TW554240B - Photoresist stripper composition and method for stripping photoresist using the same - Google Patents

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554240 A7 -----_ 五、發明說明（1 ) 發明背景 I發明領域 本發明關於用在從諸如石夕晶圓上移除光阻之光阻剝離 劑組成物，以及使用該組成物之光阻剝離方法。 2·相關技藝說明 在製造諸如積體電路（1C)、大型積體電路（LSI)或液晶 顯示器（LCD)之半導體元件中，光阻被廣泛地作為一塗覆 罩幕材料。在藉由以光阻進行微影程序來製造1(：之共同的 方法中，光阻被平坦地沉積在導電金屬層或被形成在基材 上之介電層上’使得光阻層被形成於其上。接著，包含在 光阻中之溶劑藉由軟烤程序而被蒸發，以使光阻層穩定。 在軟烤程序之後，光阻層被暴露至uv照射、電子束、乂光 線等之下，並接著遭受一顯影程序以在基材上形成光阻圖 案。在此之後，導電金屬層或介電層使用光阻圖案作為一 罩幕而被選擇性地蝕刻，以形成精細的線條電路圖案。接 下來，不必要的光阻使用一剝離劑而被移除。 在微影程序中，不必要的光阻需要在軟烤程序後從晶 圓的邊緣或背面上被移❺。留在晶圓的邊緣或背面上不必 要的光阻在後續的蝕刻或離子植入程序期間會造成缺陷， 因而降低產率。為了移除此類不必要光阻之目的，通常使 用包含有機溶劑的剝離劑。 另一方面，為了在從微影程序中因為不良品而被收集 或為了預定測試而在被任意地擱置之晶圓上進行再處理， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2〗0X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| 4 554240 A7 _______ B7_ 五、發明説明（2 ) 塗覆在晶圓表面上之光阻必須使用一剝離劑來被移除。 當來自顯影程序之光阻圖案在高溫下遭受到曝光後烘 烤（PEB)、離子植入及DUV照射時，光阻圖案被硬化，並 且因為交聯而對於有機溶劑具有更大的抵抗性。 在移除經固化的光阻材料中，包含鹵化碳氫化合物與 酚醛碳氫化合物已在習知技藝中被使用。然而，此種溶劑 的使用並不受到喜愛，因為此溶劑會造成危險的工作環境 並對廢棄物問題有環境的關聯。 此外，酸性或鹼性的剝離劑可以被用來移除經固化的 光阻材料。然而，酸性或鹼性剝離劑能夠腐蝕在基材上的 底層材料，其係為鋁（A1)層或包含銅（cu)或鎢（w)的金屬合 金層。這對於形成微型互連圖案會有限制。 當通常的有機溶劑被使用作為光阻剝離劑時，一諸如 異丙醇之有機溶劑必須被作為沖洗溶液。因此，沖洗程序 變得複雜並且在操作上的安全會變成一個問題。 某些作為光阻剝離劑之傳統的化學物或溶劑在經固化 的光阻上具有非常慢的溶解率，或在經固化的光阻上造成 不完全之溶解。此類來自剝離程序之光阻殘餘物在後續的 程序期間未被完全地移除，因此對於元件在電性方面的可 靠度會有不利的影響。 所以，對於能夠完全並迅速地從基材上移除經固化的 光阻’且對於基材不會造成損壞或污染有一需求。 隨著半導體元件整合積集度的增加，半導體元件的製 造隨著對於精細線條圖案之需求而變得複雜。此外，對於1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可· 554240 A7 ____B7 五、發明説明（3 ) 千兆位（Gigabit)或更大的半導體元件，一具有〇.2//m或更 小的設計準則之圖案尺寸無法藉由對於源自KrF激元雷射 (248mn)之光線敏感之傳統光阻而被達成。為此原因，已經 導入使用ArF激元雷射（193nm)作為曝光光源之新穎的微 影技術。 所以’需要一種無論光阻的極性對於各種光阻皆能被 使用之光阻剝離劑，上述之各種光阻係包括含有甲酚酚醛 樹脂作為主要組成之諸如i線（i-line)光阻與G線（G_line)光 阻的傳統光阻以及對於激元雷射或DUV曝光光源敏感之 化學增強光阻，該光阻剝離劑組成物相對於該等光阻係具 有高溶解度。 發明概要說明 為解決上述問題，本發明之第一目的為提供一種無論 光阻極性或種類皆能夠有效並迅速地將塗覆在基材上之光 阻剝離之光阻剝離劑組成物。 本發明之第一目的在於提供一種能夠有效並安全地將 塗覆在基材上經固化或未固化之光阻剝離，而不會損壞或 污染底層之光阻剝離劑組成物。 本發明之第二目的為提供一種在晶圓之邊緣或背面上 進行沖洗步驟期間，或在具有缺陷或是先前為了測試之目 的而被使用之晶圓上進行再處理期間，能夠從晶圓上有效 並有效率地將光阻剝離之光阻剝離劑組成物。 本發明之第四目的在於提供一種用以剝離光阻之方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr· 554240 A7 _______B7 ____ 五、發明説明（4 ) 法，藉由此方法光阻可以被有效地從基材上移除，而不需 在泰】離步驟後以有機溶劑進行額外的沖洗程序。 為達成本發明之上述目的，提供有一種包含丙酮、γ-丁酸内脂、及酯溶劑之混合物的光阻剝離劑組成物。 較佳地’ S旨溶劑包含醋酸酯。較佳地，醋酸酯溶劑包 含至少一者選自由醋酸丁酯、醋酸正戊酯、乙醯乙酸乙酯、 醋酸異丙烯醋、及醋酸單曱基醚二醇所組成之群組。 較佳地’光阻剝離劑組成物之混合物包含：重量百分 比3至35%的丙重量百分比2至13%的^丁酸内酯；及重 量百分比55至95%的酯溶劑，其係根據混合物的總重量。 更佳地’光阻剝離劑組成物之混合物包含：重量百分 比8至15%的丙酮；重量百分比4至7%的γ_ 丁酸内酯；及重 量百分比80至90%的酯溶劑，其係根據混合物的總重量。 較佳地’光阻剝離劑組成物進一步包含一表面活性劑。 根據本發明之另一層面，提供有一種包含下列步驟的 光阻剝離方法’該等步驟係為：在以相對低的速度旋轉基 材的同時，在基材上方噴灑含有丙酮、γ- 丁酸内脂、及酯 溶劑之混合物的光阻剝離組成物，以便從基材上將光阻剝 離；基材之旋轉被停止一段短時間週期，並且光阻剝離劑 組成物在以相對高的速度旋轉基材的同時在基材上方被喷 灑’接者’基材被以純水沖洗。 較佳地，在停止基材旋轉一段短的時間週期後，光阻 剝離方法進一步包含旋轉乾燥基材。 較佳地’在以相對高的速度旋轉基材的同時於基材上 Μ 規格⑵ 0Χ_-— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、可| 554240 A7 ~_____B7 Τ- _ 五、發明説明（5 ) 方噴灑光阻剝離劑組成物之後，光阻剝離方法進一步包含 旋轉乾燥基材。 根據本發明之光阻剝離劑組成物在室溫下有效地移除 各種光阻。此外，光阻剝離劑組成物具有迅速的溶解速率 且極易揮發，因此該光阻剝離劑組成物在剝離步驟之後不 會留在晶圓表面上。再者，用於以該光阻剝離劑組成物來 剝離光阻之方法可以從晶圓表面上完全地移除不必要之光 阻’並且僅被以藉由水之簡單的沖洗步驟移除，因而簡化 整個程序。 圖式之簡短說明 本發明上述之目的與優點將會藉由參考附呈圖式來詳 細地說明本發明之較佳實施例而變得更顯而易明，其中： 第1圖為顯示常見的喷嘴喷灑型剝離劑單元之主要部 分的截面圖；以及 第2圖為例示根據本發明之較佳實施例之用以剝離光 阻之方法的流程圖。 發明之詳細說明 本發明提供一種以光阻剝離劑組成物為主的有機溶 劑。根據本發明其係為丙酮、γ-丁酸内脂、及酯溶劑之混 合物之光阻剝離劑組成物在室溫下（在20至40°C的範圍中） 對於各種的光阻可以被有效地應用。 根據本發明之光阻剝離劑組成物的各組成可以作為剝 本紙張尺度適用中國國家標準（〇jS) A4規格（210X297公釐） ......訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 554240 A7 ------B7 __ 五、發明説明（6 ) 離劑。 已知為合成樹脂溶劑之γ-丁酸内脂具有高燃點，並且 作為溶劑相對的穩定。γ-丁酸内脂的安全性可由表示對人 體無毒性作用之皮膚測試與三個月的吸入量所得之結果證 明。某些γ-丁酸内脂的物理性質如下：比重為1128 ;彿點 為204°C ;在近真空壓力下燃點為98它；在大氣壓力下為457 °C ;以及在25°C下黏度為1.70cp。 丙W可溶於醚中，且廣泛地已知為供樹脂、橡膠、樹 膠、顏料或相似者用之溶劑，並為供乙炔用之溶解劑。某 些丙酮的物理性質如下：比重為〇·792 ;沸點為56 rc ;在 近真空壓力下燃點為-15°C ;在大氣壓力下為465°C ;以及 在25°C下黏度為1.70 cp。 根據本發明之光阻剝離劑組成物使用醋酸酯作為一有 機溶劑。 能夠供根據本發明之光阻剝離劑組成物使用之酯溶劑 包括酸丁酯、醋酸正戊酯、乙醯乙酸乙酯、醋酸異丙烯酯、 醋酸單甲基喊二醇。 較佳地，根據本發明之光阻剝離劑組成物之混合物包 含：重量百分比3至35%的丙酮，而較佳為重量百分比8至 15%;重量百分比2至13 %的γ·丁酸内醋，而較佳為重量百 分比4至7% ;及重量百分比55至95%的酯溶劑，而較佳為 重量百分比80至90%，其係根據組成物的總重量。 根據本發明之光阻剝離劑組成物必須時可進一步包含 一輔助成分，例如一活性介面劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、η· 9 554240 A7 _B7_ 五、發明説明（7 ) 本發明人發現剝離劑組成物的各成分之相乘作用准許 對於任何種類的光阻廣泛地使用光阻剝離劑組成物，並且 各種光阻由於組成物的迅速溶解率而可以被快速地移除。 換言之，根據本發明之光阻剝離劑組成物可以從基材 上有效地剝離由各種有機聚合物所形成之光阻。由有機聚 合物所形成之光阻被基本地分類成兩種形式：負型光阻與 正型光阻。依據照射光源，該等負與正型光阻被分類成G 線（G-line)光阻、i線（i-line)光阻、深紫外線（DUV)光阻、電 子束光阻、X光線光阻、及離子束光阻。根據本發明之光 阻剝離劑組成物可以有效地剝離上列任何之光阻。 在微影之領域中，在由有機聚合物所形成之光阻層下 之層的組成物必須涉及選擇適當的剝離劑組成物。即使當 底層被由例如鋁、鋁合金、銅或銅合金之金屬層形成時， 還有當底層被由諸如矽層、氧化矽層、氮化矽層及多晶矽 層之常見的材料形成時，根據本發明之光阻剝離劑組成物 皆可適用。根據本發明之光阻剝離劑組成物可以有效地剝 離光阻而不會對此類的底層造成損壞或污染。 可以供根據本發明之光阻剝離劑組成物使用之成分的 溶解力相對於各種光阻被分別地測量。結果顯示於表1中。 表1 成分 溶解率，A/sec i線光阻 DUV光阻 SS880A7 uvm SEPR-402 SEPR-430S γ-丁酸内脂 15163 9180 8463 5600 丙銅 15163 9180 5633 6743 醋酸丁酯 2416 529 204 1388 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ------------------tr---------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 554240 A7 _B7_:_ 五、發明説明（8 ) 特別地，溶解性對於根據本發明之光阻剝離劑組成物 之Y-丁酸内脂及丙酮之有效成分而被測試。供測試用之光 阻為一種由SS880A7(Smimoto Co，Japan)所得到之i線光 阻，以及三種由 UVn (Shipley Company Inc.，Japan)、SEPR-402(ShinEtsu Co.，Japan)及 SEPR-430S(ShinEtsu Co·，Japan) 所得到之DUV光阻。此外，為可供根據本發明之光阻組成 物用之典型的有機溶劑之醋酸丁酯遭受同樣的測試。 為了進行溶解性的測試，各光阻在一矽晶圓上被塗覆 成足夠的厚（以2000 rpm的晶圓轉速進行30秒）以製備樣 品。所得到之樣品以160°C軟烤3分鐘，並且γ-丁酸内脂、 丙酮、及醋酸丁酯被應用至各樣品上。對於該等成分之溶 解率在25°C下使用溶解率測量計（DRM)被測量。25°C的溫 度在整個測量程序中被維持。 表1的結果顯示各個經測試之成分相對於所有供測試 用之光阻具有一溶解性。所有對於根據本發明之光阻剝離 劑組成物進行測試之成分相對於i線光阻顯示較DUV光阻 高的溶解率。 從表1應被註明的是相對於各種光阻而具有溶解度之 各成分當被加到根據本發明之光阻剝離劑組成物時將會對 於從晶圓上移除光阻的相乘作用產生影響。在光阻剝離劑 組成物之各成分的相乘作用由表2被證實。 表2相對於各種光阻顯示根據本發明之特定光阻剝離 劑組成物的溶解力。經測試之特定的光阻剝離劑組成物為 重量百分比5%之γ-丁酸内脂、重量百分比10%之丙酮、及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂— 11 554240 A7 _ B7_ 五、發明説明（9 ) 重量百分比85%之醋酸丁酯的混合物，其係根據混合物的 總重量。 表2 光阻 光阻的初 始厚度，A 溶解率，A/sec 在溶解1秒後的 光阻厚度，A DUV光阻 SEPR-402 7000 >6800 0 SEPR-430 8300 >8300 0 uvm 5500 >5500 0 i線光阻 ip-2680 16000 >16000 0 ip-3300 12000 >12000 0 i-7010 32000 32000 0 i-900 5000 >5000 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 参_ 供光阻剝離劑組成物之溶解力測試用之光阻為由 SEPR-402(ShinEtsu Co.Japan)、SEPR-430(ShinEtsu Co., Japan)、及 UVDI (Shipley Company Inc·，Japan)所得到之 DUV 光阻’以及由 ip-2680 (Tokyo Ohka Kogyo Co·， Japan)、ip-3300 (Tokyo Ohka Kogyo Co·，Japan)、i-7010 (Mitsubishi Denki Co.，Japan)、及i-900 (Dong_gin Chemical Co.，Korea)所得到之i線光阻。 為了供光阻剝離劑組成物用之溶解力，各光阻在矽晶 圓上被塗覆成足夠的厚度（以2000rpm的晶圓旋轉速度進行 30秒）以製備樣品。所得之光阻以160°C軟烤3分鐘，並且光 阻剝離劑組成物在25°C下使用喷嘴喷灑技術在各晶圓上方 被喷灑。接著，相對於各光阻之光阻剝離劑組成物的溶解 率使用溶解率測量計（DRM)而被測量。25°C的溫度在整個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） 12 554240 A7 五、發明説明（10) 摩 ' ^ !~ 測量過程中被維持。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、表2顯不所有經測試的光阻在1秒内被以光阻剝離劑組 成物完全地溶解。此結果表示剝離劑成分的混合物在從晶 圓上移除光阻具有相乘作用。 根據本發明之光阻剝離劑組成物可以被用來移除附著 至或塗覆在晶圓表面上的光阻，該晶圓係因為失效而從微 影程序中被收集，或是為了供程序管理用之測試而任意截 取’該光阻剝離劑組成物可供回收晶圓用。 根據本發明之光阻剝離劑組成物可以在軟烤程序後用 來從晶圓邊緣或背面上有效地移除不必要的光阻。 此外，根據本發明之光阻剝離劑組成物亦有效地將經 固化的光阻圖案剝離，該光阻係在作為蝕刻罩幕亦藉由微 影技術形成圖案之後留在晶圓上。 其後，一種供使用根據本發明之光阻剝離劑組成物來 剝離光阻用之方法將參考附呈圖式說明。 第1圖為顯示常見的喷嘴喷灑型剝離劑單元之主要部 分的截面圖，其係可用於進行根據本發明之光阻剝離方法。 參考第1圖，一剝離劑單元100具有一引流杯10。一用 以支撐至放於其上之晶圓旋轉夾12在引流杯1〇中被設置。 旋轉夾12可在馬達14的作用下旋轉。一喷嘴22被置放在大 約於旋轉夾12的中心上方，以透過喷嘴而將光阻剝離劑組 成物供應至位在旋轉夾12上之晶圓W上。 I 此外，剝離劑單元1〇〇包括用以在晶圓W上方喷灑邊緣 沖洗溶液之邊緣沖洗噴嘴24，以及一用以在晶圓W上方喷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -13 - 554240 A7 -----— B7 ____ 五、發明説明（11) ""—— 灑背面沖洗溶液之背面沖洗溶液噴嘴26。 第2圖例示根據本發明使用第丨圖所示之剝離劑單元 100而從晶圓上將不必要的光阻剝離之方法的較佳實施例 之流程圖。目前將會被說明之根據本發明的光阻剝離方法 可被應用在從一晶圓上移除光阻罩幕圖案上，該光阻罩幕 圖案係被作為蝕刻罩幕以在微影程序期間將底層形成圖 案。光阻剝離方法亦可以被應用在供在微影程序後因為缺 而被報廢或為了程序管理測試而被擱置之晶圓用的再處 理程序。 根據本發明之光阻剝離方法包括一低速旋轉剝離步驟 110、一高速旋轉剝離步驟120、及一沖洗步驟S6。特別地， 在步驟110中，被以光阻塗覆之例如矽晶圓w的基材被置放 在剝離劑單元100之旋轉夾12上，如第1圖所示。接著，在 以約1200至1500rpm的相對低速度旋轉晶圓w的同時，一光 阻剝離劑組成物透過喷嘴22在晶圓W上方被喷灑約1〇至20 秒（次步驟S1)。在此，因為晶圓正在旋轉夾12上旋轉，因 此光阻剝離劑組成物被離心力均勻地施覆在晶圓W上。 先前所述之根據本發明之光阻剝離劑組成物可以用來 供光阻剝離程序用。在本實施例中，丁酸内脂、丙酮、 及醋酸丁酯之混合物的光阻剝離劑組成物以室溫下被應 用。如例示者，使用在本實施例之光阻剝離劑組成物包括 重量百分比5%的γ-丁酸内脂、重量百分比10%的丙酮、及 重量百分比85%的醋酸丁酯，其係根據混合物的總重量。 接著，旋轉夾12之旋轉被停止約20至30秒（次步驟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 14 554240 A7 B7 五、發明説明（12) S2)。在次步驟S2中’在晶圓W上之光阻被光阻剝離劑組成 物溶解。在此步驟之後，旋轉夾丨2被以較高的速度旋轉， 使得晶圓W被旋轉乾燥（次步驟S3)。 為了從晶圓W上移除光阻殘餘物，高速旋轉剝離步驟 120被進行。特別地，在以例如約2〇〇〇至25〇〇1*13111的相對高 速旋轉晶圓W的同時，根據本發明之光阻剝離劑組成物透 過喷嘴22在晶圓W上方被均勻地喷灑約1〇至2〇秒（次步驟 S4)。在此步驟之後，旋轉夾12被以較高的速度旋轉，使得 晶圓W被旋乾（次步驟S5)。 在高速旋轉剝離步驟120之後，晶圓W藉由純水進行沖 洗程序，以將所有的有機物質從晶圓貿上移除（步驟S6)。 接著，旋轉夾12被以較高的速度旋轉以旋乾晶圓w， 使得在沖洗步驟S6中所使用的純水被完全地移除（步驟 S7) 〇 上述S1至S7所有的步驟可以在室溫下進行。 根據本發明之光阻剝離方法涉及兩個剝離程序階段， 亦即’低速旋轉剝離步驟110及高速旋轉剝離步驟12〇，因 此不必要的光阻可以從晶圓W上完全地移除。此外，根據 本發明之光阻剝離劑組成物為高揮發性，使得在移除不必 要的光阻後在晶圓上幾乎沒有其殘餘物。在剝離程序後被 進行之以純水進行的沖洗步驟S6足夠將留存的有機物質 從晶圓w之表面上移除，而不需以諸如醋酸異丙烯酯（IPA) 之有機溶劑進行沖洗。沖洗步驟S6在根據本發明之光阻剝 離劑方法中為簡單。 本紙張尺度翻巾_緖準（⑽A4規格⑵0χ297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

15 554240 A7 ___ B7____ 五、發明説明（I3) 根據本發明之光阻剝離劑組成物可應用至使用剝離劑 單元100之邊緣沖洗噴嘴24來進行晶圓邊緣沖洗上，如第1 圖所示。在此情況中，根據本發明之光阻剝離劑組成物透 過邊緣沖洗喷嘴24而被喷灑在晶圓W之邊緣上。結果，殘 存的光阻從與透過邊緣沖洗喷嘴24被分布之剝離劑組成物 接觸之晶圓W的邊緣上被均勻地移除，使得晶圓W之表面 變得平滑。 另一方面，根據本發明之光阻剝離劑組成物可以被用 來使用第1圖所示之剝離劑單元1 〇〇之背面沖洗喷嘴26來進 行晶圓背面沖洗。如在邊緣沖洗程序中，光阻殘餘物可以 從晶圓W的背面上被均勻地移除，留下平滑無有機溶劑之 表面。 如上所述，根據本發明之光阻剝離劑組成物可在室溫 下被有效地應用至各種光阻上。該光阻剝離劑組成物具有 高溶解率及高度揮發性，因此光阻剝離劑組成物幾乎不會 留在晶圓表面上。根據本發明之光阻剝離劑組成物可被有 效地應用在光阻罩幕移除程序、再處理程序、晶圓邊緣沖 洗程序、晶圓背面沖洗程序等等之中。 根據本發明之光阻剝離方法可以透過兩個階段的玻璃 程序從晶圓上完全地移除不必要的光阻，亦即，低速旋轉 剝離步驟及咼速旋轉剝離步驟。此外，光阻剝離方法不需 要包括以有機溶劑進行沖洗之步驟。對於發明的光阻剝離 方法’使用純水足夠從晶圓表面上沖洗有機物質。所以， 與涉及以有機溶劑進行沖洗步驟之傳統的玻璃方法相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| 16 554240 A7 B7 五、發明説明（14) 本發明所有的程序可以被簡化。 雖然本發明以參考其較佳實施例被特別的顯示與說 明，但熟習此技者將會了解在型式或細節上各種的改變可 以被進行，不會被離由附呈申請專利範圍所界定之發明的 精神與範圍。 元件標號對照表 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 引流杯 12 晶圓旋轉夾 14 馬達 22 噴嘴 24 邊緣沖洗喷嘴 26 背面沖洗溶液嘴嘴 100 剝離劑單元 W 晶圓 -、tri 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公嫠） 17

Claims (1)

1. A8 i 91.8. \ B8 1年 C8 D8

   554240__ 丨丨丨丨丨......... |么、告本 六、申請專利範園 第089120922號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：91年8月 1 · 一種光阻剝離劑組成物，以混合物的總重量為基準， 其實質上係由重量百分比3至35%的丙酮；重量百分比 2至13%的γ-丁酸内酯；及重量百分比55至95%的酯溶 劑之混合物所構成。 2·如申請專利範圍第1項之光阻剝離劑組成物，其中該酯 溶劑包含醋酸酯。 3·如申請專利範圍第2項之光阻剝離劑組成物，其中該醋 酸酯包含至少一者選自由醋酸丁酯、醋酸正戊酯、乙 醯乙酸乙酯、醋酸異丙烯酯及醋酸單甲基驗二醇所組 成之群組。 4·如申請專利範圍第1項之光阻剝離劑組成物，其中該混 合物包含·· 重量百分比8至15%的丙酮； 重量百分比4至7%的7 - 丁酸内酯；以及 重量百分比80至90%的酯溶劑，其係以該混合物 的總重量為基準。 5·如申請專利範圍第1項之光阻剝離劑組成物，進一步包 含一表面活性劑。 6. —種光阻剝離方法，其係包含： (a)在以相對低的速度旋轉一基材的同時，在該基 材上方噴灑一光阻剝離組成物，以混合物之總重量為 基準’該組成物實質上由重量百分比3至35%的丙酮；

   -18- …4U4〇 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 重量百分比2至13%的γ-丁酸内酯；及重量百分比55至 95%的酯溶劑所構成，以便從基材上將光阻剝離； (b) 停止基材旋轉一段短時間週期； (c) 在以相對高的速度旋轉基材的同時在基材上 方噴灑該光阻剝離劑組成物；以及 (d) 以純水沖洗該基材。 7.如申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，在步驟（b)之後 進一步包含旋轉乾燥該基材之步驟。 8·如申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，在步驟⑷之後 進一步包含旋轉乾燥該基材之步驟。 9. 如申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，其中在㈣⑷ 中，該基材被以^㈧至^⑼卬爪的速度旋轉。 10. 如申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，其中在步驟⑷ 中，該基材被以2_至25〇0rpm的速度旋轉。 U·如申請專利範圍第6項之光阻制離方法，其中步驟⑷ 被進行10至20秒。 12·如申請專利範圍第6項之光阻釗 、“ 只〈九阻剝離方法，其中步驟(b) 被進行20至30秒。 13 ·如申請專利範圍第6項之 被進行1〇至20秒。 _方法’其中步驊⑷ 14·:申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，進 表面活性劑。 少〇吝 15.如申請專利範圍第6項之光阻剝離方 該光阻剝離劑組成物中、？ 皮包3在 之忒3曰酸酯包含至少一者選自 ^張尺錢财 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 丨rf, 舞 19 554240 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 由醋酸丁酯、醋酸正戊酯、乙醯乙酸乙酯、醋酸異丙 烯酯及醋酸單甲基醚二醇所組成之群組。 16.如申請專利範圍第6項之光阻剝離方法，其中該混合物 包含： 重量百分比8至15%的丙酮； 重量百分比4至7%的r -丁酸内酯；以及 重量百分比80至90%的酯溶劑，其係以混合物的 總重量為基準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 20