JP2001159826A - フォトレジストストリッパ組成物およびこれを用いたフォトレジストストリップ方法 - Google Patents
フォトレジストストリッパ組成物およびこれを用いたフォトレジストストリップ方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上にコーティングされているフォトレジ
ストをその種類及び極性に関係なく基板から効果的に速
くストリップできるフォトレジストストリッパ組成物及
びフォトレジストストリップ方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストストリッパ組成物は、ア
セトン、γ−ブチロラクトン及びエステル溶剤の混合物
からなる。基板を比較的低速で回転させながらフォトレ
ジストストリッパ組成物を基板上に噴射し、回転速度上
げてさらにフォトレジストストリッパ組成物を基板に噴
射する。純粋で基板をリンスした後、ウェーハ上のフォ
トレジストを完全に除去する。したがって、有機溶剤を
用いたリンス段階を減ることなく、純粋を使用したリン
ス工程だけで十分である。そのため、従来のストリップ
方法と比較して工程数を低減することができる。
ストをその種類及び極性に関係なく基板から効果的に速
くストリップできるフォトレジストストリッパ組成物及
びフォトレジストストリップ方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストストリッパ組成物は、ア
セトン、γ−ブチロラクトン及びエステル溶剤の混合物
からなる。基板を比較的低速で回転させながらフォトレ
ジストストリッパ組成物を基板上に噴射し、回転速度上
げてさらにフォトレジストストリッパ組成物を基板に噴
射する。純粋で基板をリンスした後、ウェーハ上のフォ
トレジストを完全に除去する。したがって、有機溶剤を
用いたリンス段階を減ることなく、純粋を使用したリン
ス工程だけで十分である。そのため、従来のストリップ
方法と比較して工程数を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
のような基板からフォトレジストを除去するためのスト
リッパ組成物とこれを使用してフォトレジストを効果的
にストリップする方法に関する。
のような基板からフォトレジストを除去するためのスト
リッパ組成物とこれを使用してフォトレジストを効果的
にストリップする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ICまたはLSIなどの半導体素子または液
晶パネル素子を製造する場合、コーティングマスクとし
てフォトレジスト物質が広く使われる。フォトレジスト
物質を用いたフォトリソグラフィー工程によって集積素
子を製造する通常の工程では、板上に形成された導電性
金属膜または絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し
てフォトレジスト膜を形成する。その後、前記フォトレ
ジスト膜内の溶剤を蒸発させて前記フォトレジスト膜を
安定化させるためのソフトべーク工程を行なう。前記ソ
フトべーク工程を経たフォトレジスト膜に対してUV、e
ビーム、またはX線の波長を有する光源を照射して露光
を行った後、現像処理によって前記基板上にフォトレジ
ストパターンを形成し、このフォトレジストパターンを
マスクとして前記導電性金属膜または絶縁膜を選択的に
エッチングして微細回路パターンを形成した後、不要な
フォトレジスト物質をストリッパを使用して除去する。
晶パネル素子を製造する場合、コーティングマスクとし
てフォトレジスト物質が広く使われる。フォトレジスト
物質を用いたフォトリソグラフィー工程によって集積素
子を製造する通常の工程では、板上に形成された導電性
金属膜または絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し
てフォトレジスト膜を形成する。その後、前記フォトレ
ジスト膜内の溶剤を蒸発させて前記フォトレジスト膜を
安定化させるためのソフトべーク工程を行なう。前記ソ
フトべーク工程を経たフォトレジスト膜に対してUV、e
ビーム、またはX線の波長を有する光源を照射して露光
を行った後、現像処理によって前記基板上にフォトレジ
ストパターンを形成し、このフォトレジストパターンを
マスクとして前記導電性金属膜または絶縁膜を選択的に
エッチングして微細回路パターンを形成した後、不要な
フォトレジスト物質をストリッパを使用して除去する。
【０００３】前記のようなフォトリソグラフィー工程
で、前記ソフトべーク工程を経た後にはウェーハのエッ
ジ部分やウェーハの裏面から不要に塗布されたフォトレ
ジスト物質を除去する必要がある。このようにウェーハ
のエッジまたは裏面に不要に塗布されたフォトレジスト
は、後続のエッチング工程またはイオン注入工程時いろ
いろな不良を起こし、結果的に生産収率を低下させる恐
れがある。このように不要なフォトレジストを除去する
ために通常は有機溶媒を含むストリッパを使用する。
で、前記ソフトべーク工程を経た後にはウェーハのエッ
ジ部分やウェーハの裏面から不要に塗布されたフォトレ
ジスト物質を除去する必要がある。このようにウェーハ
のエッジまたは裏面に不要に塗布されたフォトレジスト
は、後続のエッチング工程またはイオン注入工程時いろ
いろな不良を起こし、結果的に生産収率を低下させる恐
れがある。このように不要なフォトレジストを除去する
ために通常は有機溶媒を含むストリッパを使用する。
【０００４】また、フォトリソグラフィー工程で不良品
として回収されるウェーハ、または工程管理のために任
意に引き出したテスト用ウェーハをリサイクルするため
の再作業工程時、ストリッパを使用して前記ウェーハの
表面にコーティングされているフォトレジストを除去す
べき場合がある。
として回収されるウェーハ、または工程管理のために任
意に引き出したテスト用ウェーハをリサイクルするため
の再作業工程時、ストリッパを使用して前記ウェーハの
表面にコーティングされているフォトレジストを除去す
べき場合がある。
【０００５】一方、前記現像処理後フォトレジストパタ
ーンが形成された基板に対する後続処理段階として、高
温のPEB（post exposure bake）段階、イオン注入段
階、およびDUV照射による硬化段階を経れば、前記フォ
トレジストパターンは通常の有機溶剤では容易に溶解さ
れない程度に高度に架橋結合されたフォトレジスト物質
に硬化される。
ーンが形成された基板に対する後続処理段階として、高
温のPEB（post exposure bake）段階、イオン注入段
階、およびDUV照射による硬化段階を経れば、前記フォ
トレジストパターンは通常の有機溶剤では容易に溶解さ
れない程度に高度に架橋結合されたフォトレジスト物質
に硬化される。
【０００６】このように硬化されたフォトレジスト物質
を除去するために、従来にはハロゲン化炭化水素および
フェノール系炭化水素よりなされる溶剤を使用した。こ
のような種類の溶剤は危険な作業環境、廃棄物処理と関
連した公害問題のためにその使用は好ましくない。
を除去するために、従来にはハロゲン化炭化水素および
フェノール系炭化水素よりなされる溶剤を使用した。こ
のような種類の溶剤は危険な作業環境、廃棄物処理と関
連した公害問題のためにその使用は好ましくない。
【０００７】また、前記のように硬化されたフォトレジ
スト物質を除去するために酸性またはアルカリ性ストリ
ッパを使用する場合もあるが、この場合には下地膜とし
て金属膜、特にアルミニウム膜、または銅やタングステ
ンのような金属の合金膜を含む基板では腐食を起こして
超微細化された配線パターンを形成するのには使用でき
ない。
スト物質を除去するために酸性またはアルカリ性ストリ
ッパを使用する場合もあるが、この場合には下地膜とし
て金属膜、特にアルミニウム膜、または銅やタングステ
ンのような金属の合金膜を含む基板では腐食を起こして
超微細化された配線パターンを形成するのには使用でき
ない。
【０００８】通常の有機溶剤をフォトレジストのストリ
ッパとして使用する場合に、リンス液としてイソプロピ
ルアルコールのような有機溶剤を使用すべき必要がある
ためリンス工程が複雑になり、作業時安全性においても
問題がある。
ッパとして使用する場合に、リンス液としてイソプロピ
ルアルコールのような有機溶剤を使用すべき必要がある
ためリンス工程が複雑になり、作業時安全性においても
問題がある。
【０００９】また、従来にフォトレジストストリッパと
して使われた化学薬剤または溶剤中には、硬化されたフ
ォトレジストに適用する場合、溶解速度が遅いあるいは
溶解が不完全なもの、またはストリップ後基板上に残っ
ている残留汚染物が後続工程まで完全に除去できずに残
り素子の電気的信頼性に悪影響を及ぼすものがある。従
って、基板にコーティングされた硬化状態のフォトレジ
ストを基板の損傷や汚染なしに迅速で完全に除去できる
フォトレジストストリッパが必要である。
して使われた化学薬剤または溶剤中には、硬化されたフ
ォトレジストに適用する場合、溶解速度が遅いあるいは
溶解が不完全なもの、またはストリップ後基板上に残っ
ている残留汚染物が後続工程まで完全に除去できずに残
り素子の電気的信頼性に悪影響を及ぼすものがある。従
って、基板にコーティングされた硬化状態のフォトレジ
ストを基板の損傷や汚染なしに迅速で完全に除去できる
フォトレジストストリッパが必要である。
【００１０】一方、半導体製造工程が複雑になり半導体
素子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が
要求される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット
級以上の素子において、デザインルールが０．２μm以
下のパターンサイズが要求され、それにより既存のKrF
エクサイマレーザー（２４８ｎｍ）を用いたレジスト材
料を使用するのに限界がある。従って、新たなエネルギ
ー露光源のArFエクサイマレーザー（１９３ｎｍ）を用
いたリソグラフィー技術が登場した。
素子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が
要求される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット
級以上の素子において、デザインルールが０．２μm以
下のパターンサイズが要求され、それにより既存のKrF
エクサイマレーザー（２４８ｎｍ）を用いたレジスト材
料を使用するのに限界がある。従って、新たなエネルギ
ー露光源のArFエクサイマレーザー（１９３ｎｍ）を用
いたリソグラフィー技術が登場した。
【００１１】それによりi−ラインおよびG−ラインレジ
ストのようにクレゾールノボラック樹脂を主成分とする
従来のフォトレジストおよびエクサイマレーザー波長を
露光源としたりDUVランプを用いる化学増幅型レジスト
を含む多様な種類のフォトレジストに対してその極性に
関係なく共通的に使われることができ、優れた溶解度特
性を発揮できるフォトレジストストリッパ組成物が必要
である。
ストのようにクレゾールノボラック樹脂を主成分とする
従来のフォトレジストおよびエクサイマレーザー波長を
露光源としたりDUVランプを用いる化学増幅型レジスト
を含む多様な種類のフォトレジストに対してその極性に
関係なく共通的に使われることができ、優れた溶解度特
性を発揮できるフォトレジストストリッパ組成物が必要
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解決するためのものであって、本発明の目的
は、基板上にコーティングされているフォトレジストを
その種類および極性に関係なく基板から効果的に速くス
トリップできるフォトレジストストリッパ組成物を提供
することである。本発明の他の目的は、基板上にコーテ
ィングされた硬化状態または非硬化状態のフォトレジス
トをその下地膜を損傷および汚染せずに、安全で効率的
に完全に除去できるフォトレジストストリッパ組成物を
提供することである。
問題点を解決するためのものであって、本発明の目的
は、基板上にコーティングされているフォトレジストを
その種類および極性に関係なく基板から効果的に速くス
トリップできるフォトレジストストリッパ組成物を提供
することである。本発明の他の目的は、基板上にコーテ
ィングされた硬化状態または非硬化状態のフォトレジス
トをその下地膜を損傷および汚染せずに、安全で効率的
に完全に除去できるフォトレジストストリッパ組成物を
提供することである。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、基板のエッジ
リンス工程または基板の裏面リンス工程に適用した場
合、十分に速くフォトレジストを除去でき、不良ウェー
ハまたはテスト用ウェーハをリサイクルするための再作
業時、ウェーハからフォトレジストを効果的に速く除去
できるフォトレジストストリッパ組成物を提供すること
である。
リンス工程または基板の裏面リンス工程に適用した場
合、十分に速くフォトレジストを除去でき、不良ウェー
ハまたはテスト用ウェーハをリサイクルするための再作
業時、ウェーハからフォトレジストを効果的に速く除去
できるフォトレジストストリッパ組成物を提供すること
である。
【００１４】本発明のさらに他の目的は、フォトレジス
トストリップ工程後有機溶剤を用いたリンス工程なしに
基板上のフォトレジストを効果的に除去できるフォトレ
ジストストリップ方法を提供することである。
トストリップ工程後有機溶剤を用いたリンス工程なしに
基板上のフォトレジストを効果的に除去できるフォトレ
ジストストリップ方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明で提供されるフォトレジストストリッパ組成物
は、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤
の混合物とからなる。前記エステル溶剤は、アセト酸エ
ステルより構成される。望ましくは、前記エステル溶剤
はｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルア
セトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる
群から選択される少なくとも一つの化合物よりなる。
に本発明で提供されるフォトレジストストリッパ組成物
は、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤
の混合物とからなる。前記エステル溶剤は、アセト酸エ
ステルより構成される。望ましくは、前記エステル溶剤
はｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルア
セトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる
群から選択される少なくとも一つの化合物よりなる。
【００１６】望ましくは、本発明に係るフォトレジスト
ストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準として
３〜３５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基
準として２〜１３質量％のγ−ブチロラクトンと、前記
混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエステ
ル溶剤とからなる。
ストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準として
３〜３５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基
準として２〜１３質量％のγ−ブチロラクトンと、前記
混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエステ
ル溶剤とからなる。
【００１７】より望ましくは、本発明に係るフォトレジ
ストストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準と
して８〜１５質量部のアセトンと、前記混合物の総質量
を基準として４〜７質量部のγ−ブチロラクトンと、前
記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のエス
テル溶剤とよりなされる。本発明に係るフォトレジスト
ストリッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことができ
る。
ストストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準と
して８〜１５質量部のアセトンと、前記混合物の総質量
を基準として４〜７質量部のγ−ブチロラクトンと、前
記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のエス
テル溶剤とよりなされる。本発明に係るフォトレジスト
ストリッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことができ
る。
【００１８】前記他の目的を達成するために、本発明に
係るフォトレジストストリップ方法では、先ず基板から
フォトレジストをストリップするために、前記基板を比
較的低速で回転させながらアセトンと、γ−ブチロラク
トンと、エステル溶剤の混合物とからなるフォトレジス
トストリッパ組成物を前記基板上に噴射する。前記基板
を回転停止状態で維持する。前記基板を比較的速く回転
させながら前記フォトレジストストリッパ組成物を前記
基板上に噴射する。純水を使用して前記基板をリンスす
る。
係るフォトレジストストリップ方法では、先ず基板から
フォトレジストをストリップするために、前記基板を比
較的低速で回転させながらアセトンと、γ−ブチロラク
トンと、エステル溶剤の混合物とからなるフォトレジス
トストリッパ組成物を前記基板上に噴射する。前記基板
を回転停止状態で維持する。前記基板を比較的速く回転
させながら前記フォトレジストストリッパ組成物を前記
基板上に噴射する。純水を使用して前記基板をリンスす
る。
【００１９】本発明に係るフォトレジストストリップ方
法では、前記基板を回転停止状態で維持する段階後に前
記基板をスピンドライする段階をさらに含むことができ
る。また、本発明に係るフォトレジストストリップ方法
では、前記基板を速く回転させながらフォトレジスト組
成物を前記基板上に噴射する段階後に前記基板をスピン
ドライする段階をさらに含むことができる。
法では、前記基板を回転停止状態で維持する段階後に前
記基板をスピンドライする段階をさらに含むことができ
る。また、本発明に係るフォトレジストストリップ方法
では、前記基板を速く回転させながらフォトレジスト組
成物を前記基板上に噴射する段階後に前記基板をスピン
ドライする段階をさらに含むことができる。
【００２０】本発明に係るフォトレジストストリッパ組
成物は、多様な種類のフォトレジストに対して室温で効
果的に適用可能で、溶解速度が速く、容易に揮発されて
ウェーハの表面に残留しない。また、本発明に係るフォ
トレジストストリップ方法によれば、ウェーハ上の不要
なフォトレジストを完全に除去でき、純水を使用したリ
ンス工程だけでも十分で工程数を縮められる。
成物は、多様な種類のフォトレジストに対して室温で効
果的に適用可能で、溶解速度が速く、容易に揮発されて
ウェーハの表面に残留しない。また、本発明に係るフォ
トレジストストリップ方法によれば、ウェーハ上の不要
なフォトレジストを完全に除去でき、純水を使用したリ
ンス工程だけでも十分で工程数を縮められる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。本実施
例では有機溶剤を基本とするフォトレジストストリッパ
組成物を提供する。本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物は、多様な種類のフォトレジストに対して
室温（２０〜４０℃）で効果的に適用可能な組成物であ
って、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶
剤の混合物とよりなされる。
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。本実施
例では有機溶剤を基本とするフォトレジストストリッパ
組成物を提供する。本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物は、多様な種類のフォトレジストに対して
室温（２０〜４０℃）で効果的に適用可能な組成物であ
って、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶
剤の混合物とよりなされる。
【００２２】本実施例に係るフォトレジストストリッパ
組成物を構成する各成分は各々ストリッパとしての作用
効果を有している。γ−ブチロラクトンは合成樹脂の溶
剤として知られており、発火点が高くて溶剤としては比
較的安定的であり、皮膚接触および３ケ月間の摂取実験
結果、人体に中毒現象が示されない程度に安全なものと
証明された。γ−ブチロラクトンの物理的性質は比重が
１．１２８、沸点が２０４℃、引火点が９８℃、発火点
が４５７℃、２５℃での粘度が１．７０ｃＰ（１．７０
×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
組成物を構成する各成分は各々ストリッパとしての作用
効果を有している。γ−ブチロラクトンは合成樹脂の溶
剤として知られており、発火点が高くて溶剤としては比
較的安定的であり、皮膚接触および３ケ月間の摂取実験
結果、人体に中毒現象が示されない程度に安全なものと
証明された。γ−ブチロラクトンの物理的性質は比重が
１．１２８、沸点が２０４℃、引火点が９８℃、発火点
が４５７℃、２５℃での粘度が１．７０ｃＰ（１．７０
×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
【００２３】アセトンはエーテルによく溶解され、樹
脂、ゴム、プラスチック、塗料の溶剤、アセチレンの溶
解剤として知られている。アセトンの物理的性質は比重
が０．７９２、沸点が５６．５℃、引火点が−１５℃、
発火点が４６５℃、２５℃での粘度が０．３３７ｃＰ
（０．３３７×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
脂、ゴム、プラスチック、塗料の溶剤、アセチレンの溶
解剤として知られている。アセトンの物理的性質は比重
が０．７９２、沸点が５６．５℃、引火点が−１５℃、
発火点が４６５℃、２５℃での粘度が０．３３７ｃＰ
（０．３３７×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
【００２４】本実施例に係るストリッパ組成物では、有
機溶剤としてはアセト酸エステルを使用する。上記の他
に使用可能な前記エステル溶剤には、ｎ−ブチルアセテ
ート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イ
ソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートがある。
機溶剤としてはアセト酸エステルを使用する。上記の他
に使用可能な前記エステル溶剤には、ｎ−ブチルアセテ
ート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イ
ソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートがある。
【００２５】望ましくは、本実施例係るフォトレジスト
ストリッパ組成物を構成する混合物は、前記混合物の総
質量を基準として３〜３５質量％、より望ましくは８〜
１５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基準と
して２〜１３質量％、より望ましくは４〜７質量％のγ
−ブチロラクトンと、前記混合物の総質量を基準として
５５〜９５質量％、より望ましくは８０〜９０質量％の
エステル溶剤とからなる。
ストリッパ組成物を構成する混合物は、前記混合物の総
質量を基準として３〜３５質量％、より望ましくは８〜
１５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基準と
して２〜１３質量％、より望ましくは４〜７質量％のγ
−ブチロラクトンと、前記混合物の総質量を基準として
５５〜９５質量％、より望ましくは８０〜９０質量％の
エステル溶剤とからなる。
【００２６】本実施例に係るフォトレジストストリッパ
組成物には、必要に応じて界面活性剤のような補助成分
がさらに含まれる場合がある。各々ストリッパとしての
作用効果を有している前記成分の混合物からなるストリ
ッパ組成物が、上昇効果によって全ての種類のフォトレ
ジストを効果的にストリップするのに使われるだけでな
く、その溶解速度が非常に速くて各種フォトレジストを
速かに除去できるストリップ組成物を構成するというこ
とがわかる。
組成物には、必要に応じて界面活性剤のような補助成分
がさらに含まれる場合がある。各々ストリッパとしての
作用効果を有している前記成分の混合物からなるストリ
ッパ組成物が、上昇効果によって全ての種類のフォトレ
ジストを効果的にストリップするのに使われるだけでな
く、その溶解速度が非常に速くて各種フォトレジストを
速かに除去できるストリップ組成物を構成するというこ
とがわかる。
【００２７】即ち、本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物は、多様な種類の有機重合体物質からなる
フォトレジストを基板から効果的に除去できる。有機重
合体物質からなるフォトレジストの代表的な種類には、
ポジティブ型およびネガティブ型G−ライン、i−ライン
およびDUVレジスト、電子ビームレジスト、X線レジス
ト、イオンビームレジストが含まれる。本実施例に係る
ストリッパ組成物は、前記全ての種類のフォトレジスト
中いかなる種類でも効果的にストリップできる。
リッパ組成物は、多様な種類の有機重合体物質からなる
フォトレジストを基板から効果的に除去できる。有機重
合体物質からなるフォトレジストの代表的な種類には、
ポジティブ型およびネガティブ型G−ライン、i−ライン
およびDUVレジスト、電子ビームレジスト、X線レジス
ト、イオンビームレジストが含まれる。本実施例に係る
ストリッパ組成物は、前記全ての種類のフォトレジスト
中いかなる種類でも効果的にストリップできる。
【００２８】また、前記有機重合体物質から選択される
特定の種類のフォトレジストが上面にコーティングされ
ている下地膜として、この技術分野で広く用いられる通
常的な下地膜、例えばシリコン膜、シリコン酸化膜、シ
リコン窒化膜、ポリシリコン膜、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、銅、銅合金のような金属膜が用いられる場
合にも、本実施例に係るストリッパ組成物を使用すれば
前記下地膜を損傷させたり汚せずに前記フォトレジスト
を効果的にストリップできる。
特定の種類のフォトレジストが上面にコーティングされ
ている下地膜として、この技術分野で広く用いられる通
常的な下地膜、例えばシリコン膜、シリコン酸化膜、シ
リコン窒化膜、ポリシリコン膜、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、銅、銅合金のような金属膜が用いられる場
合にも、本実施例に係るストリッパ組成物を使用すれば
前記下地膜を損傷させたり汚せずに前記フォトレジスト
を効果的にストリップできる。
【００２９】表１は、本実施例に係るフォトレジストス
トリッパ組成物に含まれる成分の各々に対していろいろ
な種類のフォトレジストに対する溶解力を評価した結果
を示している。
トリッパ組成物に含まれる成分の各々に対していろいろ
な種類のフォトレジストに対する溶解力を評価した結果
を示している。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１で、本実施例に係るストリッパ組成物
の有効成分のγ−ブチロラクトンとアセトン各々に対し
レジストに対する溶解力を評価するために、i−ライン
レジストとして製品名SS８８０A７（日本、Sumitomo C
o．製品）を使用し、DUVレジストとして製品名UVＩＩＩ
（日本、Shipley Company Inc．製品）、製品名SEPR−
４０２（日本、ShinEtsu Co．製品）および製品名SEPR
−４３０S（日本、ShinEtsu Co．製品）を使用した。ま
た、本実施例に係るストリッパ組成物に混合できる代表
的な有機溶剤のｎ−ブチルアセテートに対しても同じ評
価をした。
の有効成分のγ−ブチロラクトンとアセトン各々に対し
レジストに対する溶解力を評価するために、i−ライン
レジストとして製品名SS８８０A７（日本、Sumitomo C
o．製品）を使用し、DUVレジストとして製品名UVＩＩＩ
（日本、Shipley Company Inc．製品）、製品名SEPR−
４０２（日本、ShinEtsu Co．製品）および製品名SEPR
−４３０S（日本、ShinEtsu Co．製品）を使用した。ま
た、本実施例に係るストリッパ組成物に混合できる代表
的な有機溶剤のｎ−ブチルアセテートに対しても同じ評
価をした。
【００３２】表１の評価のために、前記レジストを各々
シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェー
ハ回転速度：２０００ｒｐｍ（約毎秒３０回転）、コー
ティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１
６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、溶解速度測
定装置としてDRM（Dissolution Rate Meter）を使用し
て２５℃の恒温条件下でそれぞれの試料に対してγ−ブ
チロラクトン、アセトンおよびｎ−ブチルアセテートを
適用した時の溶解速度を測定した。
シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェー
ハ回転速度：２０００ｒｐｍ（約毎秒３０回転）、コー
ティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１
６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、溶解速度測
定装置としてDRM（Dissolution Rate Meter）を使用し
て２５℃の恒温条件下でそれぞれの試料に対してγ−ブ
チロラクトン、アセトンおよびｎ−ブチルアセテートを
適用した時の溶解速度を測定した。
【００３３】表１の結果でわかるように、評価されたそ
れぞれの成分は使われた全てのレジストに対して溶解力
を有することがわかる。しかし、評価されたそれぞれの
成分はi−ラインレジストに対しては比較的優れた溶解
速度を示すが、DUVレジストに対しては相対的に低い溶
解速度を示した。
れぞれの成分は使われた全てのレジストに対して溶解力
を有することがわかる。しかし、評価されたそれぞれの
成分はi−ラインレジストに対しては比較的優れた溶解
速度を示すが、DUVレジストに対しては相対的に低い溶
解速度を示した。
【００３４】前記のように各種レジストに対して溶解力
を有しているそれぞれの成分を混合して得られる本実施
例に係るストリッパ組成物では、それぞれの成分から得
られる効果がさらに向上する上昇効果を期待できる。こ
のような事実は、次の表２の評価結果から確認できる。
を有しているそれぞれの成分を混合して得られる本実施
例に係るストリッパ組成物では、それぞれの成分から得
られる効果がさらに向上する上昇効果を期待できる。こ
のような事実は、次の表２の評価結果から確認できる。
【００３５】表２は、本実施例に係る特定のストリッパ
組成物に対していろいろな種類のフォトレジストに対す
る溶解力を評価した結果を示す。ここで使われたストリ
ッパ組成物として５質量％のγ−ブチロラクトン、１０
質量％のアセトンおよび８５質量％のｎ−ブチルアセテ
ートの混合物を使用した。ここで、前記表示された質量
％は全て前記混合物の総質量を基準としている。
組成物に対していろいろな種類のフォトレジストに対す
る溶解力を評価した結果を示す。ここで使われたストリ
ッパ組成物として５質量％のγ−ブチロラクトン、１０
質量％のアセトンおよび８５質量％のｎ−ブチルアセテ
ートの混合物を使用した。ここで、前記表示された質量
％は全て前記混合物の総質量を基準としている。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２では、本実施例に係るストリッパ組成
物のレジストに対する溶解力を評価するために、DUVレ
ジストとして製品名SEPR−４０２（日本、ShinEtsu C
o．製）、製品名SEPR−４３０（日本、ShinEtsu Co．
製）、および製品名UVＩＩＩ（日本、Shipley Company
Inc．製）を使用し、i−ラインレジストとして製品名ip
−２６８０（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、製品
名ip−３３００（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、
製品名i−７０１０（日本、Mitsubishi Denki株式会社
製）、および製品名i−９００（韓国、ドングジン化成
工業株式会社製）を使用した。
物のレジストに対する溶解力を評価するために、DUVレ
ジストとして製品名SEPR−４０２（日本、ShinEtsu C
o．製）、製品名SEPR−４３０（日本、ShinEtsu Co．
製）、および製品名UVＩＩＩ（日本、Shipley Company
Inc．製）を使用し、i−ラインレジストとして製品名ip
−２６８０（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、製品
名ip−３３００（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、
製品名i−７０１０（日本、Mitsubishi Denki株式会社
製）、および製品名i−９００（韓国、ドングジン化成
工業株式会社製）を使用した。
【００３８】表２の評価のために、前記レジストを各々
シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェー
ハ回転速度：２０００ｒｐｍ（毎秒約３０回転）、コー
ティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１
６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、２５℃の恒
温条件下で本実施例に係るストリッパ組成物をノズル噴
射方式によって前記ウェーハ上に噴射してレジストの溶
解速度を測定した。この際、溶解速度測定装置としてDR
Mを使用した。
シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェー
ハ回転速度：２０００ｒｐｍ（毎秒約３０回転）、コー
ティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１
６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、２５℃の恒
温条件下で本実施例に係るストリッパ組成物をノズル噴
射方式によって前記ウェーハ上に噴射してレジストの溶
解速度を測定した。この際、溶解速度測定装置としてDR
Mを使用した。
【００３９】表２の結果でわかるように、評価された全
ての場合において、シリコンウェーハ上にコーティング
されたレジストが種類に関係なく１秒以内に完全に溶解
された。従って、本実施例に係るストリッパ組成物を使
用すれば、上昇効果によってそれぞれの成分から得られ
る効果がさらに向上することが確認できた。
ての場合において、シリコンウェーハ上にコーティング
されたレジストが種類に関係なく１秒以内に完全に溶解
された。従って、本実施例に係るストリッパ組成物を使
用すれば、上昇効果によってそれぞれの成分から得られ
る効果がさらに向上することが確認できた。
【００４０】本実施例に係るフォトレジストストリッパ
組成物は、半導体素子製造のための写真蝕刻工程で不良
品として回収されるウェーハ、または工程管理のために
任意に引き出したテスト用ウェーハからその表面にコー
ティングまたは付着されているフォトレジストを除去す
ることによって前記ウェーハを再使用できる。
組成物は、半導体素子製造のための写真蝕刻工程で不良
品として回収されるウェーハ、または工程管理のために
任意に引き出したテスト用ウェーハからその表面にコー
ティングまたは付着されているフォトレジストを除去す
ることによって前記ウェーハを再使用できる。
【００４１】また、本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物は、フォトレジストがコーティングされた
ウェーハに対してソフトべーク工程を経た後、前記ウェ
ーハのエッジ部やウェーハの裏面から無駄に塗布された
フォトレジスト物質を除去するのに効果的に使われる。
リッパ組成物は、フォトレジストがコーティングされた
ウェーハに対してソフトべーク工程を経た後、前記ウェ
ーハのエッジ部やウェーハの裏面から無駄に塗布された
フォトレジスト物質を除去するのに効果的に使われる。
【００４２】また、フォトリソグラフィー工程によって
下地膜をパタニングするために、エッチングマスクとし
て使われた後高度に硬化された状態で基板上に残ってい
るフォトレジストパターンを除去するためのストリップ
工程で、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成
物が効果的に使われられる。
下地膜をパタニングするために、エッチングマスクとし
て使われた後高度に硬化された状態で基板上に残ってい
るフォトレジストパターンを除去するためのストリップ
工程で、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成
物が効果的に使われられる。
【００４３】次に、本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物を用いたフォトレジストストリップ方法の
具体的な実施例に対して添付図面を参照して詳細に説明
する。図１は、本実施例に係るフォトレジストストリッ
プ方法を適用するのに使われるノズル噴射方式のストリ
ップユニット１００の要部構成を概略的に示す断面図で
ある。
リッパ組成物を用いたフォトレジストストリップ方法の
具体的な実施例に対して添付図面を参照して詳細に説明
する。図１は、本実施例に係るフォトレジストストリッ
プ方法を適用するのに使われるノズル噴射方式のストリ
ップユニット１００の要部構成を概略的に示す断面図で
ある。
【００４４】図１を参照すれば、ストリップユニット１
００はドレインカップ１０を具備している。前記ドレイ
ンカップ１０内部にはウェーハＷを水平に支持するスピ
ンチャック１２が設けられており、このスピンチャック
１２はモータ１４により回転可能である。
００はドレインカップ１０を具備している。前記ドレイ
ンカップ１０内部にはウェーハＷを水平に支持するスピ
ンチャック１２が設けられており、このスピンチャック
１２はモータ１４により回転可能である。
【００４５】前記スピンチャック１２の上方の概略中央
部にはノズル２２が配置されており、前記ノズル２２か
ら噴射されるフォトレジストストリッパ組成物が前記ス
ピンチャック１２上に支持されているウェーハＷ上に供
給される。また、前記ストリップユニット１００は、前
記ウェーハＷのエッジリンス用溶液を前記ウェーハＷ上
に供給するためのエッジリンス用ノズル２４と、前記ウ
ェーハＷの裏面リンス用溶液を前記ウェーハＷに供給す
るための裏面リンス用ノズル２６を具備する。
部にはノズル２２が配置されており、前記ノズル２２か
ら噴射されるフォトレジストストリッパ組成物が前記ス
ピンチャック１２上に支持されているウェーハＷ上に供
給される。また、前記ストリップユニット１００は、前
記ウェーハＷのエッジリンス用溶液を前記ウェーハＷ上
に供給するためのエッジリンス用ノズル２４と、前記ウ
ェーハＷの裏面リンス用溶液を前記ウェーハＷに供給す
るための裏面リンス用ノズル２６を具備する。
【００４６】図２は、図１に示したようなストリップユ
ニットを使用して本実施例によって基板上の不要なフォ
トレジストをストリップする方法を説明するためのフロ
ーチャートである。本実施例で説明するストリップ方法
は、ウェーハ上で所定の下部膜質をパタニングするため
のフォトリソグラフィー工程でエッチングマスクとして
使われたフォトレジストマスクを除去するのに効果的に
適用できる。また、本実施例でのストリップ方法は、フ
ォトリソグラフィー工程で不良品として回収されるウェ
ーハ、またはテスト用ウェーハをリサイクルするための
再作業工程として適用できる。
ニットを使用して本実施例によって基板上の不要なフォ
トレジストをストリップする方法を説明するためのフロ
ーチャートである。本実施例で説明するストリップ方法
は、ウェーハ上で所定の下部膜質をパタニングするため
のフォトリソグラフィー工程でエッチングマスクとして
使われたフォトレジストマスクを除去するのに効果的に
適用できる。また、本実施例でのストリップ方法は、フ
ォトリソグラフィー工程で不良品として回収されるウェ
ーハ、またはテスト用ウェーハをリサイクルするための
再作業工程として適用できる。
【００４７】本実施例に係るフォトレジストストリップ
方法は、低速回転ストリップ段階１１０、高速回転スト
リップ段階１２０およびリンス段階Ｓ６より構成され
る。これに対して詳細に説明すれば次の通りである。
方法は、低速回転ストリップ段階１１０、高速回転スト
リップ段階１２０およびリンス段階Ｓ６より構成され
る。これに対して詳細に説明すれば次の通りである。
【００４８】低速回転ストリップ段階１１０では、図１
に示したようなストリップユニット１００のスピンチャ
ック１２上にフォトレジストがコーティングされている
基板、例えばシリコンウェーハＷを載置し、前記ウェー
ハＷを比較的低速、例えば約１２００〜１５００ｒｐｍ
（毎秒約２０から２５回転）で回転させながら前記ノズ
ル２２を通じてフォトレジストストリッパ組成物を前記
ウェーハＷ上に約１０〜２０秒間噴射する（段階Ｓ
１）。この際、前記ウェーハＷが前記スピンチャック１
２によって回転しているので、遠心力によってストリッ
パ組成物が前記ウェーハＷ上に均一に供給される。
に示したようなストリップユニット１００のスピンチャ
ック１２上にフォトレジストがコーティングされている
基板、例えばシリコンウェーハＷを載置し、前記ウェー
ハＷを比較的低速、例えば約１２００〜１５００ｒｐｍ
（毎秒約２０から２５回転）で回転させながら前記ノズ
ル２２を通じてフォトレジストストリッパ組成物を前記
ウェーハＷ上に約１０〜２０秒間噴射する（段階Ｓ
１）。この際、前記ウェーハＷが前記スピンチャック１
２によって回転しているので、遠心力によってストリッ
パ組成物が前記ウェーハＷ上に均一に供給される。
【００４９】前記フォトレジストストリッパ組成物とし
て、前述したような本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物を使用できる。本実施例ではストリッパ組
成物として、室温で維持されるγ−ブチロラクトン、ア
セトンおよびｎ−ブチルアセテートの混合物を供給す
る。例えば、前記ストリッパ組成物は、前記混合物の総
質量を基準として５質量％のγ−ブチロラクトン、前記
混合物の総質量を基準として１０質量％のアセトン、前
記混合物の総質量を基準として８５質量％のｎ−ブチル
アセテートを含む。
て、前述したような本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物を使用できる。本実施例ではストリッパ組
成物として、室温で維持されるγ−ブチロラクトン、ア
セトンおよびｎ−ブチルアセテートの混合物を供給す
る。例えば、前記ストリッパ組成物は、前記混合物の総
質量を基準として５質量％のγ−ブチロラクトン、前記
混合物の総質量を基準として１０質量％のアセトン、前
記混合物の総質量を基準として８５質量％のｎ−ブチル
アセテートを含む。
【００５０】次いで、前記スピンチャック１２の回転を
止めて前記ウェーハが停止した状態で約２０〜３０秒間
維持する（段階Ｓ２）。この際、前記ウェーハ上のフォ
トレジストがストリッパ組成物によって溶解される。そ
の後、前記スピンチャック１２の高速回転によって前記
ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ３）。
止めて前記ウェーハが停止した状態で約２０〜３０秒間
維持する（段階Ｓ２）。この際、前記ウェーハ上のフォ
トレジストがストリッパ組成物によって溶解される。そ
の後、前記スピンチャック１２の高速回転によって前記
ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ３）。
【００５１】次いで、前記ウェーハ上に残っているフォ
トレジスト残留物を除去するために、高速回転ストリッ
プ段階１２０で、前記ウェーハを比較的高速、例えば約
２０００〜２５００ｒｐｍ（毎秒約３０から４５回転）
で回転させながら前記ストリッパノズル２２を通じて本
実施例のフォトレジストストリッパ組成物を前記ウェー
ハ上に約１０〜２０秒間噴射することによって、前記ウ
ェーハ上に前記ストリッパ組成物を均一に供給する（段
階Ｓ４）。その後、前記スピンチャック１２の高速回転
によって前記ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ
５）。
トレジスト残留物を除去するために、高速回転ストリッ
プ段階１２０で、前記ウェーハを比較的高速、例えば約
２０００〜２５００ｒｐｍ（毎秒約３０から４５回転）
で回転させながら前記ストリッパノズル２２を通じて本
実施例のフォトレジストストリッパ組成物を前記ウェー
ハ上に約１０〜２０秒間噴射することによって、前記ウ
ェーハ上に前記ストリッパ組成物を均一に供給する（段
階Ｓ４）。その後、前記スピンチャック１２の高速回転
によって前記ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ
５）。
【００５２】次いで、前記ウェーハ上に有機物質が残留
しないように前記ウェーハを純水を使用してリンスする
（Ｓ６）。その後、再び前記スピンチャック１２の高速
回転によって前記ウェーハをスピンドライしてウェーハ
上に残っている純水を完全に除去する（段階Ｓ７）。前
記全ての段階Ｓ１〜Ｓ７は室温で実施することができ
る。
しないように前記ウェーハを純水を使用してリンスする
（Ｓ６）。その後、再び前記スピンチャック１２の高速
回転によって前記ウェーハをスピンドライしてウェーハ
上に残っている純水を完全に除去する（段階Ｓ７）。前
記全ての段階Ｓ１〜Ｓ７は室温で実施することができ
る。
【００５３】本実施例に係るフォトレジストストリップ
方法によれば、低速回転ストリップ段階１１０および高
速回転ストリップ段階１２０からなる２回のストリップ
段階を経るので、ウェーハ上の不要なフォトレジストを
完全に除去でき、本実施例で提供されるフォトレジスト
ストリッパ組成物は、フォトレジストを除去した後、容
易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。従って、
フォトレジストのストリップ工程後、従来のようにウェ
ーハ上に残留する有機物質を除去するためにIPA（isopr
opyl alcohol）のような有機溶剤を用いたリンス段階を
経る必要がなく、純水を使用したリンス工程だけでも十
分である。従って、リンス工程が簡単である。
方法によれば、低速回転ストリップ段階１１０および高
速回転ストリップ段階１２０からなる２回のストリップ
段階を経るので、ウェーハ上の不要なフォトレジストを
完全に除去でき、本実施例で提供されるフォトレジスト
ストリッパ組成物は、フォトレジストを除去した後、容
易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。従って、
フォトレジストのストリップ工程後、従来のようにウェ
ーハ上に残留する有機物質を除去するためにIPA（isopr
opyl alcohol）のような有機溶剤を用いたリンス段階を
経る必要がなく、純水を使用したリンス工程だけでも十
分である。従って、リンス工程が簡単である。
【００５４】本実施例に係るフォトレジストストリッパ
組成物は、図１に示したようなストリップユニット１０
０のエッジリンス用ノズル２４を使用してウェーハのエ
ッジリンス工程にも適用できる。この場合には、前記エ
ッジリンス用ノズル２４を使用して本実施例に係るフォ
トレジストストリッパ組成物をウェーハのエッジ部分に
噴射する。その結果、前記エッジリンス用ノズル２４か
ら供給されるストリッパ組成物が着くウェーハのエッジ
部分で残留するフォトレジストが均一に除去され、スト
リッパ組成物によるウェーハ上の処理面が滑らかな状態
になる。
組成物は、図１に示したようなストリップユニット１０
０のエッジリンス用ノズル２４を使用してウェーハのエ
ッジリンス工程にも適用できる。この場合には、前記エ
ッジリンス用ノズル２４を使用して本実施例に係るフォ
トレジストストリッパ組成物をウェーハのエッジ部分に
噴射する。その結果、前記エッジリンス用ノズル２４か
ら供給されるストリッパ組成物が着くウェーハのエッジ
部分で残留するフォトレジストが均一に除去され、スト
リッパ組成物によるウェーハ上の処理面が滑らかな状態
になる。
【００５５】また、本実施例に係るフォトレジストスト
リッパ組成物は、図１に示したようなストリップユニッ
ト１００の裏面リンス用ノズル２６を使用してウェーハ
の裏面リンス工程に適用する場合もある。この場合にも
同じように、ウェーハの裏面でフォトレジスト残留物が
均一に除去されてウェーハ上で有機溶剤が残留しない滑
らかな処理面を得られる。
リッパ組成物は、図１に示したようなストリップユニッ
ト１００の裏面リンス用ノズル２６を使用してウェーハ
の裏面リンス工程に適用する場合もある。この場合にも
同じように、ウェーハの裏面でフォトレジスト残留物が
均一に除去されてウェーハ上で有機溶剤が残留しない滑
らかな処理面を得られる。
【００５６】前記のように、本実施例に係るフォトレジ
ストストリッパ組成物は、多様な種類のフォトレジスト
に対して室温で効果的に適用可能で、溶解速度が速くて
容易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。また、
ウェーハ上のフォトレジストマスク除去工程、再作業工
程、ウェーハエッジリンス工程、ウェーハ裏面リンス工
程に効果的に使われる。
ストストリッパ組成物は、多様な種類のフォトレジスト
に対して室温で効果的に適用可能で、溶解速度が速くて
容易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。また、
ウェーハ上のフォトレジストマスク除去工程、再作業工
程、ウェーハエッジリンス工程、ウェーハ裏面リンス工
程に効果的に使われる。
【００５７】
【発明の効果】本発明に係るフォトレジストストリップ
方法によれば、低速回転ストリップ段階と高速回転スト
リップ段階とからなる２段階ストリップ工程によってウ
ェーハ上の不要なフォトレジストが完全に除去され、有
機溶剤を用いたリンス段階を経る必要がなく、純水を使
用したリンス工程だけでも十分である。従って、有機溶
剤を用いたリンス工程を含む従来のストリップ方法に比
べて工程数を縮められる。
方法によれば、低速回転ストリップ段階と高速回転スト
リップ段階とからなる２段階ストリップ工程によってウ
ェーハ上の不要なフォトレジストが完全に除去され、有
機溶剤を用いたリンス段階を経る必要がなく、純水を使
用したリンス工程だけでも十分である。従って、有機溶
剤を用いたリンス工程を含む従来のストリップ方法に比
べて工程数を縮められる。
【００５８】以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当分野で通常の知識を有する
者によっていろいろ変形が可能である。
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当分野で通常の知識を有する
者によっていろいろ変形が可能である。
【図１】従来のノズル噴射方式のストリップユニットの
要部構成を概略的に示す断面図である。
要部構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るフォトレジストストリ
ップ方法を説明するためのフローチャートを示す図であ
る。
ップ方法を説明するためのフローチャートを示す図であ
る。
１０ ドレインカップ １２ スピンチャック １４ モータ ２２ ノズル ２４ エッジリンス用ノズル ２６ 裏面リンス用ノズル １００ ストリップユニット Ｗ ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 弼権 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地 (72)発明者 吉 ▲俊▼仍 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地 (72)発明者 朴 済應 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地 (72)発明者 全 相文 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地
Claims (18)
- 【請求項１】 アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エ
ステル溶剤の混合物とからなることを特徴とするフォト
レジストストリッパ組成物。 - 【請求項２】 前記エステル溶剤は、アセト酸エステル
より構成されることを特徴とする請求項１に記載のフォ
トレジストストリッパ組成物。 - 【請求項３】 前記エステル溶剤はｎ−ブチルアセテー
ト、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソ
プロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテートからなる群から選択される少な
くとも一つの化合物であることを特徴とする請求項２に
記載のフォトレジストストリッパ組成物。 - 【請求項４】 前記混合物は、 前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％のアセ
トンと、 前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％のγ−
ブチロラクトンと、 前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエ
ステル溶剤とからなることを特徴とする請求項１に記載
のフォトレジストストリッパ組成物。 - 【請求項５】 前記混合物は、 前記混合物の総質量を基準として８〜１５質量部のアセ
トンと、 前記混合物の総質量を基準として４〜７質量部のγ−ブ
チロラクトンと、 前記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のエ
ステル溶剤とからなることを特徴とする請求項１に記載
のフォトレジストストリッパ組成物。 - 【請求項６】 界面活性剤をさらに含むことを特徴とす
る請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。 - 【請求項７】 （a） 基板からフォトレジストをスト
リップするために、前記基板を比較的低速で回転させな
がら、アセトン、γ−ブチロラクトン、およびエステル
溶剤の混合物とからなるフォトレジストストリッパ組成
物を前記基板上に噴射する段階と、 （b） 前記基板を回転停止状態で維持する段階と、 （c） 前記基板を比較的速く回転させながら前記フォ
トレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する段
階と、 （d） 純水を使用して前記基板をリンスする段階とを
含むことを特徴とするフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項８】 前記段階（b）後に前記基板をスピンド
ライする段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に
記載のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項９】 前記段階（c）後に前記基板をスピンド
ライする段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に
記載のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１０】 前記段階（a）では、前記基板は１２
００〜１５００ｒｐｍで回転されることを特徴とする請
求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１１】 前記段階（c）では、前記基板は２０
００〜２５００ｒｐｍで回転されることを特徴とする請
求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１２】 前記段階（a）は、１０〜２０秒間実
施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジ
ストストリップ方法。 - 【請求項１３】 前記段階（b）は、２０〜３０秒間実
施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジ
ストストリップ方法。 - 【請求項１４】 前記段階（c）は、１０〜２０秒間実
施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジ
ストストリップ方法。 - 【請求項１５】 前記フォトレジストストリッパ組成物
は、 前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％のアセ
トンと、 前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％のγ−
ブチロラクトンと、 前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエ
ステル溶剤とからなることを特徴とする請求項７に記載
のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１６】 前記フォトレジストストリッパ組成物
は界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項７に
記載のフォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１７】 前記フォトレジストストリッパ組成物
に含まれるエステル溶剤は、ｎ−ブチルアセテート、ア
ミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピ
ルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも
一つの化合物であることを特徴とする請求項７に記載の
フォトレジストストリップ方法。 - 【請求項１８】 前記フォトレジストストリッパ組成物
は、 前記混合物の総質量を基準として８〜１５質量部のアセ
トンと、 前記混合物の総質量を基準として４〜７質量部のγ−ブ
チロラクトンと、 前記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のｎ
−ブチルアセテートとよりなされることを特徴とする請
求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0043486A KR100434485B1 (ko) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 포토레지스트 스트립퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 스트립 방법 |
| KR1999P43486 | 1999-10-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001159826A true JP2001159826A (ja) | 2001-06-12 |
| JP3946428B2 JP3946428B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=19614522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000308984A Expired - Fee Related JP3946428B2 (ja) | 1999-10-08 | 2000-10-10 | フォトレジストストリッパ組成物およびこれを用いたフォトレジストストリップ方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6432622B1 (ja) |
| JP (1) | JP3946428B2 (ja) |
| KR (1) | KR100434485B1 (ja) |
| DE (1) | DE10049831B4 (ja) |
| FR (1) | FR2799554B1 (ja) |
| GB (1) | GB2357343B (ja) |
| TW (1) | TW554240B (ja) |
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| WO2007063985A1 (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の洗浄方法 |
| JP2007217689A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | スリットコーター洗浄剤、表示装置製造用スリットコーター、および表示装置の製造方法 |
| KR20220095023A (ko) * | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
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| US7074726B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-07-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
| EP1554033A4 (en) * | 2002-02-06 | 2007-12-05 | Fujifilm Electronic Materials | IMPROVED COMPOSITIONS FOR REMOVING BORED BEADS OF SEMICONDUCTOR LOADING BUFFER COATINGS AND METHOD FOR THEIR USE |
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| KR100646418B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-14 | 세메스 주식회사 | 기판의 감광막 제거 방법 |
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