JP2009503910A - 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 189
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 186
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 179
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 91
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 claims description 19
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 15
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 7
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 7
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 amino, imino, carboxy, mercapto Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 4
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 claims description 2
- LFTLOKWAGJYHHR-UHFFFAOYSA-N N-methylmorpholine N-oxide Chemical compound CN1(=O)CCOCC1 LFTLOKWAGJYHHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N azane;iodic acid Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)=O ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 claims description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001814 pectin Substances 0.000 claims description 2
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 claims description 2
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims description 2
- ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N pyridine N-oxide Chemical compound [O-][N+]1=CC=CC=C1 ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorite Chemical compound [O-]Cl=O.C[N+](C)(C)C FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JVSMPWHQUPKRNV-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine;hydrate Chemical compound O.NC=1N=NNN=1 JVSMPWHQUPKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 91
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 23
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 23
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100334280 Arabidopsis thaliana FAR3 gene Proteins 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound NC1=NN=C(S)S1 GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100126959 Arabidopsis thaliana CUT1 gene Proteins 0.000 description 2
- 108091005944 Cerulean Proteins 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- BWKOZPVPARTQIV-UHFFFAOYSA-N azanium;hydron;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [NH4+].OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC([O-])=O BWKOZPVPARTQIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-1-amine Chemical compound NN1C=NC=N1 NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 1,4-dihydroimidazole-5-thione Chemical compound S=C1CN=CN1 NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJMDDKJVWXXLIV-UHFFFAOYSA-N 1-(4-fluorophenyl)-4-(4-hydroxy-4-methylpiperidin-1-yl)butan-1-one Chemical compound C1CC(C)(O)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 UJMDDKJVWXXLIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVLADMORQQMDKF-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-1-oxidopyrrolidin-1-ium Chemical compound CC[N+]1([O-])CCCC1 NVLADMORQQMDKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIZTVEDOQDZLOH-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1-oxidopyrrolidin-1-ium Chemical compound C[N+]1([O-])CCCC1 YIZTVEDOQDZLOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVKAVGPGTZFANE-UHFFFAOYSA-N 4-ethyl-4-oxidomorpholin-4-ium Chemical compound CC[N+]1([O-])CCOCC1 GVKAVGPGTZFANE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CN1C=NN=C1S AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 5-(benzotriazol-2-yl)pentan-1-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NN(CCCCCN)N=C21 YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 5-methyltriazol-1-amine Chemical compound CC1=CN=NN1N HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C([N+](=O)[O-])C=CC2=NNN=C21 AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=NNN=C2C=C1 WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 5-propan-2-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound CC(C)C=1N=CNN=1 AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004135 Bone phosphate Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N Pentrazole Chemical compound C1CCCCC2=NN=NN21 CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N ammonium carbamate Chemical compound [NH4+].NC([O-])=O BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- QLULGSLAHXLKSR-UHFFFAOYSA-N azane;phosphane Chemical compound N.P QLULGSLAHXLKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003113 dilution method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000013020 final formulation Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GCXKUODFIJXWTI-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;2h-tetrazol-5-amine Chemical compound OO.NC=1N=NNN=1 GCXKUODFIJXWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N hydroxybenzotriazole Substances O=C1C=CC=C2NNN=C12 NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- LFMTUFVYMCDPGY-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylethanamine oxide Chemical compound CC[N+]([O-])(CC)CC LFMTUFVYMCDPGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWKDMSRRIBZZAY-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-n-(4,5-dihydro-1h-imidazol-2-ylmethyl)aniline;hydrochloride Chemical compound Cl.N=1CCNC=1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 SWKDMSRRIBZZAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229960005152 pentetrazol Drugs 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-N perchloric acid;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.OCl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogen phthalate Chemical compound [K+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O IWZKICVEHNUQTL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LUMVCLJFHCTMCV-UHFFFAOYSA-M potassium;hydroxide;hydrate Chemical compound O.[OH-].[K+] LUMVCLJFHCTMCV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 235000018102 proteins Nutrition 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](CCO)(CCO)CCO VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LDGFRUUNCRYSQK-UHFFFAOYSA-N triazin-4-ylmethanediamine Chemical compound NC(N)C1=CC=NN=N1 LDGFRUUNCRYSQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N triazol-1-amine Chemical compound NN1C=CN=N1 MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- UYPYRKYUKCHHIB-UHFFFAOYSA-N trimethylamine N-oxide Chemical compound C[N+](C)(C)[O-] UYPYRKYUKCHHIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M tris(2-hydroxyethyl)-methylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](C)(CCO)CCO IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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Abstract
好ましくはその上に堆積された銅を有するマイクロエレクトロニクスデバイス構造の平坦化のための単一ステップI CMPスラリー配合物を含む化学機械研磨処理。本処理は、酸化剤、不動態化剤、研磨材および溶剤を有する第1のCMPスラリー配合物を用いる銅層のバルク除去、および第1のCMPスラリー配合物および少なくとも1種の追加の添加剤を含む配合物を用いるマイクロエレクトロニクスデバイス構造のソフト研磨および過剰研磨を含む。本願明細書に記載のCMP処理は、高い銅除去速度、比較的低いバリア材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を提供する。
Description
発明の分野
本発明は、化学機械研磨(CMP)組成物およびマイクロエレクトロニクスデバイスの研磨処理に関し、より具体的には、CMP組成物における添加剤の濃度を異ならせて、摩擦係数および/または研磨処理中の前記素子に対するCMP組成物の選択性を変える方法に関する。
本発明は、化学機械研磨(CMP)組成物およびマイクロエレクトロニクスデバイスの研磨処理に関し、より具体的には、CMP組成物における添加剤の濃度を異ならせて、摩擦係数および/または研磨処理中の前記素子に対するCMP組成物の選択性を変える方法に関する。
関連技術の記載
異なるタイプの材料が、ウェハ基板上のマイクロエレクトロニクスデバイス構造(例えば、相互接続配線、接触子、電極、導電性ビア、フィールドエミッタ基層等)の構成材料のための構成の材料として、半導体製造において利用されている。例えば、銅が、アルミニウムおよびアルミニウム合金と相対的に、そのより高い導電性およびより高いエレクトロマイグレーション耐性により、急速に、半導体製造において最適な相互接続金属となっている。
異なるタイプの材料が、ウェハ基板上のマイクロエレクトロニクスデバイス構造(例えば、相互接続配線、接触子、電極、導電性ビア、フィールドエミッタ基層等)の構成材料のための構成の材料として、半導体製造において利用されている。例えば、銅が、アルミニウムおよびアルミニウム合金と相対的に、そのより高い導電性およびより高いエレクトロマイグレーション耐性により、急速に、半導体製造において最適な相互接続金属となっている。
典型的には、半導体製造における銅を組み込む処理スキームは、フィーチャを誘電材料中でエッチングし、ブランケット金属被覆膜を埋め込み、および表面金属被覆膜を除去してフィーチャを単離させるダマシンアプローチを伴う。デュアルダマシン処理においては、単一のフィルを用いて、プラグおよびラインの両方が形成される。銅は誘電材料に拡散してリークをもたらす傾向を有するため、Taおよび/またはTaNなどのバリア/ライナ層が度々用いられて、銅相互接続がシールされ、および有害なCuマイグレーションが防止される。バリア層材料の堆積の後、銅の薄シード層が物理的または化学蒸着を介してライナ材料上に堆積され、フィーチャに埋め込む銅の電気めっきが続く。
エッチングされたフィーチャの埋め込みに銅が堆積されるため、凸状および凹状領域を有する、高さのばらつきまたはトポグラフィが層の表面にわたって発生する。次いで、堆積された銅被覆膜は、回路構成要素の個別のフィーチャを電気的に単離するため、および最終半導体製品の製作における続く処理ステップに適応した好適な形態をこれに付与するために、およびこれが中に存在する微小回路構成要素で満足に作動するために、除去されなければならない。平坦化は、典型的には、このような目的のために配合されたCMP組成物を用いる化学機械研磨(CMP)を伴う。
化学機械研磨または平坦化は、材料が半導体ウェハの表面から除去され、および擦過などの物理的処理と酸化またはキレート化などの化学的処理とを一対にすることにより、この表面が研磨(平坦化)される処理である。その最も基本的な形態において、CMPは、特に研磨材および活性化学剤の溶液といったスラリーを、ウェハ表面または、半導体ウェハの表面構造上の異なる材料を研磨する研磨パッドに適用して、不要な材料の除去およびウェハ表面の平坦化の両方を達成するステップを伴う。除去または研磨処理が、純粋に物理的または純粋に化学的であることは望ましくなく、むしろ、両方の相乗的組み合わせが、高速で、構成の材料の均一な除去および平坦な表面を達成するために好ましい。
銅およびバリア層の化学反応性の差により、例えばTa、TaN等、2つの化学的に別のスラリーが、銅CMP処理において度々用いられる。ステップIスラリーが、トポグラフィを急速に平坦化するためおよび銅を均一に除去するために用いられ、このステップI研磨は、バリア層で停止される。ステップIIスラリーは、バリア層材料を、高除去速度で除去し、および誘電体層で、または代替的に、誘電体を保護するために適用されたキャップ層で停止される。
銅の平坦化および研磨のためのステップI化学機械研磨(CMP)組成物は、典型的には、例えば、シリカ、アルミナ、および他の酸化物およびセラミック(非金属)材料中から選択される研磨材といった好適なタイプの研磨材を、例えば、水、有機溶剤等といった1種以上の溶剤種を含有する溶剤媒体中に含有するスラリーの形態である。典型的には、ステップIスラリーは、高い銅除去速度、および100:1を超える、例えば、約100:1〜約400:1の銅対バリア材料除去速度選択性を有する。ステップIの間、バルク銅が急速に除去され、度々、「ソフトランディング」または「タッチダウン」が続き、これにより、当業者により容易に測定可能であるとおり、特に限定されないが、光学的、トルク、またはうず電流エンドポイントまたは他のいずれかのシステムを含むエンドポイント検知システムを用いて測定可能であるとおり、下のバリア材料が露出されるまでポリッシャのダウンフォースが低減される。エンドポイントが検出されて、バリア層の露出が通知されても、除去されなければならない銅被覆膜が残留し、このように過剰研磨ステップが実施され得る。都合の悪いことに、「ソフトランディング」および過剰研磨ステップは、度々、銅フィーチャへのディッシングおよび/またはエロージョンをもたらし、およびそれ故、ウェハ表面平坦性および均質性の損失をもたらす。ディッシングは、銅およびバリア材料除去速度が対応しない場合に生じ、およびこのようにして、フィーチャにおける銅表面がマイクロエレクトロニクスデバイスウェハのバリアおよび/または誘電体表面と相対的に凹状とされるまでに、過剰量の銅が除去される。酸化物エロージョンは、過剰量の誘電材料が除去される場合に生じる。例えばダウンフォースといった機械的調整に追加して、除去されるべき材料に対する適切な選択性を有する研磨配合物が、ウェハ表面にわたった均質な平坦化(すなわち、最低限のディッシングおよび/またはエロージョン)を得るために重要である。
銅およびバリア層材料の異なる機械的および化学的特徴のため、特に「ソフトランディング」および過剰研磨ステップの間に、許容可能な平坦化表面のトポグラフィを維持しつつ除去速度の釣り合いをとる、ウェハ表面の平坦化のための向上したCMP組成物および処理に対する要求が技術分野においてある。
発明の概要
本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイス基板、好ましくはその上に銅を有するデバイスの研磨のための化学機械研磨処理に関する。本発明は、広く、第1のCMP組成物が第1のCMP加工ステップ中に用いられ、および第1のCMP組成物および少なくとも1種の添加剤を含む第2のCMP組成物が第2のCMP加工ステップ中に用いられるCMP加工に関する。
本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイス基板、好ましくはその上に銅を有するデバイスの研磨のための化学機械研磨処理に関する。本発明は、広く、第1のCMP組成物が第1のCMP加工ステップ中に用いられ、および第1のCMP組成物および少なくとも1種の添加剤を含む第2のCMP組成物が第2のCMP加工ステップ中に用いられるCMP加工に関する。
本発明の一の態様は、第1のスラリー配合物の第1のCMP加工ステップ(例えばステップI)における使用と共に、その後の、この配合物への、第2のCMP加工ステップ(例えば「ソフトランディング」および過剰研磨ステップ)中の添加剤の添加を含むCMP処理に関する。
本発明の他の態様は、マイクロエレクトロニクスデバイスの表面の研磨方法に関し、前記方法は、
(a)前記表面を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、第1のCMP組成物と接触させるステップと、
(b)前記基板を、第2のCMP条件下に、第2のCMP組成物と接触させるステップであって、ここで、第2のCMP組成物は、前記第1のCMP組成物および添加剤の混合物を含むステップと
を含む。
好ましくは、添加剤は、脱イオン水、有機溶剤、レオロジー剤、pH調整剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む。
(a)前記表面を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、第1のCMP組成物と接触させるステップと、
(b)前記基板を、第2のCMP条件下に、第2のCMP組成物と接触させるステップであって、ここで、第2のCMP組成物は、前記第1のCMP組成物および添加剤の混合物を含むステップと
を含む。
好ましくは、添加剤は、脱イオン水、有機溶剤、レオロジー剤、pH調整剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む。
一の好ましい実施形態において、本発明は、プラテン上のマイクロエレクトロニクスデバイス基板の研磨方法に関し、前記方法は、
(a)基板を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、平坦化および基板からの材料の除去に有効な第1のCMP組成物と接触させるステップと、
b)同一のプラテン上の基板を、十分な時間、第2のCMP条件下に、有機溶剤、pH調整剤、レオロジー剤、キレート化剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の添加剤のインサイチュ添加により変性された第1のCMP組成物を含む第2のCMP組成物と接触させるステップと、
を含み、ここで、前記第2のCMP組成物は、材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有効であり、および第2のCMP組成物は、第1のCMP組成物より低い材料静的エッチング速度を有する。
好ましくは、材料は銅を含む。
(a)基板を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、平坦化および基板からの材料の除去に有効な第1のCMP組成物と接触させるステップと、
b)同一のプラテン上の基板を、十分な時間、第2のCMP条件下に、有機溶剤、pH調整剤、レオロジー剤、キレート化剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の添加剤のインサイチュ添加により変性された第1のCMP組成物を含む第2のCMP組成物と接触させるステップと、
を含み、ここで、前記第2のCMP組成物は、材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有効であり、および第2のCMP組成物は、第1のCMP組成物より低い材料静的エッチング速度を有する。
好ましくは、材料は銅を含む。
さらなる他の態様において、本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法に関し、前記方法は、平坦化されるべき材料をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイス基板を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、材料の平坦化に有用な第1のCMP組成物と接触させるステップと、および基板上の前記材料を、十分な時間、第2のCMP条件下に、材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有用である第2のCMP組成物と接触させるステップとを含み、ここで、第2のCMP組成物は、前記第1のCMP組成物および少なくとも1種の添加剤の混合物を含む。本発明のさらに他の態様は、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法に関し、前記方法は、(a)第1のCMP組成物を用いて第1のCMP加工ステップをマイクロエレクトロニクスデバイス基板に実施するステップと、(b)第2のCMP組成物を用いて第2のCMP加工ステップを前記マイクロエレクトロニクスデバイス基板に実施するステップであって、前記第2のCMP組成物が前記第1のCMP組成物および少なくとも1種の添加剤を含むステップと、(c)続いて、前記基板を加工してマイクロエレクトロニクスを形成するステップとを含む。
本発明のさらに他の態様は、本願明細書に記載の方法および/または組成物を用いて形成された、向上したマイクロエレクトロニクスデバイス、およびこれを組み込んだ製品に関する。
本発明の他の態様は、金属含有フィルム平坦化用組成物に関し、前記組成物は、酸化剤、抑制剤、研磨材、溶剤、およびCMP残渣を含み、ここで、前記CMP残渣は、好ましくは、金属含有フィルムの金属を含む。好ましい実施形態において、本発明のこの態様は、銅フィルムの平坦化用組成物に関し、前記組成物は、酸化剤、抑制剤、研磨材、溶剤、および銅CMP残渣を含む。
本発明の他の態様、特徴および実施形態は、以下の開示および添付の特許請求の範囲からより完全に明らかになるであろう。
本発明の詳細な説明およびその好ましい実施形態
本発明は、向上した化学機械研磨スラリーおよび処理に関する。好ましい一の実施形態は、高銅除去速度、比較的低いライナ材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を提供するCMP処理に関する。
本発明は、向上した化学機械研磨スラリーおよび処理に関する。好ましい一の実施形態は、高銅除去速度、比較的低いライナ材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を提供するCMP処理に関する。
「ソフトランディング」または「タッチダウン」は、本願明細書において定義されるところ、ステップI研磨処理におけるいくつかの点に対応し、これにより、ポリッシャのダウンフォースが低減され得および/または剤が導入されて銅のディッシングおよび/またはエロージョンが低減される。好ましくは、ソフトランディングは、バリア材料上の銅の層の厚さが約0.5μm〜約0.05μmの範囲に低減されたときに達成され得る。
本願明細書において用いられるところ、「約」は、規定値の±5%に対応すると意図される。
「マイクロエレクトロニクスデバイス」は、本願明細書において用いられるところ、半導体基板、マイクロエレクトロニクスパッケージング、記憶デバイス、フラットパネルディスプレイ、および微小電子機械システム(MEMS)に対応する。用語「マイクロエレクトロニクスデバイス」は、どのようにも制限的であることを意味せず、および最終的にマイクロエレクトロニクスデバイスとなることとなるいずれかの基板を含むことが理解されるべきである。
本願明細書において定義されるところ、「バリア層材料」は、技術分野において、例えば銅相互接続といった金属ラインをシールするために用いられて、例えば銅といった前記金属の誘電材料への拡散を最小限にするいずれかの材料に対応する。好ましいバリア層材料としては、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム、タングステン、および他の耐熱性金属およびそれらの窒化物およびシリサイドが挙げられる。本発明の広範な記載における本願明細書中以下のタンタルに対する特定の言及は本発明の例示的な例を提供することを意味し、およびどのようにも制限することを意味していない。特に好ましい実施形態において、バリア層材料は、実質的にタングステンを含有しない。本願明細書において定義されるところ、「実質的に含有しない」は、前記バリア層材料の総重量に基づく、約0.5重量%未満、より好ましくは0.05重量%未満、および最も好ましくは0.005重量%未満の組成物に対応する。
「過剰研磨」は、銅フィーチャの追加のディッシングまたはエロージョンを最低限としつつ、銅残渣をバリア材料の表面から除去するためにソフトランディングの後に実施される。
本願明細書において用いられるところ、バルク銅の平坦化およびその上に前記銅を有するマイクロエレクトロニクスデバイスからの銅被覆膜の除去に対する「好適性」は、マイクロエレクトロニクスデバイスからの前記銅の少なくとも部分的な除去に対応する。好ましくは、少なくとも90%の銅、より好ましくは少なくとも95%の銅、および最も好ましくは少なくとも99%の銅が、本発明の組成物を用いてマイクロエレクトロニクスデバイスから除去される。
本願明細書において用いられるところ、バルク銅の平坦化に「続く」CMP組成物の希釈は、ソフトランディングステップの直前、ソフトランディングステップ中および/または過剰研磨ステップ中に対応する。
本願明細書において用いられるところ、ウェハ内不均質性(WIWNU)は、ウェハにわたる材料除去の偏差の目安に対応する。より具体的には、WIWNUは、49の計測点について除去されたCuの平均量に基づく、前記49の計測点について除去されたCuの平均量と相対的な、49の計測点についての除去されたCuの量の%標準偏差である。好ましくは、WIWNUは約5%未満である。
重要なことに、本発明は、銅含有層での使用に制限されない。本願明細書に記載の処理は、特に限定されないが、タングステン、アルミニウム、銀色、金色、白金、タンタル、窒化タンタル、タンタル窒化シリコン、シリサイド、チタン、窒化チタン、ルテニウム、パラジウム、ハフニウム、TEOS、USG、FSG、BPSG、PSG、OSG、窒化シリコン、他の低k誘電体、パーマロイ、酸化アルミニウム等を含む、マイクロエレクトロニクスデバイス用ウェハ表面上の他の層の均質な平坦化に用いられ得ることが予期される。CMP処理がブランケット化またはパターン化層を平坦化するいずれかの状況が、本アプローチから潜在的に利益を得るであろう。本願明細書中以下の銅に対する言及はいずれにしろ制限的であることを意味しないことが理解されるべきである。
CMPにおいて、スラリーは、研磨されるべきパターンの異なる材料間の相対的な研磨速度を、独立に制御するために配合される。例えば、ステップIスラリーは、バルク銅を急速に除去すると共にトポグラフィを均質に平坦化するために用いられる。ステップIIスラリーは、バリア層材料を誘電体層まで除去するために、または、代替的に、誘電体を保護するために適用されたキャップ層上で止める、または除去するために用いられる。いくつかの場合、2種のスラリーがステップI中で用いられ、一方で、プラテン1でバルク銅(本願明細書中以下ステップIAとする)を除去し、および他方で、プラテン2で、「ソフトランディング」中の銅のディッシングおよびエロージョンおよび過剰研磨(ステップIB)を防止する。ステップI加工についての2種のスラリー配合物の使用は、今まで、高まる溶液費用、保管および廃棄要求のために不利であるとされてきた。
本発明者らは、バルク銅除去およびソフトランディングおよび過剰研磨の両方の最中に用いられることが可能であるCMPスラリー配合物を既に記載しており、ここで、CMPスラリー組成物はレオロジー剤を含んでいた(本願明細書において参照によりその全体が援用される、2003年5月12日出願の同時係属中の米国特許出願第10/436,381号明細書(カールボッグス(Karl Boggs)ら)を参照のこと)。レオロジー剤は、ソフトランディングおよび過剰研磨の最中のディッシングおよびエロージョン制御に重要であるCMPスラリーの粘度および流体流れを編成するために、CMPスラリーに含まれていたが、しかしながら、また、レオロジー剤は、ステップIAでのバルク銅除去速度を低減していた。
これを踏まえて、本発明の一の実施形態は、CMP配合物を用いて銅含有マイクロエレクトロニクスデバイス用ウェハ表面を効率的および均質に平坦化する処理に関する。処理は、ステップIAバルク銅除去を達成するためのバルク銅除去CMP配合物の使用、これに続く、銅被覆膜を除去するためのソフトランディングまたはタッチダウン組成物の使用を含む。特に好ましい実施形態において、ステップIAおよびステップIB(すなわち、ソフトランディングおよび過剰研磨)は、同一のプラテンで生じる。ソフトランディングまたはタッチダウン組成物は本願明細書中以下に詳細に記載することとする。
バルク銅除去CMP配合物は、好ましくは、少なくとも1種の酸化剤、少なくとも1種の不動態化剤、少なくとも1種の研磨材、場合により少なくとも1種のキレート化剤、および場合により少なくとも1種の摩擦性剤を含む。重要なことに、バルク銅除去CMP配合物は、好ましくは、レオロジー剤、過硫酸塩およびリン酸を実質的に含有しない。
本発明の広範な実施において、バルク銅除去CMP配合物は、少なくとも1種の酸化剤、少なくとも1種の不動態化剤、少なくとも1種の研磨材、場合により少なくとも1種のキレート化剤、および場合により少なくとも1種の摩擦性剤を含み得、から構成され、または基本的にから構成される。一般には、酸化剤、不動態化剤、研磨材、任意選択のキレート化剤、および任意選択の摩擦性剤の、相互に相対的な、特定の比率および量は、過度の努力無しで慣用技術の範囲内で容易に測定可能であるとおり、好適に変更して、銅をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイス基板からのバルク銅層の所望の除去作用を提供し得る。
本願明細書において用いられるところ、バルク銅除去組成物の研磨材成分はいずれかの好適タイプであり得、制限されないが、酸化物、金属酸化物、窒化シリコン、カーバイド等を含む。特定の例としては、シリカ、アルミナ、シリコンカーバイド、窒化シリコン、酸化鉄、酸化セリウム、ジルコニウムオキシド、酸化錫、二酸化チタン、および細粒、顆粒、粒子、または他の分割された形態などの好適な形態でのこのような構成材料の2つ以上の混合物が挙げられる。あるいは、研磨材は、例えば、ニアコール(NYACOL)(登録商標)アルミナ被覆コロイダルシリカ(マサチューセッツ州アッシュランド(Ashland,MA)のニアコールナノテクノロジーズ社(Nyacol Nano Technologies, Inc.))といった、2種以上の材料から形成される複合体粒子を含むことが可能である。アルミナが好ましい無機研磨材であり、およびベーマイトまたは遷移d、?または?相アルミナの形態で用いられることが可能である。例えば、熱硬化性および/または熱可塑性樹脂を含む有機ポリマー粒子は、研磨材として用いられることが可能である。本発明の広範な実施における有用な樹脂としては、エポキシ、ウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリオレフィン、および(メタ)アクリルが挙げられる。2種以上の有機ポリマー粒子の混合物、ならびに被覆およびドープされた粒子を含む無機および有機構成材料の両方を含む粒子を、研磨材媒体として用いられることが可能である。好ましくは、研磨材は、選択され、または変性されて、酸性媒体と適合される。好ましい実施形態において、本発明の研磨材成分は、アルミナ被覆コロイダルシリカを含む。特に好ましい実施形態において、研磨材材料は、1000未満、より好ましくは800未満のヌープスケール硬度を有する。
バルク銅除去組成物の酸化剤は、金属電子を除去すると共に原子価を高めるいずれかの物質を含み、および、制限されないが、過酸化水素(H2O2)、硝酸第二鉄(Fe(NO3)3)、ヨウ素酸カリウム(KIO3)、過マンガン酸カリウム(KMnO4)、硝酸(HNO3)、亜塩素酸アンモニウム(NH4ClO2)、塩素酸アンモニウム(NH4ClO3)、ヨウ素酸アンモニウム(NH4IO3)、過ホウ酸アンモニウム(NH4BO3)、過塩素酸アンモニウム(NH4ClO4)、アンモニウム過ヨウ素酸(NH4IO3)、過硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8)、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO2)、塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO3)、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO3)、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)BO3)、過塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO4)、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO4)、過硫酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)S2O8)、尿素過酸化水素((CO(NH2)2)H2O2)、およびこれらの組み合わせが挙げられる。本発明のバルク銅除去組成物についての好ましい酸化剤は過酸化水素である。
あるいは、酸化剤は、式(R1R2R3N→O)を有するアミン−N−オキシドを含み得、式中、R1R2R3は、HおよびC1〜C8アルキルからなる群から独立に選択される。アミン−N−オキシドの特定の例としては、限定されないが、4−メチルモルホリンN−オキシド(C5H11NO2)、トリメチルアミン−N−オキシド、トリエチルアミン−N−オキシド、N−エチルモルホリン−N−オキシド、N−メチルピロリジン−N−オキシド、およびN−エチルピロリジン−N−オキシド、ピリジン−N−オキシド(C5H5NO)、およびこれらの組み合わせが挙げられる。
キレート化剤という用語は、本バルク銅除去組成物において用いられるところ、水含有溶液の存在下に、酸化銅材料を可溶化またはエッチングするいずれかの物質を意味すると意図される。本発明において有用である銅キレート化剤および/またはエッチング剤としては、限定されないが、無機酸および有機酸、アミンおよびアミノ酸(すなわち、アラニン、クエン酸、酢酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン、およびEDTA)、およびこれらの組み合わせが挙げられる。異なる材料が平坦化される場合、キレート化剤は、前記材料および/またはそのイオンを優先的にキレート化すべきであることが認識されるべきである。
不動態化剤という用語は、本願明細書において用いられるところ、新鮮な銅表面および/または酸化銅薄膜と反応して、銅層を不動態化し、およびCMP中での銅表面の過剰なエッチングを防止するいずれかの物質を意味することが意図される。好ましくは、本発明のバルク銅除去組成物における不動態化剤成分は、1つ以上の抑制剤構成材料、例えば、1,2,4−トリアゾール(TAZ)などのトリアゾール;ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1、2、3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール(ハロ=F、Cl、BrまたはI)、ナフトトリアゾール等などの、C1〜C8アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシおよびニトロ基などの置換基で置換されたトリアゾール;ならびに、2−メルカプトベンズイミダゾール(MBI)、2−メルカプトベンゾチアゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、2−メルカプトチアゾリン、5−アミノテトラゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、2,4−ジアミノ−6−メチル−1,3,5−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,5−ペンタメチレンテトラゾール、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、ベンゾチアゾール、トリトリルリン酸、イミダゾール、インジアゾール、およびこれらの組み合わせなどの、チアゾール、テトラゾール、イミダゾール、リン酸塩、チオールおよびアジンを含み得る。シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸などのジカルボン酸およびこれらの組み合わせはまた有用な不動態化剤である。重要なことに、ステップI CMP配合物におけるトリアゾール化合物対ベンゾトリアゾール化合物の比は、最も好ましくは、1:1未満または100:1を超える。特定の実施形態において、不動態化剤は5−アミノテトラゾール(ATA)である。異なる材料が平坦化される場合、不動態化剤は、優先的に前記材料を不動態化するべきであることが認識されるべきである。
本発明のバルク銅除去組成物およびソフトランディングおよび過剰研磨組成物において利用される溶剤は、特定の用途に応じて、単一の成分溶剤または多成分溶剤であることが可能である。本発明の一の実施形態において、バルク銅除去CMP配合物中の溶剤は水である。他の実施形態において、溶剤は、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等といった有機溶剤を含む。さらなる他の実施形態において、溶剤は、水−アルコール溶液を含む。広く多様な溶剤タイプおよび特定の溶剤媒体を、本発明の一般的な実施において用いて、研磨材が分散されると共に、他の構成材料が包含されてCMPユニットのプラテンへの適用のための例えばスラリー形態の適切な特徴を組成物に提供する溶媒和/懸濁媒体を提供し、ウェハ基板上の銅の所望のレベルの研磨を提供することが可能である。好ましくは、同一の溶剤が、バルク銅除去CMP配合物およびソフトランディングおよび過剰研磨組成物において用いられる。
塩基を、場合により、本発明の組成物におけるpH調整のために用いることが可能である。例示的な塩基としては、一例として、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、テトラエチル水酸化アンモニウム、トリメチルヒドロキシエチル水酸化アンモニウム、メチルトリ(ヒドロキシエチル)水酸化アンモニウム、テトラ(ヒドロキシエチル)水酸化アンモニウム、およびベンジルトリメチル水酸化アンモニウムが挙げられる。好ましくは、塩基はKOHである。
好ましくは、摩擦性剤がバルク銅除去CMP配合物中に存在し、これは、バルク銅除去CMP配合物において用いられる構成材料と組み合わせても適合性および安定である。より好ましくは、摩擦性剤は、増加または低減することにより、露出された平坦化可能表面上の特定の材料と相対的に溶液の摩擦係数を変性する。摩擦性剤は、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、アスパラギン、ヒスタジン、ロイシン、グルタミン酸、セリン、バリン、およびプロリンを含むと予期される。特に好ましい実施形態において、摩擦性剤はグリシンを含む。
バルク銅除去に有用であるバルク銅除去CMP配合物は、組成物の総重量に基づく重量で、以下の組成範囲を有する:
酸化剤 約0.1〜約30重量%;
不動態化剤 約0.01〜約10重量%;
摩擦性剤 0〜約10重量%
キレート化剤 0〜約10重量%;および
研磨材 約0.01〜約30重量%。
摩擦性剤が配合物中に存在する場合、少なくとも0.1重量%が存在することが好ましい。キレート化剤が配合物中に存在する場合、少なくとも0.1重量%が存在する。
酸化剤 約0.1〜約30重量%;
不動態化剤 約0.01〜約10重量%;
摩擦性剤 0〜約10重量%
キレート化剤 0〜約10重量%;および
研磨材 約0.01〜約30重量%。
摩擦性剤が配合物中に存在する場合、少なくとも0.1重量%が存在することが好ましい。キレート化剤が配合物中に存在する場合、少なくとも0.1重量%が存在する。
好ましい実施形態において、バルク銅除去CMP配合物は、過酸化水素、ATA、アルミナ被覆コロイダルシリカ、および摩擦性剤としてグリシンを含み、ここで、グリシンは、好ましい圧力、温度および研磨デバイスの機械的動作で溶液の摩擦係数を増加させる量で含まれる。他の好ましい実施形態において、バルク銅除去CMP配合物は、少なくとも1種の酸化剤、少なくとも1種の不動態化剤、少なくとも1種の研磨材、銅残渣および/または銅イオン、場合により少なくとも1種のキレート化剤、および場合により少なくとも1種の摩擦性剤を含む。銅以外の材料が平坦化される場合、バルク銅除去CMP配合物は、残渣または前記材料および/またはそれらのイオンを、銅残渣および/または銅イオンの代わりに、または銅残渣および/または銅イオンに追加して含み得ることが認識されるべきである。
前述のソフトランディングと同時のバルク銅層の急速な除去に続いて、(a)レオロジー剤含有溶液が、同一のまたは異なるプラテンでのソフトランディングおよび過剰研磨用バルク銅除去CMP組成物に導入され得る、または(b)バルク銅除去CMP配合物が、脱イオン水、極性溶剤、pH調整剤、レオロジー剤、キレート化剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の「添加剤」で、プラテンへのインライン混合によりまたは直接的にインサイチュで希釈されて、ソフトランディングおよび過剰研磨ステップ用のソフトランディングおよび過剰研磨組成物が形成され得、ここで、バルク銅除去およびソフトランディングおよび過剰研磨ステップは、同一のまたは異なるプラテンで達成される。
レオロジー剤含有溶液のバルク銅除去CMP配合物への添加は、スラリーの粘度および流体流れを変性する手段を提供し、これは、ウェハ表面との粒子の低減された相互作用を有する、他を通り越したスラリーの1つの層の動作を包含する。従って、レオロジー剤を含むソフトランディングおよび過剰研磨組成物は、サブミクロンフィーチャの平坦化の最中のディッシングおよびエロージョン現象を制御するために用いられ得る。レオロジー剤のCMPスラリー組成物中への包含の有益性についてのさらに十分な考察は、前述の同時係属中の米国特許出願第10/436,381号明細書に提供されている。
好ましくは、本発明において用いられるレオロジー剤は、バルク銅除去スラリー中の構成材料と組み合わせても適合性および安定である。しかも、レオロジー剤は、特定のpH範囲で、および特定の酸化性物質と安定であるべきである。好ましいレオロジー剤は、活性スラリー構成材料中に可溶性であり、およびウェハ表面化学的性質と非反応性である。
有用なレオロジー剤としては、限定されないが、架橋アクリルポリマーおよび水溶性ポリマー(WSP)が挙げられる。より具体的には、有用なレオロジー剤としては、ポリマーのノベオンズカルボポール(Noveon’s Carbopol)(登録商標)シリーズ(オハイオ州クリーブランド(Cleveland Ohio))、変性セルロース誘導体、セルロースエーテル、スターチ誘導体、ペクチン誘導体、および他の多糖類、タンパク質および他の天然ポリマー、ポリアクリルアミド、水溶性ポリマー、高分子凝集剤、界面活性剤、およびこれらの組み合わせが挙げられる。好ましい実施形態において、本発明において最も有用であるレオロジー剤は、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。
ソフトランディングおよび過剰研磨組成物において、レオロジー剤は、垂直な流体移動が低減されるよう粘度を増加させ、およびその流れを構造化する。好ましい実施形態において、本発明において用いられるレオロジー剤は、1,000〜1,000,000MWの範囲の分子量を有するヒドロキシプロピルセルロース(HPC)である。本発明の広範な記載における、本願明細書中以下のHPCに対する特定の言及は、本発明の例示的な例を提供することを意味し、およびこれをどのようにも制限することを意味してはいない。
好ましい実施形態において、ソフトランディングおよび過剰研磨組成物はバルク銅除去CMP配合物を含み、および組成物の総重量に基づいて重量で0.001〜10%レオロジー剤を含む。好ましくは、レオロジー剤はHPCを含む。
従って、レオロジー剤は、プラテンへのインライン混合によりまたは直接的にバルク銅除去CMP配合物に導入されて、同一のまたは異なるプラテンで用いられるためのソフトランディングおよび過剰研磨組成物を形成し得る。バルク銅除去CMP配合物対レオロジー剤(または希釈剤)の比は、構成材料の処理に特定的な濃度を目標として選択される。比の範囲は、溶解度限界によってのみ制約される。発明者らの処理経験について、この比は、好ましくは約1:1〜10000:1の範囲であり、およびレオロジー剤の場合には、より好ましくは約500:1〜約1500:1バルク銅除去CMP配合物対レオロジー剤である。
他の実施形態において、CMPスラリー組成物は、プラテン1で、および/または第2のプラテンで、CMP処理のソフトランディングおよび/または過剰研磨ステップ中に、プラテンでのインライン混合によりまたは直接的にインサイチュで希釈され得る。ソフトランディングおよび/または過剰研磨ステップの最中における過剰に攻撃的なバルク銅除去CMP配合物を制限するために、本発明のバルク銅除去CMP配合物は、単一の希釈、連続的または逐次的様式で希釈され得る。希釈媒体は、脱イオン水、極性溶剤、pH調整剤、レオロジー剤、キレート化剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせを含む添加剤を含み得、および銅除去の速度を低減させると共に、表面のディッシングをも低減させる量で導入される。希釈のタイプおよび数は研磨の所望の最終結果に応じ、および一回の段階的希釈から十回以上の段階的希釈で異なり得る。あるいは、希釈は、連続的方策で達成され得、ここで、添加剤は、ソフトランディングおよび/または過剰研磨ステップ中に連続的にバルク銅除去CMP配合物に添加される。さらに他の代替においては、スラリーは、それ自体希釈されず、むしろ、新たな希釈されたバルク銅除去CMP配合物が、前のスラリーを用いる研磨に続くツールへの清浄な、希釈化学を送るために調製される。
バルク銅除去CMP配合物およびソフトランディングおよび過剰研磨組成物のpHは、利用される特定の研磨作用について有効であるいずれかの好適な値で、互いに同一であってもまたは異なっていてもよい。一の実施形態において、組成物のpHは、約2〜約11の範囲、より好ましくは約2〜約7.0の範囲、および最も好ましくは約3〜約6の範囲であることが可能である。本願明細書において予期されるpH調整剤としては、前述の塩基;酢酸、および硫酸などの酸;カリウム水素フタレート、酢酸アンモニウム、アンモニウムオキサレート、アンモニウムカルバメート、リン酸アンモニウム、アンモニウム水素リン酸、アンモニウムリン酸二水素、二塩基性アンモニウムクエン酸、三塩基性アンモニウムクエン酸からなる群から選択される緩衝種;およびこれらの混合物が挙げられる。
追加で、バルク銅除去CMP配合物およびソフトランディングおよび過剰研磨組成物は、特に限定されないが、脱泡剤、殺生物剤、酸、アミン、および界面活性剤を含む追加の構成材料をさらに含み得る。本発明のバルク銅除去組成物は、いわゆる「デイタンク」または「保管タンク」に容易に配合され得る。
バルク銅除去CMP配合物は、2液配合物または多液配合物または使用時に混合されるキットとして提供され得る。多液配合物の利点は、単一パッケージ配合物と比してその長期の保管寿命にある。単一パッケージ配合物は、多液配合物と比較して一部的に酸化剤の存在により、より分解されやすく、およびその特性が時間と共に変化しやすい。多液配合物の個々の液は、研磨テーブル、研磨ベルト等で、保管タンク中、または適切なコンテナ中で、研磨テーブルに到達する僅かに前に混合されることが可能である。それぞれの要素の濃度は、本発明の実施において、バルク銅除去CMP配合物の特定の配合で広く変えることが可能である、および本発明のバルク銅除去CMP配合物は、多様におよび代替的に、本願明細書における開示に適応する要素のいずれかの組み合わせを含む、から構成されまたはから基本的に構成されることが可能であることが、認識されるであろう。
一の実施形態において、バルク銅除去CMP配合物の各単一の構成要素は、研磨テーブルでの組み合わせのためにテーブルに個別に送られて、バルク銅除去CMP配合物を使用のために構成される。他の実施形態において、バルク銅除去CMP配合物は、2液配合物として配合され、ここで、第1液が研磨材、不動態化剤、任意選択の摩擦性剤、および任意選択のキレート化剤を適切な溶剤中に含み、および第2液が酸化剤を含む。本願明細書に開示の多液配合物実施形態は、どのようにも制限的であることを意味せず、および代替的組み合わせを含み得る。いずれかの実施形態において、要素または液の最終配合物を形成する混合は、使用時(例えば、研磨テーブル、研磨ベルト等での混合)に、インラインで、使用時の僅かに前に適切なコンテナ中に、またはCMP配合物製造業者および/または供給業者でなされる。
さらなる他の実施形態において、本願明細書に記載の配合物の個々の液は、研磨中に好ましい濃度より少なくとも3〜4倍で上回る濃度で提供され得る。従って、濃縮配合物液は、使用時(例えば、研磨テーブル、研磨ベルト等での混合)に、インラインで、または研磨テーブルに到達する僅かに前に適切なコンテナ中に適切な溶剤で希釈され得る。例えば、本願明細書に記載の構成材料を含む濃縮配合物は、約0.1:1〜約4:1、好ましくは約1:1〜約3:1の範囲で、溶剤で希釈されて、本願明細書に記載のいずれかの好ましい組成物を形成し得る。好ましくは、希釈溶剤は、特定のCMPスラリー組成物の溶剤を含む。
従って、本発明の他の態様は、本願明細書中上述のとおり本発明の配合物の形成に適応した構成材料を、1つ以上のコンテナ中に含むキットに関する。キットのコンテナは、フルオロポリマーベース材料を含む、ナウパック(NOWPak)(登録商標)コンテナ(米国コネチカット州のダンブリー(Danbury,Conn.,USA)のアドバンストテクノロジーマテリアルズ社(Advanced Technology Materials,Inc.))であり得る。一つの好ましいキットは、1つ以上のコンテナ中に、酸化剤、不動態化剤、研磨材、摩擦性剤、および添加剤(例えば、レオロジー添加剤)を含む。他の好ましいキットは、不動態化剤および研磨材を含む第1のコンテナ、酸化剤を含む第2のコンテナ、摩擦性剤を含む第3のコンテナ、および添加剤(例えば、レオロジー添加剤)を含む第4のコンテナを含む。他の可能性が本発明者らによって予期されることが認識されるべきである。
実際には、バルク銅除去CMP配合物がプラテン、例えば、プラテン1にバルク銅除去のために送られる。バルク銅除去の処理条件は、約1psi〜約7psi、好ましくは約3psiの範囲のプラテンダウンフォースを含む。バルク銅除去の処理時間は、ダウンフォースに関連する;低いダウンフォースは、より長い処理時間をもたらす。処理時間および条件は、当業者よって容易に決定される。バルク銅除去配合物は、約10mL 分−1〜約10L 分−1の範囲、好ましく約120mL 分−1〜約220mL 分−1の範囲、より好ましくは約140mL 分−1〜約200mL 分−1の範囲、最も好ましくは約150mL 分−1〜約180mL 分−1の範囲の流量でプラテンに送られ得る。流量は、例えば、プラテンサイズおよびプラテン当たりのウェハの数といった研磨ツール設計で計られる。好ましくは、本発明を用いて、3psiでのバルク銅除去中の銅除去速度は、約6,000Å 分−1〜約15,000Å 分−1の範囲、最も好ましくは約9,000Å 分−1〜約11,000Å 分−1の範囲である。
存在する場合、摩擦性剤含有溶液は、バルク銅除去CMP配合物と同時に、使用サイトに直接的に導入され得る。バルク銅除去CMP配合物対摩擦性剤の比は、構成材料の処理に特定的な濃度を目標として選択され、これが、次いで、特定の摩擦係数および予め定められた変性除去速度を提供することとなる。比の範囲は、溶解度限界によってのみ制約される。比は、好ましくは、約1:1〜20:1、より好ましくは約2.5:1〜約5:1、最も好ましくは約3:1〜約4:1の範囲である。
バルク銅除去CMP配合物および摩擦性剤は、当業者によって容易に決定可能な他の手段によって一緒に混合され得ることに注目されたい。例えば、溶液は、プラテンの上流に位置された動的または静的混合チャンバ中で混合され得る。
プラテンでのバルク銅除去の完了に続いて(すなわちステップIB)、ウェハは、本願明細書に記載の(すなわち、レオロジー剤および/または他の添加剤で希釈された)ソフトランディングおよび過剰研磨配合物を用いるソフトランディングおよび過剰研磨のために、例えばプラテン2といった他のプラテンに移され得る。あるいは、バルク銅除去CMP配合物は、プラテン1においてレオロジー剤および/または他の添加剤でインサイチュで希釈され得る。ソフトランディングおよび過剰研磨の処理条件および時間は、計測可能なエンドポイントに応じる。エンドポイントは、当業者により、例えば、光学、トルク、うず電流等などの技術を用いて容易に判定される。エンドポイントに到達したら、ソフトランディング研磨が好ましくは止められ、および過剰研磨が開始される。過剰研磨は、銅フィーチャの追加のディッシングまたはエロージョンを最低限としつつ、銅残渣をバリア材料の表面から除去するために実施される。
ソフトランディングおよび過剰研磨の処理条件および時間は、計測可能なエンドポイントに応じる。エンドポイントは、例えば、光学、トルク、摩擦、うず電流等などの技術を用いて当業者によって容易に判定される。エンドポイントに到達したら、ソフトランディング研磨が好ましくは止められ、および過剰研磨が開始される(好ましくは、ソフトランディングおよび過剰研磨配合物を用いて同一のプラテンで)。過剰研磨は、銅フィーチャの追加のディッシングまたはエロージョンを最低限としつつ、銅残渣をバリア材料の表面から除去するために実施される。
ソフトランディングおよび過剰研磨の処理条件は、約0.1psi〜約4psiの範囲、好ましくは約1psi〜約2psiの範囲のプラテンダウンフォースを含む。好ましい実施形態において、プラテンダウンフォースは、ソフトランディング研磨中は、過剰研磨中より大きくてよく、例えば、ソフトランディング中は約2psiであり、過剰研磨中は約1psiである。ソフトランディングおよび過剰研磨の処理時間は、当業者により容易に決定可能である。
ソフトランディングおよび過剰研磨中の銅除去速度は、バルク銅除去中の銅除去速度より低いであろうことは、当業者によって認識されるべきである。好ましくは、ソフトランディング中の銅除去速度は、5000Å 分−1未満、より好ましくは2000Å 分−1未満である。
ステップI CMP処理の完了の後、プラテンおよびマイクロエレクトロニクスデバイス基板は、水などの溶剤またはパッド洗浄剤ですすがれ得る。好ましくは、溶剤は、本願明細書に記載のステップI CMP配合物において用いられた、例えば、水と同一である。パッド洗浄化学は、好ましくは、市販の製品LP−12(ATMI、米国コネチカット州ダンブリー(Danbury,CT,USA))、より好ましくは、LP−12の10:1希釈物(水での)などのカルボン酸およびそのアンモニウム塩の溶液である。その後、マイクロエレクトロニクスデバイス基板は、ステップII研磨条件も供され得る。
特に、本発明は、温度、湿度、プラテン圧力、研磨デバイスの速度または濃度の変更を必要とする異なる材料の近接度の変化に応じて、モニタおよび/または摩擦性剤の濃度を調整する方法を提供する。例えば、摩擦力は、一定の回転速度で動作しているキャリアヘッドを維持するために必要とされるトルクの観点で計測される。ひずみゲージなどのセンサーを用いて、本発明のCMPスラリーの存在下での前記摩擦力を計測することが可能である。トルクが調整されなければならない場合、追加の摩擦性剤を溶液に追加し得、または、代替的には、追加の溶剤またはいくつかの希釈剤を、有用な摩擦力を再度確立するために追加し得る。
図3はインライン混合実施形態10を示し、これは、t−コネクタ18を内部ポンプ20の下流に含み、一つのポンプ20がバルク銅除去配合物22を「保管タンク」または再分配システムからt−コネクタ18に移し、および他のポンプ20がレオロジー剤含有溶液または希釈剤24をコンテナからt−コネクタ18に移す。好ましくは、ポンプはツールポンプである。配合物についての流量は、バルク銅除去CMP配合物対レオロジー剤含有溶液(または希釈剤)の比が好ましくは約2:1〜20:1、より好ましくは約3:1〜約5:1、最も好ましくは約3:1〜約4:1の範囲となるよう選択される。例えば、バルク銅除去配合物のプラテン2への流量は、約120mL/分〜約220mL/分、好ましくは約180mL/分の範囲であり得、一方で、レオロジー剤含有溶液についての流量は、約30mL/分〜約70mL/分、好ましくは約50mL/分の範囲であり得る。ソフトランディングおよび過剰研磨配合物の混合は、t−コネクタ18の配管12から約1メートル以内で完了する。使用点(POU)フィルタ14は、t−コネクタ18の下流に位置されて、プラテン16へのソフトランディングおよび過剰研磨配合物の流路の前に、凝集物および他の粒状物体を除去し得る。
実施例1
実験を、バルク銅除去配合物のプラテン1への、バルク銅除去中の最適な送り流量を判定するために実施した。シリコン基板、誘電体層、バリア層、および15,000Å銅層を有するブランケットウェハを、ミッラ(Mirra)ツールのプラテン1上にバルク銅除去配合物を用いて処理した。プラテン1のダウンフォースは3psiとした。Cu除去速度およびウェハ内不均質性(WIWNU)を含む結果が、図1に図示されおよび以下の表1にまとめられている。
実験を、バルク銅除去配合物のプラテン1への、バルク銅除去中の最適な送り流量を判定するために実施した。シリコン基板、誘電体層、バリア層、および15,000Å銅層を有するブランケットウェハを、ミッラ(Mirra)ツールのプラテン1上にバルク銅除去配合物を用いて処理した。プラテン1のダウンフォースは3psiとした。Cu除去速度およびウェハ内不均質性(WIWNU)を含む結果が、図1に図示されおよび以下の表1にまとめられている。
図2を参照すると、バルク銅除去配合物のプラテン1への流量は、銅除去速度のいずれかの顕著な損失またはWIWNU%の変更を伴うことなく、200mL 分−1から150mL 分−1に低減することが可能であることを見ることができる。しかしながら、流量を150mL 分−1から100mL 分−1に減少した場合には、銅除去速度の2.5%損失が観察された。これは、除去速度または研磨均質性を犠牲にすることなくバルク銅除去中に用いられるバルク銅除去配合物の全体積が約150mL 分−1に減少され得るため、基本的に重要である。
実施例2
本発明の実用性を実証する実験を実施した。既述のとおり、その上に堆積された銅を有するウェハ表面の平坦化用の単一のバルク銅除去CMPスラリー配合物を含み、配合物が、高い銅除去速度、比較的低いバリア材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を有する処理を提供することが本発明の目的である。
本発明の実用性を実証する実験を実施した。既述のとおり、その上に堆積された銅を有するウェハ表面の平坦化用の単一のバルク銅除去CMPスラリー配合物を含み、配合物が、高い銅除去速度、比較的低いバリア材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を有する処理を提供することが本発明の目的である。
シリコン基板、誘電体層、バリア層、および15,000Å銅層を有するブランケットウェハを、ミッラ(Mirra)ツールのプラテン1上にバルク銅除去配合物を用いて処理した。プラテン1のダウンフォースは3psiとした。その後、ウェハを、ミッラ(Mirra)ツールのプラテン2に、ソフトランディングおよび過剰研磨配合物を用いる処理のために移した。ソフトランディングおよび過剰研磨配合物は、約3.6:1のバルク銅除去配合物対レオロジー剤含有溶液比を有していた。ソフトランディングおよび過剰研磨の処理条件は、エンドポイントに到達するまでの、2psiのダウンフォースでのソフトランディング研磨、これに続く、1psiのダウンフォースでの過剰研磨を含む。Cu除去速度およびWIWNU%を含む結果が、図4に図示されおよび以下の表2にまとめられている。
図4を参照すると、プラテン1処理(図4Aおよび4B)は、典型的には凸状であり、一方で、プラテン2ソフトランディング処理(図4Cおよび4D)は、プラテン1処理を補償するために典型的には凹状であることを見ることができる。過剰研磨と共に、ステップI処理は、ステップI CMP処理中に効率的におよび均質に銅を除去する。ソフトランディングおよび過剰研磨中の高WIWNUは、初期ウェハ計測値に基づくことを意図した。
表3は、80μmパッドおよび50%パターン密度(PD)0.18μmアレイを用いる、本発明の異なる処理条件についてのディッシングおよびエロージョンの結果を含む。
表3のウェハ1は僅かに過小研磨されており、一方でウェハ2〜5は、過剰研磨ステップ後に基本的に銅残渣の残留はなかった。ディッシングおよびエロージョンは、バルク銅除去組成物のレオロジー剤含有溶液と相対的な比と弱い依存関係を有しており、強固な処理ウィンドウを示していることを見ることができる。
本発明のバルク銅除去組成物およびソフトランディングおよび過剰研磨組成物は、従来の方策で、ステップI CMP作業において、ウェハ基板上の銅表面への従来の態様でのCMP組成物の適用により利用されることが可能であり、および銅表面の研磨を研磨パッド、研磨ベルト等などの従来の研磨エレメントを用いて実施することが可能である。
従って、単一のCMP配合物、すなわち、(a)半導体ウェハ表面上の銅を急速に平坦化するため、および(b)レオロジー剤含有溶液と組み合わせて、銅エレメントの表面を無視可能なディッシングまたはエロージョンで有効に研磨するソフトランディングおよび過剰研磨配合物を形成するために、バルク銅除去配合物を用い得る。
本発明によるステップI研磨の完了の後、ウェハは、ステップII研磨のための第3のプラテンに移され得る。
実施例3
摩擦性剤を含まないいくつかの組成物と比した、摩擦性剤を含む組成物の摩擦係数(COF)の変化を判定するために実験を実施した。具体的には、摩擦性剤を含有しない汎用の組成物、本願明細書中以下セルリアン(Cerulean)−NF(Cer−NFまたはCer−0)は:
0.8重量%の5−アミノテトラゾール
1重量%のアルミナ被覆シリカ
<0.05重量%水酸化カリウム
水(約88.9重量%)を含む。
摩擦性剤を含まないいくつかの組成物と比した、摩擦性剤を含む組成物の摩擦係数(COF)の変化を判定するために実験を実施した。具体的には、摩擦性剤を含有しない汎用の組成物、本願明細書中以下セルリアン(Cerulean)−NF(Cer−NFまたはCer−0)は:
0.8重量%の5−アミノテトラゾール
1重量%のアルミナ被覆シリカ
<0.05重量%水酸化カリウム
水(約88.9重量%)を含む。
摩擦性剤を含む配合物は、Cer−NFおよび4%のグリシン(本願明細書中以下セルリアン(Cerulean)4(Cer−4))を含む。シリコン基板、誘電体層、バリア層、および15,000Å銅層を有するブランケットウェハを、ミッラ(Mirra)ツールのプラテン上にバルク銅除去配合物を用いて処理した。図5に示すとおり、増加する下方圧力を適用し、および回転するプラテンを120rpmで維持した。銅表面のCOFはCer−4の使用に伴って増加し、およびTaについてのCOFはCer−4組成物の使用に伴って低減されたことが明らかである。興味深いことに、回転するプラテンに対する圧力が増加するに伴って、銅についてのCOFは僅かに低減し、その一方で、TaについてのCOFは増加した。
実施例4
共に摩擦性剤としてグリシンを含む、2種の異なるCMP組成物、Cer−4およびセルリアン(Cerulean)(Cer−6)を、摩擦性剤(Cer−NF)を含まない組成物と相対的に比較した。Cer−6は:
アミノテトラゾール
過酸化水素
アルミナ被覆シリカ
4%〜6%グリシン
を含んでいた。
共に摩擦性剤としてグリシンを含む、2種の異なるCMP組成物、Cer−4およびセルリアン(Cerulean)(Cer−6)を、摩擦性剤(Cer−NF)を含まない組成物と相対的に比較した。Cer−6は:
アミノテトラゾール
過酸化水素
アルミナ被覆シリカ
4%〜6%グリシン
を含んでいた。
図6Aに示すとおり、銅表面でのグリシン含有組成物のCOFは、基本的に一定に維持され、およびCer−NFについてのCOFは、低いCOFを示す。回転するプラテンのrpmが増加するに伴って、すべての組成物についてCOFは低減された。図6Bは、タンタル表面の、組成物Cer−NF、Cer−4およびCer−6での研磨の結果を示す。Ta表面のCOFは銅のものよりかなり低く、およびグリシンの濃度が増加するに伴ってCOFが低減する。興味深いことに、Ta表面のCOFは、回転するプラテンの速度の増加によっては影響されなかった。
実施例5
図7および8は2相研磨溶液を用いる結果を図示し、ここで、ステップI組成物は効果的に銅表面のバルクを低減させおよびステップII組成物はより効果的にTaおよび誘電体基板表面を研磨した。ステップI組成物は、酸安定シリカ、1,2,4トリアゾール、過酸化水素および摩擦性剤としてグリシンを含んでいた。図7に示すとおり、この組成物は、銅のCOFを、TaN表面と比して増加させた。回転するプラテンのrpmが増加するに伴って、TaNのCOFは銅についての値に向かって併合する。ステップII組成物は、酸安定シリカ、1,2,4トリアゾール、0.15%過酸化水素を含むが、摩擦性剤グリシンの代わりに、組成物は、フタル酸および、Ta表面および誘電体表面についての選択性を高めるポリアクリル酸をさらに含む。図8に示すとおり、COFはSiONおよびTaN表面について増加し、一方で銅についてCOFは低下した。
図7および8は2相研磨溶液を用いる結果を図示し、ここで、ステップI組成物は効果的に銅表面のバルクを低減させおよびステップII組成物はより効果的にTaおよび誘電体基板表面を研磨した。ステップI組成物は、酸安定シリカ、1,2,4トリアゾール、過酸化水素および摩擦性剤としてグリシンを含んでいた。図7に示すとおり、この組成物は、銅のCOFを、TaN表面と比して増加させた。回転するプラテンのrpmが増加するに伴って、TaNのCOFは銅についての値に向かって併合する。ステップII組成物は、酸安定シリカ、1,2,4トリアゾール、0.15%過酸化水素を含むが、摩擦性剤グリシンの代わりに、組成物は、フタル酸および、Ta表面および誘電体表面についての選択性を高めるポリアクリル酸をさらに含む。図8に示すとおり、COFはSiONおよびTaN表面について増加し、一方で銅についてCOFは低下した。
実施例6
銅除去速度に対する希釈の効果を実証するために、ステップI CMP組成物を希釈し、およびCu除去速度を、電気化学的方法を用いて測定した。
銅除去速度に対する希釈の効果を実証するために、ステップI CMP組成物を希釈し、およびCu除去速度を、電気化学的方法を用いて測定した。
一例として、元のステップI CMP組成物を、脱イオン水で希釈して、希釈ステップI CMPスラリーを得た。ブランケット銅ウェハを各々、それぞれのスラリーに浸漬し、およびCu除去速度をオングストローム/分で計測した。
図9は、希釈および非希釈CER6溶液を、ウェハ上の特定の点(3psiのダウンフォースで)で用いたウェハ上のCuの除去効果を示す。例えば、非希釈形態においては、ウェハの縁部の除去が低く、およびディスクの中心で除去速度が高い。スラリーの希釈を高めるに伴って、ウェハの表面にわたる銅の除去が低く、およびウェハの中心でディッシングは著しく低い。この効果は、さらに、図16Aおよび16B、特に図16Bに見ることが可能であり、ここで、ウェハの中心におけるディッシング溶液の希釈によって低減されている。特に、平坦化が1psiで実施されている図15においては、結果の区別は希釈および非希釈溶液の間ほどにはっきりと画定されておらず、および明らかに、除去速度は、プラテンに対してパッドに及ぼされた低い圧力で大きく低減されている。
図10は、スラリー希釈の増加に伴うブランケット除去速度の線形低減を示すプロットであり、およびこのように、過剰研磨中の希釈は、ディッシング値を同時に低減させることとなる。これは、図12に示す結果によりさらに実証されており、ここで、希釈Cer−4スラリーは、非希釈スラリーと比したときに、低減したディッシングをウェハの中心および縁部を示す。
図11は、ディッシング速度、ブランケット除去速度および希釈係数と相対的なブランケット/ディッシング速度比を含む複数の結果を示すプロットである。具体的には、3つのセマテック(Sematech)854ウェハを、非希釈Cer−4で研磨して、すべてのCuを表面から除去した。次いで3つのウェハをさらに、さらなる10秒間、非希釈溶液(3倍に希釈されたものおよび10倍に希釈したもの)で研磨した。プレ−およびポスト−ディッシング値を計測し、およびディッシング速度を計算した。図11に示すとおり、希釈の増加と共にディッシングおよびブランケット除去速度の両方が低減していた。ブランケット/ディッシング比は、希釈スラリーについて、非希釈のものより大きい。
図13および14は、希釈Cer−4溶液での、1psiダウンフォースでの研磨の結果を示す。図13は、銅除去をオングストローム/秒で示す。希釈係数が増加するに伴って(スラリーの濃度が低減されることを意味する)、銅除去が低減しおよびディッシングが低減されることが明らかである。図14は、2:1の水:スラリーの近似比を有する希釈スラリーは、ウェハのフェースにわたる低減された銅除去、および明らかに、表面にわたるより一貫した除去を示す、という追加の証拠を提供する。対照的に、非希釈スラリーは、増加したディッシングをウェハの中心に生じさせた。
本発明の特定の態様、フィーチャおよび例示的実施形態に参照して本発明を本願明細書に記載してきたが、本発明の実用性は、それ故制限されず、むしろ、本願明細書における開示に基づいて当業者に自己提案的であるとおり、数多くの他の変形、改良および代替的実施形態に拡大され、およびを包含することが認識されるであろう。対応して、本願明細書中以下に請求された本発明は、すべてのこのような変形、改良および代替的実施形態をその思想および範囲内に包含するとおり、広範に解析されかつ解釈されることが意図される。
図面の簡単な説明
200mL 分−1のステップIA配合物流量でのバルク銅除去についての、マイクロエレクトロニクスデバイスウェハの二等分線に沿った点でのÅ 分−1での銅除去速度および平均銅除去速度に比した%差を図示する。
Å 分−1での銅除去速度およびmL 分−1でのステップIA配合物流量に比した%ウェハ内不均質性(WIWNU)をグラフ的に図示する。
本発明による、インラインステップIA配合物/レオロジー剤含有溶液混合装置の概略図である。
3psiダウンフォースでのバルク銅除去(図4Aおよび4B)および2psiダウンフォースでの「ソフトランディング」(図4Cおよび4D)についての、ウェハの二等分線に沿った点でのÅ 分−1での銅除去速度および平均銅除去速度に比した%差を図示する。
120rpmに維持された研磨デバイスのダウンフォース圧力の増加に比した、摩擦性剤としてのグリシンの包含による摩擦係数の変化を図示する。
一定のrpmでの研磨デバイスのダウンフォース圧力の増加に比した、異なるCMP組成物における摩擦性剤としてのグリシンの包含による摩擦係数の変化をグラフ的に図示する。
一定のrpmでの研磨デバイスのダウンフォース圧力の増加と比した、摩擦性剤としてのグリシンの包含による他の材料と比した銅表面での摩擦係数の増加をグラフ的に図示する。
一定のrpmでの研磨デバイスのダウンフォース圧力の増加に比した、TaNおよびSiON表面に対して高い選択性を有する摩擦性剤の包含によるTaNおよびSiON表面での摩擦係数の増加をグラフ的に図示する。
オングストローム/分の3psiでの銅の除去速度に対するCER4スラリーの希釈の効果を図示する。
希釈係数の増加に伴う銅の除去速度の低減を図示する。
希釈係数に比した、ディッシング速度、ブランケット除去速度およびブランケット/ディッシング速度比を含む複数の結果を示すプロットである。
希釈されたときの、非希釈溶液と比較したCER4スラリーを用いて低減された銅の除去速度を図示する。
希釈係数の増加(スラリー濃度の低減)に伴うディッシング速度の大きい低減を示すグラフである。
1psiでの、希釈および非希釈形態の両方のCER4溶液を用いた研磨の結果を示すプロットである。
希釈(2:1)に比した除去速度およびこのような希釈方法を示すプロットである。
CER6溶液の希釈前および後の両方でのディッシングの選択性を図示する2つのグラフを示す。
Claims (29)
- プラテン上のマイクロエレクトロニクスデバイス用基板の研磨方法であって、
(a)前記基板を、十分な時間、第1の化学機械研磨(CMP)条件下に、平坦化および前記基板からの材料の除去に有効な第1のCMP組成物と接触させるステップと、
(b)同一のプラテン上の前記基板を、十分な時間、第2のCMP条件下に、有機溶剤、pH調整剤、レオロジー剤、キレート化剤、不動態化剤、摩擦性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の添加剤のインサイチュ添加により変性された第1のCMP組成物を含む第2のCMP組成物と接触させるステップと
を含み、
前記第2のCMP組成物が、材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有効であり、および第2のCMP組成物が、第1のCMP組成物より低い材料静的エッチング速度を有する方法。 - 第1のCMP組成物が、少なくとも1種の酸化剤、少なくとも1種の抑制剤、少なくとも1種の研磨材および少なくとも1種の溶剤を含む、請求項1に記載の方法。
- 添加剤が、変性セルロース誘導体、セルロースエーテル、スターチ誘導体、ペクチン誘導体、他の多糖類、タンパク質および天然ポリマー、ポリアクリルアミド、水溶性ポリマー、高分子凝集剤、界面活性剤、およびこれらの水性分散体からなる群から選択されるレオロジー剤を含む、請求項1に記載の方法。
- レオロジー剤が、ヒドロキシプロピルセルロース(HPC)、ヒドロキシエチルセルロース、他のセルロースエーテル、カルボキシメチルセルロース、およびこれらの混合物からなる群から選択される種を含む、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1種の研磨材が、シリカ、アルミナ、シリコンカーバイド、窒化シリコン、酸化鉄、酸化セリウム、ジルコニウムオキシド、酸化錫、二酸化チタン、有機ポリマー粒子、エポキシ、ウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリオレフィン、(メタ)アクリル、アルミナ被覆コロイダルシリカ、被覆およびドープされた粒子、およびこのような構成材料の2つ以上の混合物からなる群から選択される研磨材種を含み、
少なくとも1種の酸化剤が、過酸化水素、硝酸第二鉄、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜塩素酸アンモニウム、塩素酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過ホウ酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、アンモニウム過ヨウ素酸、過硫酸アンモニウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、塩素酸テトラメチルアンモニウム、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過硫酸テトラメチルアンモニウム、4−メチルモルホリンN−オキシド、ピリジン−N−オキシド、尿素過酸化水素、およびこのような構成材料の2つ以上の混合物からなる群から選択される化合物を含み、
少なくとも1種の不動態化剤が、イミダゾール、アミノテトラゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、アミノ、イミノ、カルボキシ、メルカプト、ニトロ、アルキル、尿素およびチオ尿素化合物、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、5−アミノテトラゾール(ATA)、5−アミノテトラゾール一水和物、および誘導体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含み、および
少なくとも1種の溶剤が、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項2に記載の方法。 - 第1のCMP組成物が、過酸化水素、アルミナ被覆コロイダルシリカ、5−アミノテトラゾール(ATA)、および水を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1のCMP組成物が、少なくとも1種の摩擦性剤をさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 少なくとも1種の摩擦性剤が、グリシンを含む、請求項7に記載の方法。
- 添加剤が、少なくとも1種のpH調整剤を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1のCMP条件が、約1psi〜約7psiの範囲のプラテンダウンフォースを含む、請求項1に記載の方法。
- 第1のCMP条件が、約10mL 分−1〜約10L 分−1の範囲の第1のCMP組成物流量を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1のCMP条件が、約140mL 分−1〜約200mL 分−1の範囲の第1のCMP組成物流量を含む、請求項1に記載の方法。
- 材料が、金属、金属窒化物、金属シリサイド、金属酸化物、シリコン含有材料、およびこれらの組み合わせ群から選択される種を含む、請求項1に記載の方法。
- 金属が、銅、タングステン、アルミニウム、銀色、金色、白金、タンタル、チタン、ルテニウム、パラジウム、ハフニウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項13に記載の方法。
- 金属が銅を含む、請求項13に記載の方法。
- 材料が、タンタル、チタン、タングステン、ルテニウム、これらの窒化物およびシリサイド、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるバリア層材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1のCMP組成物が、前記基板上の材料の平坦化に有効である、請求項1に記載の方法。
- 前記マイクロエレクトロニクスデバイス基板が、バリア材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 第2のCMP組成物が、材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有効である、請求項17に記載の方法。
- 第1のCMP組成物を用いる平坦化速度が、約6,000Å 分−1〜約15,000Å 分−1の範囲である、請求項1に記載の方法。
- 第2のCMP条件が、約0.1psi〜約4psiの範囲のプラテンダウンフォースを含む、請求項1に記載の方法。
- 第2のCMP組成物における第1のCMP組成物対レオロジー剤の比が、約10:1〜約10,000:1の範囲内である、請求項3に記載の方法。
- 第2のCMP組成物における第1のCMP組成物対レオロジー剤の比が、約500:1〜約1500:1の範囲内である、請求項3に記載の方法。
- 第2のCMP組成物が材料被覆膜の除去およびバリア材料層の露出に有用であり、第2のCMP組成物を用いる材料被覆膜除去速度およびバリア材料層露出速度が、約5,000Å 分−1未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記材料が第1のCMP組成物を用いて平坦化されると共に、バリア材料層が、同一のプラテンで第2のCMP組成物を用いて露出される、請求項1に記載の方法。
- 第2のCMP条件が、約1psi〜約4psiの範囲のソフトランディングプラテンダウンフォースおよび約0.1psi〜約4psiの範囲の過剰研磨プラテンダウンフォースを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1種の添加剤が、第2のプラテンで第1のCMP組成物と混合される、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1種の添加剤が、プラテンの上流で、インラインで第1のCMP組成物と混合される、請求項1に記載の方法。
- 第2のCMP組成物が、バリア材料層への露出開始時の材料ディッシングおよびエロージョンを最小限とする、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US70620605P | 2005-08-05 | 2005-08-05 | |
PCT/US2006/030508 WO2007019342A2 (en) | 2005-08-05 | 2006-08-07 | High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009503910A true JP2009503910A (ja) | 2009-01-29 |
Family
ID=37727938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008525239A Withdrawn JP2009503910A (ja) | 2005-08-05 | 2006-08-07 | 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304344B2 (ja) |
EP (1) | EP1929512A2 (ja) |
JP (1) | JP2009503910A (ja) |
KR (1) | KR20080033514A (ja) |
CN (1) | CN101356628B (ja) |
IL (1) | IL189305A0 (ja) |
TW (1) | TW200714696A (ja) |
WO (1) | WO2007019342A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8304344B2 (en) | 2012-11-06 |
US20080254628A1 (en) | 2008-10-16 |
CN101356628A (zh) | 2009-01-28 |
TW200714696A (en) | 2007-04-16 |
KR20080033514A (ko) | 2008-04-16 |
WO2007019342A3 (en) | 2007-04-12 |
EP1929512A2 (en) | 2008-06-11 |
WO2007019342A2 (en) | 2007-02-15 |
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