JP3401201B2 - 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 - Google Patents
電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤Info
- Publication number
- JP3401201B2 JP3401201B2 JP34328898A JP34328898A JP3401201B2 JP 3401201 B2 JP3401201 B2 JP 3401201B2 JP 34328898 A JP34328898 A JP 34328898A JP 34328898 A JP34328898 A JP 34328898A JP 3401201 B2 JP3401201 B2 JP 3401201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- base material
- substrate
- resist film
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 2
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1O KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYJFAQCWRMHWFT-UHFFFAOYSA-N 2-sulfonylnaphthalene-1,4-dione Chemical class S(=O)(=O)=C1C(C2=CC=CC=C2C(C1)=O)=O XYJFAQCWRMHWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KIUKXJAPPMFGSW-MNSSHETKSA-N hyaluronan Chemical compound CC(=O)N[C@H]1[C@H](O)O[C@H](CO)[C@@H](O)C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]2[C@@H](C(O[C@H]3[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O3)C(O)=O)O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)NC(C)=O)[C@@H](C(O)=O)O1 KIUKXJAPPMFGSW-MNSSHETKSA-N 0.000 description 1
- 229940099552 hyaluronan Drugs 0.000 description 1
- 229920002674 hyaluronan Polymers 0.000 description 1
- -1 hydroxybenzal Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- LYLUAHKXJUQFDG-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxy-2-methylpropanoate Chemical compound COCC(C)C(=O)OC LYLUAHKXJUQFDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N p-aminodiphenylamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ATGUVEKSASEFFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用基材の
製造方法、特に基板表面に放射線感応性レジスト膜を形
成させたのち、そのレジスト膜の不要部分を効率よく除
去して電子部品用基材を製造する方法及びその方法に用
いるレジスト除去剤に関するものである。
製造方法、特に基板表面に放射線感応性レジスト膜を形
成させたのち、そのレジスト膜の不要部分を効率よく除
去して電子部品用基材を製造する方法及びその方法に用
いるレジスト除去剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィー技術を利用して半導体素
子のような電子部品を製造する場合、先ずシリコンウエ
ーハのような基板の表面に放射線感応性レジスト膜形成
用塗布液を塗布し、乾燥することにより、基板上に放射
線感応性レジスト膜を形成するが、この際基板の周辺部
や縁辺部や裏面部に付着した不要の放射線感応性レジス
ト膜をレジスト除去剤により溶解除去することが必要で
ある。
子のような電子部品を製造する場合、先ずシリコンウエ
ーハのような基板の表面に放射線感応性レジスト膜形成
用塗布液を塗布し、乾燥することにより、基板上に放射
線感応性レジスト膜を形成するが、この際基板の周辺部
や縁辺部や裏面部に付着した不要の放射線感応性レジス
ト膜をレジスト除去剤により溶解除去することが必要で
ある。
【０００３】これまで、このレジスト除去剤としては、
毒性が低く、安全性に優れるという点でプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート又はこれとプロピ
レングリコールモノメチルエーテルとの混合液が広く用
いられていたが、これらのレジスト除去液は、ガラス角
基板を用いて液晶素子を製造する場合には、残存させな
ければならない必要なレジスト膜と不要なレジストの除
去部分との間の界面付近が膨成し、断面形状が非垂直性
になる上に、必要なレジスト膜部分まで除去されてしま
うという欠点があった。
毒性が低く、安全性に優れるという点でプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート又はこれとプロピ
レングリコールモノメチルエーテルとの混合液が広く用
いられていたが、これらのレジスト除去液は、ガラス角
基板を用いて液晶素子を製造する場合には、残存させな
ければならない必要なレジスト膜と不要なレジストの除
去部分との間の界面付近が膨成し、断面形状が非垂直性
になる上に、必要なレジスト膜部分まで除去されてしま
うという欠点があった。
【０００４】このような欠点を克服するために、本発明
者らは先に塩基性物質を溶解した水性溶媒からなるレジ
スト除去剤（特開平９−２６９６０１号公報）や、ジプ
ロピレングリコールモノ低級アルキルエーテル（特開平
９−３１１４７０号公報）を提案したが、近年に至り、
より高いスループットが要求される電子部品においては
レジスト除去のための処理時間をさらに短縮する必要が
あり、これに適合するレジスト除去剤の出現が望まれて
いた。
者らは先に塩基性物質を溶解した水性溶媒からなるレジ
スト除去剤（特開平９−２６９６０１号公報）や、ジプ
ロピレングリコールモノ低級アルキルエーテル（特開平
９−３１１４７０号公報）を提案したが、近年に至り、
より高いスループットが要求される電子部品においては
レジスト除去のための処理時間をさらに短縮する必要が
あり、これに適合するレジスト除去剤の出現が望まれて
いた。
【０００５】ところで、このような基板の周辺部、縁辺
部及び裏面部に付着した不要のレジスト膜を除去するた
めのレジスト除去剤に対し要求される性能には、６秒間
以内という短時間で、不要のレジスト膜を完全に除去し
うること、除去後のレジスト膜の断面が垂直であるこ
と、除去されてはならない必要なレジスト膜部分には浸
透しないこと、除去後にスカムを生じないこと、除去後
にレジスト除去剤が残存しないように乾燥性が良好なこ
となどがある。
部及び裏面部に付着した不要のレジスト膜を除去するた
めのレジスト除去剤に対し要求される性能には、６秒間
以内という短時間で、不要のレジスト膜を完全に除去し
うること、除去後のレジスト膜の断面が垂直であるこ
と、除去されてはならない必要なレジスト膜部分には浸
透しないこと、除去後にスカムを生じないこと、除去後
にレジスト除去剤が残存しないように乾燥性が良好なこ
となどがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した要
求性能を満たしたレジスト除去剤を用い、優れた性能を
もつ電子部品用基材を得るための製造方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
求性能を満たしたレジスト除去剤を用い、優れた性能を
もつ電子部品用基材を得るための製造方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、リソグラ
フィー技術を利用して電子部品用基材を製造する際、不
要部分を除去する過程において生じるこれまでの種々の
欠点は、使用するレジスト除去剤の表面張力に関係する
こと、したがって、適正な範囲の表面張力をもつ有機溶
剤をレジスト除去剤として用いれば、これまでの欠点を
克服しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を
なすに至った。
フィー技術を利用して電子部品用基材を製造する際、不
要部分を除去する過程において生じるこれまでの種々の
欠点は、使用するレジスト除去剤の表面張力に関係する
こと、したがって、適正な範囲の表面張力をもつ有機溶
剤をレジスト除去剤として用いれば、これまでの欠点を
克服しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を
なすに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、基板表面に放射線感
応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥後、基板の
少なくとも周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した不要の
レジスト膜をレジスト除去剤を用いて溶解除去すること
により電子部品用基材を製造するに当り、前記レジスト
除去剤として、異なる２種又はそれ以上の有機溶剤を混
合して２０℃における表面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍよ
りも大きく６０ｄｙｎｅ／ｃｍよりも小さい範囲に調整
された、放射線感応性レジスト膜に対し溶解性を示す有
機溶剤を用いることを特徴とする電子部品用基材の製造
方法及びそれに用いるレジスト除去剤を提供するもので
ある。
応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥後、基板の
少なくとも周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した不要の
レジスト膜をレジスト除去剤を用いて溶解除去すること
により電子部品用基材を製造するに当り、前記レジスト
除去剤として、異なる２種又はそれ以上の有機溶剤を混
合して２０℃における表面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍよ
りも大きく６０ｄｙｎｅ／ｃｍよりも小さい範囲に調整
された、放射線感応性レジスト膜に対し溶解性を示す有
機溶剤を用いることを特徴とする電子部品用基材の製造
方法及びそれに用いるレジスト除去剤を提供するもので
ある。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明方法における基板材料及び
放射線感応性レジスト膜形成用塗布液としては、これま
でリソグラフィー技術を利用して電子部品を製造する際
に一般に用いられているものの中から任意に選ぶことが
でき、特に制限はない。また、これらの原料を用いて電
子部品を製造する方法自体についても、これまでのリソ
グラフィー技術を利用して電子部品を製造する方法をそ
のまま用いることができる。
放射線感応性レジスト膜形成用塗布液としては、これま
でリソグラフィー技術を利用して電子部品を製造する際
に一般に用いられているものの中から任意に選ぶことが
でき、特に制限はない。また、これらの原料を用いて電
子部品を製造する方法自体についても、これまでのリソ
グラフィー技術を利用して電子部品を製造する方法をそ
のまま用いることができる。
【００１０】本発明方法においては、基板表面に放射線
感応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥して所要
のレジスト膜を形成させたのち、基板の周辺部、縁辺部
及び裏面部の少なくとも一部に付着した不要のレジスト
膜を除去するためのレジスト除去剤として、異なった２
種又はそれ以上の有機溶剤を混合して２０℃における表
面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍよりも大きく６０ｄｙｎｅ
／ｃｍよりも小さい範囲に調整された混合有機溶剤を用
いることが必要である。この表面張力が３５ｄｙｎｅ／
ｃｍ以下のもの、例えば公知の乳酸エチルとエチル‐３
‐エトキシプロピオネートとγ‐ブチロラクトンとの混
合物、２‐メチル‐３‐メトキシプロピオン酸メチルな
どは表面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であるため、不
要レジスト膜除去の処理の際、除去してはならないレジ
スト膜の必要部分に溶剤が浸透し、これを除去するとい
う好ましくない事態を生じる。他方、この表面張力が６
０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上になると、不要レジスト部分への
浸透が困難になるため、処理時間が長くなるのを免れな
い。
感応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥して所要
のレジスト膜を形成させたのち、基板の周辺部、縁辺部
及び裏面部の少なくとも一部に付着した不要のレジスト
膜を除去するためのレジスト除去剤として、異なった２
種又はそれ以上の有機溶剤を混合して２０℃における表
面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍよりも大きく６０ｄｙｎｅ
／ｃｍよりも小さい範囲に調整された混合有機溶剤を用
いることが必要である。この表面張力が３５ｄｙｎｅ／
ｃｍ以下のもの、例えば公知の乳酸エチルとエチル‐３
‐エトキシプロピオネートとγ‐ブチロラクトンとの混
合物、２‐メチル‐３‐メトキシプロピオン酸メチルな
どは表面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であるため、不
要レジスト膜除去の処理の際、除去してはならないレジ
スト膜の必要部分に溶剤が浸透し、これを除去するとい
う好ましくない事態を生じる。他方、この表面張力が６
０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上になると、不要レジスト部分への
浸透が困難になるため、処理時間が長くなるのを免れな
い。
【００１１】本発明方法で用いうる有機溶剤は、γ‐ブ
チロラクトン（４３．９ｄｙｎｅ／ｃｍ）、アニソール
（３５．２ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ベンジルアルコール（３
８．９４ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ジメチルスルホキシド（４
２．８ｄｙｎｅ／ｃｍ）、Ｎ‐メチルピロリドン（４１
ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ホルムアミド（５８．６ｄｙｎｅ／
ｃｍ）、フェネトール（３２．８５ｄｙｎｅ／ｃｍ）な
どのラクトン類、含酸素ベンゼン誘導体、スルホキシド
類及びアミド類の中から選ばれる。
チロラクトン（４３．９ｄｙｎｅ／ｃｍ）、アニソール
（３５．２ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ベンジルアルコール（３
８．９４ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ジメチルスルホキシド（４
２．８ｄｙｎｅ／ｃｍ）、Ｎ‐メチルピロリドン（４１
ｄｙｎｅ／ｃｍ）、ホルムアミド（５８．６ｄｙｎｅ／
ｃｍ）、フェネトール（３２．８５ｄｙｎｅ／ｃｍ）な
どのラクトン類、含酸素ベンゼン誘導体、スルホキシド
類及びアミド類の中から選ばれる。
【００１２】そして、本発明方法においては、所定の表
面張力になるように、２種以上の有機溶剤を混合して用
いることが必要である。この中で特に好ましいのは、
（ａ）γ‐ブチロラクトン７０〜９７重量％、好ましく
は９０〜９７重量％と（ｂ）アルコキシベンゼン及び芳
香族アルコールの中から選ばれる少なくとも１種３〜３
０重量％、好ましくは３〜１０重量％の混合物であり、
特に（ｂ）成分としてはアニソールの場合が好ましい。
面張力になるように、２種以上の有機溶剤を混合して用
いることが必要である。この中で特に好ましいのは、
（ａ）γ‐ブチロラクトン７０〜９７重量％、好ましく
は９０〜９７重量％と（ｂ）アルコキシベンゼン及び芳
香族アルコールの中から選ばれる少なくとも１種３〜３
０重量％、好ましくは３〜１０重量％の混合物であり、
特に（ｂ）成分としてはアニソールの場合が好ましい。
【００１３】本発明方法において用いる基板材料として
は、通常の電子部品例えば半導体素子や表示素子の製造
に用いられるものの中から任意に選ぶことができ、特に
制限はない。このようなものとしては、シリコンウエー
ハ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ・ディスプレイ
・パネル（ＰＤＰ）、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇ
ｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、エレクトロル
ミネッセント・ディスプレイ（ＥＬＤ）、電界放射ディ
スプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ）などのフラットパネルディスプレイに用
いられるガラス角基板、透明プラスティック角基板など
がある。特に本発明方法は、フラットパネル用の角基板
に対し効果が大きい。
は、通常の電子部品例えば半導体素子や表示素子の製造
に用いられるものの中から任意に選ぶことができ、特に
制限はない。このようなものとしては、シリコンウエー
ハ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ・ディスプレイ
・パネル（ＰＤＰ）、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇ
ｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、エレクトロル
ミネッセント・ディスプレイ（ＥＬＤ）、電界放射ディ
スプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ）などのフラットパネルディスプレイに用
いられるガラス角基板、透明プラスティック角基板など
がある。特に本発明方法は、フラットパネル用の角基板
に対し効果が大きい。
【００１４】本発明方法により除去可能なレジストは、
通常各種電子部品素子の製造に使用されているものであ
るが、これは一般に、放射線感応性物質と被膜形成物質
とから成り、かつアルカリ水溶液により現像できるもの
である。最近の超微細加工に十分適応しうる諸要求特性
を備えた特に有利なレジストとしてはポジ型ホトレジス
ト、特にキノンジアジド系放射線感応性物質と被膜形成
物質とを含む組成物から成るものがある。
通常各種電子部品素子の製造に使用されているものであ
るが、これは一般に、放射線感応性物質と被膜形成物質
とから成り、かつアルカリ水溶液により現像できるもの
である。最近の超微細加工に十分適応しうる諸要求特性
を備えた特に有利なレジストとしてはポジ型ホトレジス
ト、特にキノンジアジド系放射線感応性物質と被膜形成
物質とを含む組成物から成るものがある。
【００１５】この放射線感応性物質としては、キノンジ
アジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジ
ド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノ
ンジアジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸とフェ
ノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若
しくは完全エステル化、又は部分若しくは完全アミド化
したものが挙げられ、前記のフェノール性水酸基又はア
ミノ基を有する化合物としては、例えば２，３，４‐ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４´‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベ
ンゾフェノン、あるいは没食子酸アルキル、没食子酸ア
リール、フェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチ
ルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフ
トール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロール
モノメチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチル
エーテル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化又は
エーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフ
ェニルアミンなどが挙げられる。そして、特に好ましい
キノンジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキ
シベンゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐
５‐スルホニルクロリド又はナフトキノン‐１，２‐ジ
アジド‐４‐スルホニルクロリドとの完全エステル化物
や部分エステル化物であり、特に平均エステル化度が７
０％以上のものが好ましい。
アジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジ
ド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノ
ンジアジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸とフェ
ノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若
しくは完全エステル化、又は部分若しくは完全アミド化
したものが挙げられ、前記のフェノール性水酸基又はア
ミノ基を有する化合物としては、例えば２，３，４‐ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４´‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベ
ンゾフェノン、あるいは没食子酸アルキル、没食子酸ア
リール、フェノール、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチ
ルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフ
トール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロール
モノメチルエーテル、ピロガロール‐１，３‐ジメチル
エーテル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化又は
エーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフ
ェニルアミンなどが挙げられる。そして、特に好ましい
キノンジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキ
シベンゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐
５‐スルホニルクロリド又はナフトキノン‐１，２‐ジ
アジド‐４‐スルホニルクロリドとの完全エステル化物
や部分エステル化物であり、特に平均エステル化度が７
０％以上のものが好ましい。
【００１６】また、被膜形成物質としては、例えばフェ
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
【００１７】特に好ましいポジ型ホトレジストは、被膜
形成物質としてクレゾールノボラック樹脂を用いたもの
であり、このクレゾールノボラック樹脂としては、低分
子量域をカットした重量平均分子量が２０００〜２００
００、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが
好ましい。
形成物質としてクレゾールノボラック樹脂を用いたもの
であり、このクレゾールノボラック樹脂としては、低分
子量域をカットした重量平均分子量が２０００〜２００
００、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが
好ましい。
【００１８】前記ポジ型ホトレジストにおいては前記し
た放射線感応性物質が、被膜形成物質１００重量部に対
し、通常１０〜４０重量部、好ましくは１５〜３０重量
部の範囲で配合される。この量が４０重量部を超えると
感度が著しく劣り、また１０重量部未満では好ましいパ
ターン断面形状が得にくくなる。
た放射線感応性物質が、被膜形成物質１００重量部に対
し、通常１０〜４０重量部、好ましくは１５〜３０重量
部の範囲で配合される。この量が４０重量部を超えると
感度が著しく劣り、また１０重量部未満では好ましいパ
ターン断面形状が得にくくなる。
【００１９】また、レジストには、必要に応じ、相容性
のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料など
を添加してもよいし、さらに、他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料など
を添加してもよいし、さらに、他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
【００２０】次に、本発明方法における放射線感応性レ
ジスト膜形成用塗布液の塗布は、スピンナー法、バーコ
ーター法、ロールコーター法など任意の塗布手段により
行うことができるが、なかでもスピンナー法が最も一般
的である。
ジスト膜形成用塗布液の塗布は、スピンナー法、バーコ
ーター法、ロールコーター法など任意の塗布手段により
行うことができるが、なかでもスピンナー法が最も一般
的である。
【００２１】次に、塗布工程後、これを乾燥するが、こ
れはレジスト塗膜から有機溶剤を揮散させるためのもの
である。本発明方法においては、完全乾燥して有機溶剤
を完全に揮散させるよりも、乾燥雰囲気から減圧下に大
気を吸引してレジスト塗膜の有機溶剤を完全に揮散させ
ない不完全乾燥の状態、すなわち乾固まで至らない半乾
きの状態まで乾燥するのが有利である。
れはレジスト塗膜から有機溶剤を揮散させるためのもの
である。本発明方法においては、完全乾燥して有機溶剤
を完全に揮散させるよりも、乾燥雰囲気から減圧下に大
気を吸引してレジスト塗膜の有機溶剤を完全に揮散させ
ない不完全乾燥の状態、すなわち乾固まで至らない半乾
きの状態まで乾燥するのが有利である。
【００２２】また、本発明方法における基板の周辺部、
縁辺部及び裏面部の少なくとも一部から不要のレジスト
膜を除去する手段としては、例えば以下のものがある。 （ア）除去剤を噴出するノズルを基板縁辺部に沿って移
動させる方法。 （イ）回転する基板の下方に除去剤を噴出するノズルを
配置し、基板裏面から除去する方法。 （ウ）基板を静止した状態で、予め除去剤を満たした溶
剤貯留部を基板へ水平に移動し、基板の両端の縁辺部を
該貯留部の除去剤に接触する方法（特開平８−１０２４
３４号公報参照）。 （エ）予め除去剤を満たした溶剤貯留部で基板の両端を
狭持し、基板を移動させる方法。 （オ）除去剤で満たされた槽に基板を垂直に保持し浸漬
する方法。特に好ましいのは（ウ）の方法である。
縁辺部及び裏面部の少なくとも一部から不要のレジスト
膜を除去する手段としては、例えば以下のものがある。 （ア）除去剤を噴出するノズルを基板縁辺部に沿って移
動させる方法。 （イ）回転する基板の下方に除去剤を噴出するノズルを
配置し、基板裏面から除去する方法。 （ウ）基板を静止した状態で、予め除去剤を満たした溶
剤貯留部を基板へ水平に移動し、基板の両端の縁辺部を
該貯留部の除去剤に接触する方法（特開平８−１０２４
３４号公報参照）。 （エ）予め除去剤を満たした溶剤貯留部で基板の両端を
狭持し、基板を移動させる方法。 （オ）除去剤で満たされた槽に基板を垂直に保持し浸漬
する方法。特に好ましいのは（ウ）の方法である。
【００２３】このようにして、不要のレジスト膜を除去
したのち、通常のリソグラフィー技術を利用する場合と
同様、プレベーク、露光及び必要に応じ後加熱、現像、
ポストベーク、エッチング、剥離などの処理が施され
る。
したのち、通常のリソグラフィー技術を利用する場合と
同様、プレベーク、露光及び必要に応じ後加熱、現像、
ポストベーク、エッチング、剥離などの処理が施され
る。
【００２４】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００２５】実施例１〜４及び比較例１〜５
クロム層を有するガラス基板（５５０ｍｍ×６５０ｍ
ｍ）上にポジ型レジストであるＯＦＰＲ ＰＲ−１１
（東京応化工業社製、キノンジアジド基含有化合物とク
レゾールノボラック樹脂を含有）を塗布法により乾燥膜
厚が１．１μｍになるように塗布したのち、減圧乾燥処
理して半乾きの状態のレジスト膜を設けた基材を用意し
た。次いで、大型角基板コーター一貫ラインであるＴＲ
−３６０００（東京応化工業社製）に搭載された不要レ
ジスト除去装置ＥＢＲの溶剤貯留部に供給された表１に
示す各除去剤に上記基板の縁辺部を水平方向から挿入し
た後、該基板を静止した状態で表１に示す所定時間浸漬
したのち、排気し、乾燥処理した。このとき、レジスト
膜不要部分の除去状態を目視により観察し、レジスト膜
が完全に除去されているものを○、完全ではないが支障
のない程度に除去されているものを△、除去されていな
いものを×とした。また、レジスト残さが発生していな
いものを○、若干発生しているものを△、多量に発生し
ているものを×とした。また、レジスト必要部分が除去
されていないものを○、除去されているものを×とし
た。次に、前記操作により不要部分が完全に除去されて
いるものについて、レジスト膜が除去された断面を、触
針式断差測定器［日本真空技術（株）製、商品名「ＤＥ
ＫＴＡＫ」］により測定し、界面付近のレジストの盛り
上がりがないものを○、盛り上がりが生じているものを
×として、除去後のレジストの断面形状を評価した。一
方、ＴＲ−３６０００に搭載された不要レジスト除去装
置ＥＢＲの溶剤貯留部に供給された表１に示す各除去剤
に上記基板の縁辺部を水平方向から挿入した後、該基板
を静止した状態で表１に示す所定時間浸漬したのち、６
秒経過後、除去部分を目視により観察し、除去剤の残り
が認められないものを○、一部除去剤の残りが認められ
るものを△、多量に残りが認められるものを×として、
乾燥性を評価した。
ｍ）上にポジ型レジストであるＯＦＰＲ ＰＲ−１１
（東京応化工業社製、キノンジアジド基含有化合物とク
レゾールノボラック樹脂を含有）を塗布法により乾燥膜
厚が１．１μｍになるように塗布したのち、減圧乾燥処
理して半乾きの状態のレジスト膜を設けた基材を用意し
た。次いで、大型角基板コーター一貫ラインであるＴＲ
−３６０００（東京応化工業社製）に搭載された不要レ
ジスト除去装置ＥＢＲの溶剤貯留部に供給された表１に
示す各除去剤に上記基板の縁辺部を水平方向から挿入し
た後、該基板を静止した状態で表１に示す所定時間浸漬
したのち、排気し、乾燥処理した。このとき、レジスト
膜不要部分の除去状態を目視により観察し、レジスト膜
が完全に除去されているものを○、完全ではないが支障
のない程度に除去されているものを△、除去されていな
いものを×とした。また、レジスト残さが発生していな
いものを○、若干発生しているものを△、多量に発生し
ているものを×とした。また、レジスト必要部分が除去
されていないものを○、除去されているものを×とし
た。次に、前記操作により不要部分が完全に除去されて
いるものについて、レジスト膜が除去された断面を、触
針式断差測定器［日本真空技術（株）製、商品名「ＤＥ
ＫＴＡＫ」］により測定し、界面付近のレジストの盛り
上がりがないものを○、盛り上がりが生じているものを
×として、除去後のレジストの断面形状を評価した。一
方、ＴＲ−３６０００に搭載された不要レジスト除去装
置ＥＢＲの溶剤貯留部に供給された表１に示す各除去剤
に上記基板の縁辺部を水平方向から挿入した後、該基板
を静止した状態で表１に示す所定時間浸漬したのち、６
秒経過後、除去部分を目視により観察し、除去剤の残り
が認められないものを○、一部除去剤の残りが認められ
るものを△、多量に残りが認められるものを×として、
乾燥性を評価した。
【００２６】
【表１】
【００２７】（注）
ＥＬ：乳酸エチル
ＤＰＭ：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
ＥＥＰ：メチル‐３‐メトキシプロピオネート
ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート
アセテート
【００２８】
【発明の効果】本発明方法によれば、人体に対する安全
性が高い上、基板の周辺部や縁辺部や裏面に付着した不
要のレジスト膜を短時間で効率よく除去することがで
き、かつ界面付近のレジストの盛り上がりがない垂直な
レジスト断面を形成しうるとともに、レジスト残さを生
じない品質の良好な電子部品製造用基材を与えることが
できる。
性が高い上、基板の周辺部や縁辺部や裏面に付着した不
要のレジスト膜を短時間で効率よく除去することがで
き、かつ界面付近のレジストの盛り上がりがない垂直な
レジスト断面を形成しうるとともに、レジスト残さを生
じない品質の良好な電子部品製造用基材を与えることが
できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−269601（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−67439（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−343383（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−84779（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−164364（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/42
H01L 21/027
H01L 21/304
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面に放射線感応性レジスト膜形成
用塗布液を塗布し、乾燥後、基板の少なくとも周辺部、
縁辺部及び裏面部に付着した不要のレジスト膜をレジス
ト除去剤を用いて溶解除去することにより電子部品用基
材を製造するに当り、前記レジスト除去剤として、異な
る２種又はそれ以上の有機溶剤を混合して２０℃におけ
る表面張力が３５ｄｙｎｅ／ｃｍよりも大きく６０ｄｙ
ｎｅ／ｃｍよりも小さい範囲に調整された、放射線感応
性レジスト膜に対し溶解性を示す混合有機溶剤を用いる
ことを特徴とする電子部品用基材の製造方法。 - 【請求項２】 レジスト除去剤が（ａ）γ‐ブチロラク
トンと（ｂ）アルコキシベンゼン及び芳香族アルコール
の中から選ばれた少なくとも１種との混合有機溶剤であ
る請求項１記載の電子部品用基材の製造方法。 - 【請求項３】 （ａ）が７０〜９７重量％、（ｂ）が３
〜３０重量％である請求項２記載の電子部品用基材の製
造方法。 - 【請求項４】 （ｂ）がアニソールである請求項２又は
３記載の電子部品用基材の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかの方法で用
いるレジスト除去剤。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34328898A JP3401201B2 (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 |
| TW088120264A TW536667B (en) | 1998-12-02 | 1999-11-19 | Method for the preparation of a base material of electronic parts and resist remover used therefor |
| KR10-1999-0053653A KR100370913B1 (ko) | 1998-12-02 | 1999-11-29 | 전자부품용 기재의 제조방법 및 그것에 사용하는레지스트제거제 |
| US09/453,460 US6117623A (en) | 1998-12-02 | 1999-12-02 | Remover solvent for partial removal of photoresist layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34328898A JP3401201B2 (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002364210A Division JP3771898B2 (ja) | 2002-12-16 | 2002-12-16 | 電子部品用基材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171987A JP2000171987A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3401201B2 true JP3401201B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=18360366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34328898A Expired - Fee Related JP3401201B2 (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6117623A (ja) |
| JP (1) | JP3401201B2 (ja) |
| KR (1) | KR100370913B1 (ja) |
| TW (1) | TW536667B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434485B1 (ko) * | 1999-10-08 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 스트립퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 스트립 방법 |
| US20030181314A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-09-25 | Texaco Inc. | Using shifted syngas to regenerate SCR type catalyst |
| US6589719B1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist stripper compositions |
| US6682876B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thinner composition and method of stripping a photoresist using the same |
| WO2003067631A2 (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Improved semiconductor stress buffer coating edge bead removal compositions and method for their use |
| EP1490732B1 (en) * | 2002-03-15 | 2008-05-21 | Kodak Graphic Communications Canada Company | Sensitivity enhancement of radiation-sensitive elements |
| US6713236B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-03-30 | Infineon Technologies North America Corp. | Lithography method for preventing lithographic exposure of peripheral region of semiconductor wafer |
| US8263306B2 (en) * | 2005-04-21 | 2012-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Use of blended solvents in defectivity prevention |
| JP4762867B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-08-31 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の洗浄方法 |
| WO2007063985A1 (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の洗浄方法 |
| KR101011854B1 (ko) | 2006-02-23 | 2011-01-31 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 리소그래피용 세정액 및 이것을 이용한 세정방법 |
| JP4643467B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2011-03-02 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、およびこれを用いた基材の洗浄方法、並びに薬液供給装置の洗浄方法 |
| JP4476956B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2010-06-09 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、およびこれを用いた基材の洗浄方法、並びに薬液供給装置の洗浄方法 |
| JP4803591B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2011-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶剤供給方法 |
| US8088439B2 (en) | 2008-08-29 | 2012-01-03 | Korea University Research And Business Foundation | Porous membrane and method of making the same |
| US8298750B2 (en) | 2009-09-08 | 2012-10-30 | Eastman Kodak Company | Positive-working radiation-sensitive imageable elements |
| CN107430355B (zh) * | 2015-03-31 | 2023-07-14 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂图案被覆用涂布液及图案的形成方法 |
| US20170322495A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | University-Industry Foundation, Yonsei University | Composition for removing photoresist and method for removing photoresist using the same |
| KR102267799B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2021-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 약액, 패턴 형성 방법, 및 키트 |
| JP6879021B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2021-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268260A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use |
| US5571417A (en) * | 1991-10-22 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Method for treating photolithographic developer and stripper waste streams containing resist or solder mask and gamma butyrolactone or benzyl alcohol |
| JP2874520B2 (ja) * | 1993-06-07 | 1999-03-24 | 三菱化学株式会社 | フォトレジスト装置の洗浄液と洗浄方法 |
| DE69432919T2 (de) * | 1993-12-28 | 2004-05-27 | Tanabe Seiyaku Co., Ltd. | Verfahren für den Nachweis spezifischer Polynukleotiden |
| JPH08171213A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Ricoh Co Ltd | 感光性ドライフィルムレジスト用現像液及びそれを用いた現像方法 |
| JP2950407B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1999-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 電子部品製造用基材の製造方法 |
| JP3125917B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2001-01-22 | 東京応化工業株式会社 | 電子部品製造用基材の製造方法 |
| KR100234532B1 (ko) * | 1996-09-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP34328898A patent/JP3401201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-19 TW TW088120264A patent/TW536667B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-29 KR KR10-1999-0053653A patent/KR100370913B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-02 US US09/453,460 patent/US6117623A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000171987A (ja) | 2000-06-23 |
| KR100370913B1 (ko) | 2003-02-05 |
| US6117623A (en) | 2000-09-12 |
| KR20000047769A (ko) | 2000-07-25 |
| TW536667B (en) | 2003-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3401201B2 (ja) | 電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤 | |
| KR100593280B1 (ko) | 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법 | |
| KR920005773B1 (ko) | 열안정성 중합체 상(polymer images) 및 그 제조방법 | |
| JP3248781B2 (ja) | レジスト洗浄除去用溶剤及びそれを使用する電子部品製造用基材の製造方法 | |
| EP1856577B1 (en) | Positive dry film photoresist and composition for preparing the same | |
| JP4699483B2 (ja) | 表示装置用アレイ基板の製造方法 | |
| JP3248780B2 (ja) | レジスト洗浄除去用溶剤及びこの溶剤を用いた電子部品製造用基材の製造方法 | |
| JPH02867A (ja) | レジスト | |
| US20110135891A1 (en) | Film type photodegradable transfer material | |
| TW200849329A (en) | Pattern forming method and composition for the same | |
| JPH07160008A (ja) | レジスト形成用塗布物あるいはレジストの洗浄除去用溶剤及びそれを使用する電子部品製造用基材の製造方法 | |
| US10976659B2 (en) | Photoresists comprising novolak resin blends | |
| KR19990036936A (ko) | 열가소성 수지 경화막의 제조 방법 | |
| TWI325097B (en) | Resist composition and organic solvent for removing resist | |
| JP3771898B2 (ja) | 電子部品用基材の製造方法 | |
| JP2918633B2 (ja) | ポジ型ホトレジストの洗浄除去用溶剤 | |
| JP3125917B2 (ja) | 電子部品製造用基材の製造方法 | |
| KR20030081069A (ko) | 잉크젯 방식에 의한 유기 ｅｌ 표시 소자의 절연막 형성에사용되는 감방사선성 수지 조성물, 유기 ｅｌ 표시 소자의절연막 및 그의 형성 방법, 및 유기 ｅｌ 표시 소자 | |
| EP0135900A2 (en) | Aqueous developable negative resist compositions | |
| JP2554759B2 (ja) | 新規なポジ型ホトレジスト組成物 | |
| KR101291935B1 (ko) | 필름형 광분해성 전사재료 | |
| JPH09236923A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3468929B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP2566045B2 (ja) | 新規ポジ型感光性組成物 | |
| JP2002141265A (ja) | ホトレジスト除去液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140221 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |