を用いて作成される最適な直線と共に図2に示される。本明細書で記載される較正溶液はそれに限定されず、0.85gよりも多いまたは少ないフッ素、ならびに種々のケイ素および/または有機溶媒源を用いて調製され得ることは、認識されなければならない。
窒化ケイ素(高速熱化学蒸着(RTCVD)を用いて蒸着)をその上に有するウェハを配合物M中に85℃および100℃で浸漬した。溶液を穏やかに沸騰させた後、ブランケット化RTCVDSi3N4ウェハを溶液中に5および10分間浸漬することによって、100℃の実験を実施した。100℃における窒化ケイ素のエッチング速度は約60Å分−1であり、85℃の場合よりも4倍大きいと決定した。特に、100℃における配合物M中の窒化ケイ素のエッチング速度は160℃において濃縮リン酸中で達成される速度とほぼ等しく、これは、エネルギー使用に関して著しい経費の節減につながる。
本発明者らは、驚くことに、フッ化水素酸(HF)およびアルコキシシラン、例えばTEOSを用いて高純度のヘキサフルオロケイ酸をその場で調製する新規の方法を発見した。例えば、多量のHFおよびTEOSは揮発性共溶媒、例えばエタノールと、他の面では水性の溶液中で混ぜ合わせられ、ここで揮発性共溶媒は追い出す(例えば、蒸発、沸騰など)ことができ、場合により、あまり揮発性でない共溶媒で置き換えることもできる。実施形態において、前記方法を用いて製造されるヘキサフルオロケイ酸は高純度であり、6.0のF/Siモル比を有する。
ブランケット化窒化ケイ素を有するウェハを配合物M中に85℃で浸漬し、実施例7と同様にエッチング速度を決定した。RTCVD窒化ケイ素と、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)窒化ケイ素と、低温化学蒸着(LPCVD)窒化ケイ素との3つの異なる窒化ケイ素サンプルを試験した。結果は図3に示されており、窒化ケイ素のエッチング速度は窒化ケイ素がどのようにして基板上に付着されたかに強く依存したことが分かる。特に、PECVD窒化物は、他の2つのタイプよりもはるかに速い60Å/分を超える速度でエッチングされ、LPCVD窒化物は、RTCVD窒化物よりもわずかに遅い速度でエッチングされた。
ブランケット化ポリシリコンを配合物NおよびO中に85℃で62分間浸漬した。ここで、配合物NはKorantin PPを含まない。ポリシリコンのエッチング速度を実施例7と同様に決定し、配合物NおよびO中のエッチング速度は、それぞれ0.129および0.339Å分−1であった。言い換えると、Korantin PPを含まない組成物中では、ポリシリコンエッチング速度はより遅い。
窒素ガスをバブリングさせて、あるいはさせずに、ブランケット化poly−Siサンプル(ドープされていない、nドープおよびpドープ)を配合物Q中に85℃で1時間静的に浸漬した。酸素低減雰囲気(すなわち、窒素のバブリングを用いる)下で処理したドープサンプルは、酸素低減雰囲気下で処理していないドープサンプルに対して20〜30Å時間−1だけ低い、poly−Siのエッチング速度を示した。従って、不活性ガスまたは酸素捕捉剤の使用は、本発明の組成物の存在下でpoly−Siのエッチング速度をさらに低減し得る。
配合物PおよびQ中、85℃で60分間処理した後、非ドープ、nドープおよびpドープ形成ガス(FG)でアニールされたNiPtSiのシート抵抗変化を決定した。定義により、「形成ガス」は、その中の水素ガスの割合が少ない(通常約4〜5%)窒素ガスに相当する。結果は表5に示される。
Claims (29)
- フルオロケイ酸、ケイ酸、および少なくとも1種の有機溶媒を含む窒化ケイ素除去組成物であって、窒化ケイ素材料をその上に有するマイクロ電子デバイスウェハから前記材料を選択的に除去するために適切な除去組成物。
- フルオロケイ酸対ケイ酸のモル比が、2:1〜10:1の範囲である請求項1に記載の組成物。
- ケイ酸源が、シリカ粉末、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項1または2に記載の組成物。
- 前記アルコキシシランが、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、アミノトリエトキシシラン、ヘキサエトキシジシラザン、トリエトキシクロロシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリエトキシ(イソシアナト)シラン、ジエトキシジクロロシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項3に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の有機溶媒が、アルコール、グリコール、グリコールエーテル、またはこれらの組み合わせを含む請求項1または2に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の有機溶媒が、直鎖C2〜C6アルコール、分枝状C3〜C6アルコール、エチレングリコール、ネオペンチルグリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル(DPGME)、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル(DPGBE)、トリプロピレングリコールn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル(フェノキシ−2−プロパノール)、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項1または2に記載の組成物。
- フルオロケイ酸対ケイ酸のモル比が、3:1〜6:1の範囲である請求項1または2に記載の組成物。
- 少なくとも1種の腐食防止剤をさらに含む請求項1または2に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の腐食防止剤が、アルコキシ化アルキノール、硫黄化合物、窒素含有芳香族化合物、アミノカルボン酸、ホスホン酸、リン酸、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項8に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の腐食防止剤が、アルコキシ化アルキノール、アスコルビン酸、プロパルギルアルコール、2−ブテン−1,4−ジオール、2−ブチン−1,4−ジオール、ジメチルグリオキシム、チアナフテン、チアントレン、2−メルカプトベンゾイミダゾール(MBI)、チオサリチル酸、ベンゾチアゾール、チアントレン−1−ボロン酸、メルカプトベンゾチアゾール、チオフェンカルボニトリル、L−メチオニン、DL−メチオニン、L−システイン.3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、メルカプトコハク酸、チオクト酸、N−アセチル−L−システイン、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール、2−メルカプトピリジン、3,3’−チオジプロピオン酸、L−シスチン、ベンゾトリアゾール−5−カルボン酸、イミダゾール、イミノ二酢酸(IDA)、ニトリロトリス(メチレン)トリホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、エチレンジニトリロテトラ(メチレンホスホン)酸(EDTMP)、ピロリン酸、これらの塩、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項8に記載の組成物。
- 少なくとも1種の希釈剤をさらに含む請求項1または2に記載の組成物。
- 前記希釈剤が水を含む請求項11に記載の組成物。
- 前記希釈剤が、5:1〜15:1の比率で濃縮物と混ぜ合わせられて、除去組成物を形成する請求項11に記載の組成物。
- pHが、0.5〜4の範囲である請求項11に記載の組成物。
- 窒化ケイ素材料残留物をさらに含む請求項1または2に記載の組成物。
- 窒化ケイ素除去組成物を形成するために以下の試薬の1つまたは複数を1つまたは複数の容器内に含むキットであって、前記1つまたは複数の試薬が、フルオロケイ酸、ケイ酸、少なくとも1種の有機溶媒、および場合により少なくとも1種の腐食防止剤からなる群から選択され、窒化ケイ素材料をその上に有するマイクロ電子デバイスウェハから前記材料を選択的に除去するために適切である組成物を形成するように適合されたキット。
- 前記1つまたは複数の容器内の1つまたは複数の試薬が、不活性ガスでパージされる請求項16に記載のキット。
- マイクロ電子デバイスから窒化ケイ素を除去する方法であって、前記方法が、マイクロ電子デバイスから前記窒化ケイ素材料を少なくとも部分的に除去するのに十分な条件下で十分な時間、マイクロ電子デバイスを除去組成物と接触させることを含み、前記除去組成物が、フルオロケイ酸、ケイ酸、少なくとも1種の有機溶媒、および場合により少なくとも1種の腐食防止剤を含む方法。
- フルオロケイ酸対ケイ酸のモル比が3:1〜6:1の範囲である請求項18に記載の方法。
- 前記接触が、1分〜200分の時間、40℃〜120℃の範囲の温度、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの条件を含む請求項18または19に記載の方法。
- ケイ酸源が、シリカ粉末、アルコキシシラン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項18または19に記載の方法。
- 前記少なくとも1種の有機溶媒が、エチレングリコール、ネオペンチルグリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル(DPGME)、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル(DPGBE)、トリプロピレングリコールn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル(フェノキシ−2−プロパノール)、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項18または19に記載の方法。
- 前記除去組成物が、少なくとも1種の腐食防止剤をさらに含む請求項18または19に記載の方法。
- 前記少なくとも1種の腐食防止剤が、アルコキシ化アルキノール、アスコルビン酸、プロパルギルアルコール、2−ブテン−1,4−ジオール、2−ブチン−1,4−ジオール、ジメチルグリオキシム、チアナフテン、チアントレン、2−メルカプトベンゾイミダゾール(MBI)、チオサリチル酸、ベンゾチアゾール、チアントレン−1−ボロン酸、メルカプトベンゾチアゾール、チオフェンカルボニトリル、L−メチオニン、DL−メチオニン、L−システイン.3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、メルカプトコハク酸、チオクト酸、N−アセチル−L−システイン、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール、2−メルカプトピリジン、3,3’−チオジプロピオン酸、L−シスチン、ベンゾトリアゾール−5−カルボン酸、イミダゾール、イミノ二酢酸(IDA)、ニトリロトリス(メチレン)トリホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、エチレンジニトリロテトラ(メチレンホスホン)酸(EDTMP)、ピロリン酸、これらの塩、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む請求項23に記載の方法。
- 前記除去組成物が、少なくとも1種の希釈剤をさらに含む請求項18または19に記載の方法。
- 前記少なくとも1種の希釈剤が水を含む請求項25に記載の方法。
- 前記マイクロ電子デバイスが、ゲート電極を含む請求項18または19に記載の方法。
- 前記接触が、前記マイクロ電子デバイスの表面に前記除去組成物をスプレーする工程、十分な容積の除去組成物中に前記マイクロ電子デバイスを浸漬する工程、前記マイクロ電子デバイスの表面を、前記除去組成物で飽和した別の材料と接触させる工程、および前記マイクロ電子デバイスを循環する除去組成物と接触させる工程からなる群から選択される工程を含む請求項18または19に記載の方法。
- 前記除去組成物との接触後に前記マイクロ電子デバイスを脱イオン水で洗い流すことをさらに含む請求項18または19に記載の方法。
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