JPS6222263B2 - - Google Patents
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- JPS6222263B2 JPS6222263B2 JP56071075A JP7107581A JPS6222263B2 JP S6222263 B2 JPS6222263 B2 JP S6222263B2 JP 56071075 A JP56071075 A JP 56071075A JP 7107581 A JP7107581 A JP 7107581A JP S6222263 B2 JPS6222263 B2 JP S6222263B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
この発明は半導体集積回路装置の製造における
ポジ型フオトレジストの除去方法に関するもので
ある。 半導体集積回路装置の集積度の向上に伴い、集
積回路を構成する素子の寸法の微細化が進められ
ている。素子のパターン寸法が２〜３ミクロン程
度まで微細化すると、従来の集積回路装置の製造
に際して採用されている方法、すなわち、ネガ型
のフオトレジスト（例えばOMR−83、東京応化
製）を用いてレジストパターンを形成し、化学薬
品によつて露呈する下地被膜をエツチングする方
法を採用することが不可能となつた。ネガ型フオ
トレジストでは充分な解像度が得られず、また化
学薬品を用いる湿式エツチングでは寸法の均一
性、再現性が不充分である。このため、２〜３ミ
クロンのパターン寸法になると一般にポジ型フオ
トレジスト例えばAZ−1350J（シツプレー社
製）、OFPR−800（東京応化製）を用いてレジス
トパターンを形成し、また、エツチングには寸法
精度のよいプラズマエツチングなどのドライエツ
チングが行なわれるようになつた。 ポジ型フオトレジストをエツチングのマスク材
料として用いた場合、従来のようにフツ酸・フツ
化アンモニウムなどの混合溶液で下地被膜をエツ
チングするときには、レジスト除去は発煙硝酸ま
たは硫酸と過酸化水素水との混合液などの強酸化
性の薬品に浸漬することにより簡単に行うことが
できる。また、ポジ型フオトレジストは現像後の
ベーキング温度が低ければ〔例えばOFPR−800
（東京応化製）で110℃程度のベーキング〕、アセ
トン溶液にも容易に溶解することは周知の通りで
ある。しかしながら、ベーキング温度を150℃以
上にするとアセトンによる溶解が著しく困難にな
る。 以上のように、ポジ型フオトレジストを用い
て、従来の方法と同様湿式エツチングを行う場合
には、周知の方法で容易にレジストを除去するこ
とができる。しかし、微細加工のため、ポジ型フ
オトレジストをマスクとして用いるとともにプラ
ズマ雰囲気で下地被膜のエツチングを行つた場
合、フオトレジストの除去のために従来使用され
ていた強酸化性の薬品や有機溶剤ではフオトレジ
ストの完全な除去ができなくなつた。下地被膜で
あるシリコン酸化膜、シリコンナイトライド膜あ
るいは多結晶シリコン膜などのプラズマエツチン
グにはCF4やC3F8などのエツチングガスを用いる
ため、フオトレジストの表面がフツ素ラジカルな
どと反応し、フツ素化合物のようなものになり、
従来の処理液ではフオトレジストは溶解しない。
例えば発煙硝酸に長時間浸漬してもフオトレジス
ト表面が部分的にはがれるだけである。また、プ
ラズマエツチングではフオトレジストの耐プラズ
マ性を向上させるため、エツチング条件によつて
はベーキングを高温にする必要がある。例えば、
平行平板型の電極構造を有するプラズマエツチン
グ装置でC3F8によりシリコン酸化膜をエツチン
グする場合、高温でベーキングしないとエツチン
グ中にレジストの剥離が起る。この剥離を防止す
るため高温でベーキングを施すと、レジストの除
去は一層困難になり、従来の方法では除去できな
い。 下表に高温でベーキングしたフオトレジストに
対する処理液の作用の程度を示す。
ポジ型フオトレジストの除去方法に関するもので
ある。 半導体集積回路装置の集積度の向上に伴い、集
積回路を構成する素子の寸法の微細化が進められ
ている。素子のパターン寸法が２〜３ミクロン程
度まで微細化すると、従来の集積回路装置の製造
に際して採用されている方法、すなわち、ネガ型
のフオトレジスト（例えばOMR−83、東京応化
製）を用いてレジストパターンを形成し、化学薬
品によつて露呈する下地被膜をエツチングする方
法を採用することが不可能となつた。ネガ型フオ
トレジストでは充分な解像度が得られず、また化
学薬品を用いる湿式エツチングでは寸法の均一
性、再現性が不充分である。このため、２〜３ミ
クロンのパターン寸法になると一般にポジ型フオ
トレジスト例えばAZ−1350J（シツプレー社
製）、OFPR−800（東京応化製）を用いてレジス
トパターンを形成し、また、エツチングには寸法
精度のよいプラズマエツチングなどのドライエツ
チングが行なわれるようになつた。 ポジ型フオトレジストをエツチングのマスク材
料として用いた場合、従来のようにフツ酸・フツ
化アンモニウムなどの混合溶液で下地被膜をエツ
チングするときには、レジスト除去は発煙硝酸ま
たは硫酸と過酸化水素水との混合液などの強酸化
性の薬品に浸漬することにより簡単に行うことが
できる。また、ポジ型フオトレジストは現像後の
ベーキング温度が低ければ〔例えばOFPR−800
（東京応化製）で110℃程度のベーキング〕、アセ
トン溶液にも容易に溶解することは周知の通りで
ある。しかしながら、ベーキング温度を150℃以
上にするとアセトンによる溶解が著しく困難にな
る。 以上のように、ポジ型フオトレジストを用い
て、従来の方法と同様湿式エツチングを行う場合
には、周知の方法で容易にレジストを除去するこ
とができる。しかし、微細加工のため、ポジ型フ
オトレジストをマスクとして用いるとともにプラ
ズマ雰囲気で下地被膜のエツチングを行つた場
合、フオトレジストの除去のために従来使用され
ていた強酸化性の薬品や有機溶剤ではフオトレジ
ストの完全な除去ができなくなつた。下地被膜で
あるシリコン酸化膜、シリコンナイトライド膜あ
るいは多結晶シリコン膜などのプラズマエツチン
グにはCF4やC3F8などのエツチングガスを用いる
ため、フオトレジストの表面がフツ素ラジカルな
どと反応し、フツ素化合物のようなものになり、
従来の処理液ではフオトレジストは溶解しない。
例えば発煙硝酸に長時間浸漬してもフオトレジス
ト表面が部分的にはがれるだけである。また、プ
ラズマエツチングではフオトレジストの耐プラズ
マ性を向上させるため、エツチング条件によつて
はベーキングを高温にする必要がある。例えば、
平行平板型の電極構造を有するプラズマエツチン
グ装置でC3F8によりシリコン酸化膜をエツチン
グする場合、高温でベーキングしないとエツチン
グ中にレジストの剥離が起る。この剥離を防止す
るため高温でベーキングを施すと、レジストの除
去は一層困難になり、従来の方法では除去できな
い。 下表に高温でベーキングしたフオトレジストに
対する処理液の作用の程度を示す。
【表】
また、酸素ガスプラズマでフオトレジストを灰
化する方法も行われているが、この方法ではレジ
ストに含まれるナトリウム、カリウムなどの微量
重金属がウエハー表面からシリコン酸化膜やシリ
コン基板中に押し込まれ、これらは表面洗浄のみ
では取り除くことができない。このような方法は
MOS集積回路装置の製造工程には不適当であ
る。 本発明はこのようなプラズマエツチング後のレ
ジスト除去を、素子の特性に影響を与えることな
く、簡単に、短時間で除去することを可能とし、
集積回路装置の製造の能率向上を図ることを目的
としてなされたもので、本発明の特徴は、プラズ
マエツチング処理時にマスクとして作用したポジ
型フオトレジストに先ず強酸化性溶液を作用させ
ることによつてその表面を荒らし、こののち、ア
セトンなどの有機溶剤を作用させることによつて
ポジ型フオトレジストを除去するところにある。 以下に本発明の実施例を示す。 実施例 １ 図に示したシリコン酸化膜のプラズマエツチン
グの場合について詳細に説明する。シリコン基板
１に気相成長法によりシリコン酸化膜２を成長す
る。ポジ型フオトレジスト３（例えばOFPR−
800東京応化製）を膜厚約1.3ミクロン塗布し、光
露光によりパターンを形成する。これを現像後、
150℃で30分以上ベーキングする。次いで平行平
板型の電極構造を有するプラズマエツチング装置
により、C3F8ガスを用いエツチングする。エツ
チング後、室温に保たれた発煙硝酸中へ約１分間
浸漬し、次に水洗し、表面の発煙硝酸を簡単に洗
い流す。この処理によつて、発煙硝酸がフオトレ
ジスト膜３に作用し、プラズマにより変質したレ
ジスト表面が荒らされ、変質していないポジ型フ
オトレジスト層が部分的に現われる。次に、シリ
コン基板をアセトン溶液（99％）に浸漬する。こ
のとき溶液を撹拌または超音波撹拌すれば、ポジ
型フオトレジストは数分で完全に除去される。こ
れを水洗し、レジスト除去が完了する。 なお、発煙硝酸による処理ののちに行う水洗が
不十分でアセトン溶液中に発煙硝酸が、混入して
も全く影響ない。また、多結晶シリコン膜やシリ
コンナイトライド膜を、放電室分離型マイクロ波
励起ケミカルドライエツチングまたは円筒型プラ
ズマエツチング装置を用いてエツチングを行う場
合も同様である。 実施例 ２ 前記実施例１と同様に、ポジ型フオトレジスト
のパターンを形成し、プラズマエツチングをした
後、室温に保たれた硫酸・過酸化水素水混合液中
に約１分間浸漬した後水洗する。次にアセトン溶
液（99％）に浸漬する。この処理によつてもポジ
型フオトレジストは実施例１と同様、数分で完全
に除去される。 以上の説明から明らかなように、本発明による
フオトレジストの除去方法では、MOS集積回路
素子に汚染などの影響を及ぼすアルカリ溶液は使
用しない。このため、上記の悪影響を及ぼすこと
なく、短時間で完全にポジ型フオトレジストを除
去することが可能となる。したがつて、半導体集
積回路、とりわけMOS集積回路装置の製造分野
における実用的効果は顕著なものである。
化する方法も行われているが、この方法ではレジ
ストに含まれるナトリウム、カリウムなどの微量
重金属がウエハー表面からシリコン酸化膜やシリ
コン基板中に押し込まれ、これらは表面洗浄のみ
では取り除くことができない。このような方法は
MOS集積回路装置の製造工程には不適当であ
る。 本発明はこのようなプラズマエツチング後のレ
ジスト除去を、素子の特性に影響を与えることな
く、簡単に、短時間で除去することを可能とし、
集積回路装置の製造の能率向上を図ることを目的
としてなされたもので、本発明の特徴は、プラズ
マエツチング処理時にマスクとして作用したポジ
型フオトレジストに先ず強酸化性溶液を作用させ
ることによつてその表面を荒らし、こののち、ア
セトンなどの有機溶剤を作用させることによつて
ポジ型フオトレジストを除去するところにある。 以下に本発明の実施例を示す。 実施例 １ 図に示したシリコン酸化膜のプラズマエツチン
グの場合について詳細に説明する。シリコン基板
１に気相成長法によりシリコン酸化膜２を成長す
る。ポジ型フオトレジスト３（例えばOFPR−
800東京応化製）を膜厚約1.3ミクロン塗布し、光
露光によりパターンを形成する。これを現像後、
150℃で30分以上ベーキングする。次いで平行平
板型の電極構造を有するプラズマエツチング装置
により、C3F8ガスを用いエツチングする。エツ
チング後、室温に保たれた発煙硝酸中へ約１分間
浸漬し、次に水洗し、表面の発煙硝酸を簡単に洗
い流す。この処理によつて、発煙硝酸がフオトレ
ジスト膜３に作用し、プラズマにより変質したレ
ジスト表面が荒らされ、変質していないポジ型フ
オトレジスト層が部分的に現われる。次に、シリ
コン基板をアセトン溶液（99％）に浸漬する。こ
のとき溶液を撹拌または超音波撹拌すれば、ポジ
型フオトレジストは数分で完全に除去される。こ
れを水洗し、レジスト除去が完了する。 なお、発煙硝酸による処理ののちに行う水洗が
不十分でアセトン溶液中に発煙硝酸が、混入して
も全く影響ない。また、多結晶シリコン膜やシリ
コンナイトライド膜を、放電室分離型マイクロ波
励起ケミカルドライエツチングまたは円筒型プラ
ズマエツチング装置を用いてエツチングを行う場
合も同様である。 実施例 ２ 前記実施例１と同様に、ポジ型フオトレジスト
のパターンを形成し、プラズマエツチングをした
後、室温に保たれた硫酸・過酸化水素水混合液中
に約１分間浸漬した後水洗する。次にアセトン溶
液（99％）に浸漬する。この処理によつてもポジ
型フオトレジストは実施例１と同様、数分で完全
に除去される。 以上の説明から明らかなように、本発明による
フオトレジストの除去方法では、MOS集積回路
素子に汚染などの影響を及ぼすアルカリ溶液は使
用しない。このため、上記の悪影響を及ぼすこと
なく、短時間で完全にポジ型フオトレジストを除
去することが可能となる。したがつて、半導体集
積回路、とりわけMOS集積回路装置の製造分野
における実用的効果は顕著なものである。
図は一般的な半導体装置の製造における窓開け
処理直前の状態を示す断面図である。 １……シリコン基板、２……シリコン酸化膜、
３……ポジ型フオトレジスト。
処理直前の状態を示す断面図である。 １……シリコン基板、２……シリコン酸化膜、
３……ポジ型フオトレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポジ型フオトレジストをマスクとし、下地被
膜をプラズマエツチングしたのち前記ポジ型フオ
トレジストを除去するにあたり、同ポジ型フオト
レジストに強酸化性溶液を作用させ、次いで有機
溶剤を作用させて全ての前記ポジ型フオトレジス
トを溶解除去することを特徴とするフオトレジス
トの除去方法。 ２ 有機溶剤がアセトンであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のフオトレジストの
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107581A JPS57186330A (en) | 1981-05-12 | 1981-05-12 | Removing method for photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107581A JPS57186330A (en) | 1981-05-12 | 1981-05-12 | Removing method for photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57186330A JPS57186330A (en) | 1982-11-16 |
| JPS6222263B2 true JPS6222263B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=13450033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7107581A Granted JPS57186330A (en) | 1981-05-12 | 1981-05-12 | Removing method for photoresist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57186330A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294911A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP4678665B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN110571138A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914682A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-08 | ||
| JPS5021681A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-03-07 | ||
| JPS52100234A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Sony Corp | Stripping solution of photosolubilizable light sensitive resin |
| JPS5336363A (en) * | 1976-09-14 | 1978-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Electric razor |
-
1981
- 1981-05-12 JP JP7107581A patent/JPS57186330A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914682A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-08 | ||
| JPS5021681A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-03-07 | ||
| JPS52100234A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Sony Corp | Stripping solution of photosolubilizable light sensitive resin |
| JPS5336363A (en) * | 1976-09-14 | 1978-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Electric razor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57186330A (en) | 1982-11-16 |
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